JPH08808B2 - ナフトラクタム系化合物および光吸収性色素 - Google Patents
ナフトラクタム系化合物および光吸収性色素Info
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- JPH08808B2 JPH08808B2 JP60274234A JP27423485A JPH08808B2 JP H08808 B2 JPH08808 B2 JP H08808B2 JP 60274234 A JP60274234 A JP 60274234A JP 27423485 A JP27423485 A JP 27423485A JP H08808 B2 JPH08808 B2 JP H08808B2
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B23/00—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
- C09B23/14—Styryl dyes
- C09B23/145—Styryl dyes the ethylene chain carrying an heterocyclic residue, e.g. heterocycle-CH=CH-C6H5
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- G—PHYSICS
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Indole Compounds (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ナフトラクタム系化合物及び光吸収性色素
に関する。
に関する。
従来の技術 レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存
および再生を可能とするため、近年、特に、開発が望ま
れている。
および再生を可能とするため、近年、特に、開発が望ま
れている。
光学記録の一例としては、光デイスクをあげる事がで
きる。
きる。
一般に光デイスクは、円形の基体に設けられた薄い記
録層に、1μm程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。
録層に、1μm程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。
記録は、照射されたレーザーエネルギーの吸収によ
り、その個所に生じた、記録層の、分解、蒸発、溶解等
の熱的変形により生成し、そして記録された情報の再生
は、レーザー光により、変形が起きている部分と起きて
いない部分の反射率の差を読み取る事により行なわれ
る。
り、その個所に生じた、記録層の、分解、蒸発、溶解等
の熱的変形により生成し、そして記録された情報の再生
は、レーザー光により、変形が起きている部分と起きて
いない部分の反射率の差を読み取る事により行なわれ
る。
したがつて、記録体としては、レーザー光のエネルギ
ーを効率良く吸収する必要があるため、記録に使用する
特定波長のレーザー光に対する吸収が大きい事、情報の
再生を正確に行なうため、再生に使用する特定波長のレ
ーザー光に対する反射率が高い事が必要である。
ーを効率良く吸収する必要があるため、記録に使用する
特定波長のレーザー光に対する吸収が大きい事、情報の
再生を正確に行なうため、再生に使用する特定波長のレ
ーザー光に対する反射率が高い事が必要である。
この種の光学的記録媒体としては、種々の構成のもの
が知られている。
が知られている。
例えば、特開昭55−97033号公報には、基板上にフタ
ロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されてい
る。フタロシアニン系色素は感度が低い、分解点が高く
蒸着しにくい等の問題点を有し、さらに有機溶媒に対す
る溶解性が著しく低く、塗布によるコーテイングに使用
することができないという問題点も有している。
ロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されてい
る。フタロシアニン系色素は感度が低い、分解点が高く
蒸着しにくい等の問題点を有し、さらに有機溶媒に対す
る溶解性が著しく低く、塗布によるコーテイングに使用
することができないという問題点も有している。
また、特開昭58−83344号公報にはフエナレン系色素
を、特開昭58−224793号公報にはナフトキノン系色素を
記録層に設けたものが開示されている。しかし、このよ
うな色素は蒸着しやすいという利点の反面、反射率が低
いという問題点を有している。反射率が低いとレーザー
光により記録された部分と未記録部分との反射率に関係
するコントラストは低くなり、記録された情報の再生が
困難となる。
を、特開昭58−224793号公報にはナフトキノン系色素を
記録層に設けたものが開示されている。しかし、このよ
うな色素は蒸着しやすいという利点の反面、反射率が低
いという問題点を有している。反射率が低いとレーザー
光により記録された部分と未記録部分との反射率に関係
するコントラストは低くなり、記録された情報の再生が
困難となる。
また、特開昭59−24692号公報、特開昭59−67092号公
報、特開昭59−71895号公報いにはシアニン系色素を記
録層に設けたものが開示されている。しかし、このよう
な色素は塗布によるコーテイングに使用できるという利
点の反面、耐光性および再生光による劣化という問題点
を有している。
報、特開昭59−71895号公報いにはシアニン系色素を記
録層に設けたものが開示されている。しかし、このよう
な色素は塗布によるコーテイングに使用できるという利
点の反面、耐光性および再生光による劣化という問題点
を有している。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、反射率が
高く、そして、対光性および再生光による耐性にすぐれ
ている新規なナフトラクタム系化合物の提供及び光吸収
色素として該化合物を含有する光学記録体の提供を目的
とするものである。
高く、そして、対光性および再生光による耐性にすぐれ
ている新規なナフトラクタム系化合物の提供及び光吸収
色素として該化合物を含有する光学記録体の提供を目的
とするものである。
問題を解決するための手段 本発明は、下記一般式〔I〕で示されるナフトラクタ
ム系化合物および基板と、光吸収性色素を含有する記録
層とからなる光学記録体溶光吸収性色素において、光吸
収性色素が下記一般式〔I〕で示されるナフトラクタム
系化合物であることを特徴とする光学記録体用光吸収性
色素をその要旨とする。
ム系化合物および基板と、光吸収性色素を含有する記録
層とからなる光学記録体溶光吸収性色素において、光吸
収性色素が下記一般式〔I〕で示されるナフトラクタム
系化合物であることを特徴とする光学記録体用光吸収性
色素をその要旨とする。
一般式〔I〕 (式中、Kは置換または非置換の芳香族アミンの残基を
表わし、Rは置換または非置換のアルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基もしくはアリル基を表わし、Z-は
陰イオンを表わし、環Aは置換基を有していてもよいナ
フタレン環を表わす。) 一般式〔I〕中、Rで示されるアルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基及びアリル基の置換基としては、
例えば、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アル
コキシアルコキシアルコキシ基、アリルオキシ基、アリ
ール基、アリールオキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、
テトラヒドロフリル基、アロゲン原子等が挙げられる。
表わし、Rは置換または非置換のアルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基もしくはアリル基を表わし、Z-は
陰イオンを表わし、環Aは置換基を有していてもよいナ
フタレン環を表わす。) 一般式〔I〕中、Rで示されるアルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基及びアリル基の置換基としては、
例えば、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アル
コキシアルコキシアルコキシ基、アリルオキシ基、アリ
ール基、アリールオキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、
テトラヒドロフリル基、アロゲン原子等が挙げられる。
環Aで示されるナフタレン環の置換基としては、ハロ
ゲン原子、C1〜C10のアルキル基、C1〜C10のアルコキシ
基、アルキルアミノ基、アシルアミノ基、アミノ基、ヒ
ドロキシ基等の非イオン性の置換基が挙げられる。
ゲン原子、C1〜C10のアルキル基、C1〜C10のアルコキシ
基、アルキルアミノ基、アシルアミノ基、アミノ基、ヒ
ドロキシ基等の非イオン性の置換基が挙げられる。
また、Kで示される置換もしくは非置換の芳香族アミ
ンの残基としては、例えば、窒素原子、酸素原子または
イオウ原子を含有する複素環アミンの残基、テトラヒド
ロキノリン類、または一般式 (式中、XおよびYは水素原子、アルキル基、アシルア
ミノ基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表わし、R2
およびR3は水素原子またはC1〜C2の置換または非置換の
アルキル基、アリール基、アリル基もしくはシクロヘキ
シル基を表わす。)で示される基等が挙げられる。そし
て、R2およびR3で示されるアルキル基、アリール基、ア
リル基またはシクロヘキシル基の置換基としては、例え
ば、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アルコキ
シアルコキシアルコキシ基、アリルオキシ基、アリール
基、アリールオキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、テト
ラヒドロフリル基等が挙げられる。
ンの残基としては、例えば、窒素原子、酸素原子または
イオウ原子を含有する複素環アミンの残基、テトラヒド
ロキノリン類、または一般式 (式中、XおよびYは水素原子、アルキル基、アシルア
ミノ基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表わし、R2
およびR3は水素原子またはC1〜C2の置換または非置換の
アルキル基、アリール基、アリル基もしくはシクロヘキ
シル基を表わす。)で示される基等が挙げられる。そし
て、R2およびR3で示されるアルキル基、アリール基、ア
リル基またはシクロヘキシル基の置換基としては、例え
ば、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アルコキ
シアルコキシアルコキシ基、アリルオキシ基、アリール
基、アリールオキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、テト
ラヒドロフリル基等が挙げられる。
Z-の陰イオンとしてはI-、Br-、Cl-、ClO4 -、BF4 -、S
CN-、 等を挙げることができる。
CN-、 等を挙げることができる。
前記一般式〔I〕で示されるナフトラクタム系化合物
は、600〜800nmの波長帯域で吸収を有し、しかも分子吸
収係数が104〜105cm-1である。
は、600〜800nmの波長帯域で吸収を有し、しかも分子吸
収係数が104〜105cm-1である。
また、上記一般式〔I〕で示されるナフトラクタム系
化合物の中で好ましい色素としては、一般式〔II〕 (式中、X、Y、R2およびR3は前記定義に同じであり、
R1は置換または非置換のアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基もしくはアリル基を表わし、R4およびR5
は水素原子、ハロゲン原子、C1〜C10のアルキル基、C1
〜C10のアルコキシ基、アルキルアミノ基、アシルアミ
ノ基、アミノ基またはヒドロキシ基を表わし、Z-は陰イ
オンを表わす。)で示されるナフトラクタム系化合物が
挙げられる。
化合物の中で好ましい色素としては、一般式〔II〕 (式中、X、Y、R2およびR3は前記定義に同じであり、
R1は置換または非置換のアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基もしくはアリル基を表わし、R4およびR5
は水素原子、ハロゲン原子、C1〜C10のアルキル基、C1
〜C10のアルコキシ基、アルキルアミノ基、アシルアミ
ノ基、アミノ基またはヒドロキシ基を表わし、Z-は陰イ
オンを表わす。)で示されるナフトラクタム系化合物が
挙げられる。
本発明の新規なナフトラクタム系化合物は、たとえ
ば、英国特許No.1,055,831明細書に記載の方法に従つ
て、下記一般式〔III〕 (式中、R1、R1、R5及びZ-は前記定義に同じ。)で示さ
れる化合物と下記一般式〔IV〕 (式中、X、Y、R2及びR3は前記定義に同じ。)で示さ
れるシンナミツクアルデヒド類とを縮合させることによ
つて製造することができる。
ば、英国特許No.1,055,831明細書に記載の方法に従つ
て、下記一般式〔III〕 (式中、R1、R1、R5及びZ-は前記定義に同じ。)で示さ
れる化合物と下記一般式〔IV〕 (式中、X、Y、R2及びR3は前記定義に同じ。)で示さ
れるシンナミツクアルデヒド類とを縮合させることによ
つて製造することができる。
本発明の光吸収性色素を用いた光学記録体は、基本的
には基板と記録層とから構成されるものであるが、さら
に必要に応じて基板上に下引き層をまた記録層上に保護
層を設けることができる。
には基板と記録層とから構成されるものであるが、さら
に必要に応じて基板上に下引き層をまた記録層上に保護
層を設けることができる。
基板としては、使用するレーザー光に対して透明また
は不透明のいずれでもよい。基板材料の材質としては、
ガラス、プラスチツク、紙、板状または箔状の金属等の
一般の記録材料の支持体が挙げられ、プラスチツクが種
々の点から好適である。プラスチツクとしては、アクリ
ル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる。
は不透明のいずれでもよい。基板材料の材質としては、
ガラス、プラスチツク、紙、板状または箔状の金属等の
一般の記録材料の支持体が挙げられ、プラスチツクが種
々の点から好適である。プラスチツクとしては、アクリ
ル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる。
光学記録体における記録層に含有される光吸収性色素
としてナフトラクタム系化合物を使用する際、膜厚は10
0Å〜5μm、好ましくは1000Å〜3μmである。
としてナフトラクタム系化合物を使用する際、膜厚は10
0Å〜5μm、好ましくは1000Å〜3μmである。
成膜法としては真空蒸着法、スパツタリング法、ドク
タープレード法、キヤスト法、スピナー法、浸漬法など
一般に行なわれている薄膜形成法で成膜することができ
る。
タープレード法、キヤスト法、スピナー法、浸漬法など
一般に行なわれている薄膜形成法で成膜することができ
る。
また、必要に応じてバインダーを使用することもでき
る。バインダーとしてはポリビニルアルコール(PV
A)、ポリビニルピロリドン(PVP)、ニトロセルロー
ス、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカー
ボネートなど既知の樹脂が用いられ、該樹脂に対するナ
フトラクタム系化合物の量は重量比で0.1以上であるこ
とが望ましい。
る。バインダーとしてはポリビニルアルコール(PV
A)、ポリビニルピロリドン(PVP)、ニトロセルロー
ス、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカー
ボネートなど既知の樹脂が用いられ、該樹脂に対するナ
フトラクタム系化合物の量は重量比で0.1以上であるこ
とが望ましい。
スピナー法による成膜の場合、回転数は500〜5000rpm
が好ましく、スピンコートの後、場合によつては、加熱
あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なつてもよい。
が好ましく、スピンコートの後、場合によつては、加熱
あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なつてもよい。
ドクタープレード法、キヤスト法、スピナー法、浸漬
法、特にスピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、ブロモホルム、ジブロモエ
タン、エチルセロソルブキシレン、クロロベンゼン、シ
クロヘキサノン等の沸点120〜160℃のものが好適に使用
される。
法、特にスピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、ブロモホルム、ジブロモエ
タン、エチルセロソルブキシレン、クロロベンゼン、シ
クロヘキサノン等の沸点120〜160℃のものが好適に使用
される。
また、記録体の安定性や耐光性向上のために、一重項
酸素クエンチヤーとして遷移金属キレート化合物(たと
えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフエニルジ
チオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−
α−ジケトン等)または3級アミン化合物を含有してい
てもよい。
酸素クエンチヤーとして遷移金属キレート化合物(たと
えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフエニルジ
チオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−
α−ジケトン等)または3級アミン化合物を含有してい
てもよい。
そして、更に、必要に応じて他の色素を併用すること
ができる。他の色素としては別の種類のナフトラクタム
系色素、トリアリールメタン系色素、アゾ染料、シアニ
ン系色素、スクアリリウム系色素、インドアニリン系色
素などが挙げられる。
ができる。他の色素としては別の種類のナフトラクタム
系色素、トリアリールメタン系色素、アゾ染料、シアニ
ン系色素、スクアリリウム系色素、インドアニリン系色
素などが挙げられる。
光学記録体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、
片面だけに設けてもよい。
片面だけに設けてもよい。
上記の様にして得られた光学記録体への記録は、基体
の両面または、片面に設けた記録層に1μm程度に集束
したレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあ
てる事により行なう。レーザー光の照射された部分に
は、レーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶
融等の記録層の熱的変形が起こる。
の両面または、片面に設けた記録層に1μm程度に集束
したレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあ
てる事により行なう。レーザー光の照射された部分に
は、レーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶
融等の記録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変
形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を
読み取る事により行なう。
形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を
読み取る事により行なう。
光学記録体について使用されるレーザー光はN2、He−
Cd、Ar、He−Ne、ルビー、半導体、色素レーザーなどが
あげられるが、特に、軽量性、取扱いの容易さ、コンパ
クト性などの点から半導体レーザーが好適である。
Cd、Ar、He−Ne、ルビー、半導体、色素レーザーなどが
あげられるが、特に、軽量性、取扱いの容易さ、コンパ
クト性などの点から半導体レーザーが好適である。
実施例 以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、か
かる実施例は本発明を限定するものではない。
かる実施例は本発明を限定するものではない。
実施例1 下記構造式 で示される化合物40.2gと下記構造式 で示される化合物17.5gとを氷酢酸250gおよび無水酢酸5
0gからなる溶液中に加え、100〜105℃で4時間撹拌し、
反応終了後、室温まで冷却し、次いで、この反応液を過
塩素酸ナトリウム16.0gを含む水1.5中に注ぎ、室温で
8時間撹拌した。沈殿した結晶を取し乾燥し、下記構
造式で示される本発明のナフトラクタム系化合物(黒緑
色結晶)53.0gを得た。該化合物の溶液(クロロホル
ム)中でのλmaxは800nmであつた。
0gからなる溶液中に加え、100〜105℃で4時間撹拌し、
反応終了後、室温まで冷却し、次いで、この反応液を過
塩素酸ナトリウム16.0gを含む水1.5中に注ぎ、室温で
8時間撹拌した。沈殿した結晶を取し乾燥し、下記構
造式で示される本発明のナフトラクタム系化合物(黒緑
色結晶)53.0gを得た。該化合物の溶液(クロロホル
ム)中でのλmaxは800nmであつた。
上記構造式で示される本発明のナフトラクタム系化合
物1gをジブロモエタン50gに溶解し、0.22μのフイルタ
ーで過し、溶解液を得た。この溶解液2mlを、深さ700
Å、巾0.7μの紫外線硬化樹脂による溝(グループ)つ
き、メタアクリル樹脂(以下、PMMAと記す)基板(120m
mφ)上に滴下し、スピナー法により1200rpmの回転数で
塗布した後、60℃で10分間乾燥した。同一条件でガラス
板に塗布して、タリステツプによる膜厚測定したとこ
ろ、700Åであつた。塗布膜の最大吸収波長は820nmであ
り、スペクトルの形状は巾広かつた。
物1gをジブロモエタン50gに溶解し、0.22μのフイルタ
ーで過し、溶解液を得た。この溶解液2mlを、深さ700
Å、巾0.7μの紫外線硬化樹脂による溝(グループ)つ
き、メタアクリル樹脂(以下、PMMAと記す)基板(120m
mφ)上に滴下し、スピナー法により1200rpmの回転数で
塗布した後、60℃で10分間乾燥した。同一条件でガラス
板に塗布して、タリステツプによる膜厚測定したとこ
ろ、700Åであつた。塗布膜の最大吸収波長は820nmであ
り、スペクトルの形状は巾広かつた。
この塗布膜に、中心波長830nmの半導体レーザー光
(出力6mW、ビーム1μm)で照射した所、巾約1μ
m、ピツト長約2μmの輪郭の極めて明瞭な孔(ピツ
ト)が形成された。キヤリヤーレベル/ノイズレベル
(C/N)比は52DBであつた。耐光性および再生光に対す
る耐性も良好であつた。
(出力6mW、ビーム1μm)で照射した所、巾約1μ
m、ピツト長約2μmの輪郭の極めて明瞭な孔(ピツ
ト)が形成された。キヤリヤーレベル/ノイズレベル
(C/N)比は52DBであつた。耐光性および再生光に対す
る耐性も良好であつた。
実施例2 実施例1に記載の方法に従つて、下記構造式 で示される本発明のナフトラクタム系化合物(λmax
(クロロホルム)795nm)を製造した。
(クロロホルム)795nm)を製造した。
上記構造式で示される本発明のナフトラクタム系化合
物1gとニトロセルロース1.5g(ダイセル化学工業株式会
社製造、RS−20、商品名)とをエチルセロソルブ50gに
溶解し、0.22μのフイルターで過し、溶解液を得た。
物1gとニトロセルロース1.5g(ダイセル化学工業株式会
社製造、RS−20、商品名)とをエチルセロソルブ50gに
溶解し、0.22μのフイルターで過し、溶解液を得た。
この溶解液3mlを深さ650Å、巾0.7μの溝(グルー
プ)つきポリカーボネート樹脂基板(120mmφ)上に滴
下し、1500rpmの回転数で塗布した後60℃で10分間乾燥
した。膜厚測定のために、同様な方法でガラス板に塗布
し、タリステツプにより測定した所、膜厚700Åであつ
た。塗布膜の最大吸収波長は810nmであり、ピークは巾
広かつた。
プ)つきポリカーボネート樹脂基板(120mmφ)上に滴
下し、1500rpmの回転数で塗布した後60℃で10分間乾燥
した。膜厚測定のために、同様な方法でガラス板に塗布
し、タリステツプにより測定した所、膜厚700Åであつ
た。塗布膜の最大吸収波長は810nmであり、ピークは巾
広かつた。
この塗布膜に、中心波長830nmの半導体レーザー光
(出力6mW、ビーム径1μm)で照射した所、巾約1μ
m、ピツト長約2μmの輪郭の極めて明瞭な孔(ピツ
ト)が形成された。C/N比は5/dBであつた。耐光性およ
び再生光に対する耐性も良好であつた。
(出力6mW、ビーム径1μm)で照射した所、巾約1μ
m、ピツト長約2μmの輪郭の極めて明瞭な孔(ピツ
ト)が形成された。C/N比は5/dBであつた。耐光性およ
び再生光に対する耐性も良好であつた。
実施例3 実施例1に記載の方法に従つて、下記構造式 で示される本発明のナフトラクタム系化合物(λmax
(クロロホルム)800nm)を製造した。
(クロロホルム)800nm)を製造した。
上記構造式で示されるナフトラクタム系化合物1gをエ
チルセルソルブに溶解し、0.22μのフイルターで過
し、溶解液を得た。この溶解液2mlを深さ700Å、巾0.7
μの溝(グループ)つきポリカーボネート樹脂基板(13
0nmφ)上に滴下し、800rpmの回転数で塗布した後、60
℃で20分間乾燥した。同一条件でガラス板に塗布したタ
リステツプによる膜挙津測定したところ、650Åであつ
た。塗布膜の最大吸収波長は820nmであり、ピークは巾
広かつた。
チルセルソルブに溶解し、0.22μのフイルターで過
し、溶解液を得た。この溶解液2mlを深さ700Å、巾0.7
μの溝(グループ)つきポリカーボネート樹脂基板(13
0nmφ)上に滴下し、800rpmの回転数で塗布した後、60
℃で20分間乾燥した。同一条件でガラス板に塗布したタ
リステツプによる膜挙津測定したところ、650Åであつ
た。塗布膜の最大吸収波長は820nmであり、ピークは巾
広かつた。
この塗布膜に、中心波長830nmの半導体レーザー光
(出力6mW、ビーム径1μm)で照射したところ、巾約
1μm、ピツト長約2μmの輪郭の極めて明瞭な孔(ピ
ツト)が形成された。C/N比は52dBであつた。耐光性お
よび再生光に対する耐性も良好であつた。
(出力6mW、ビーム径1μm)で照射したところ、巾約
1μm、ピツト長約2μmの輪郭の極めて明瞭な孔(ピ
ツト)が形成された。C/N比は52dBであつた。耐光性お
よび再生光に対する耐性も良好であつた。
実施例4〜87 実施例1に従つて、第1表に示す下記一般式〔V〕で
示される本発明のナフトラクタム系化合物を製造し、該
化合物を実施例1おほぼ同様の条件で紫外線硬化樹脂に
よる溝(グループ)つきPMMA樹脂基板上に塗布した。
示される本発明のナフトラクタム系化合物を製造し、該
化合物を実施例1おほぼ同様の条件で紫外線硬化樹脂に
よる溝(グループ)つきPMMA樹脂基板上に塗布した。
これらの本発明の光吸収物質のクロロホルム溶媒中の
最大吸収波長を第1表に示す。
最大吸収波長を第1表に示す。
得られた塗布膜に、中心波長830nmの半導体レーザー
光を照射したところ、輪郭の極めて明瞭な孔(ビツト)
が形成され、反射率も高く、高感度でC/N比も優れてい
た。また耐光性および再生光に対する耐性も良好であつ
た。
光を照射したところ、輪郭の極めて明瞭な孔(ビツト)
が形成され、反射率も高く、高感度でC/N比も優れてい
た。また耐光性および再生光に対する耐性も良好であつ
た。
効果 前記一般式〔I〕で示される本発明のナフトラクタム
系化合物は、有機溶媒に対する溶解性が高いため、該化
合物を記録応に含有する光学記録体を製造する場合、塗
布によるコーテイングも可能である。また、該化合物
は、反射率が高いため、コントラストの良好な光学記録
体を得ることができる。そして、該化合物は、耐光性お
よび再生光による耐性にも優れている。
系化合物は、有機溶媒に対する溶解性が高いため、該化
合物を記録応に含有する光学記録体を製造する場合、塗
布によるコーテイングも可能である。また、該化合物
は、反射率が高いため、コントラストの良好な光学記録
体を得ることができる。そして、該化合物は、耐光性お
よび再生光による耐性にも優れている。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07D 409/06 209 413/06 209 417/06 209 C09B 57/06 G11B 7/24 A 7215−5D
Claims (4)
- 【請求項1】一般式〔I〕 (式中、Kは置換または非置換の芳香族アミンの残基を
表わし、Rは置換または非置換のアルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基もしくはアリル基を表わし、Z-は
陰イオンを表わし、環Aは置換基を有していてもよいナ
フタレン環を表わす。)で示されるナフトラクタム系化
合物。 - 【請求項2】特許請求の範囲第1項記載のナフトラクタ
ム系化合物において、ナフトラクタム系化合物が、一般
式〔II〕 (式中、XおよびYは水素原子、アルキル基、アシルア
ミノ基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表わし、R1
は置換または非置換のアルキル基、シクロアルキル基、
アリール基もしくはアリル基を表わし、R2およびR3は水
素原子またはC1〜C20の置換または非置換のアルキル
基、アリール基、アリル基もしくはシクロアルキル基を
表わし、R4およびR5は水素原子、ハロゲン原子、C1〜C
10のアルキル基、C1〜C10のアルコキシ基、アルキルア
ミノ基、アシルアミノ基、アミノ基またはヒドロキシ基
を表わし、Z-は陰イオンを表わす。)で示されるナフト
ラクタム系化合物。 - 【請求項3】基板と光吸収性色素を含有する記録層とか
らなる光学記録体用光吸収性色素において、光吸収性色
素が下記一般式〔I〕で示されるナフトラクタム系化合
物であることを特徴とする光吸収性色素。 (式中、Kは置換または非置換の芳香族アミンの残基を
表わし、Rは置換または非置換のアルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基もしくはアリル基を表わし、Z-は
陰イオンを表わし、環Aは置換基を有していてもよいナ
フタレン環を著わす。)で示されるナフトラクタム系化
合物。 - 【請求項4】特許請求の範囲第3項記載の光吸収性色素
において、ナフトラクタム系化合物が、一般式〔II〕 (式中、XおよびYは水素原子、アルキル基、アシルア
ミノ基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表わし、R1
は置換または非置換のアルキル基、シクロアルキル基、
アリール基もしくはアリル基を表わし、R2およびR3は水
素原子またはC1〜C20の置換または非置換のアルキル
基、アリール基、アリル基もしくはシクロアルキル基を
表わし、R4およびR5は水素原子、ハロゲン原子、C1〜C
10のアルキル基、C1〜C10のアルコキシ基、アルキルア
ミノ基、アシルアミノ基、アミノ基またはヒドロキシ基
を表わし、Z-は陰イオンを表わす。)で示されるナフト
ラクタム系化合物である光吸収性色素。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274234A JPH08808B2 (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | ナフトラクタム系化合物および光吸収性色素 |
| US06/934,694 US4756987A (en) | 1985-11-27 | 1986-11-25 | Optical recording medium |
| DE8686116476T DE3684102D1 (de) | 1985-11-27 | 1986-11-27 | Optisches aufzeichnungsmedium. |
| EP86116476A EP0224261B1 (en) | 1985-11-27 | 1986-11-27 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274234A JPH08808B2 (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | ナフトラクタム系化合物および光吸収性色素 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62132681A JPS62132681A (ja) | 1987-06-15 |
| JPH08808B2 true JPH08808B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=17538872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60274234A Expired - Lifetime JPH08808B2 (ja) | 1985-11-27 | 1985-12-05 | ナフトラクタム系化合物および光吸収性色素 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08808B2 (ja) |
-
1985
- 1985-12-05 JP JP60274234A patent/JPH08808B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62132681A (ja) | 1987-06-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |