JPH09161215A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH09161215A JPH09161215A JP32067995A JP32067995A JPH09161215A JP H09161215 A JPH09161215 A JP H09161215A JP 32067995 A JP32067995 A JP 32067995A JP 32067995 A JP32067995 A JP 32067995A JP H09161215 A JPH09161215 A JP H09161215A
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- gap
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フェライト等の磁気コア或いは強磁性金属薄
膜と溶着ガラス間での反応を起こさない様にする。 【解決手段】 磁気コア半体１０ａ及び１０ａ同士を接
合或いは突き合わせた状態でトラック幅を規定するガラ
ス溝１４に反応防止膜６を形成して溶着ガラス４と金属
磁性薄膜２或いは磁気コア半体１０ａ及び１０ｂとの反
応を防止する。
膜と溶着ガラス間での反応を起こさない様にする。 【解決手段】 磁気コア半体１０ａ及び１０ａ同士を接
合或いは突き合わせた状態でトラック幅を規定するガラ
ス溝１４に反応防止膜６を形成して溶着ガラス４と金属
磁性薄膜２或いは磁気コア半体１０ａ及び１０ｂとの反
応を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフェライト等の磁気
コア同士をガラス融着により接合する場合に用いて好適
な磁気ヘッドの製造方法に関する。
コア同士をガラス融着により接合する場合に用いて好適
な磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から磁気ヘッドとしては種々のもの
が提案されているが、一対の磁気コア半体同士等をガラ
ス融着によって接合する様に成した磁気ヘッド、特にギ
ャップ近傍に強磁性金属薄膜を成膜して成るＭＩＧ（メ
タル・イン・ギャップ）型の磁気ヘッド（以下ＭＩＧヘ
ッドと記す）は図５乃至図７Ａ，Ｂに示す様に構成され
ていた。
が提案されているが、一対の磁気コア半体同士等をガラ
ス融着によって接合する様に成した磁気ヘッド、特にギ
ャップ近傍に強磁性金属薄膜を成膜して成るＭＩＧ（メ
タル・イン・ギャップ）型の磁気ヘッド（以下ＭＩＧヘ
ッドと記す）は図５乃至図７Ａ，Ｂに示す様に構成され
ていた。
【０００３】図５は従来のＭＩＧヘッドの全体的な斜視
図、図６はＭＩＧヘッドの摺動面の平面図、図７Ａ，Ｂ
は従来のＭＩＧヘッド加工方法説明図である。
図、図６はＭＩＧヘッドの摺動面の平面図、図７Ａ，Ｂ
は従来のＭＩＧヘッド加工方法説明図である。
【０００４】先ずＭＩＧヘッドの加工方法を図７Ａ及び
図７Ｂによって説明する。図７Ａに示す様な略長方体状
にＭn −Ｚフェライト等の強磁性酸化物からなる一対の
コアブロック１０を用意する。これら一対のコアブロッ
ク１０には回転砥石を用いて、該コアブロック１０の長
手方向にバックガラス補強溝１１、巻線補助溝１５、巻
線溝１２を形成し、ギャップ対向面部１３のトラックを
残して、コアブロック１０及び１０の長手方向と直交す
る様にトラック幅規定用のガラス溝１４を形成し、ギャ
ップ対向面部１３を鏡面研摩する。
図７Ｂによって説明する。図７Ａに示す様な略長方体状
にＭn −Ｚフェライト等の強磁性酸化物からなる一対の
コアブロック１０を用意する。これら一対のコアブロッ
ク１０には回転砥石を用いて、該コアブロック１０の長
手方向にバックガラス補強溝１１、巻線補助溝１５、巻
線溝１２を形成し、ギャップ対向面部１３のトラックを
残して、コアブロック１０及び１０の長手方向と直交す
る様にトラック幅規定用のガラス溝１４を形成し、ギャ
ップ対向面部１３を鏡面研摩する。
【０００５】次にセンダスト等の金属磁性薄膜をスパッ
タリング法等の物理蒸着法（ＰＶＤ）によって例えば４
μｍの厚みに成膜する。
タリング法等の物理蒸着法（ＰＶＤ）によって例えば４
μｍの厚みに成膜する。
【０００６】更に、この金属磁性薄膜上にギャップスペ
ーサ部となるＳｉＯ2 等の酸化膜を、例えばスパッタリ
ング法で１００ｎｍの厚みに成膜する。
ーサ部となるＳｉＯ2 等の酸化膜を、例えばスパッタリ
ング法で１００ｎｍの厚みに成膜する。
