JPH0855722A - 耐食性高飽和磁束密度磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド - Google Patents
耐食性高飽和磁束密度磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッドInfo
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- JPH0855722A JPH0855722A JP6190694A JP19069494A JPH0855722A JP H0855722 A JPH0855722 A JP H0855722A JP 6190694 A JP6190694 A JP 6190694A JP 19069494 A JP19069494 A JP 19069494A JP H0855722 A JPH0855722 A JP H0855722A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い飽和磁束密度と優れた軟磁気特性を有
し、耐食性、耐摩耗性に優れた磁性膜を得る。 【構成】 組成式：ＦｅaＳｉcＴdＸeＺg で表される組
成を有する磁性膜。但し、ＴはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれる元素の少なくとも
一種、ＸはＲｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔの群か
ら選ばれる元素の少なくとも一種、ＺはＣ，Ｎの群から
選ばれる元素の少なくとも一種であって、ａ，ｃ，ｄ，
ｅ，ｇは原子％を表し、５≦ｃ≦２０，２≦ｄ≦２０，
０．５≦ｅ≦１５，１≦ｇ≦２０、かつ、ａ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ＋ｇ＝１００、である。
し、耐食性、耐摩耗性に優れた磁性膜を得る。 【構成】 組成式：ＦｅaＳｉcＴdＸeＺg で表される組
成を有する磁性膜。但し、ＴはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれる元素の少なくとも
一種、ＸはＲｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔの群か
ら選ばれる元素の少なくとも一種、ＺはＣ，Ｎの群から
選ばれる元素の少なくとも一種であって、ａ，ｃ，ｄ，
ｅ，ｇは原子％を表し、５≦ｃ≦２０，２≦ｄ≦２０，
０．５≦ｅ≦１５，１≦ｇ≦２０、かつ、ａ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ＋ｇ＝１００、である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高飽和磁束密度、高透
磁率、低磁歪定数を有し、しかも耐食性、耐摩耗性に優
れた磁性膜に関し、特に磁気ディスク装置やＶＴＲ用の
ヘッドコア材料に好適な磁性膜に関する。さらに、この
磁性膜を使用した信頼性の高い磁気ヘッドならびに磁気
記録装置に関する。
磁率、低磁歪定数を有し、しかも耐食性、耐摩耗性に優
れた磁性膜に関し、特に磁気ディスク装置やＶＴＲ用の
ヘッドコア材料に好適な磁性膜に関する。さらに、この
磁性膜を使用した信頼性の高い磁気ヘッドならびに磁気
記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度磁気記録の進歩は著しく、
記録密度の増加により装置の小型化、高性能化が進んで
いる。さらに記録の高密度化を進めるためには高保磁力
の媒体を用い、これに充分記録可能な磁界を発生させる
ために磁気ヘッドのコア材料に高い飽和磁束密度を有す
る磁性材料を使用する必要がある。このような磁性材料
として、Ｃｏ系非晶質合金、ＦｅＡｌＳｉ系（センダス
ト）合金等が用いられてきた。さらには、特開平３−２
０４４４号公報に記載された、Ｆｅ（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ）Ｃの組成式で示されるよう
な炭素を比較的大量に含む磁性合金、あるいは特開平３
−２７５６０５号公報に記載された、Ｆｅ（Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗ）Ｎの組成式で示
されるような窒素を比較的多量に含む磁性合金が提案さ
れている。
記録密度の増加により装置の小型化、高性能化が進んで
いる。さらに記録の高密度化を進めるためには高保磁力
の媒体を用い、これに充分記録可能な磁界を発生させる
ために磁気ヘッドのコア材料に高い飽和磁束密度を有す
る磁性材料を使用する必要がある。このような磁性材料
として、Ｃｏ系非晶質合金、ＦｅＡｌＳｉ系（センダス
ト）合金等が用いられてきた。さらには、特開平３−２
０４４４号公報に記載された、Ｆｅ（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ）Ｃの組成式で示されるよう
な炭素を比較的大量に含む磁性合金、あるいは特開平３
−２７５６０５号公報に記載された、Ｆｅ（Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗ）Ｎの組成式で示
されるような窒素を比較的多量に含む磁性合金が提案さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｃｏ系非晶質合金及び
ＦｅＡｌＳｉ系合金磁性膜は飽和磁束密度が１．１〜
１．３Ｔであるのに対して、上記炭素系あるいは窒素系
合金磁性膜は１．５〜１．６Ｔと高い飽和磁束密度を有
する。しかし、耐食性を評価した結果、上記炭素系及び
窒素系合金磁性膜は耐食性に問題があり、磁気ヘッド作
製プロセス中に腐食を生じたり、磁気ヘッド表面に結露
を生じた場合あるいは塩素イオンが存在する環境下にお
いて腐食を生じやすい場合があることが明らかになっ
た。
ＦｅＡｌＳｉ系合金磁性膜は飽和磁束密度が１．１〜
１．３Ｔであるのに対して、上記炭素系あるいは窒素系
合金磁性膜は１．５〜１．６Ｔと高い飽和磁束密度を有
する。しかし、耐食性を評価した結果、上記炭素系及び
窒素系合金磁性膜は耐食性に問題があり、磁気ヘッド作
製プロセス中に腐食を生じたり、磁気ヘッド表面に結露
を生じた場合あるいは塩素イオンが存在する環境下にお
いて腐食を生じやすい場合があることが明らかになっ
た。
【０００４】これらの磁性膜をＶＴＲヘッドに適用する
場合、記録特性を向上するための高飽和磁束密度のほか
に、優れた再生特性を実現するために、高透磁率、低保
磁力、軟磁気特性が要求される。さらに、ヘッド基板上
にスパッタリング法などの薄膜作製法により形成した場
合の内部応力や、磁気ヘッド加工中に受ける加工応力、
熱応力によって磁気特性が劣化しないように、磁歪定数
の絶対値が小さいことが必要である。さらに磁気ヘッド
は磁気テープで摺動するために耐摩耗性も必要である。
場合、記録特性を向上するための高飽和磁束密度のほか
に、優れた再生特性を実現するために、高透磁率、低保
