JPH088236B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH088236B2 JPH088236B2 JP62124300A JP12430087A JPH088236B2 JP H088236 B2 JPH088236 B2 JP H088236B2 JP 62124300 A JP62124300 A JP 62124300A JP 12430087 A JP12430087 A JP 12430087A JP H088236 B2 JPH088236 B2 JP H088236B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ポジレジストを用いて半導体装置を製造す
る製造方法に関するものである。
る製造方法に関するものである。
従来の技術 半導体装置を製造する工程内で、半導体基板上に形成
された被膜を加工する方法は、ドライエッチングと、ウ
ェットエッチングとがある。近年、半導体装置の微細パ
ターン化に伴い、高精度加工の可能な、ドライエッチン
グが主流となりつつある。
された被膜を加工する方法は、ドライエッチングと、ウ
ェットエッチングとがある。近年、半導体装置の微細パ
ターン化に伴い、高精度加工の可能な、ドライエッチン
グが主流となりつつある。
以下に、従来の半導体基板上に形成された被膜のドラ
イエッチング、および引き続きレジスト形成が行なわれ
る半導体装置の製造方法について説明する。
イエッチング、および引き続きレジスト形成が行なわれ
る半導体装置の製造方法について説明する。
第３図Ａにおいて、P+拡散層7aとP+拡散層7bとで囲ま
れた領域には、N+拡散層8bとP+拡散層7cによりアルミニ
ウム配線形成前のNPNトランジスタが形成されている。P
+拡散層7bの左側には、N+拡散層8aが形成されている。
さらに、シリコン基板表面は、熱酸化により形成された
熱酸化膜２（厚さ約2000Å）、その後、減圧CVD法で形
成されたPSG膜３（厚さ約2000Å）で覆われているが、N
+拡散層8a上の熱酸化膜２とPSG膜３の一部分は、レジス
トの露光・現像及びエッチングの工程により開口されて
いる。その後、減圧CVD法で、窒化ケイ素膜４を約600Å
成長させている。また、N+拡散層8a上の開口部上の窒化
ケイ素膜４上に、露光・現像によりポジレジスト5a（厚
さ1.3μｍ）を形成している。
れた領域には、N+拡散層8bとP+拡散層7cによりアルミニ
ウム配線形成前のNPNトランジスタが形成されている。P
+拡散層7bの左側には、N+拡散層8aが形成されている。
さらに、シリコン基板表面は、熱酸化により形成された
熱酸化膜２（厚さ約2000Å）、その後、減圧CVD法で形
成されたPSG膜３（厚さ約2000Å）で覆われているが、N
+拡散層8a上の熱酸化膜２とPSG膜３の一部分は、レジス
トの露光・現像及びエッチングの工程により開口されて
いる。その後、減圧CVD法で、窒化ケイ素膜４を約600Å
成長させている。また、N+拡散層8a上の開口部上の窒化
ケイ素膜４上に、露光・現像によりポジレジスト5a（厚
さ1.3μｍ）を形成している。
その後、ポジレジスト5aを選択エッチング用のマスク
として用いて、窒化ケイ素膜４を、CF4＋O2ガスプラズ
マドライエッチングする（第３図Ｂ）。さらに、ポジレ
ジスト5aを酸素プラズマエッチングにて除去し（第３図
Ｃ）、その後素子とアルミニウム配線とのコンタクト窓
を開口するために、ポジレジスト5bのパターンを形成す
る（第３図Ｄ）。さらに、形成されたポジレジスト5bを
選択エッチングマスクとして、PSG膜３と熱酸化膜２を
フッ酸系の薬品でウェットエッチングする（第３図
Ｅ）。その後、ポジレジスト5bを除去しアルミニウム配
線9a〜9eを形成し、保護膜11を形成したのが最終製品
（第３図Ｆ）である。
として用いて、窒化ケイ素膜４を、CF4＋O2ガスプラズ
マドライエッチングする（第３図Ｂ）。さらに、ポジレ
ジスト5aを酸素プラズマエッチングにて除去し（第３図
Ｃ）、その後素子とアルミニウム配線とのコンタクト窓