【０００７】次に図７Ｂに示す様に一対のコアブロック
１０，１０をギャップ対向面１３が突き合わさる様に成
した後にガラス溝１４及びバックガラス補強溝１１に溶
着ガラス４を挿入させて接合し、下方のｃ−ｃ部分より
切断する。
１０，１０をギャップ対向面１３が突き合わさる様に成
した後にガラス溝１４及びバックガラス補強溝１１に溶
着ガラス４を挿入させて接合し、下方のｃ−ｃ部分より
切断する。
【０００８】次に、この接合させた一対のコアブロック
を図７Ｂのａ−ａ，ｂ−ｂの様にスライス切断してヘッ
ドチップコア１が構成される。
を図７Ｂのａ−ａ，ｂ−ｂの様にスライス切断してヘッ
ドチップコア１が構成される。
【０００９】図５は上述の様に構成したヘッドチップコ
ア１の斜視図を示し、スライスされた一対のコアブロッ
ク１０及び１０はＣ型のコア半体１０ａ及び１０ｂと成
されギャップスペーサ部３は金属性薄膜２上に形成され
たＳｉＯ2 等のギャップ用の酸化膜から構成される。
ア１の斜視図を示し、スライスされた一対のコアブロッ
ク１０及び１０はＣ型のコア半体１０ａ及び１０ｂと成
されギャップスペーサ部３は金属性薄膜２上に形成され
たＳｉＯ2 等のギャップ用の酸化膜から構成される。
【００１０】図６のＭＩＧヘッドチップコア１の摺動面
で視るとギャップ近傍部は一対のコア半体１０ａ及び１
０ｂ上に形成された金属磁性薄膜２と、更にこの金属磁
性薄膜２上にスパッタリングされた極めて薄いギャップ
スペーサ部３を構成する２層のＳｉＯ2 等のギャップ膜
から成っている。従って１００ｎｍのギャップ膜厚はギ
ャップスペーサ部３では２００ｎｍ厚であるがバックガ
ラス補強溝１４の溶着ガラス４と対向面である溶着ガラ
ス融着部でのギャップで膜厚は１００ｎｍ以下となって
いる。
で視るとギャップ近傍部は一対のコア半体１０ａ及び１
０ｂ上に形成された金属磁性薄膜２と、更にこの金属磁
性薄膜２上にスパッタリングされた極めて薄いギャップ
スペーサ部３を構成する２層のＳｉＯ2 等のギャップ膜
から成っている。従って１００ｎｍのギャップ膜厚はギ
ャップスペーサ部３では２００ｎｍ厚であるがバックガ
ラス補強溝１４の溶着ガラス４と対向面である溶着ガラ
ス融着部でのギャップで膜厚は１００ｎｍ以下となって
いる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のＭＩＧヘッドで
はギャップ膜としてＳｉＯ2 を説明したがＴａ2 Ｏ5 ，
Ｃｒ，或いはＡｌ2 Ｏ3 等を用いる様にしてもよい。
はギャップ膜としてＳｉＯ2 を説明したがＴａ2 Ｏ5 ，
Ｃｒ，或いはＡｌ2 Ｏ3 等を用いる様にしてもよい。
【００１２】これらのギャップ膜で構成するギャップス
ペーサ部３は強磁性金属薄膜２，２と溶着ガラス４とで
生ずる反応を防止する役割を有しているが、実際には記
録再生特性を確保するために必要なギャップ長から膜厚
が決定され、ギャップスペーサ部３の厚みを自由に変更
することが出来ない。特に近年は磁気記録の分野におい
て高記録密度を有するシステムが求められ、それに伴な
って記録波長が短くなりギャップ長、即ちギャップスペ
ーサ部の膜厚も上述の例の様に極めて薄くなって来てい
る。
ペーサ部３は強磁性金属薄膜２，２と溶着ガラス４とで
生ずる反応を防止する役割を有しているが、実際には記
録再生特性を確保するために必要なギャップ長から膜厚
が決定され、ギャップスペーサ部３の厚みを自由に変更
することが出来ない。特に近年は磁気記録の分野におい
て高記録密度を有するシステムが求められ、それに伴な
って記録波長が短くなりギャップ長、即ちギャップスペ
ーサ部の膜厚も上述の例の様に極めて薄くなって来てい
る。
【００１３】上述の様に強磁性の金属磁性薄膜２と溶着
ガラス４との反応が図６の様に起こって反応層５を生ず
ると、ＭＩＧヘッドの外観を損ねるだけでなく、ガラス
失透により顕微鏡でのギャップスペーサ部３のデイプス
読取不良やヘッドの記録再生特性も磁性膜の磁気特性の
劣化で悪化する問題が生ずる。
ガラス４との反応が図６の様に起こって反応層５を生ず
ると、ＭＩＧヘッドの外観を損ねるだけでなく、ガラス
失透により顕微鏡でのギャップスペーサ部３のデイプス
読取不良やヘッドの記録再生特性も磁性膜の磁気特性の
劣化で悪化する問題が生ずる。
【００１４】尚、上述の説明ではＭＩＧヘッド構成につ
いて説明したが、フェライトコアから成るＣ型のコア半
体同士を強磁性金属性膜を成膜せず直接ガラス溶着させ
る様なものであってもフェライトがガラスと反応を生じ
て反応層５を生ずる場合もある。