磁力、軟磁気特性が要求される。さらに、ヘッド基板上
にスパッタリング法などの薄膜作製法により形成した場
合の内部応力や、磁気ヘッド加工中に受ける加工応力、
熱応力によって磁気特性が劣化しないように、磁歪定数
の絶対値が小さいことが必要である。さらに磁気ヘッド
は磁気テープで摺動するために耐摩耗性も必要である。
【０００５】本発明の目的は、上記のように高飽和磁束
密度、高透磁率、低保磁力、低磁歪定数で耐食性、耐摩
耗性に優れた磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッドを提供
することにある。
密度、高透磁率、低保磁力、低磁歪定数で耐食性、耐摩
耗性に優れた磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッドを提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記炭素
系及び窒素系合金磁性膜の耐食性を向上するために鋭意
検討した結果、Ｃｒを添加することによりこれらの合金
の耐食性を向上させ得ることを見出した。しかし、Ｃｒ
を多量に添加した場合には、飽和磁束密度が低下してし
まうという問題が生じた。この問題を解決するために、
さらに耐食性を向上する添加元素について検討した結
果、Ｒｕ，Ｒｈなどの白金族元素の添加が、耐食性向上
に大きい効果があることを見出した。このように、Ｒ
ｕ，Ｒｈ等の白金属元素の添加は、上記の炭素系及び窒
素系合金の耐食性を大きく向上させる。しかし、これら
の白金族元素を添加した場合、またＣｒを添加した場合
にも、磁歪定数が著しく増加するという問題を生じた。
この問題を解決するために、本発明者等は、磁歪定数を
低減できる元素について鋭意検討した結果、Ｆｅを主成
分とし、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ等の遷移金属元
素と炭素、窒素及び白金族元素を含む合金膜にＳｉを添
加することにより、磁歪定数の低減が図れることを見出
した。
系及び窒素系合金磁性膜の耐食性を向上するために鋭意
検討した結果、Ｃｒを添加することによりこれらの合金
の耐食性を向上させ得ることを見出した。しかし、Ｃｒ
を多量に添加した場合には、飽和磁束密度が低下してし
まうという問題が生じた。この問題を解決するために、
さらに耐食性を向上する添加元素について検討した結
果、Ｒｕ，Ｒｈなどの白金族元素の添加が、耐食性向上
に大きい効果があることを見出した。このように、Ｒ
ｕ，Ｒｈ等の白金属元素の添加は、上記の炭素系及び窒
素系合金の耐食性を大きく向上させる。しかし、これら
の白金族元素を添加した場合、またＣｒを添加した場合
にも、磁歪定数が著しく増加するという問題を生じた。
この問題を解決するために、本発明者等は、磁歪定数を
低減できる元素について鋭意検討した結果、Ｆｅを主成
分とし、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ等の遷移金属元
素と炭素、窒素及び白金族元素を含む合金膜にＳｉを添
加することにより、磁歪定数の低減が図れることを見出
した。
【０００７】本発明では、上記のように飽和磁束密度が
高く、高透磁率、低保磁力の特性を有し、耐食性、耐摩
耗性に優れた磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッドを得る
ために、以下の（１）〜（４）に示す組成の磁性膜を使
用する。
高く、高透磁率、低保磁力の特性を有し、耐食性、耐摩
耗性に優れた磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッドを得る
ために、以下の（１）〜（４）に示す組成の磁性膜を使
用する。
【０００８】（１）組成式：ＦｅaＳｉcＴdＸeＺg で表
される組成を有する磁性膜。但し、ＴはＴｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれる元素の少な
くとも一種、ＸはＲｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ
の群から選ばれる元素の少なくとも一種、ＺはＣ，Ｎの
群から選ばれる元素の少なくとも一種であって、ａ，
ｃ，ｄ，ｅ，ｇは原子％を表し、５≦ｃ≦２０，２≦ｄ
≦２０，０．５≦ｅ≦１５，１≦ｇ≦２０、かつ、ａ＋
ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｇ＝１００、である。
される組成を有する磁性膜。但し、ＴはＴｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれる元素の少な
くとも一種、ＸはＲｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ
の群から選ばれる元素の少なくとも一種、ＺはＣ，Ｎの
群から選ばれる元素の少なくとも一種であって、ａ，
ｃ，ｄ，ｅ，ｇは原子％を表し、５≦ｃ≦２０，２≦ｄ
≦２０，０．５≦ｅ≦１５，１≦ｇ≦２０、かつ、ａ＋
ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｇ＝１００、である。
【０００９】（２）組成式：ＦｅaＳｉcＴdＸeＹfＺg
で表される組成を有する磁性膜。但し、ＴはＴｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれる元素
の少なくとも一種、ＸはＲｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐ
ｄ，Ｐｔの群から選ばれる元素の少なくとも一種、Ｙは
Ｃｒ，Ａｌから選ばれる元素の少なくとも一種、Ｚは
Ｃ，Ｎの群から選ばれる元素の少なくとも一種であっ
て、ａ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇは原子％を表し、５≦ｃ≦
２０，２≦ｄ≦２０，０．５≦ｅ≦１５，ｆ≦１５，１
≦ｇ≦２０、かつ、ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝１００、
である。
で表される組成を有する磁性膜。但し、ＴはＴｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれる元素
の少なくとも一種、ＸはＲｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐ
ｄ，Ｐｔの群から選ばれる元素の少なくとも一種、Ｙは
Ｃｒ，Ａｌから選ばれる元素の少なくとも一種、Ｚは
Ｃ，Ｎの群から選ばれる元素の少なくとも一種であっ
て、ａ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇは原子％を表し、５≦ｃ≦
２０，２≦ｄ≦２０，０．５≦ｅ≦１５，ｆ≦１５，１
≦ｇ≦２０、かつ、ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝１００、
である。
