JPH0845740A - 積層コイル素子 - Google Patents
積層コイル素子Info
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- JPH0845740A JPH0845740A JP17554294A JP17554294A JPH0845740A JP H0845740 A JPH0845740 A JP H0845740A JP 17554294 A JP17554294 A JP 17554294A JP 17554294 A JP17554294 A JP 17554294A JP H0845740 A JPH0845740 A JP H0845740A
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- Japan
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- thin film
- coil element
- metal thin
- laminated coil
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- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
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Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】インダクタンスばらつきの小さな積層コイル素
子を提供する。 【構成】積層コイル素子の金属薄膜をその外縁がそれぞ
れ磁性体基板の外形寸法の１０％以上内側に位置するよ
うに形成された構造とする。また、金属薄膜の幅は５０
μｍ以上で、厚みは１μｍ以下となるように形成されて
いる。
子を提供する。 【構成】積層コイル素子の金属薄膜をその外縁がそれぞ
れ磁性体基板の外形寸法の１０％以上内側に位置するよ
うに形成された構造とする。また、金属薄膜の幅は５０
μｍ以上で、厚みは１μｍ以下となるように形成されて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】磁性体基板にコイルが形成された
素子に関する。
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年電子部品の小型化が望まれてきてい
るが、コイル素子においても基板に電気伝導性材料によ
りコイル形状やミアンダライン形状の金属薄膜が形成さ
れた小型の積層コイル素子が実用化されている。このよ
うな積層コイル素子のインダクタンスを大きくするため
にはコイル形状の金属薄膜を有する素子においてはタ−
ン数を、ミアンダライン形状を有する素子においては往
復数を増やすことにより実現されている。しかしながら
前記の方法によれば、金属薄膜の微細化をさらに進める
必要があるが、直流抵抗が大きくなるという問題があ
る。そこで小型でインダクタンスの大きなコイル素子を
得るために、磁性体基板に金属薄膜を形成するという方
法が採用されている。さらには磁力線の漏れを抑えるた
めに金属薄膜を磁性体基板で挟んだ構造の素子も開発さ
れている。
るが、コイル素子においても基板に電気伝導性材料によ
りコイル形状やミアンダライン形状の金属薄膜が形成さ
れた小型の積層コイル素子が実用化されている。このよ
うな積層コイル素子のインダクタンスを大きくするため
にはコイル形状の金属薄膜を有する素子においてはタ−
ン数を、ミアンダライン形状を有する素子においては往
復数を増やすことにより実現されている。しかしながら
前記の方法によれば、金属薄膜の微細化をさらに進める
必要があるが、直流抵抗が大きくなるという問題があ
る。そこで小型でインダクタンスの大きなコイル素子を
得るために、磁性体基板に金属薄膜を形成するという方
法が採用されている。さらには磁力線の漏れを抑えるた
めに金属薄膜を磁性体基板で挟んだ構造の素子も開発さ
れている。
【０００３】従来の積層コイル素子２０の構造を図９、
図１０を用いて説明する。
図１０を用いて説明する。
【０００４】図９は積層コイル素子２０を構成する金属
薄膜の平面断面図を、図１０は積層コイル素子を図９の
Ａ−Ａで切断したときの側面断面図を示す。図９におい
て１は金属薄膜でたとえばＡｇなどの薄膜からなり磁性
体基板２ａにスパッタリングおよびフォトリソグラフィ
−により形成されている。金属薄膜１はコイル形状をし
ているため、互いに交差する部分が短絡しないようにた
とえばポリイミドなどによるクロスオ−バ−と呼ばれる
絶縁層３が設けられている。図１０の側面断面図に示す
ように金属薄膜１の上には磁性体基板２ｂがポリイミド
からなる接着層４により接着されている。さらに金属薄
膜１の両端には外部の素子と接続するためのたとえばＮ