いて説明したが、フェライトコアから成るＣ型のコア半
体同士を強磁性金属性膜を成膜せず直接ガラス溶着させ
る様なものであってもフェライトがガラスと反応を生じ
て反応層５を生ずる場合もある。
【００１５】上述の様にギャップスペーサ部３のギャッ
プ材をＴａ2 Ｏ5 ，Ｃｒ等に変更することで磁気コア材
（フェライト）等のコア半体１０ａ，１０ｂ又は強磁性
金属薄膜２と溶着ガラス４との反応を防止する検討が行
われているが、ギャップ材厚が薄くなるとコア半体１０
ａ，１０ｂ或いは強磁性金属薄膜２と溶着ガラス４との
反応を完全に防止することが困難となる問題があった。
プ材をＴａ2 Ｏ5 ，Ｃｒ等に変更することで磁気コア材
（フェライト）等のコア半体１０ａ，１０ｂ又は強磁性
金属薄膜２と溶着ガラス４との反応を防止する検討が行
われているが、ギャップ材厚が薄くなるとコア半体１０
ａ，１０ｂ或いは強磁性金属薄膜２と溶着ガラス４との
反応を完全に防止することが困難となる問題があった。
【００１６】本発明は叙上の問題点を解消するために成
されたもので、その課題とするところはギャップスペー
サ部３のギャップ材の厚さが薄くなっても磁気コア材或
いは金属磁性薄膜２と溶着ガラス４との反応を防止可能
な磁気ヘッドの製造方法を提供するにある。
されたもので、その課題とするところはギャップスペー
サ部３のギャップ材の厚さが薄くなっても磁気コア材或
いは金属磁性薄膜２と溶着ガラス４との反応を防止可能
な磁気ヘッドの製造方法を提供するにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドの製
造方法はその例が図１に示されている様に、溶着ガラス
４を介して磁気コア１０ａ及び１０ｂを接合する様に成
された磁気ヘッド１の製造方法に於いて、磁気コア１に
ギャップスペーサ部３を形成し、溶着ガラス融着部に保
護膜６を形成した後にガラス溶着を施して成るものであ
る。
造方法はその例が図１に示されている様に、溶着ガラス
４を介して磁気コア１０ａ及び１０ｂを接合する様に成
された磁気ヘッド１の製造方法に於いて、磁気コア１に
ギャップスペーサ部３を形成し、溶着ガラス融着部に保
護膜６を形成した後にガラス溶着を施して成るものであ
る。
【００１８】本発明の磁気ヘッドの製造方法では反応防
止膜としての上記保護膜６を溶着ガラス４を充填する溝
１４即ち溶着ガラス融着部の内部に形成することによ
り、ギャップスペーサ部３のギャップ材の厚さがどれほ
ど薄くなっても、コア半体１０ａ及び１０ｂと融着ガラ
ス４との反応或いは金属磁性薄膜２と融着ガラス４との
反応を防止することが可能となる。
止膜としての上記保護膜６を溶着ガラス４を充填する溝
１４即ち溶着ガラス融着部の内部に形成することによ
り、ギャップスペーサ部３のギャップ材の厚さがどれほ
ど薄くなっても、コア半体１０ａ及び１０ｂと融着ガラ
ス４との反応或いは金属磁性薄膜２と融着ガラス４との
反応を防止することが可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気ヘッドの製造
方法としてＭＩＧヘッドについて図１及び図２Ａ，Ｂ，
Ｃによって具体的に説明する。図１は従来構成の図５で
説明したヘッドチップコアの摺動面を示す平面図、図２
Ａ〜Ｃは本発明のＭＩＧヘッドの加工方法説明図であ
る。先ず図２Ａ〜Ｃによって詳記する。
方法としてＭＩＧヘッドについて図１及び図２Ａ，Ｂ，
Ｃによって具体的に説明する。図１は従来構成の図５で
説明したヘッドチップコアの摺動面を示す平面図、図２
Ａ〜Ｃは本発明のＭＩＧヘッドの加工方法説明図であ
る。先ず図２Ａ〜Ｃによって詳記する。
【００２０】本例では図２Ａに示す様に略長方形状のＭ
n −Ｚ、フェライト等から成る強磁性酸化物或いは摺動
ノイズを低減する目的でＣａＴｉＯ3 等の非磁性基板か
ら成る一対の短冊状のコアブロック１０及び１０を用意
し、これら一対のコアブロック１０及び１０には回転砥
石を用いて短冊状のコアブロック１０及び１０の長手方
向にバックガラス補強溝１１、巻線補助溝１５、巻線溝
１２を形成し、ギャップ対向面１３のトラックを残し
て、コアブロック１０及び１０の長手方向と直交する様
にトラック幅規定用のガラス溝１４を形成し、ギャップ
対向面部１３を鏡面研摩する。
n −Ｚ、フェライト等から成る強磁性酸化物或いは摺動
ノイズを低減する目的でＣａＴｉＯ3 等の非磁性基板か
ら成る一対の短冊状のコアブロック１０及び１０を用意
し、これら一対のコアブロック１０及び１０には回転砥
石を用いて短冊状のコアブロック１０及び１０の長手方