【００１０】（３）組成式：ＦｅaＭbＳｉcＴdＸeＺg
で表される組成を有する磁性膜。但し、ＭはＣｏ，Ｎｉ
の群から選ばれる元素の少なくとも一種、ＴはＴｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれる元素
の少なくとも一種、ＸはＲｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐ
ｄ，Ｐｔの群から選ばれる元素の少なくとも一種、Ｚは
Ｃ，Ｎの群から選ばれる元素の少なくとも一種であっ
て、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｇは原子％を表し、ｂ≦１
５，５≦ｃ≦２０，２≦ｄ≦２０，０．５≦ｅ≦１５，
１≦ｇ≦２０、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｇ＝１０
０、である。
で表される組成を有する磁性膜。但し、ＭはＣｏ，Ｎｉ
の群から選ばれる元素の少なくとも一種、ＴはＴｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれる元素
の少なくとも一種、ＸはＲｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐ
ｄ，Ｐｔの群から選ばれる元素の少なくとも一種、Ｚは
Ｃ，Ｎの群から選ばれる元素の少なくとも一種であっ
て、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｇは原子％を表し、ｂ≦１
５，５≦ｃ≦２０，２≦ｄ≦２０，０．５≦ｅ≦１５，
１≦ｇ≦２０、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｇ＝１０
０、である。
【００１１】（４）組成式：ＦｅaＭbＳｉcＴdＸeＹfＺ
g で表される組成を有する磁性膜。但し、ＭはＣｏ，Ｎ
ｉの群から選ばれる元素の少なくとも一種、ＴはＴｉ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれる元
素の少なくとも一種、ＸはＲｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐ
ｄ，Ｐｔの群から選ばれる元素の少なくとも一種、Ｙは
Ｃｒ，Ａｌの群から選ばれる元素の少なくとも一種、Ｚ
はＣ，Ｎの群から選ばれる元素の少なくとも一種であっ
て、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｇは原子％を表し、ｂ≦１
５，５≦ｃ≦２０，２≦ｄ≦２０，０．５≦ｅ≦１５，
ｆ≦１５，１≦ｇ≦２０、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋
ｆ＋ｇ＝１００、である。
g で表される組成を有する磁性膜。但し、ＭはＣｏ，Ｎ
ｉの群から選ばれる元素の少なくとも一種、ＴはＴｉ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群から選ばれる元
素の少なくとも一種、ＸはＲｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐ
ｄ，Ｐｔの群から選ばれる元素の少なくとも一種、Ｙは
Ｃｒ，Ａｌの群から選ばれる元素の少なくとも一種、Ｚ
はＣ，Ｎの群から選ばれる元素の少なくとも一種であっ
て、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｇは原子％を表し、ｂ≦１
５，５≦ｃ≦２０，２≦ｄ≦２０，０．５≦ｅ≦１５，
ｆ≦１５，１≦ｇ≦２０、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋
ｆ＋ｇ＝１００、である。
【００１２】上記（１）〜（４）の磁性膜において、Ｘ
はＲｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓの群から選ばれる元素の少な
くとも一種とするのが好ましい。また、上記いずれの磁
性膜においても、元素Ｘの濃度は、３≦ｅ≦１５の範囲
がより好ましく、３≦ｅ≦１０の範囲がさらに好まし
い。Ｓｉの濃度は、１０≦ｃ≦１５の範囲がより好まし
い。元素Ｔの濃度は、２≦ｄ≦１０の範囲がより好まし
い。元素Ｚの濃度は、３≦ｇ≦１０の範囲がより好まし
い。元素Ｙの濃度は、ｆ≦１０とするのがより好まし
い。元素Ｍの濃度は、ｂ≦１０とするのがより好まし
い。元素Ｘに加えて元素Ｙを添加する場合には、その濃
度の和を１５％以下とするのが好ましい。元素Ｘに加え
て元素Ｍを添加する場合には、その濃度の和を１５％以
下とするのが好ましい。元素Ｘに加えて元素Ｙ及び元素
Ｍを添加する場合には、その濃度の和を１５％以下とす
るのが好ましい。
はＲｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓの群から選ばれる元素の少な
くとも一種とするのが好ましい。また、上記いずれの磁
性膜においても、元素Ｘの濃度は、３≦ｅ≦１５の範囲
がより好ましく、３≦ｅ≦１０の範囲がさらに好まし
い。Ｓｉの濃度は、１０≦ｃ≦１５の範囲がより好まし
い。元素Ｔの濃度は、２≦ｄ≦１０の範囲がより好まし
い。元素Ｚの濃度は、３≦ｇ≦１０の範囲がより好まし
い。元素Ｙの濃度は、ｆ≦１０とするのがより好まし
い。元素Ｍの濃度は、ｂ≦１０とするのがより好まし
い。元素Ｘに加えて元素Ｙを添加する場合には、その濃
度の和を１５％以下とするのが好ましい。元素Ｘに加え
て元素Ｍを添加する場合には、その濃度の和を１５％以
下とするのが好ましい。元素Ｘに加えて元素Ｙ及び元素
Ｍを添加する場合には、その濃度の和を１５％以下とす
るのが好ましい。
【００１３】本発明の合金磁性膜は、スパッタリング
法、真空蒸着法等の薄膜形成技術により作製される。特
に、２極スパッタリング法、マグネトロンスパッタリン
グ法、イオンビームスパッタリング法等のスパッタリン
グ法により作製することが好ましい。磁性膜の成膜後、
４００℃以上の温度で熱処理を行う。磁性膜中の平均結
晶粒径は５０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下で
ある。
法、真空蒸着法等の薄膜形成技術により作製される。特
に、２極スパッタリング法、マグネトロンスパッタリン
グ法、イオンビームスパッタリング法等のスパッタリン
グ法により作製することが好ましい。磁性膜の成膜後、
４００℃以上の温度で熱処理を行う。磁性膜中の平均結
晶粒径は５０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下で
ある。
【００１４】磁気ヘッドは、上記磁性膜を磁気コアのキ
ャップ近傍の少なくとも一部に用いて形成される。この
磁気ヘッドは、磁気ディスク用の薄膜磁気ヘッドとして
用いることができる。また、磁気ディスク用、ＶＴＲ用
に用いられる、フェライトヘッドのギャップ面に高飽和
磁束密度磁性膜を形成したＭＩＧヘッドに用いることが
できる。また、フェライトヘッドのギャップ近傍に高飽
