JPH0855929A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0855929A JPH0855929A JP6190205A JP19020594A JPH0855929A JP H0855929 A JPH0855929 A JP H0855929A JP 6190205 A JP6190205 A JP 6190205A JP 19020594 A JP19020594 A JP 19020594A JP H0855929 A JPH0855929 A JP H0855929A
- Authority
- JP
- Japan
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- conductive foil
- resin wiring
- metal substrate
- integrated circuit
- circuit device
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ワイヤーの本数を削減でき、生産性を向上で
きる混成集積回路装置を提供する。 【構成】 入出力用リード端子１６を金属基板１の導電
箔４と樹脂配線基板５の導電箔８に半田１８により固着
する。これにより金属基板１の導電箔４と樹脂配線基板
５の導電箔８を入出力用リード端子１６を介して導通を
とることができ、従来のように金属基板１の導電箔４と
樹脂配線基板５の導電箔８をワイヤーによって接続する
必要はなくなる。
きる混成集積回路装置を提供する。 【構成】 入出力用リード端子１６を金属基板１の導電
箔４と樹脂配線基板５の導電箔８に半田１８により固着
する。これにより金属基板１の導電箔４と樹脂配線基板
５の導電箔８を入出力用リード端子１６を介して導通を
とることができ、従来のように金属基板１の導電箔４と
樹脂配線基板５の導電箔８をワイヤーによって接続する
必要はなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、貼り合わせ基板を使用
した混成集積回路装置に関するものである。
した混成集積回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、混成集積回路装置は、高密度実装
のために基板が２種類以上の基板の貼り合わせで構成さ
れている。
のために基板が２種類以上の基板の貼り合わせで構成さ
れている。
【０００３】以下図面を参照しながら、上述した従来の
混成集積回路装置の一例について説明する。図３および
図４は従来の混成集積回路装置の斜視図およびＢ−Ｂ断
面図を示す。図３、図４において、１は金属基板、２は
金属基板１のベースの金属板、３は金属板２の上に形成
された絶縁層、４は金属基板１の導電箔、５は金属基板
１の上に貼り合わせた樹脂配線基板、６は樹脂配線基板
５のベース材、７は樹脂配線基板５と金属基板１を貼り
合わせる接着または絶縁層、８は樹脂配線基板５の導電
箔、９はベース材６と導電箔８を接着する接着層、１０
は半導体、１１は半導体１０が搭載される放熱用ヒート
シンク、１２は放熱用ヒートシンク１１と金属基板１の
導電箔４を接続する半田、１３は半導体１０と樹脂配線
基板５の導電箔８を接続するワイヤー、１４は樹脂配線
基板５の導電箔８と金属基板１の導電箔４を接続するワ
イヤー、１５は入出力用リード端子、１７は入出力用リ
ード端子１５と金属基板１の導電箔４と接続する半田、
１９は放熱用ヒートシンク１１と半導体１０を固着する
高融点半田、２０は放熱用ヒートシンク１１が貫通する
ように樹脂配線基板５に設けた孔である。
混成集積回路装置の一例について説明する。図３および
図４は従来の混成集積回路装置の斜視図およびＢ−Ｂ断
面図を示す。図３、図４において、１は金属基板、２は
金属基板１のベースの金属板、３は金属板２の上に形成
された絶縁層、４は金属基板１の導電箔、５は金属基板
１の上に貼り合わせた樹脂配線基板、６は樹脂配線基板
５のベース材、７は樹脂配線基板５と金属基板１を貼り
合わせる接着または絶縁層、８は樹脂配線基板５の導電
箔、９はベース材６と導電箔８を接着する接着層、１０
は半導体、１１は半導体１０が搭載される放熱用ヒート
シンク、１２は放熱用ヒートシンク１１と金属基板１の
導電箔４を接続する半田、１３は半導体１０と樹脂配線
基板５の導電箔８を接続するワイヤー、１４は樹脂配線
基板５の導電箔８と金属基板１の導電箔４を接続するワ
イヤー、１５は入出力用リード端子、１７は入出力用リ
ード端子１５と金属基板１の導電箔４と接続する半田、
１９は放熱用ヒートシンク１１と半導体１０を固着する
高融点半田、２０は放熱用ヒートシンク１１が貫通する
ように樹脂配線基板５に設けた孔である。
【０００４】以上のように構成された混成集積回路装置
について、以下その動作について説明する。ヒートシン