を開口するために、ポジレジスト5bのパターンを形成す
る（第３図Ｄ）。さらに、形成されたポジレジスト5bを
選択エッチングマスクとして、PSG膜３と熱酸化膜２を
フッ酸系の薬品でウェットエッチングする（第３図
Ｅ）。その後、ポジレジスト5bを除去しアルミニウム配
線9a〜9eを形成し、保護膜11を形成したのが最終製品
（第３図Ｆ）である。
第３図Ｆのうち、P+と拡散層7aとP+拡散層7bとで囲ま
れた領域には、NPNトランジスタが形成されており、ア
ルミニウム配線9a,9b,9cはそれぞれ、NPNトランジスタ
のコレクタ電極，ベース電極，エミッタ電極に相当す
る。さらに、P+拡散層7bの左側領域には、窒化ケイ素膜
４を層間絶縁膜としたコンデンサが形成されており、ア
ルミニウム配線9d,9eがそれぞれ、コンデンサの両電極
である。
れた領域には、NPNトランジスタが形成されており、ア
ルミニウム配線9a,9b,9cはそれぞれ、NPNトランジスタ
のコレクタ電極，ベース電極，エミッタ電極に相当す
る。さらに、P+拡散層7bの左側領域には、窒化ケイ素膜
４を層間絶縁膜としたコンデンサが形成されており、ア
ルミニウム配線9d,9eがそれぞれ、コンデンサの両電極
である。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記の従来の方法では、CF4プラズマ
による窒化ケイ素膜４のドライエッチング時に、PSG膜
３表面に変質層６が形成されてしまい、酸素プラズマエ
ッチングによる、ポジレジスト5aの除去工程によっても
この変質層６は除去されない。そのため、引き続きポジ
レジスト5bを形成すると、変質層６の影響で、ポジレジ
スト5bの密着力が低下し、ポジレジスト5bを選択エッチ
ング用マスクとして、PSG膜３と、熱酸化膜２をウェッ
トエッチングすると、エッチング時の横広がり（以下サ
イドエッチと記す）が大きくなってしまう。
による窒化ケイ素膜４のドライエッチング時に、PSG膜
３表面に変質層６が形成されてしまい、酸素プラズマエ
ッチングによる、ポジレジスト5aの除去工程によっても
この変質層６は除去されない。そのため、引き続きポジ
レジスト5bを形成すると、変質層６の影響で、ポジレジ
スト5bの密着力が低下し、ポジレジスト5bを選択エッチ
ング用マスクとして、PSG膜３と、熱酸化膜２をウェッ
トエッチングすると、エッチング時の横広がり（以下サ
イドエッチと記す）が大きくなってしまう。
そのため、極端な場合には、N+拡散層へのコンタクト
窓がサイドエッチの大きいことにより、隣接したＰ型拡
散層まで広がってしまい、トランジスタ特性が得られな
くなる。さらに、サイドエッチの大きいことにより、コ
ンタクト窓がアルミニウム配線よりも大きくなると、ア
ルミニウム配線で、充分にコンタクト窓を被覆できず、
トランジスタ特性が低下する。つまり、ドライエッチン
グ時に形成されてしまう変質層のために、引き続き行な
われるレジストの密着力が低下し、そのレジストを用い
た選択エッチングが高精度で行えないという欠点を有し
ていた。
窓がサイドエッチの大きいことにより、隣接したＰ型拡
散層まで広がってしまい、トランジスタ特性が得られな
くなる。さらに、サイドエッチの大きいことにより、コ
ンタクト窓がアルミニウム配線よりも大きくなると、ア
ルミニウム配線で、充分にコンタクト窓を被覆できず、
トランジスタ特性が低下する。つまり、ドライエッチン
グ時に形成されてしまう変質層のために、引き続き行な
われるレジストの密着力が低下し、そのレジストを用い
た選択エッチングが高精度で行えないという欠点を有し
ていた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、ドライ
エッチング後の半導体基板表面変質層を改善し、その直
後に形成されるポジレジストの密着力を向上させる半導
体装置の製造方法を提供することにある。
エッチング後の半導体基板表面変質層を改善し、その直
後に形成されるポジレジストの密着力を向上させる半導