和磁束密度磁性膜を形成し、フェライトと磁性膜の界面
がギャップ面と非平行になるように構成したＶＴＲ用複
合ヘッド用として用いることができる。また、ＶＴＲ用
に非磁性基板上に磁性膜を積層形成して磁路とした磁気
ヘッドとして用いることができる。上記磁性膜は１μｍ
以上の厚膜で好ましい磁気特性を示すので、厚い磁性膜
が必要なＶＴＲヘッド用として好適である。
ャップ近傍の少なくとも一部に用いて形成される。この
磁気ヘッドは、磁気ディスク用の薄膜磁気ヘッドとして
用いることができる。また、磁気ディスク用、ＶＴＲ用
に用いられる、フェライトヘッドのギャップ面に高飽和
磁束密度磁性膜を形成したＭＩＧヘッドに用いることが
できる。また、フェライトヘッドのギャップ近傍に高飽
和磁束密度磁性膜を形成し、フェライトと磁性膜の界面
がギャップ面と非平行になるように構成したＶＴＲ用複
合ヘッド用として用いることができる。また、ＶＴＲ用
に非磁性基板上に磁性膜を積層形成して磁路とした磁気
ヘッドとして用いることができる。上記磁性膜は１μｍ
以上の厚膜で好ましい磁気特性を示すので、厚い磁性膜
が必要なＶＴＲヘッド用として好適である。
【００１５】磁気記録装置では、上記磁気ヘッドを少な
くとも１個以上使用することにより、特に腐食が問題と
なる環境、例えば高湿度を経験する環境や、塩素イオン
等の腐食性物質が存在する環境において、装置動作の信
頼性を大幅に高めることができる。
くとも１個以上使用することにより、特に腐食が問題と
なる環境、例えば高湿度を経験する環境や、塩素イオン
等の腐食性物質が存在する環境において、装置動作の信
頼性を大幅に高めることができる。
【００１６】
【作用】Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから
なる遷移金属Ｔは磁性膜形成後の熱処理によりＣ又はＮ
と結合し、おもにＦｅの結晶粒界に析出して結晶成長を
抑える。この結果、磁性膜は少なくとも５０ｎｍ以下、
通常は約２０ｎｍ以下の微細な結晶粒から構成される構
造となり、高透磁率、低保磁力の軟磁気特性の優れた磁
性膜となり、また高い耐熱性を示すようになる。この効
果を得るために遷移金属Ｔの総濃度は２％（原子％、以
下同じ）以上とする必要がある。一方、Ｔの総濃度を高
くした場合には、飽和磁束密度が減少する。また、Ｔの
総濃度が高く、Ｃ又はＮと結合しないＴ成分が増加した
場合には、軟磁気特性の劣化及び耐食性の劣化が見られ
る。従って、Ｔの総濃度を２０％以下、より好ましくは
１０％以下とする必要がある。
なる遷移金属Ｔは磁性膜形成後の熱処理によりＣ又はＮ
と結合し、おもにＦｅの結晶粒界に析出して結晶成長を
抑える。この結果、磁性膜は少なくとも５０ｎｍ以下、
通常は約２０ｎｍ以下の微細な結晶粒から構成される構
造となり、高透磁率、低保磁力の軟磁気特性の優れた磁
性膜となり、また高い耐熱性を示すようになる。この効
果を得るために遷移金属Ｔの総濃度は２％（原子％、以
下同じ）以上とする必要がある。一方、Ｔの総濃度を高
くした場合には、飽和磁束密度が減少する。また、Ｔの
総濃度が高く、Ｃ又はＮと結合しないＴ成分が増加した
場合には、軟磁気特性の劣化及び耐食性の劣化が見られ
る。従って、Ｔの総濃度を２０％以下、より好ましくは
１０％以下とする必要がある。
【００１７】Ｃ又はＮからなる元素群Ｚは、上記のよう
に遷移金属Ｔと結合して、結晶粒の微細化に寄与する。
この効果を得るためには、合わせて１％以上、好ましく
は３％以上の濃度が必要である。また濃度を高くしすぎ
た場合には、飽和磁束密度が減少する他、膜形成時の内
部応力が大きくなり磁性膜の剥離、基板クラックの発生
等が生ずるため、濃度を２０％以下、より好ましくは１
０％以下にする必要がある。
に遷移金属Ｔと結合して、結晶粒の微細化に寄与する。
この効果を得るためには、合わせて１％以上、好ましく
は３％以上の濃度が必要である。また濃度を高くしすぎ
た場合には、飽和磁束密度が減少する他、膜形成時の内
部応力が大きくなり磁性膜の剥離、基板クラックの発生
等が生ずるため、濃度を２０％以下、より好ましくは１
０％以下にする必要がある。
【００１８】Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｄから
なる元素群Ｘは、Ｆｅを主成分とする結晶粒の耐食性を
増加させる。しかも、添加により飽和磁束密度をあまり
低下させず、かえって飽和磁束密度を向上させる場合も
ある。耐食性向上の効果を得るために、Ｘの濃度は０．
５％以上にする必要があり、耐食性向上効果を大きくす
るためには３％以上とすることが好ましい。ただし、Ｘ
元素群を多くした場合には磁歪定数の増加が著しいた
め、添加量は１５％以下、より好ましくは１０％以下と
する必要がある。これらの元素の中で、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉ
ｒ又はＯｓが耐食性向上に特に効果が著しい。
なる元素群Ｘは、Ｆｅを主成分とする結晶粒の耐食性を
増加させる。しかも、添加により飽和磁束密度をあまり
低下させず、かえって飽和磁束密度を向上させる場合も
ある。耐食性向上の効果を得るために、Ｘの濃度は０．
５％以上にする必要があり、耐食性向上効果を大きくす
るためには３％以上とすることが好ましい。ただし、Ｘ
元素群を多くした場合には磁歪定数の増加が著しいた
め、添加量は１５％以下、より好ましくは１０％以下と
する必要がある。これらの元素の中で、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉ
ｒ又はＯｓが耐食性向上に特に効果が著しい。
【００１９】Ｘ元素群に加えて、Ｙ元素群としてＡｌあ
るいはＣｒをさらに添加することは、耐食性向上のため
に効果がある。しかしこれらの元素の添加は飽和磁束密
度を低下させ、また磁歪定数を増加させるため、添加量
を１５％以下、好ましくは１０％以下とする必要があ
る。また、Ｘ元素群に加えて、Ｙ元素群を添加する場
合、これらの濃度の和が大きい場合には磁歪定数が増加
するため、Ｘ元素群とＹ元素群の和を１５％以下とする
ことが好ましい。
るいはＣｒをさらに添加することは、耐食性向上のため
に効果がある。しかしこれらの元素の添加は飽和磁束密
度を低下させ、また磁歪定数を増加させるため、添加量
を１５％以下、好ましくは１０％以下とする必要があ
る。また、Ｘ元素群に加えて、Ｙ元素群を添加する場
合、これらの濃度の和が大きい場合には磁歪定数が増加
するため、Ｘ元素群とＹ元素群の和を１５％以下とする
ことが好ましい。
【００２０】Ｃｏ，Ｎｉからなる元素群Ｍは飽和磁束密
度を増加させ、また耐食性も向上させる効果がある。し
かし、これらの元素も添加とともに磁歪定数を増加させ
るため、添加量を１５％以下、好ましくは１０％以下に
する必要がある。また、元素群Ｘに加えて元素群Ｍを添
加する場合、これらの濃度の和が大きい場合には磁歪定
数が増加するため、Ｘ元素群とＭ元素群の和を１５％以
下とすることが好ましい。さらに、元素群Ｘに加えて元
素群Ｙ及びＭを添加する場合にも、これらの濃度の和が
大きい場合には磁歪定数が増加するため、Ｘ元素群、Ｙ
元素群及びＭ元素群の総和を１５％以下とすることが好
ましい。
度を増加させ、また耐食性も向上させる効果がある。し
かし、これらの元素も添加とともに磁歪定数を増加させ
るため、添加量を１５％以下、好ましくは１０％以下に
する必要がある。また、元素群Ｘに加えて元素群Ｍを添
加する場合、これらの濃度の和が大きい場合には磁歪定
数が増加するため、Ｘ元素群とＭ元素群の和を１５％以
下とすることが好ましい。さらに、元素群Ｘに加えて元
素群Ｙ及びＭを添加する場合にも、これらの濃度の和が
大きい場合には磁歪定数が増加するため、Ｘ元素群、Ｙ
元素群及びＭ元素群の総和を１５％以下とすることが好
ましい。
【００２１】Ｓｉは磁歪定数を低減する効果を有する
が、この効果は比較的多量の添加量からその効果を生ず
るため、少なくとも５％以上の添加量が必要であり、１
０％以上とすることが好ましい。ただし、添加量を多く
しすぎると、飽和磁束密度の低下が大きいため、添加量
は２０％以下とする必要があり、１５％以下とすること
がより好ましい。
が、この効果は比較的多量の添加量からその効果を生ず
るため、少なくとも５％以上の添加量が必要であり、１
０％以上とすることが好ましい。ただし、添加量を多く
しすぎると、飽和磁束密度の低下が大きいため、添加量
は２０％以下とする必要があり、１５％以下とすること
がより好ましい。
【００２２】磁性膜の作製後、４００℃以上の温度で熱
処理を行うと、それぞれの元素がほぼ均一に分散された
膜構造から、Ｆｅを主成分とする少なくとも約５０ｎｍ
以下、通常は約２０ｎｍ以下の微細な結晶粒と、その周
囲に元素群ＴとＮあるいは／及びＣとの微細な化合物が
存在する構造に変化し、高透磁率、低保磁力の軟磁気特
性と低磁歪定数、高飽和磁束密度、高耐熱性の性質が発
現する。
処理を行うと、それぞれの元素がほぼ均一に分散された
膜構造から、Ｆｅを主成分とする少なくとも約５０ｎｍ
以下、通常は約２０ｎｍ以下の微細な結晶粒と、その周
囲に元素群ＴとＮあるいは／及びＣとの微細な化合物が
存在する構造に変化し、高透磁率、低保磁力の軟磁気特
性と低磁歪定数、高飽和磁束密度、高耐熱性の性質が発
現する。
【００２３】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。 〔実施例１〕高周波２極スパッタ装置を用いて磁性膜を
作製した。スパッタリング条件は以下の通りである。 スパッタガス ＡｒあるいはＡｒ＋Ｎ2 スパッタ時のガス圧 ０．６６Ｐａ 高周波電力 ４００Ｗ ターゲット基板間距離 ５０ｍｍ 基板温度 ５０〜１００℃（水冷）
る。 〔実施例１〕高周波２極スパッタ装置を用いて磁性膜を
作製した。スパッタリング条件は以下の通りである。 スパッタガス ＡｒあるいはＡｒ＋Ｎ2 スパッタ時のガス圧 ０．６６Ｐａ 高周波電力 ４００Ｗ ターゲット基板間距離 ５０ｍｍ 基板温度 ５０〜１００℃（水冷）
【００２４】本実施例では、Ｆｅターゲットに添加元素
のチップを貼付た複合ターゲットを用いて種々の組成の
膜を作製した。Ｎを添加する場合は、Ｎの濃度はスパッ
タガス中のＮ2 の比率を制御することにより変化させ
た。基板には直径１０ｍｍの結晶化ガラスを用い、磁性
膜の膜厚は約２μｍとした。膜作製後、Ａｒガス雰囲気
中で５７５℃、１時間の熱処理をおこない、磁気特性の
測定と耐食性試験を行った。磁性膜の組成はＥＰＭＡ
法、飽和磁束密度は試料振動型磁束計（ＶＳＭ）、保磁
力はＢ−Ｈカーブトレサー及びＶＳＭ、磁歪定数は光テ
コ法、透磁率は８の字コイル法を用いて測定した。また
耐食性の評価は、１／２規定のＮａＣｌ水溶液中に試料
を浸漬し、浸漬してから腐食の発生が開始するまでの時
間を耐食時間として計測することにより行った。なお、
腐食の発生開始は、光学顕微鏡観察により、試料表面積
に対する腐食部分の面積の比率が０．１％を越える時点
で判定した。結果を表１に示す。
のチップを貼付た複合ターゲットを用いて種々の組成の
膜を作製した。Ｎを添加する場合は、Ｎの濃度はスパッ
タガス中のＮ2 の比率を制御することにより変化させ
た。基板には直径１０ｍｍの結晶化ガラスを用い、磁性
膜の膜厚は約２μｍとした。膜作製後、Ａｒガス雰囲気
中で５７５℃、１時間の熱処理をおこない、磁気特性の
測定と耐食性試験を行った。磁性膜の組成はＥＰＭＡ
法、飽和磁束密度は試料振動型磁束計（ＶＳＭ）、保磁
力はＢ−Ｈカーブトレサー及びＶＳＭ、磁歪定数は光テ
コ法、透磁率は８の字コイル法を用いて測定した。また
耐食性の評価は、１／２規定のＮａＣｌ水溶液中に試料
を浸漬し、浸漬してから腐食の発生が開始するまでの時
間を耐食時間として計測することにより行った。なお、
腐食の発生開始は、光学顕微鏡観察により、試料表面積
に対する腐食部分の面積の比率が０．１％を越える時点
で判定した。結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１のように、比較例１〜３のＦｅＴａ
Ｃ，ＦｅＺｒＮ，ＦｅＨｆＣ磁性膜は飽和磁束密度が
１．５〜１．６Ｔと大きく、保磁力、磁歪定数が小さ
く、優れた磁気特性を示す。しかし、１／２規定のＮａ
Ｃｌ溶液に浸漬したときの腐食発生時間がいずれも０．
１ｈと腐食が発生しやすく、耐食性に問題があった。ま
た、これらの磁性膜の耐食性を向上するために、Ｃｒを
添加した比較例４の試料では耐食性向上に効果があるが
十分ではなく、Ｃｒ又はＡｌを多量に添加した比較例５
及び６の試料は、耐食性が大幅に向上し、１００時間の
浸漬でも腐食の発生はなかったが、飽和磁束密度が１．
３Ｔ未満に大きく低下し、磁歪定数も５〜８×１０-6と
大幅に増加した。
Ｃ，ＦｅＺｒＮ，ＦｅＨｆＣ磁性膜は飽和磁束密度が
１．５〜１．６Ｔと大きく、保磁力、磁歪定数が小さ
く、優れた磁気特性を示す。しかし、１／２規定のＮａ
Ｃｌ溶液に浸漬したときの腐食発生時間がいずれも０．
１ｈと腐食が発生しやすく、耐食性に問題があった。ま
た、これらの磁性膜の耐食性を向上するために、Ｃｒを
添加した比較例４の試料では耐食性向上に効果があるが
十分ではなく、Ｃｒ又はＡｌを多量に添加した比較例５
及び６の試料は、耐食性が大幅に向上し、１００時間の
浸漬でも腐食の発生はなかったが、飽和磁束密度が１．
３Ｔ未満に大きく低下し、磁歪定数も５〜８×１０-6と
大幅に増加した。
【００２７】本実施例の磁性膜では、試料番号１〜１２
のようにＲｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔを添加す
ることにより、耐食時間が１０時間以上と耐食性を大幅
に向上し、さらにＳｉを添加することにより、磁歪定数
の絶対値が４×１０-6以下で、ほとんどの場合に２×１
０-6以下の小さい値を有し、さらに１．３Ｔ以上飽和磁
束密度を有する磁性膜を得ることができた。
のようにＲｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔを添加す
ることにより、耐食時間が１０時間以上と耐食性を大幅
に向上し、さらにＳｉを添加することにより、磁歪定数
の絶対値が４×１０-6以下で、ほとんどの場合に２×１