ク１１に高融点半田１９で半導体１０を固着する。次
に、金属基板１に接着剤７を介してこの樹脂配線基板５
を貼り合わせ、この樹脂配線基板５に設けた孔２０を通
して金属基板１上に半田１２により放熱用ヒートシンク
１１を固着する。そして、ワイヤー１３で半導体１０と
樹脂配線基板５の導電箔８を接続して導通をとる。また
ワイヤー１４で金属基板１の導電箔４と樹脂配線基板５
の導電箔８を接続して導通をとる。次に、入出力用リー
ド端子１５を金属基板１の導電箔４に半田１７により固
着して混成集積回路装置を生産する。
について、以下その動作について説明する。ヒートシン
ク１１に高融点半田１９で半導体１０を固着する。次
に、金属基板１に接着剤７を介してこの樹脂配線基板５
を貼り合わせ、この樹脂配線基板５に設けた孔２０を通
して金属基板１上に半田１２により放熱用ヒートシンク
１１を固着する。そして、ワイヤー１３で半導体１０と
樹脂配線基板５の導電箔８を接続して導通をとる。また
ワイヤー１４で金属基板１の導電箔４と樹脂配線基板５
の導電箔８を接続して導通をとる。次に、入出力用リー
ド端子１５を金属基板１の導電箔４に半田１７により固
着して混成集積回路装置を生産する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の混成集積回路装置は、ワイヤーの本数が多
く、生産性が悪いという問題点を有していた。
うな従来の混成集積回路装置は、ワイヤーの本数が多
く、生産性が悪いという問題点を有していた。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、ワイ
ヤーの本数を削減でき、生産性を向上できる混成集積回
路装置を提供することを目的とするものである。
ヤーの本数を削減でき、生産性を向上できる混成集積回
路装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の混成集積回路装置は、入出力用リード端子を
介して貼り合わせ基板の異層間の導電箔の導通をとるよ
うに構成したものである。
に本発明の混成集積回路装置は、入出力用リード端子を
介して貼り合わせ基板の異層間の導電箔の導通をとるよ
うに構成したものである。
【０００８】
【作用】本発明は上記した構成によって、ワイヤーの本
数は削減され、生産性は大幅に向上する。
数は削減され、生産性は大幅に向上する。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら詳細に説明する。図１および図２は本発明の一
実施例における混成集積回路装置の斜視図およびＡ−Ａ
断面図を示す。図１、図２において、１は金属基板、２
は金属基板１のベースの金属板、３は金属板２の上に形
成された絶縁層、４は金属基板１の導電箔、５は金属基
板１の上に貼り合わせた樹脂配線基板、６は樹脂配線基
板５のベース材、７は樹脂配線基板５と金属基板１を貼
り合わせる接着または絶縁層、８は樹脂配線基板５の導
電箔、９はベース材６と導電箔８を接着する接着層、１
０は半導体、１１は半導体１０が搭載される放熱用ヒー
トシンク、１２は放熱用ヒートシンク１１と金属基板１
の導電箔４を接続する半田、１３は半導体１０と樹脂配
線基板５の導電箔８を接続するワイヤー、１６は入出力
用リード端子、１８は入出力用リード端子１６を介して
金属基板１の導電箔４と樹脂配線基板５の導電箔８を接
続する半田、１９は放熱用ヒートシンク１１と半導体１
０を固着する高融点半田、２０は放電用ヒートシンク１
１が貫通するように樹脂配線基板に設けた孔である。
しながら詳細に説明する。図１および図２は本発明の一
実施例における混成集積回路装置の斜視図およびＡ−Ａ
断面図を示す。図１、図２において、１は金属基板、２
は金属基板１のベースの金属板、３は金属板２の上に形
成された絶縁層、４は金属基板１の導電箔、５は金属基
板１の上に貼り合わせた樹脂配線基板、６は樹脂配線基
板５のベース材、７は樹脂配線基板５と金属基板１を貼
り合わせる接着または絶縁層、８は樹脂配線基板５の導
電箔、９はベース材６と導電箔８を接着する接着層、１
０は半導体、１１は半導体１０が搭載される放熱用ヒー
トシンク、１２は放熱用ヒートシンク１１と金属基板１
の導電箔４を接続する半田、１３は半導体１０と樹脂配
線基板５の導電箔８を接続するワイヤー、１６は入出力
用リード端子、１８は入出力用リード端子１６を介して
金属基板１の導電箔４と樹脂配線基板５の導電箔８を接
続する半田、１９は放熱用ヒートシンク１１と半導体１
０を固着する高融点半田、２０は放電用ヒートシンク１
１が貫通するように樹脂配線基板に設けた孔である。
【００１０】以上のように構成された混成集積回路装置
について、以下その動作について説明する。まずヒート
シンク１１に高融点半田１９で半導体１０を固着する。
次に、金属基板１に接着剤７を介して樹脂配線基板５を
貼り合わせ、この樹脂配線板５に設けた孔２０を通して
金属基板１上に半田１２により放熱用ヒートシンク１１
を固着する。そして、ワイヤー１３で半導体１０と樹脂
配線基板５の導電箔８を接続して導通をとる。次に、入
出力用リード端子１６を金属基板１の導電箔４と樹脂配
線基板５の導電箔８に半田１８により固着して混成集積
回路装置を生産する。このとき、金属基板１の導電箔４
と樹脂配線基板５の導電箔８は入出力用リード端子１６
を介して導通がとられることになる。
について、以下その動作について説明する。まずヒート
シンク１１に高融点半田１９で半導体１０を固着する。
次に、金属基板１に接着剤７を介して樹脂配線基板５を
貼り合わせ、この樹脂配線板５に設けた孔２０を通して
金属基板１上に半田１２により放熱用ヒートシンク１１
を固着する。そして、ワイヤー１３で半導体１０と樹脂
配線基板５の導電箔８を接続して導通をとる。次に、入
出力用リード端子１６を金属基板１の導電箔４と樹脂配
線基板５の導電箔８に半田１８により固着して混成集積
回路装置を生産する。このとき、金属基板１の導電箔４
と樹脂配線基板５の導電箔８は入出力用リード端子１６
を介して導通がとられることになる。
【００１１】以上のように本実施例によれば、従来のよ
うにワイヤー１４で金属基板１の導電箔４と樹脂配線基
板５の導電箔８を接続して導通をとる必要がなく、ワイ
ヤーの本数を削減できる。
うにワイヤー１４で金属基板１の導電箔４と樹脂配線基
板５の導電箔８を接続して導通をとる必要がなく、ワイ
ヤーの本数を削減できる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、樹脂配線
基板と金属基板の異層間の導電箔の電気的導通をワイヤ
ーを介さず接続することができ、生産性を大幅に向上す
ることができる。
基板と金属基板の異層間の導電箔の電気的導通をワイヤ
ーを介さず接続することができ、生産性を大幅に向上す
ることができる。
【図１】本発明の一実施例における混成集積回路装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明の一実施例における混成集積回路装置の
Ａ−Ａ断面図である。
Ａ−Ａ断面図である。
【図３】従来の混成集積回路装置の斜視図である。
【図４】従来の混成集積回路装置のＢ−Ｂ断面図であ
る。
る。
１ 金属基板 ２ 金属基板１のベースの金属板 ３ 金属板２の上に形成された絶縁層 ４ 金属基板１の導電箔 ５ 樹脂配線基板 ６ 樹脂配線基板５のベース材 ７ 樹脂配線基板５と金属基板１を貼り合わせる接着
または絶縁層 ８ 樹脂配線基板５の導電箔 ９ ベース材６と導電箔７を接着する接着層 １０ 半導体 １１ 放熱用ヒートシンク １２ 放熱用ヒートシンク１１と導電箔４を接続する半
田 １３ 半導体１０と導電箔８を接続するワイヤー １６ 入出力用リード端子 １８ 入出力用リード端子１６を介して導電箔４と導電
箔８と接続する半田 １９ 放熱用ヒートシンク１１と半導体１０を固着する
高融点半田 ２０ 樹脂配線基板５に設けた孔
または絶縁層 ８ 樹脂配線基板５の導電箔 ９ ベース材６と導電箔７を接着する接着層 １０ 半導体 １１ 放熱用ヒートシンク １２ 放熱用ヒートシンク１１と導電箔４を接続する半
田 １３ 半導体１０と導電箔８を接続するワイヤー １６ 入出力用リード端子 １８ 入出力用リード端子１６を介して導電箔４と導電
箔８と接続する半田 １９ 放熱用ヒートシンク１１と半導体１０を固着する
高融点半田 ２０ 樹脂配線基板５に設けた孔
Claims (1)
- 【請求項１】 入出力用リード端子を介して貼り合わせ
基板の異層間の導電箔の導通をとるように構成したこと
を特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6190205A JPH0855929A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6190205A JPH0855929A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855929A true JPH0855929A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16254217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6190205A Pending JPH0855929A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0855929A (ja) |
-
1994
- 1994-08-12 JP JP6190205A patent/JPH0855929A/ja active Pending
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