ｉＣｒＡｇモネルなどをスパッタリングにより成膜した
端子電極５、５が設けられている。前記金属薄膜１の外
周は磁性体基板２ａ、２ｂ端面の近傍まで形成されてお
り、その断面は電気抵抗値を小さくするために例えば幅
が３０μｍ、厚みが４μｍに形成されている。
薄膜の平面断面図を、図１０は積層コイル素子を図９の
Ａ−Ａで切断したときの側面断面図を示す。図９におい
て１は金属薄膜でたとえばＡｇなどの薄膜からなり磁性
体基板２ａにスパッタリングおよびフォトリソグラフィ
−により形成されている。金属薄膜１はコイル形状をし
ているため、互いに交差する部分が短絡しないようにた
とえばポリイミドなどによるクロスオ−バ−と呼ばれる
絶縁層３が設けられている。図１０の側面断面図に示す
ように金属薄膜１の上には磁性体基板２ｂがポリイミド
からなる接着層４により接着されている。さらに金属薄
膜１の両端には外部の素子と接続するためのたとえばＮ
ｉＣｒＡｇモネルなどをスパッタリングにより成膜した
端子電極５、５が設けられている。前記金属薄膜１の外
周は磁性体基板２ａ、２ｂ端面の近傍まで形成されてお
り、その断面は電気抵抗値を小さくするために例えば幅
が３０μｍ、厚みが４μｍに形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら以上の構
造を有する積層コイル素子は次に述べるような問題点が
ある。すなわち金属薄膜が形成されている磁性体基板の
透磁率が変動すると積層コイル素子のインダクタンスが
ばらつく。また磁性体基板を接着したとき磁性体基板間
の間隔が変動すると積層コイル素子のインダクタンスが
ばらつく。具体的には磁性体基板を形成する磁性材料の
透磁率を±５％に制御すると同時に、磁性体基板の間隔
を１０μｍ±５μｍに制御するのは困難である。そのた
めに、積層コイル素子のインダクタンスの変化量は６０
％にもなる。本発明は前記問題点を解決するためになさ
れたものであり、インダクタンスのばらつきの小さな積
層コイル素子を提供するものである。
造を有する積層コイル素子は次に述べるような問題点が
ある。すなわち金属薄膜が形成されている磁性体基板の
透磁率が変動すると積層コイル素子のインダクタンスが
ばらつく。また磁性体基板を接着したとき磁性体基板間
の間隔が変動すると積層コイル素子のインダクタンスが
ばらつく。具体的には磁性体基板を形成する磁性材料の
透磁率を±５％に制御すると同時に、磁性体基板の間隔
を１０μｍ±５μｍに制御するのは困難である。そのた
めに、積層コイル素子のインダクタンスの変化量は６０
％にもなる。本発明は前記問題点を解決するためになさ
れたものであり、インダクタンスのばらつきの小さな積
層コイル素子を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
積層コイル素子は、コイル形状を有する金属薄膜が磁性
体基板に挟まれてなる積層コイル素子において、コイル
を形成する金属薄膜の全外縁が磁性体基板の外縁よりそ
れぞれ基板寸法の１０％以上内側に形成され、かつ金属
薄膜の幅が５０μｍ以上で厚みが１μｍ以下であること
を特徴とする。
積層コイル素子は、コイル形状を有する金属薄膜が磁性
体基板に挟まれてなる積層コイル素子において、コイル
を形成する金属薄膜の全外縁が磁性体基板の外縁よりそ
れぞれ基板寸法の１０％以上内側に形成され、かつ金属
薄膜の幅が５０μｍ以上で厚みが１μｍ以下であること
を特徴とする。
【０００７】
【作用】請求項１記載の積層コイル素子は、コイル形状
を有する金属薄膜が磁性体基板に挟まれてなる積層コイ
ル素子において、コイルを形成する金属薄膜の全外縁が
磁性体基板の外縁よりそれぞれ基板寸法の１０％以上内
側に形成され、かつ金属薄膜の幅が５０μｍ以上で厚み
が１μｍ以下にすることにより金属薄膜近傍に生じる磁
力線が磁性体基板から漏れる事を減らす事ができる。
を有する金属薄膜が磁性体基板に挟まれてなる積層コイ
ル素子において、コイルを形成する金属薄膜の全外縁が
磁性体基板の外縁よりそれぞれ基板寸法の１０％以上内
側に形成され、かつ金属薄膜の幅が５０μｍ以上で厚み
が１μｍ以下にすることにより金属薄膜近傍に生じる磁
力線が磁性体基板から漏れる事を減らす事ができる。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の一実施例回路素子の構造を図
１、２を用いて説明する。
１、２を用いて説明する。
【０００９】なお従来例と同一の部分については同一の
符号を用いる。
符号を用いる。
【００１０】図１は積層コイル素子１０の平面断面図で
外形が４×５ｍｍの磁性体基板２ａにＡｇ薄膜によりコ
イル形状を有する金属薄膜１が形成されている。図１に
示すように金属薄膜１はその交差する部分が短絡しない
ようにポリイミド樹脂によりクロスオ−バ−とよばれる
絶縁層３が設けられている。図１のＡ−Ａで切断したと
きの側面断面図を図２に示す。図２に示すように金属薄
膜１を覆うようにポリイミドからなる接着層４により磁
性体基板２ｂが接着されている。そして金属薄膜１の両
端に接続するように積層コイル素子１０の端面に接続電
極５、５が設けられている。なお破線でコイル形状を有
する金属薄膜１の外縁７を示す。
外形が４×５ｍｍの磁性体基板２ａにＡｇ薄膜によりコ
イル形状を有する金属薄膜１が形成されている。図１に
示すように金属薄膜１はその交差する部分が短絡しない
ようにポリイミド樹脂によりクロスオ−バ−とよばれる
絶縁層３が設けられている。図１のＡ−Ａで切断したと
きの側面断面図を図２に示す。図２に示すように金属薄
膜１を覆うようにポリイミドからなる接着層４により磁
性体基板２ｂが接着されている。そして金属薄膜１の両
端に接続するように積層コイル素子１０の端面に接続電
極５、５が設けられている。なお破線でコイル形状を有
する金属薄膜１の外縁７を示す。
【００１１】前記金属薄膜１はその外縁７が、図１に示
すように縦と横の寸法がそれぞれｌ1 、ｌ2 となるよう
に形成されている。しかも金属薄膜１の縦方向が磁性体
基板２ａの外縁よりｌ3 、ｌ4 だけ内側に位置するよう
に形成されており、かつｌ3 、ｌ4 はそれぞれ磁性体基
板の外形縦寸法ｌ7 の１０％以上である。同様に金属薄
膜１の横方向は磁性体基板２ａの外縁よりｌ5 、ｌ6 だ
け内側に位置するように形成されており、かつｌ5 、ｌ
6 はそれぞれ磁性体基板の外形横寸法ｌ8 の１０％以上
である。さらには金属薄膜１の幅が５０μｍ以上で、厚
みが１μｍ以下となるような形状に形成されている。
すように縦と横の寸法がそれぞれｌ1 、ｌ2 となるよう
に形成されている。しかも金属薄膜１の縦方向が磁性体
基板２ａの外縁よりｌ3 、ｌ4 だけ内側に位置するよう
に形成されており、かつｌ3 、ｌ4 はそれぞれ磁性体基
板の外形縦寸法ｌ7 の１０％以上である。同様に金属薄
膜１の横方向は磁性体基板２ａの外縁よりｌ5 、ｌ6 だ
け内側に位置するように形成されており、かつｌ5 、ｌ
6 はそれぞれ磁性体基板の外形横寸法ｌ8 の１０％以上
である。さらには金属薄膜１の幅が５０μｍ以上で、厚
みが１μｍ以下となるような形状に形成されている。
【００１２】上記積層コイル素子１０の製造方法を図３
〜図８を用いて説明する。
〜図８を用いて説明する。
【００１３】まず粉末成形法により成形され、焼成され
た磁性体基板２ａを準備する。次に図３の断面図に示す
ように磁性体基板２ａにスパッタリングにより１μｍの
膜厚でＡｇ薄膜６を全面に形成する。そして図４の断面
図および図５の平面図に示すようにＡｇ薄膜６をフォト
リソグラフィ−により金属薄膜１の一部であるパタ−ン
１ａに形成する。次に図６の平面図に示すように金属薄
膜１が短絡しないように交差部分に絶縁層３としてはた
らくポリイミド膜を形成する。次に図７の平面図に示す
ようにパタ−ン１ａと同様に、スパッタリングとフォト
リソグラフィ−によりパタ−ン１ｂを形成する。前記パ
タ−ン１ａ、１ｂはそれぞれの一端が互いに接続しコイ
ル形状を有する金属薄膜１に形成される。次に図８の断
面図に示すようにポリイミドからなる接着層４により磁
性体基板２ｂを接着し、ダイシングソ−により個々の素
子に切断分離する。次に切断分離することにより端面に
露出した金属薄膜１に接続するようにＮｉＣｒＡｇモネ
ルからなる接続電極５、５をスパッタリングにより形成
して図２に示す断面構造を有する積層コイル素子１０が
得られる。なお以上の説明に用いた図では単独の金属薄
膜が磁性体基板に形成されている図を示したが、実際の
製造工程においては、多数個の金属薄膜を磁性体基板に
同時に形成し後工程で切断分離され、個々の回路素子に
形成される。なお本実施例において金属薄膜はＡｇで、
絶縁膜はポリイミドで、接続電極はＮｉＣｒＡｇモネル
でそれぞれ形成した例について述べたがこれらの材料だ
けに限定されないことはいうまでもない。
た磁性体基板２ａを準備する。次に図３の断面図に示す
ように磁性体基板２ａにスパッタリングにより１μｍの
膜厚でＡｇ薄膜６を全面に形成する。そして図４の断面
図および図５の平面図に示すようにＡｇ薄膜６をフォト
リソグラフィ−により金属薄膜１の一部であるパタ−ン
１ａに形成する。次に図６の平面図に示すように金属薄
膜１が短絡しないように交差部分に絶縁層３としてはた
らくポリイミド膜を形成する。次に図７の平面図に示す
ようにパタ−ン１ａと同様に、スパッタリングとフォト
リソグラフィ−によりパタ−ン１ｂを形成する。前記パ
タ−ン１ａ、１ｂはそれぞれの一端が互いに接続しコイ
ル形状を有する金属薄膜１に形成される。次に図８の断
面図に示すようにポリイミドからなる接着層４により磁
性体基板２ｂを接着し、ダイシングソ−により個々の素
子に切断分離する。次に切断分離することにより端面に
露出した金属薄膜１に接続するようにＮｉＣｒＡｇモネ
ルからなる接続電極５、５をスパッタリングにより形成
して図２に示す断面構造を有する積層コイル素子１０が
得られる。なお以上の説明に用いた図では単独の金属薄
膜が磁性体基板に形成されている図を示したが、実際の
製造工程においては、多数個の金属薄膜を磁性体基板に
同時に形成し後工程で切断分離され、個々の回路素子に
形成される。なお本実施例において金属薄膜はＡｇで、
絶縁膜はポリイミドで、接続電極はＮｉＣｒＡｇモネル
でそれぞれ形成した例について述べたがこれらの材料だ
けに限定されないことはいうまでもない。
【００１４】このような構造を有する積層コイル素子に
おいて、磁性体基板の透磁率を３０％小さくし磁性体基
板の間隔を１０μｍ〜２０μｍまで変化させてそのイン
ダクタンスのばらつきを調査したところ２０％の変動で
あった。
おいて、磁性体基板の透磁率を３０％小さくし磁性体基
板の間隔を１０μｍ〜２０μｍまで変化させてそのイン
ダクタンスのばらつきを調査したところ２０％の変動で
あった。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係る積層コイル素子の金属薄膜
をその外形寸法が磁性体基板の外形寸法の８０％以下
で、かつ金属薄膜の幅が５０μｍ以上で、厚みが１μｍ
以下となるように形成されることにより、積層コイル素
子のインダクタンス変化量を１／３に削減する事ができ
る。
をその外形寸法が磁性体基板の外形寸法の８０％以下
で、かつ金属薄膜の幅が５０μｍ以上で、厚みが１μｍ
以下となるように形成されることにより、積層コイル素
子のインダクタンス変化量を１／３に削減する事ができ
る。
【図１】本発明に係る一実施例積層コイル素子の平面断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係る一実施例積層コイル素子の側面断
面図である。
面図である。
【図３】本発明に係る一実施例積層コイル素子の製造途
中における側面断面図である。
中における側面断面図である。
【図４】本発明に係る一実施例積層コイル素子の製造途
中における側面断面図である。
中における側面断面図である。
【図５】本発明に係る一実施例積層コイル素子の製造途
中における平面断面図である。
中における平面断面図である。
【図６】本発明に係る一実施例積層コイル素子の製造途
中における平面断面図である。
中における平面断面図である。
【図７】本発明に係る一実施例積層コイル素子の製造途
中における平面断面図である。
中における平面断面図である。
【図８】本発明に係る一実施例積層コイル素子の製造途
中における側面断面図である。
中における側面断面図である。
【図９】従来の積層コイル素子の平面断面図である。
【図１０】従来の積層コイル素子の側面断面図である。
１ 金属薄膜 １ａ、１ｂ パタ−ン ２ａ、２ｂ 磁性体基板 ３ 絶縁層 ４ 接着層 ５ 接続電極 ６ Ａｇ薄膜 ７ 外縁
Claims (1)
- 【請求項１】コイル形状を有する金属薄膜が磁性体基板
に挟まれてなる積層コイル素子において、コイルを形成
する金属薄膜の全外縁が磁性体基板の外縁よりそれぞれ
基板寸法の１０％以上内側に形成され、かつ金属薄膜の
幅が５０μｍ以上で厚みが１μｍ以下であることを特徴
とする積層コイル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17554294A JPH0845740A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 積層コイル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17554294A JPH0845740A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 積層コイル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845740A true JPH0845740A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=15997904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17554294A Pending JPH0845740A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 積層コイル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845740A (ja) |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP17554294A patent/JPH0845740A/ja active Pending
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