０-6以下の小さい値を有し、さらに１．３Ｔ以上飽和磁
束密度を有する磁性膜を得ることができた。
【００２８】また、表１に示すように、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉ
ｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群の中では、Ｐｄ，Ｐｔよりも
Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓが耐食性向上の効果がより大き
いことが判った。一方、試料番号１３〜１５のようにＳ
ｉ濃度が５％未満の場合は磁歪定数の低減効果が小さ
く、Ｓｉ濃度が２０％を越える場合は飽和磁束密度が
１．３Ｔ未満に小さくなり、Ｒｕを１５％を越えて添加
した場合には磁歪定数が４×１０-6を越えて大きく、ま
た飽和磁束密度が１．３Ｔ未満に低下した。
ｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群の中では、Ｐｄ，Ｐｔよりも
Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓが耐食性向上の効果がより大き
いことが判った。一方、試料番号１３〜１５のようにＳ
ｉ濃度が５％未満の場合は磁歪定数の低減効果が小さ
く、Ｓｉ濃度が２０％を越える場合は飽和磁束密度が
１．３Ｔ未満に小さくなり、Ｒｕを１５％を越えて添加
した場合には磁歪定数が４×１０-6を越えて大きく、ま
た飽和磁束密度が１．３Ｔ未満に低下した。
【００２９】〔実施例２〕実施例１と同様の方法によ
り、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群から選ば
れる元素の一種以上、及びＣｒ，Ａｌの一種以上及びＳ
ｉを同時に添加した試料を作製し、磁気特性及び耐食性
を調べた。結果を表２に示す。
り、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群から選ば
れる元素の一種以上、及びＣｒ，Ａｌの一種以上及びＳ
ｉを同時に添加した試料を作製し、磁気特性及び耐食性
を調べた。結果を表２に示す。
【００３０】
【表２】
【００３１】表２のように、試料番号１６〜２０の試料
において、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群か
ら選ばれる元素の一種以上、Ｃｒ，Ａｌの一種以上、及
びＳｉを同時に添加することにより、耐食時間が１０時
間以上と耐食性を大幅に向上し、磁歪定数の絶対値が４
×１０-6以下で、ほとんどの場合に２×１０-6以下の小
さい値を有し、さらに１．３Ｔ以上飽和磁束密度を有す
る磁性膜を得ることができた。一方、Ｃｒ又はＡｌが１
５％を越える試料番号２１及び２２の試料では、飽和磁
束密度が１．３Ｔ未満となり、さらに磁歪定数も４×１
０-6を越えて大きくなった。
において、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群か
ら選ばれる元素の一種以上、Ｃｒ，Ａｌの一種以上、及
びＳｉを同時に添加することにより、耐食時間が１０時
間以上と耐食性を大幅に向上し、磁歪定数の絶対値が４
×１０-6以下で、ほとんどの場合に２×１０-6以下の小
さい値を有し、さらに１．３Ｔ以上飽和磁束密度を有す
る磁性膜を得ることができた。一方、Ｃｒ又はＡｌが１
５％を越える試料番号２１及び２２の試料では、飽和磁
束密度が１．３Ｔ未満となり、さらに磁歪定数も４×１
０-6を越えて大きくなった。
【００３２】〔実施例３〕実施例１と同様の方法によ
り、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群から選ば
れる元素の一種以上、Ｎｉ，Ｃｏの一種以上、及びＳｉ
を同時に添加した試料を作製し、磁気特性及び耐食性を
調べた。結果を表３に示す。
り、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群から選ば
れる元素の一種以上、Ｎｉ，Ｃｏの一種以上、及びＳｉ
を同時に添加した試料を作製し、磁気特性及び耐食性を
調べた。結果を表３に示す。
【００３３】
【表３】
【００３４】表３のように、試料番号２３〜２７の試料
において、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群か
ら選ばれる元素の一種以上、Ｎｉ，Ｃｏの一種以上、及
びＳｉを同時に添加することにより、耐食時間が１０時
間以上と耐食性を大幅に向上し、磁歪定数の絶対値が４
×１０-6以下で、ほとんどの場合に２×１０-6以下の小
さい値を有し、さらに１．３Ｔ以上飽和磁束密度を有す
る磁性膜を得ることができた。一方、Ｃｏ又はＮｉが１
５％を越える試料番号２８及び２９の試料では、磁歪定
数が４×１０-6を越えて極めて大きくなった。
において、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群か
ら選ばれる元素の一種以上、Ｎｉ，Ｃｏの一種以上、及
びＳｉを同時に添加することにより、耐食時間が１０時
間以上と耐食性を大幅に向上し、磁歪定数の絶対値が４
×１０-6以下で、ほとんどの場合に２×１０-6以下の小
さい値を有し、さらに１．３Ｔ以上飽和磁束密度を有す
る磁性膜を得ることができた。一方、Ｃｏ又はＮｉが１
５％を越える試料番号２８及び２９の試料では、磁歪定
数が４×１０-6を越えて極めて大きくなった。
【００３５】〔実施例４〕実施例１と同様の方法によ
り、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群から選ば
れる元素の一種以上、Ｎｉ，Ｃｏの一種以上、Ｃｒ，Ａ
ｌの一種以上、及びＳｉを同時に添加した試料を作製
し、磁気特性及び耐食性を調べた。結果を表４に示す。
り、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群から選ば
れる元素の一種以上、Ｎｉ，Ｃｏの一種以上、Ｃｒ，Ａ
ｌの一種以上、及びＳｉを同時に添加した試料を作製
し、磁気特性及び耐食性を調べた。結果を表４に示す。
【００３６】
【表４】
【００３７】表４のように、試料番号３０〜３４の試料
において、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群か
ら選ばれる元素の一種以上、Ｎｉ，Ｃｏの一種以上、Ａ
ｌ，Ｃｒの一種以上、及びＳｉを同時に添加することに
より、耐食時間が１０時間以上と耐食性を大幅に向上
し、磁歪定数の絶対値が４×１０-6以下で、ほとんどの
場合に２×１０-6以下の小さい値を有し、さらに１．３
Ｔ以上飽和磁束密度を有する磁性膜を得ることができ
た。
において、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔの群か
ら選ばれる元素の一種以上、Ｎｉ，Ｃｏの一種以上、Ａ
ｌ，Ｃｒの一種以上、及びＳｉを同時に添加することに
より、耐食時間が１０時間以上と耐食性を大幅に向上
し、磁歪定数の絶対値が４×１０-6以下で、ほとんどの
場合に２×１０-6以下の小さい値を有し、さらに１．３
Ｔ以上飽和磁束密度を有する磁性膜を得ることができ
た。
【００３８】一方、元素群ＸのＰｄ、元素群ＹのＡｌ、
及び元素群ＭのＮｉの濃度の和が１５％を越える試料番
号３５の試料では、磁歪定数が４×１０-6を越えて極め
て大きくなった。前記試料番号１〜１２，１６〜２０，
２３〜２７，３０〜３４の試料をＸ線回折及び透過電子
顕微鏡により観察した結果、各磁性膜はいずれもＦｅを
主成分とする微細な結晶粒と、その結晶粒の周囲に存在
するＺｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ等の元素群Ｔと、Ｃ，Ｎの
元素群Ｚの化合物で構成されており、Ｆｅを主成分とす
る結晶粒の平均粒径はいずれも１０〜２０ｎｍ、窒化
物、炭化物の結晶粒径は３〜８ｎｍであった。
及び元素群ＭのＮｉの濃度の和が１５％を越える試料番
号３５の試料では、磁歪定数が４×１０-6を越えて極め
て大きくなった。前記試料番号１〜１２，１６〜２０，
２３〜２７，３０〜３４の試料をＸ線回折及び透過電子
顕微鏡により観察した結果、各磁性膜はいずれもＦｅを
主成分とする微細な結晶粒と、その結晶粒の周囲に存在
するＺｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ等の元素群Ｔと、Ｃ，Ｎの
元素群Ｚの化合物で構成されており、Ｆｅを主成分とす
る結晶粒の平均粒径はいずれも１０〜２０ｎｍ、窒化
物、炭化物の結晶粒径は３〜８ｎｍであった。
【００３９】以上の各実施例に示されるように、本発明
による磁性膜は飽和磁束密度、保磁力等の磁気特性及び
耐食性に優れており、ＶＴＲ用及び磁気ディスク用磁気
ヘッドのコア材料として好適である。
による磁性膜は飽和磁束密度、保磁力等の磁気特性及び
耐食性に優れており、ＶＴＲ用及び磁気ディスク用磁気
ヘッドのコア材料として好適である。
【００４０】〔実施例５〕本発明の磁性膜を用いて、図
１に示すように、フェライト基板１を用いるフェライト
ヘッドのギャップ２の近傍に磁性膜３を形成した、いわ
ゆるＭＩＧヘッドを作製した。磁性膜３の膜厚は５μｍ
とした。４，５は、低融点のボンディングガラスであ
る。磁気ヘッドの使用時に磁気テープでヘッドを摺動す
ると、図２に示すように、材料による摩耗速度の差によ
りフェライト１と磁性膜３との間に段差ｄを生ずる。こ
の結果、スペーシング損失を生じて高周波領域で出力の
低下を生ずる。これらのヘッドを、保磁力１５００Ｏｅ
のメタルテープを用い、相対速度３．７５ｍ／ｓで１時
間走行した後のフェライト基板１と磁性膜３の段差ｄ、
及び７ＭＨｚにおける記録再生出力を測定した。結果を
表５に示した。
１に示すように、フェライト基板１を用いるフェライト
ヘッドのギャップ２の近傍に磁性膜３を形成した、いわ
ゆるＭＩＧヘッドを作製した。磁性膜３の膜厚は５μｍ
とした。４，５は、低融点のボンディングガラスであ
る。磁気ヘッドの使用時に磁気テープでヘッドを摺動す
ると、図２に示すように、材料による摩耗速度の差によ
りフェライト１と磁性膜３との間に段差ｄを生ずる。こ
の結果、スペーシング損失を生じて高周波領域で出力の
低下を生ずる。これらのヘッドを、保磁力１５００Ｏｅ
のメタルテープを用い、相対速度３．７５ｍ／ｓで１時
間走行した後のフェライト基板１と磁性膜３の段差ｄ、
及び７ＭＨｚにおける記録再生出力を測定した。結果を
表５に示した。
【００４１】
【表５】
【００４２】表５から分かるように、本発明の磁性膜を
使用した磁気ヘッドは従来例と比較してフェライト１と
磁性膜３の段差ｄが小さく、この結果、記録再生出力が
大きく向上している。これは、本発明の磁性膜が耐食性
に優れるため、耐摩耗性が大幅に向上したためと考えら
れる。上記のように耐食性、耐摩耗性に優れ、使用中の
記録再生出力の劣化が小さい磁気ヘッドを磁気記録装置
に使用すると、信頼性の高い装置を実現することができ
る。また、特に腐食が問題となる環境、例えば高湿度を
経験する環境や、塩素などの腐食性物質が存在する環境
で使用する場合に、信頼性を向上した装置として優れて
いる。
使用した磁気ヘッドは従来例と比較してフェライト１と
磁性膜３の段差ｄが小さく、この結果、記録再生出力が
大きく向上している。これは、本発明の磁性膜が耐食性
に優れるため、耐摩耗性が大幅に向上したためと考えら
れる。上記のように耐食性、耐摩耗性に優れ、使用中の
記録再生出力の劣化が小さい磁気ヘッドを磁気記録装置
に使用すると、信頼性の高い装置を実現することができ
る。また、特に腐食が問題となる環境、例えば高湿度を
経験する環境や、塩素などの腐食性物質が存在する環境
で使用する場合に、信頼性を向上した装置として優れて
いる。
【００４３】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明による磁性
膜は高い飽和磁束密度と低保磁力及び低磁歪定数の優れ
た軟磁気特性を有しており、さらに高耐食性、耐摩耗性
を有している。これを磁気ヘッドコアに用いることによ
り、優れた記録再生特性、信頼性を有する磁気ヘッド及
び磁気記録装置を実現することができる。
膜は高い飽和磁束密度と低保磁力及び低磁歪定数の優れ
た軟磁気特性を有しており、さらに高耐食性、耐摩耗性
を有している。これを磁気ヘッドコアに用いることによ
り、優れた記録再生特性、信頼性を有する磁気ヘッド及
び磁気記録装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気ヘッドの構造を示す図。
【図２】テープ摺動面でのフェライト基板と磁性膜の段
差を示す図。
差を示す図。
１…フェライト基板、２…ギャップ、３…磁性膜、４，
５…低融点ガラス
５…低融点ガラス
Claims (17)
- 【請求項１】 組成式：ＦｅaＳｉcＴdＸeＺg 、但し、
ＴはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群から
選ばれる元素の少なくとも一種、ＸはＲｕ，Ｒｈ，Ｏ
ｓ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔの群から選ばれる元素の少なくと
も一種、ＺはＣ，Ｎの群から選ばれる元素の少なくとも
一種であって、ａ，ｃ，ｄ，ｅ，ｇは原子％を表し、５
≦ｃ≦２０，２≦ｄ≦２０，０．５≦ｅ≦１５，１≦ｇ
≦２０、かつ、ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｇ＝１００、で表され
る組成を有することを特徴とする磁性膜。 - 【請求項２】 組成式：ＦｅaＳｉcＴdＸeＹfＺg 、但
し、ＴはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群
から選ばれる元素の少なくとも一種、ＸはＲｕ，Ｒｈ，
Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔの群から選ばれる元素の少なく
とも一種、ＹはＣｒ，Ａｌの群から選ばれる元素の少な
くとも一種、ＺはＣ，Ｎの群から選ばれる元素の少なく