体装置の製造方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板上に形成した第１の絶縁膜と、更
にその上に形成された第２の絶縁膜とをパターン形成す
るのに際し、前記第２の絶縁膜上の所定箇所に形成する
ポジレジストをマスクとし、CF4ガスを含むプラズマに
よって前記第２の絶縁膜をドライエッチングする工程
と、その後、酸素プラズマによって前記ポジレジストを
半分程度エッチングする工程と、その後、前記半導体基
板を発煙硝酸で処理し、前工程で残ったポジレジストを
残らずウエットエッチングする工程と、その後、前記半
導体基板に新しいポジレジストを塗布して前記第１の絶
縁膜をパターン形成する工程とから構成されている。
造方法は、半導体基板上に形成した第１の絶縁膜と、更
にその上に形成された第２の絶縁膜とをパターン形成す
るのに際し、前記第２の絶縁膜上の所定箇所に形成する
ポジレジストをマスクとし、CF4ガスを含むプラズマに
よって前記第２の絶縁膜をドライエッチングする工程
と、その後、酸素プラズマによって前記ポジレジストを
半分程度エッチングする工程と、その後、前記半導体基
板を発煙硝酸で処理し、前工程で残ったポジレジストを
残らずウエットエッチングする工程と、その後、前記半
導体基板に新しいポジレジストを塗布して前記第１の絶
縁膜をパターン形成する工程とから構成されている。
作用 この構成によって、CF4ガスを用いたプラズマエッチ
ングで第２の絶縁膜をエッチングする際にＣ−Ｆポリマ
ーと推定される変質層が生じるが、ポジレジストを酸素
プラズマで半分程度エッチングした後に、半導体基板を
発煙硝酸処理するから、残ったポジレジストと変質層が
同時に除去され、引き続き実施されるレジスト形成時
の、半導体基板とレジストの密着力を向上させることが
できる。
ングで第２の絶縁膜をエッチングする際にＣ−Ｆポリマ
ーと推定される変質層が生じるが、ポジレジストを酸素
プラズマで半分程度エッチングした後に、半導体基板を
発煙硝酸処理するから、残ったポジレジストと変質層が
同時に除去され、引き続き実施されるレジスト形成時
の、半導体基板とレジストの密着力を向上させることが
できる。
実施例 以下、本発明を、一実施例により、第１図を参照して
詳しく説明する。
詳しく説明する。
第１図Ａにおいて、P+拡散層7aとP+拡散層7bで囲まれ
た領域には、N+拡散層8bとP+拡散層7cによりアルミニウ
ム配線形成前のNPNトランジスタが形成されている。P+
拡散層7bの左側にはN+拡散層8aが形成されている。さら
にシリコン基板表面には、熱酸化により形成された熱酸
化膜２（厚さ約2000Å）、その後、減圧CVD法で形成さ
れた厚さ約2000ÅのPSG膜３で覆われているが、N+拡散
層8a上の熱酸化膜２とPSG膜３の一部分は、レジストの
露光・現像及びエッチングの工程により開口されてい
る。その後、減圧CVD法で、窒化ケイ素膜４を約600Å成
長している。またN+拡散層8a上の開口部上の窒化ケイ素
膜４上に、露光・現像によりポジレジスト5a（厚さ1.3
μｍ）を形成している。
た領域には、N+拡散層8bとP+拡散層7cによりアルミニウ
ム配線形成前のNPNトランジスタが形成されている。P+
拡散層7bの左側にはN+拡散層8aが形成されている。さら
にシリコン基板表面には、熱酸化により形成された熱酸
化膜２（厚さ約2000Å）、その後、減圧CVD法で形成さ
れた厚さ約2000ÅのPSG膜３で覆われているが、N+拡散
層8a上の熱酸化膜２とPSG膜３の一部分は、レジストの
露光・現像及びエッチングの工程により開口されてい
る。その後、減圧CVD法で、窒化ケイ素膜４を約600Å成
長している。またN+拡散層8a上の開口部上の窒化ケイ素
膜４上に、露光・現像によりポジレジスト5a（厚さ1.3
μｍ）を形成している。
その後、ポジレジスト5aを選択エッチング用のマスク
として用いて、窒化ケイ素膜４を、CF4＋O2ガスプラズ
マドライエッチングする。ところが、窒化ケイ素膜４
を、CF4＋O2ガスプラズマドライエッチングすると、PSG
膜３上に、Ｃ−Ｆポリマーと推定される変質層６が形成
