JPH0927575A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0927575A
JPH0927575A JP8101515A JP10151596A JPH0927575A JP H0927575 A JPH0927575 A JP H0927575A JP 8101515 A JP8101515 A JP 8101515A JP 10151596 A JP10151596 A JP 10151596A JP H0927575 A JPH0927575 A JP H0927575A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
heat
package
lead
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8101515A
Other languages
English (en)
Inventor
Hyoung-Ho Roh
亨昊 盧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hanwha Aerospace Co Ltd
Original Assignee
Samsung Aerospace Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Aerospace Industries Ltd filed Critical Samsung Aerospace Industries Ltd
Publication of JPH0927575A publication Critical patent/JPH0927575A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
    • H10W70/415—Leadframe inner leads serving as die pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/461—Leadframes specially adapted for cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体チップで発生する熱を効果的に放出させ
る半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置１００のパッケージ１０は、接
続リ−ド３０を半導体チップ２０に取り付ける接着部材
４０に挟み込まれた放熱体５０と、一方の端部が接着部
材４０に取り付けられ他方の端部が外部に露出された少
なくとも一つの放熱リ−ド６０とを備え、これにより半
導体チップで発生する熱が放熱体と放熱リ−ドを通して
外部に効果的に放出される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
特に半導体チップで発生する熱を効果的に放出すること
ができるように改善された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、半導体チップが装着され
たパッケ−ジにより多様な形態に分けられ、そのうち、
リ−ドがテ−プなどのような接着部材により半導体チッ
プに取り付けられた、所謂、ＬＯＣ（lead on chip）タ
イプの従来の半導体装置９を図１に概略的に示す。
【０００３】図１に示すように、従来の半導体装置９
は、パッケ−ジ１と、半導体チップ２と、多数のリ−ド
３と、接着部材４とを備えている。各リ−ド３の一方の
端部は、パッケ−ジ１に内蔵された半導体チップ２に接
着部材４により取り付けられている。このリ−ド３の他
方の端部は、パッケ−ジの外部に露出されて回路基板１
５に接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た構成の従来の半導体装置９においては、半導体チップ
２で発生する熱が外部に効果的に放出されないため、そ
の半導体装置の寿命が縮まるだけでなく、その半導体装
置を採用した製品の信頼性を低下させるという問題点が
あった。
【０００５】本発明は、前記の問題点を解決するために
案出されたものであり、半導体チップで発生する熱が外
部に効果的に放出されるように改善された半導体装置を
提供することにその目的がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明による半導体装置は、半導体チップを内
蔵するパッケ−ジと、一方の端部が接着部材により前記
半導体チップに取り付けられ、他方の端部が前記パッケ
−ジの外部に露出されて回路基板に接続された多数の接
続リ−ドと、一方の端部が前記接着部材により半導体チ
ップに取り付けられ、他方の端部が前記パッケ−ジの外
部に露出されて前記回路基板から離隔された少なくとも
一つの放熱リ−ドと、前記接着部材の中に挟み込まれた
放熱体とを具備する点にその特徴がある。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の実施の形態を詳細に説明する。
【０００８】図２は、本実施の形態の半導体装置の概略
的な斜視図であり、図３は図２に示す半導体装置のIII
−III線の断面図、図４は図２に示す半導体装置のIV−I
V線の断面図である。
【０００９】図２乃至図４に示すように、本実施の形態
の半導体装置１００のパッケ−ジ１０内には半導体チッ
プ２０が装着されており、この半導体チップ２０には多
数の接続リ−ド３０がテ−プなどのような接着部材４０
により取り付けられている。このように、一方の端部が
半導体チップ２０に取り付けられた接続リ−ド３０の他
方の端部は、夫々パッケ−ジ１０の外部に露出されて回
路基板１５に接続されている。放熱リ−ド６０の一方の
端部は、夫々接着部材４０にも取り付けられており、放
熱リ−ド６０の他方の端部は、夫々パッケ−ジ１０の外
部に露出されている。
【００１０】放熱リ−ド６０の前記パッケ−ジ１０の外
部に露出された端部は、そのパッケ−ジ１０の上面に密
着するように曲げ加工し、回路基板１５から離隔するよ
うに配することが望ましい。このような構造にすれば、
放熱リ−ド６０の前記露出された端部が大きい空間を占
有することなく、広い表面積を確保できるからである。
また、前記放熱リ−ド６０の前記接着部材４０に取り付
けられる端部は、互いに連結されていることが望まし
い。このような構造にすれば、放熱リ−ド６０を接着部
材４０に取り付ける作業性が向上するからである。
【００１１】一方、前記接着部材４０の中には薄膜の放
熱体５０が挟み込まれている。図３に示すように、前記
放熱体５０は、その一部が前記放熱リ−ド６０に連結さ
れることが望ましい。また、前記放熱体５０と放熱リ−
ド６０は、銅やアルミニウムなどのように低廉ながらも
熱伝導性の良い金属素材で形成することが望ましい。
【００１２】このような構成を有する半導体装置１００
において、半導体チップ２０で発生する熱の大部分は、
接着部材４０に挟み込まれている放熱体５０を通して、
該放熱体５０と連結された放熱リ−ド６０に伝えられ
る。一方、前記放熱リ−ド６０の端部は、パッケ−ジ１
０の外部に露出しているので、放熱リ−ド６０に伝えら
れた熱は、露出された端部を通してパッケ−ジ１０の外
部の空気に放出される。
【００１３】したがって、半導体装置１００の寿命の縮
まることが防止されるだけでなく、その半導体装置１０
０を採用した製品の信頼度が向上される。
【００１４】本実施の形態の半導体装置１００において
は、さらに広い放熱面積を確保すべく、前記放熱リ−ド
６０が複数個備えられているが、例えば、その表面積を
広げて一つのみ設けても本発明の目的は達成される。
【００１５】図５は、本発明の他の実施の形態の半導体
装置を示している。この半導体装置１０１は、前述した
実施の形態の半導体装置１００と同様に、半導体チップ
２０を内蔵するパッケ−ジ１０と、一方の端部が接着部
材４０により半導体チップ２０に取り付けられ、他方の
端部がパッケ−ジ１０の外部に露出されて回路基板１５
に接続された多数の接続リ−ド３０とを備えている。さ
らに、半導体装置１０１は、一方の端部が前記接着部材
４０により半導体チップ２０に取り付けられ、他方の端
部がパッケ−ジ１０の外部に露出されて前記回路基板１
５から離隔された放熱リ−ド６０と、接着部材４０の中
に挟み込まれ、一部が放熱リ−ド６０に連結された放熱
体５０とを備えている。
【００１６】本実施の形態の半導体装置１０１において
は、前記パッケ−ジ１０の外部に露出された放熱リ−ド
６０の端部に熱分散部材７０が連結されている。この熱
分散部材７０についても、前記放熱体５０及び放熱リ−
ド６０のように、低廉ながらも熱伝導性の良好な銅やア
ルミニウム素材で形成されることが望ましい。
【００１７】このような実施の形態の半導体装置１０１
においては、熱放出のための熱交換面積が主に放熱リ−
ド６０の露出された端部の表面積に限定される上記の実
施の形態の半導体装置１００とは異なり、放熱リ−ド６
０に連結された熱分散部材７０の表面積に相当する熱交
換面積を確保でき、これにより熱交換面積が増えるの
で、半導体チップ２０で発生する熱がより効果的に放出
されるようになる。
【００１８】以上、本発明の半導体装置の実施の形態を
例示した。しかしながら、本発明は、上記の実施例に限
定されず、本発明の範疇を逸脱しない範囲内で様々な変
形、変更をなし得ることは言うまでもない。
【００１９】
【発明の効果】以上、述べたように本発明による半導体
装置は、接続リ−ドを半導体チップに取り付ける接着部
材に挟み込まれた放熱体と、一方の端部が接着部材に取
り付けられ、他方の端部が外部に露出された少なくとも
一つの放熱リ−ドとを備えることにより、半導体チップ
で発生する熱が放熱体と放熱リ−ドを通して外部に効果
的に放出される。
【００２０】
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体装置の概略断面図である。
【図２】実施の形態の半導体装置の概略斜視図である。
【図３】図２に示す半導体装置のIII−III線の断面図で
ある。
【図４】図２に示す半導体装置のIV−IV線の断面図であ
る。
【図５】他の実施の形態の概略断面図である。
【符号の説明】
１００，１０１ 半導体装置 １０ パッケ−ジ ２０ 半導体チップ ３０ 接続リ−ド ４０ 接着部材 ５０ 放熱体 ６０ 放熱リ−ド ７０ 熱分散部材
【手続補正書】
【提出日】平成８年５月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】一方、前記接着部材４０の中には薄膜の放
熱体５０が挟み込まれている。前記放熱体５０は、接続
リード３０と電気的に絶縁されている。図４に示すよう
に、前記放熱体５０は、その一部が前記放熱リード６０
に連結されることが望ましい。また、前記放熱体５０と
放熱リード６０は、銅やアルミニウムなどのように低廉
ながらも熱伝導性の良い金属素材で形成することが望ま
しい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップを内蔵するパッケ−ジと、 一方の端部が接着部材により前記半導体チップに取り付
    けられ、他方の端部が前記パッケ−ジの外部に露出され
    て回路基板に接続された多数の接続リ−ドと、 一方の端部が前記接着部材により半導体チップに取り付
    けられ、他方の端部が前記パッケ−ジの外部に露出され
    て前記回路基板から離隔された少なくとも一つの放熱リ
    −ドと、 前記接着部材の中に挟み込まれた放熱体と、 を具備することを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記放熱体と放熱リ−ドは、銅またはア
    ルミニウム素材で形成されていることを特徴とする請求
    項１に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記放熱リ−ドは複数個備えられ、該放
    熱リ−ドの前記接着部材により前記半導体チップに取り
    付けられた端部は、互いに連結されていることを特徴と
    する請求項１に記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記パッケ−ジの外部に露出された前記
    放熱リ−ドの端部は、前記パッケ−ジに密着するように
    曲げ加工されていることを特徴とする請求項１に記載の
    半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記パッケ−ジの外部に露出された前記
    放熱リ−ドの端部に連結された熱分散部材をさらに備え
    ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記熱分散部材は、銅またはアルミニウ
    ム素材で形成されていることを特徴とする請求項５に記
    載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 前記放熱体の一部は、前記放熱リ−ドに
    連結されていることを特徴とする請求項１に記載の半導
    体装置。
JP8101515A 1995-07-07 1996-04-23 半導体装置 Pending JPH0927575A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950019924A KR0155843B1 (ko) 1995-07-07 1995-07-07 반도체장치
KR95-19924 1995-07-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0927575A true JPH0927575A (ja) 1997-01-28

Family

ID=19420034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8101515A Pending JPH0927575A (ja) 1995-07-07 1996-04-23 半導体装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5644164A (ja)
JP (1) JPH0927575A (ja)
KR (1) KR0155843B1 (ja)
CN (1) CN1125489C (ja)
DE (1) DE19620202A1 (ja)
FR (1) FR2736467A1 (ja)
GB (1) GB2303248A (ja)
MY (1) MY113240A (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5949138A (en) * 1996-10-31 1999-09-07 Texas Instruments Incorporated Heat spreader
JP3495281B2 (ja) * 1999-02-04 2004-02-09 ローム株式会社 半導体装置
JP3581268B2 (ja) * 1999-03-05 2004-10-27 株式会社東芝 ヒートシンク付半導体装置およびその製造方法
KR100416988B1 (ko) * 2001-07-30 2004-02-05 윤복현 슬러지 건조기
JP2004179253A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Nec Semiconductors Kyushu Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR100553717B1 (ko) * 2003-08-11 2006-02-24 광전자 주식회사 고방열 구조를 갖는 반도체 패키지
US6979900B2 (en) * 2003-10-21 2005-12-27 Delphi Technologies, Inc. Integrated circuit package with integral leadframe convector and method therefor
KR101363463B1 (ko) * 2005-12-08 2014-02-14 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 도전성 잉크를 가진 플립 칩 ｍｌｐ
US7638861B2 (en) * 2005-12-08 2009-12-29 Fairchild Semiconductor Corporation Flip chip MLP with conductive ink
CN102857088B (zh) 2012-08-28 2016-01-20 胜美达电机（香港）有限公司 电源供应模块
KR101366889B1 (ko) * 2012-10-18 2014-02-24 삼성전기주식회사 반도체 패키지
JP6891904B2 (ja) * 2017-02-06 2021-06-18 富士電機株式会社 半導体モジュール、電気自動車およびパワーコントロールユニット

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1800213A1 (de) * 1968-10-01 1970-05-14 Telefunken Patent Gehaeuse fuer integrierte Halbleiterschaltungen
JPS5266376A (en) * 1975-11-29 1977-06-01 Hitachi Ltd Device and manufacture of resin body type semiconductor
JPS6199650A (ja) * 1984-10-22 1986-05-17 Kubota Ltd 通電ロ−ル用合金
JPH0740600B2 (ja) * 1987-04-30 1995-05-01 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH0691174B2 (ja) * 1988-08-15 1994-11-14 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH02201949A (ja) * 1989-01-30 1990-08-10 Toshiba Corp 半導体装置
JPH02280364A (ja) * 1989-04-21 1990-11-16 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH02310954A (ja) * 1989-05-26 1990-12-26 Hitachi Ltd リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JPH0382148A (ja) * 1989-08-25 1991-04-08 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH03263862A (ja) * 1990-03-14 1991-11-25 Hitachi Ltd 電子部品の冷却装置
JPH04123448A (ja) * 1990-09-14 1992-04-23 Toshiba Corp 半導体実装装置
JP2898383B2 (ja) * 1990-09-20 1999-05-31 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂の製造方法
JPH04267549A (ja) * 1991-02-22 1992-09-24 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JP2760167B2 (ja) * 1991-03-15 1998-05-28 イビデン株式会社 電子部品搭載装置
JPH04316357A (ja) * 1991-04-15 1992-11-06 Sony Corp 樹脂封止型半導体装置
JP2971637B2 (ja) * 1991-06-17 1999-11-08 富士通株式会社 半導体装置
JP2857725B2 (ja) * 1991-08-05 1999-02-17 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置
JP3322429B2 (ja) * 1992-06-04 2002-09-09 新光電気工業株式会社 半導体装置
JP3167194B2 (ja) * 1992-10-02 2001-05-21 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
JPH06326230A (ja) * 1993-05-11 1994-11-25 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
US5585600A (en) * 1993-09-02 1996-12-17 International Business Machines Corporation Encapsulated semiconductor chip module and method of forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
US5644164A (en) 1997-07-01
DE19620202A1 (de) 1997-01-09
CN1140334A (zh) 1997-01-15
KR0155843B1 (ko) 1998-12-01
KR970008435A (ko) 1997-02-24
CN1125489C (zh) 2003-10-22
GB2303248A (en) 1997-02-12
MY113240A (en) 2001-12-31
FR2736467A1 (fr) 1997-01-10
GB9610349D0 (en) 1996-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02306656A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH06252285A (ja) 回路基板
JPH0927575A (ja) 半導体装置
JPH06169189A (ja) チップ形発熱部品及びその実装方法
JPH10335866A (ja) 回路基板の放熱構造
JPH0773122B2 (ja) 封止型半導体装置
JPH03174749A (ja) 半導体装置
JP3378174B2 (ja) 高発熱素子の放熱構造
JP2888183B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP4469101B2 (ja) 放熱構造を有する電子回路装置
JPH03182397A (ja) Ｉｃカード
JP3083557U (ja) 低熱抵抗発光ダイオード構造
JPH06252299A (ja) 半導体装置及びこの半導体装置を実装した基板
JP2000252657A (ja) 制御機器の放熱装置
JPH06112674A (ja) 電子部品搭載装置用のヒートシンク
JPS6130742B2 (ja)
JP2501950B2 (ja) 半導体装置
JPH0685120A (ja) 電子部品の冷却装置
JPH0412557A (ja) 半導体パッケージの放熱構造
JP2815917B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPS6242549Y2 (ja)
JP2919313B2 (ja) プリント配線基板及びその実装方法
JPH06236944A (ja) 半導体実装における放熱装置
JPH03101256A (ja) 半導体装置
JP2001257490A (ja) 電子機器の放熱構造

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050921

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050927

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060413

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060515

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060818