とも一種であって、ａ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇは原子％を
表し、５≦ｃ≦２０，２≦ｄ≦２０，０．５≦ｅ≦１
５，ｆ≦１５，１≦ｇ≦２０、かつ、ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋
ｆ＋ｇ＝１００、で表される組成を有することを特徴と
する磁性膜。 - 【請求項３】 組成式：ＦｅaＭbＳｉcＴdＸeＺg 、但
し、ＭはＣｏ，Ｎｉの群から選ばれる元素の少なくとも
一種、ＴはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの
群から選ばれる元素の少なくとも一種、ＸはＲｕ，Ｒ
ｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔの群から選ばれる元素の少
なくとも一種、ＺはＣ，Ｎの群から選ばれる元素の少な
くとも一種であって、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｇは原子％
を表し、ｂ≦１５，５≦ｃ≦２０，２≦ｄ≦２０，０．
５≦ｅ≦１５，１≦ｇ≦２０、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ＋ｇ＝１００、で表される組成を有することを特徴と
する磁性膜。 - 【請求項４】 組成式：ＦｅaＭbＳｉcＴdＸeＹfＺg 、
但し、ＭはＣｏ，Ｎｉの群から選ばれる元素の少なくと
も一種、ＴはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ
の群から選ばれる元素の少なくとも一種、ＸはＲｕ，Ｒ
ｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔの群から選ばれる元素の少
なくとも一種、ＹはＣｒ，Ａｌの群から選ばれる元素の
少なくとも一種、ＺはＣ，Ｎの群から選ばれる元素の少
なくとも一種であって、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｇは原子
％を表し、ｂ≦１５，５≦ｃ≦２０，２≦ｄ≦２０，
０．５≦ｅ≦１５，ｆ≦１５，１≦ｇ≦２０、かつ、ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝１００、で表される組成を
有することを特徴とする磁性膜。 - 【請求項５】 ＸはＲｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓの群から選
ばれる元素の少なくとも一種からなることを特徴とする
請求項１〜４のいずれか１項記載の磁性膜。 - 【請求項６】 元素Ｘの濃度が、３≦ｅ≦１５の範囲に
あることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載
の磁性膜。 - 【請求項７】 Ｓｉの濃度が、１０≦ｃ≦１５の範囲に
あることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載
の磁性膜。 - 【請求項８】 元素Ｔ，Ｘ，Ｚの濃度が、２≦ｄ≦１
０，３≦ｅ≦１０，３≦ｇ≦１０であることを特徴とす
る請求項１〜４のいずれか１項記載の磁性膜。 - 【請求項９】 元素Ｙの濃度が、ｆ≦１０であることを
特徴とする請求項２又は４記載の磁性膜。 - 【請求項１０】 元素Ｍの濃度が、ｂ≦１０であること
を特徴とする請求項３又は４記載の磁性膜。 - 【請求項１１】 元素Ｘと元素Ｙの濃度の和が、ｅ＋ｆ
≦１５であることを特徴とする請求項請求項２、４又は
９記載の磁性膜。 - 【請求項１２】 元素Ｍと元素Ｘの濃度の和が、ｂ＋ｅ
≦１５であることを特徴とする請求項３、４又は１０記
載の磁性膜。 - 【請求項１３】 元素Ｍと元素Ｘと元素Ｙの濃度の和
が、ｂ＋ｅ＋ｆ≦１５であることを特徴とする請求項４
記載の磁性膜。 - 【請求項１４】 平均結晶粒径が５０ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項記載の磁
性膜。 - 【請求項１５】 平均結晶粒径が２０ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項記載の磁
性膜。 - 【請求項１６】 請求項１〜１５のいずれか１項記載の
磁性膜を磁気コアの少なくとも一部に用いたことを特徴
とする磁気ヘッド。 - 【請求項１７】 請求項１６に記載した磁気ヘッド少な
くとも１個備えることを特徴とする磁気記録装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6190694A JPH0855722A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 耐食性高飽和磁束密度磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド |
| US08/509,584 US5858548A (en) | 1994-08-12 | 1995-07-31 | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording device using the same |
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| KR1019950024497A KR0178080B1 (ko) | 1994-08-12 | 1995-08-09 | 연자성막 및 그것을 사용한 자기헤드와 자기기록장치 |
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| JP6190694A JPH0855722A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 耐食性高飽和磁束密度磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855722A true JPH0855722A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16262310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6190694A Pending JPH0855722A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 耐食性高飽和磁束密度磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0855722A (ja) |
-
1994
- 1994-08-12 JP JP6190694A patent/JPH0855722A/ja active Pending
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