向にバックガラス補強溝１１、巻線補助溝１５、巻線溝
１２を形成し、ギャップ対向面１３のトラックを残し
て、コアブロック１０及び１０の長手方向と直交する様
にトラック幅規定用のガラス溝１４を形成し、ギャップ
対向面部１３を鏡面研摩する。
【００２１】次に金属磁性薄膜２のセンダストをスパッ
タリング法等の物理蒸着法（ＰＶＤ）によって例えば４
μｍの厚みに成膜する。
タリング法等の物理蒸着法（ＰＶＤ）によって例えば４
μｍの厚みに成膜する。
【００２２】更に、この金属磁性薄膜２上にギャップス
ペーサ部３となるＳｉＯ2 等の酸化膜を例えばスパッタ
リング法で１００ｎｍの厚みに成膜する。
ペーサ部３となるＳｉＯ2 等の酸化膜を例えばスパッタ
リング法で１００ｎｍの厚みに成膜する。
【００２３】又、強磁性金属薄膜２の材質としては、強
磁性非晶質金属合金、所謂アモルファス合金（例えばＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの一つ以上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの
一つ以上の元素とからなる合金または、これを主成分と
しＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍ
ｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ等を含んだ合金）や、強磁
性結晶金属磁性合金（例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、
Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆ
ｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ
−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−
Ｇａ−Ｓｉ系合金等。更に、耐蝕性や対摩耗性などの一
層の向上を図るために、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｅ，
Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖ等の少なくとも一種を添加
したもの。）、またＦｅ−Ｍ−Ｎ，Ｃ（Ｍ：Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ等）の所謂微結晶合金等が
使用可能である。
磁性非晶質金属合金、所謂アモルファス合金（例えばＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの一つ以上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの
一つ以上の元素とからなる合金または、これを主成分と
しＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍ
ｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ等を含んだ合金）や、強磁
性結晶金属磁性合金（例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、
Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆ
ｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ
−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−
Ｇａ−Ｓｉ系合金等。更に、耐蝕性や対摩耗性などの一
層の向上を図るために、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｅ，
Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖ等の少なくとも一種を添加
したもの。）、またＦｅ−Ｍ−Ｎ，Ｃ（Ｍ：Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ等）の所謂微結晶合金等が
使用可能である。
【００２４】次に図２Ｂに示す様に一対のコアブロック
１０，１０をギャップ対向面１３が突き合わさる様に治
具等を介して一体化した後にガラス溝１４に反応防止膜
６としての保護膜、例えばＳｉＯ2 を２５０ｎｍ厚に形
成する。この形成方法としては特に埋め込み特性の優れ
たＣＶＤ（化学蒸着法）を可とする。
１０，１０をギャップ対向面１３が突き合わさる様に治
具等を介して一体化した後にガラス溝１４に反応防止膜
６としての保護膜、例えばＳｉＯ2 を２５０ｎｍ厚に形
成する。この形成方法としては特に埋め込み特性の優れ
たＣＶＤ（化学蒸着法）を可とする。
【００２５】この保護膜６としてはＳｉＯ2 膜に限らず
Ａｌ2 Ｏ3 の様な酸化物薄膜或いはＣｒ，Ｔｉ等の金属
薄膜、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＴａＮ等の窒化物薄膜の様なガラス
と反応しない材料を用いることが出来る。
Ａｌ2 Ｏ3 の様な酸化物薄膜或いはＣｒ，Ｔｉ等の金属
薄膜、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＴａＮ等の窒化物薄膜の様なガラス
と反応しない材料を用いることが出来る。
【００２６】上述の場合は金属磁性薄膜２上にギャップ
スペーサ部３としての薄いＳｉＯ2を塗布後にガラス溝
１４内にＣＶＤ法で保護膜を比較的厚く成膜したが、図
２Ａの短冊型コアブロック１０及び１０を図２Ｂの様に
突き合わせることなくスパッタリング等のＰＶＤによっ
て保護膜６を塗布する場合には図３に示す様にコアブロ
ック１０のトラックとなるギャップ対向面１３，１３部
分にマスク７を覆って、ＳｉＯ2 等の反応防止膜６をス
パッタリングする様に成すことも出来る。
スペーサ部３としての薄いＳｉＯ2を塗布後にガラス溝
１４内にＣＶＤ法で保護膜を比較的厚く成膜したが、図
２Ａの短冊型コアブロック１０及び１０を図２Ｂの様に
突き合わせることなくスパッタリング等のＰＶＤによっ
て保護膜６を塗布する場合には図３に示す様にコアブロ
ック１０のトラックとなるギャップ対向面１３，１３部
分にマスク７を覆って、ＳｉＯ2 等の反応防止膜６をス
パッタリングする様に成すことも出来る。
【００２７】図２Ｂの様に保護膜６の成膜後に図２Ｃの
様に溶着ガラス４をガラス溝１４及びバックガラス補助
溝１１に挿入させて接合し、バックガラス補助溝１１部
分をｃ−ｃの様に切断して切り捨てる。
様に溶着ガラス４をガラス溝１４及びバックガラス補助
溝１１に挿入させて接合し、バックガラス補助溝１１部
分をｃ−ｃの様に切断して切り捨てる。
【００２８】次に、図２Ｃのａ−ａ，ｂ−ｂの様にスラ
イスして図５で説明したと同様形状のヘッドチップコア
１を得る。
イスして図５で説明したと同様形状のヘッドチップコア
１を得る。
【００２９】この場合のヘッド摺動面の平面図は図１に
示す様にガラス溝１４の薄いギャップスペーサ部３の上
に保護膜即ち反応防止膜６が形成された構成と成され
る。
示す様にガラス溝１４の薄いギャップスペーサ部３の上
に保護膜即ち反応防止膜６が形成された構成と成され
る。
【００３０】尚、上述の場合、ギャップスペーサ部３は
ＳｉＯ2 の成膜で構成され、ギャップ対向面１３，１３
は単に突き合わせられているだけで接合されていないが
ギャップスペーサ部３にガラス薄膜やＡｕ等の金属薄膜
を図４の様に用いて、コア半体１０ａ及び１０ｂがギャ
ップスペーサ部３で接合されている様な構成のヘッドで
はガラス溝１４内に保護膜６を成膜する際に短冊型コア
ブロック１０及び１０は圧縮接合によって接合された状
態になっているのでコアブロックを突き合わせるための
治具が不要となる。
ＳｉＯ2 の成膜で構成され、ギャップ対向面１３，１３
は単に突き合わせられているだけで接合されていないが
ギャップスペーサ部３にガラス薄膜やＡｕ等の金属薄膜
を図４の様に用いて、コア半体１０ａ及び１０ｂがギャ
ップスペーサ部３で接合されている様な構成のヘッドで
はガラス溝１４内に保護膜６を成膜する際に短冊型コア
ブロック１０及び１０は圧縮接合によって接合された状
態になっているのでコアブロックを突き合わせるための
治具が不要となる。
【００３１】図４の場合はコア半体１０ａ及び１０ｂの
フェライトが予め接合され、且つ溶着ガラスと反応を起
こす場合の反応防止膜６についての説明であるがＭＩＧ
ヘッド等であっても同様の構成もあり得るものであり、
本発明は上述の実施例に限定されず他の構成の磁気ヘッ
ドの製造方法にも適用可能である。
フェライトが予め接合され、且つ溶着ガラスと反応を起
こす場合の反応防止膜６についての説明であるがＭＩＧ
ヘッド等であっても同様の構成もあり得るものであり、
本発明は上述の実施例に限定されず他の構成の磁気ヘッ
ドの製造方法にも適用可能である。
【００３２】
【発明の効果】本発明の磁気ヘッドの製造方法によれば
磁気コア同士を突き合わせ、或いは接合させた状態で溶
着ガラスを充填するガラス溝内に保護膜を形成し、その
後にガラス溶着を施して磁気ヘッドを作成することによ
り、ギャップスペーサ部の厚みが薄くてもコアチップ材
又は金属磁性膜と溶着ガラスの反応を防止出来てデプス
読取不良や金属磁性薄膜の磁気特性劣化の生じない磁気
ヘッドが得られる。
磁気コア同士を突き合わせ、或いは接合させた状態で溶
着ガラスを充填するガラス溝内に保護膜を形成し、その
後にガラス溶着を施して磁気ヘッドを作成することによ
り、ギャップスペーサ部の厚みが薄くてもコアチップ材
又は金属磁性膜と溶着ガラスの反応を防止出来てデプス
読取不良や金属磁性薄膜の磁気特性劣化の生じない磁気
ヘッドが得られる。
【図１】本発明のＭＩＧヘッドの摺動面の平面図であ
る。
る。
【図２】本発明の磁気ヘッド加工方法説明図である。
【図３】本発明のＰＶＤ法による保護膜塗布方法の説明
図である。
図である。
【図４】本発明の他の実施例を示すヘッド摺動面の平面
図である。
図である。
【図５】従来のＭＩＧヘッドの斜視図である。
【図６】従来のＭＩＧヘッドの摺動面の平面図である。
【図７】従来のＭＩＧヘッドの加工方法説明図である。
１ ヘッドチップコア ２ 金属磁性薄膜 ３ ギャップスペーサ部 ４ 溶着ガラス ５ 反応層 ６ 反応防止膜（保護膜） １０，１０ コアブロック １０ａ，１０ｂ コア半体
Claims (5)
- 【請求項１】 溶着ガラスを介して磁気コアを接合する
様に成された磁気ヘッドの製造方法に於いて、 上記磁気コアにギャップスペーサ部を形成し、上記溶着
ガラス融着部に保護膜を形成した後にガラス溶着を施し
て成ることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記ギャップスペーサ部を形成した１対
の磁気コア半体同士を突き合わせた状態で、前記溶着ガ
ラス融着部に保護膜を形成した後にガラス溶着を施して
成ることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項３】 前記ギャップスペーサ部を形成した１対
の磁気コア半体同士を予めガラス接合により接合した状
態で、前記溶着ガラス融着部に保護膜を形成した後にガ
ラス溶着を施して成ることを特徴とする請求項１記載の
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 前記溶着ガラス融着部に成膜する保護膜
をＣＶＤ法によって形成して成ることを特徴とする請求
項１乃至請求項３記載のいずれか１項記載の磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項５】 前記磁気コアにギャップスペーサを形成
後に、該ギャップスペーサ形成部をマスクしたのちにＰ
ＶＤ法により前記保護膜を前記ガラス融着部に形成して
成ることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載のいず
れか１項記載の磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32067995A JPH09161215A (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32067995A JPH09161215A (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09161215A true JPH09161215A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18124127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32067995A Pending JPH09161215A (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09161215A (ja) |
-
1995
- 1995-12-08 JP JP32067995A patent/JPH09161215A/ja active Pending
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