されてしまう（第３図Ｂ）。ここまでは従来例と同一で
あるが、その後、ポジレジスト5aを酸素プラズマエッチ
ングによって半分程度除去しても、変質層６は除去され
ない（第３図Ｃ）。ところが、その後、発煙硝酸処理を
30分程度行うと、残りのポジレジスト5aが除去されると
同時に、上記変質層６が改善される（第１図Ｄ）。ここ
で用いた発煙硝酸処理は、フィルターを通して発煙硝酸
を循環濾過させているバスに、30分程度シリコンウェハ
ーを浸す方式を適用したが、循環濾過していない発煙硝
酸バスを３つ程度用いて、シリコン基板をその３つのバ
スへ10分毎に浸す方式を適用しても良い。
として用いて、窒化ケイ素膜４を、CF4＋O2ガスプラズ
マドライエッチングする。ところが、窒化ケイ素膜４
を、CF4＋O2ガスプラズマドライエッチングすると、PSG
膜３上に、Ｃ−Ｆポリマーと推定される変質層６が形成
されてしまう（第３図Ｂ）。ここまでは従来例と同一で
あるが、その後、ポジレジスト5aを酸素プラズマエッチ
ングによって半分程度除去しても、変質層６は除去され
ない（第３図Ｃ）。ところが、その後、発煙硝酸処理を
30分程度行うと、残りのポジレジスト5aが除去されると
同時に、上記変質層６が改善される（第１図Ｄ）。ここ
で用いた発煙硝酸処理は、フィルターを通して発煙硝酸
を循環濾過させているバスに、30分程度シリコンウェハ
ーを浸す方式を適用したが、循環濾過していない発煙硝
酸バスを３つ程度用いて、シリコン基板をその３つのバ
スへ10分毎に浸す方式を適用しても良い。
その後、素子のアルミニウム配線とのコンタクト窓を
開口するためにポジレジスト5bのパターンを形成する
（第１図Ｅ）。さらに、形成されたポジレジスト5bを選
択エッチングマスクとして、PSG膜３と熱酸化膜２をフ
ッ酸系の薬品でウェットエッチングする（第１図Ｆ）。
その後、ポジレジスト5bを除去してアルミニウム配線9a
〜9eを形成し、保護膜11を形成したのが最終製品（第１
図Ｇ）である。
開口するためにポジレジスト5bのパターンを形成する
（第１図Ｅ）。さらに、形成されたポジレジスト5bを選
択エッチングマスクとして、PSG膜３と熱酸化膜２をフ
ッ酸系の薬品でウェットエッチングする（第１図Ｆ）。
その後、ポジレジスト5bを除去してアルミニウム配線9a
〜9eを形成し、保護膜11を形成したのが最終製品（第１
図Ｇ）である。
第１図Ｇのうち、P+拡散層7aとP+拡散層7bで囲まれた
領域には、NPNトランジスタが形成されており、アルミ
ニウム配線9a,9b,9cはそれぞれ、NPNトランジスタのコ
レクタ電極，ベース電極，エミッタ電極に相当する。さ
らに、P+拡散層7bの左側領域には、窒化ケイ素膜４を層
間絶縁膜としたコンデンサが形成されており、アルミニ
ウム配線9d,9eがそれぞれ、コンデンサの両電極であ
る。
領域には、NPNトランジスタが形成されており、アルミ
ニウム配線9a,9b,9cはそれぞれ、NPNトランジスタのコ
レクタ電極，ベース電極，エミッタ電極に相当する。さ
らに、P+拡散層7bの左側領域には、窒化ケイ素膜４を層
間絶縁膜としたコンデンサが形成されており、アルミニ
ウム配線9d,9eがそれぞれ、コンデンサの両電極であ
る。
以上のように本実施例によれば、NPNトランジスタ形
成後に、窒化ケイ素膜を絶縁膜として用いたコンデンサ
ー容量を形成する場合の、窒化ケイ素膜４のドライエッ
チング後の、レジスト除去工程に、発煙硝酸処理を付け
加えることにより、窒化ケイ素膜４のドライエッチング
時に形成されるPSG膜上変質層６を改善することが可能
となり、そのため、引き続き行なわれるポジレジスト5b
形成時の、ポジレジスト5bの密着力が向上し、PSG膜３
と熱酸化膜２の高精度加工が可能となった。そのため、
N+拡散層へのコンタクト窓が、他の拡散層まで広がった
り、また、コンタクト窓が広くなりすぎて、アルミニウ
ム配線でコンタクト窓を被覆できなくなるという問題点
を大幅に減少することが、さらにコンタクト窓形成時の
マスク合せ誤差の許容度も大きくなる。
成後に、窒化ケイ素膜を絶縁膜として用いたコンデンサ
ー容量を形成する場合の、窒化ケイ素膜４のドライエッ
チング後の、レジスト除去工程に、発煙硝酸処理を付け
加えることにより、窒化ケイ素膜４のドライエッチング
時に形成されるPSG膜上変質層６を改善することが可能
となり、そのため、引き続き行なわれるポジレジスト5b
形成時の、ポジレジスト5bの密着力が向上し、PSG膜３
と熱酸化膜２の高精度加工が可能となった。そのため、
N+拡散層へのコンタクト窓が、他の拡散層まで広がった
り、また、コンタクト窓が広くなりすぎて、アルミニウ
ム配線でコンタクト窓を被覆できなくなるという問題点
を大幅に減少することが、さらにコンタクト窓形成時の
マスク合せ誤差の許容度も大きくなる。
第２図A,Bにより、本実施例の効果を示す。第２図Ａ
に開口部の断面形状および寸法を示す。第２図Ｂの横軸
は、試料名を示す。従来方式（a,b,c）及び本実施例
（d,e,f）と、それぞれ３枚のシリコン基板について、
基板内２点ずつ測定を行った。縦軸は、ウェットエッチ
ング後の開口部寸法であり、開口部上部の開口部長さを
l1、開口部下部の開口部長さをl2として示した。また、
レジスト開口部寸法ｌは、3.6μｍである。
に開口部の断面形状および寸法を示す。第２図Ｂの横軸
は、試料名を示す。従来方式（a,b,c）及び本実施例
（d,e,f）と、それぞれ３枚のシリコン基板について、
基板内２点ずつ測定を行った。縦軸は、ウェットエッチ
ング後の開口部寸法であり、開口部上部の開口部長さを
l1、開口部下部の開口部長さをl2として示した。また、
レジスト開口部寸法ｌは、3.6μｍである。
第２図Ｂから明らかに、本実施例は従来例に比較し
て、開口部寸法（l1・l2とも）が、レジスト開口部寸法
に近い、即ちサイドエッチが少いことがわかる。トラン
ジスタ特性に大きく影響を与えるのは開口部下部寸法l2
であるが、レジスト開口部寸法ｌが3.6μｍに対して、
従来例では開口部下部寸法l2が4.4μｍ、本実施例では
開口部下部寸法が4.0μｍであり、サイドエッチ（l2−
ｌ）は、従来例が0.8μｍ、本実施例が0.4μｍとなり、
本実施例では、レジストの密着性が向上したことによ
り、サイドエッチを従来例の50％にまで減少させること
ができた。
て、開口部寸法（l1・l2とも）が、レジスト開口部寸法
に近い、即ちサイドエッチが少いことがわかる。トラン
ジスタ特性に大きく影響を与えるのは開口部下部寸法l2
であるが、レジスト開口部寸法ｌが3.6μｍに対して、
従来例では開口部下部寸法l2が4.4μｍ、本実施例では
開口部下部寸法が4.0μｍであり、サイドエッチ（l2−
ｌ）は、従来例が0.8μｍ、本実施例が0.4μｍとなり、
本実施例では、レジストの密着性が向上したことによ
り、サイドエッチを従来例の50％にまで減少させること
ができた。
なお、本実施例では、シリコン基板の上に熱酸化膜,P
SG膜，窒化ケイ素膜を、この順で形成した例を述べた
が、熱酸化膜・PSG膜・窒化ケイ素膜の３層構造でなく
ても良いし、他の材質（たとえばNSG等）でも同様の効
果げ得られる。
SG膜，窒化ケイ素膜を、この順で形成した例を述べた
が、熱酸化膜・PSG膜・窒化ケイ素膜の３層構造でなく
ても良いし、他の材質（たとえばNSG等）でも同様の効
果げ得られる。
また、本実施例では、発煙硝酸処理を、レジスト除去
と、変質層の改善という両者の目的を兼ねて使用したが
特にレジスト除去と兼用される必要はなく、単独に、変
質層の改善だけのために使用しても良い。
と、変質層の改善という両者の目的を兼ねて使用したが
特にレジスト除去と兼用される必要はなく、単独に、変
質層の改善だけのために使用しても良い。
発明の効果 本発明によれば、CF4ガスを用いたプラズマエッチン
グで第２の絶縁膜をエッチングする際にＣ−Ｆポリマー
と推定される変質層が生じるが、ポジレジストを酸素プ
ラズマで半分程度エッチングした後に、半導体基板を発
煙硝酸処理するから、残ったポジレジストと変質層が同
時に除去され、引き続き形成されるレジストの密着力を
向上させることができ、そのレジストを用いた高精度の
加工を実現させることができる。
グで第２の絶縁膜をエッチングする際にＣ−Ｆポリマー
と推定される変質層が生じるが、ポジレジストを酸素プ
ラズマで半分程度エッチングした後に、半導体基板を発
煙硝酸処理するから、残ったポジレジストと変質層が同
時に除去され、引き続き形成されるレジストの密着力を
向上させることができ、そのレジストを用いた高精度の
加工を実現させることができる。
第１図Ａ〜Ｇは本発明の一実施例における半導体装置の
製造方法の工程断面図、第２図は本発明と従来例の効果
を比較した特性図、第３図Ａ〜Ｆは従来の半導体装置の
製造方法の工程断面図である。 １……シリコン基板、２……熱酸化膜、３……PSG膜、
４……窒化ケイ素膜、5a,5b……ポジレジスト、６……
変質層、7a,7b,7c……P+拡散層、8a,8b……N+拡散層、9
a〜9e……アルミニウム配線、10……エピタキシャル
層、11……保護膜。
製造方法の工程断面図、第２図は本発明と従来例の効果
を比較した特性図、第３図Ａ〜Ｆは従来の半導体装置の
製造方法の工程断面図である。 １……シリコン基板、２……熱酸化膜、３……PSG膜、
４……窒化ケイ素膜、5a,5b……ポジレジスト、６……
変質層、7a,7b,7c……P+拡散層、8a,8b……N+拡散層、9
a〜9e……アルミニウム配線、10……エピタキシャル
層、11……保護膜。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に形成した第１の絶縁膜と、
更にその上に形成された第２の絶縁膜とをパターン形成
するのに際し、 前記第２の絶縁膜上の所定箇所に形成するポジレジスト
をマスクとし、CF4ガスを含むプラズマによって前記第
２の絶縁膜をドライエッチングする工程と、その後、酸
素プラズマによって前記ポジレジストを半分程度エッチ
ングする工程と、 その後、前記半導体基板を発煙硝酸で処理し、前工程で
残ったポジレジストを残らずウエットエッチングする工
程と、 その後、前記半導体基板に新しいポジレジストを塗布し
て前記第１の絶縁膜をパターン形成する工程とを備えた
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124300A JPH088236B2 (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124300A JPH088236B2 (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289818A JPS63289818A (ja) | 1988-11-28 |
| JPH088236B2 true JPH088236B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=14881923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62124300A Expired - Fee Related JPH088236B2 (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088236B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042834A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60213025A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | レジスト塗布方法 |
| JPS61156812A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-21 JP JP62124300A patent/JPH088236B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63289818A (ja) | 1988-11-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |