JPH09282633A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｃ／Ｎ特性に優れた磁気記録媒体を提供する
ことである。 【解決手段】 二つ以上のＣｏ−Ｏ系の磁性膜が積層さ
れてなり、前記磁性膜と磁性膜との界面部においてＯ濃
度がＣｏ濃度より高い磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜
を有する磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いこ
とから、高密度記録に適したものである。この種の金属
薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例え
ばＣｏ，Ｃｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などのＣｏを
主成分としたＣｏ系金属が用いられている。

【０００３】ところで、近年における高密度記録の要請
は高まる一方であり、そこでＣ／Ｎ特性の向上が待たれ
ている。このＣ／Ｎ特性を向上させる為、Ｃｏ系磁性膜
の成膜時に、磁性膜表面に酸素を多く供給することが提
案されているが、これで十分なものではない。従って、
本発明の課題は、Ｃ／Ｎ特性に優れた磁気記録媒体を提
供することである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、二
つ以上のＣｏ−Ｏ系の磁性膜が積層されてなり、前記磁
性膜と磁性膜との界面部においてＯ濃度がＣｏ濃度より
高いことを特徴とする磁気記録媒体によって解決され
る。又、Ｃｏ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｃｏ−
Ｏ系磁性膜の表面より該Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の厚さの２５
％の深さの位置から該Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面より該Ｃ
ｏ−Ｏ系磁性膜の厚さの６０％の深さの位置にかけての
中層部において、Ｏ濃度がＣｏ濃度より高い領域がある
ことを特徴とする磁気記録媒体によって解決される。

【０００５】又、Ｃｏ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前
記Ｃｏ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析において、
縦軸にＣｏ量、及びＯ量を、横軸にスパッタ時間をとる
と、スパッタ開始より全スパッタ時間の２５％の位置か
らスパッタ開始より全スパッタ時間の６０％の位置にか
けての中層部において、Ｏ濃度がＣｏ濃度より高い領域
があることを特徴とする磁気記録媒体によって解決され
る。

【０００６】尚、上記における２５％の位置は、好まし
くは３０％の位置であり、又、６０％の位置は、好まし
くは５５％の位置である。すなわち、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜
（ＣｏあるいはＣｏ合金などのＣｏ系金属粒子の堆積時
に、酸素などを供給することによって構成された磁性
膜）の中層部において、Ｏ濃度がＣｏ濃度より高い領域
（特に、この領域における両者間の差の最大値が５〜１
５ａｔ．％）を形成しておくことにより、磁気分離が効
果的になされ、ノイズが減少し、Ｃ／Ｎが向上する。

【０００７】本発明において、Ｏ濃度がＣｏ濃度より高
い領域は一つでも良いが、二つ有っても良く、又、三つ
以上有っても良い。但し、一つか二つの場合が好まし
い。又、Ｏ濃度がＣｏ濃度より高い領域におけるＯ濃度
の最高点においては、Ｏ濃度が５０〜６０ａｔ．％（特
に、５２〜５６ａｔ．％）であるのが好ましい。これに
より、磁気分離が一層効果的になされる。

【０００８】又、表面からＯ濃度がＣｏ濃度より高い領
域に至るまでの間において、Ｏ濃度分布には谷があるも
のが好ましい。すなわち、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面にお
けるＯ濃度が低いよりも高い方が、つまり磁性膜の表面
酸化がある程度なされている方が、そしてＣｏ−Ｏ系磁
性膜の表面からＯ濃度がＣｏ濃度より高い領域に至るま
での間におけるＯ濃度分布は略Ｊ形状であるのが、耐蝕
性や耐久性の観点から好ましいからである。

【０００９】又、本発明の磁気記録媒体にあっては、上
記特徴のＣｏ−Ｏ系磁性膜以外の磁性膜を持っていても
良いが、上記特徴のＣｏ−Ｏ系磁性膜の上には記録再生
に用いられる磁性膜がない、つまり上記特徴のＣｏ−Ｏ
系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、Ｃｏ−
Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表
面より該Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の厚さの２５％（特に、３０
％）の深さの位置から該Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面より該
Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の厚さの６０％（特に、５５％）の深
さの位置にかけての中層部において、Ｏ濃度がＣｏ濃度
より高い領域があるものである。又、Ｃｏ−Ｏ系の磁性
膜を備えてなり、前記Ｃｏ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子
分光分析において、縦軸にＣｏ量、及びＯ量を、横軸に
スパッタ時間をとると、スパッタ開始より全スパッタ時
間の２５％（特に、３０％）の位置からスパッタ開始よ
り全スパッタ時間の６０％（特に、５５％）の位置にか
けての中層部において、Ｏ濃度がＣｏ濃度より高い領域
があるものである。又、二つ以上のＣｏ−Ｏ系の磁性膜
が積層されてなり、前記磁性膜と磁性膜との界面部にお
いてＯ濃度がＣｏ濃度より高いものである。尚、この磁
気記録媒体は、一つの磁性膜が中層部における高Ｏ濃度
層によって二つ以上に分けられていると考えた場合に
は、前記表現の磁気記録媒体と同じものになる。すなわ
ち、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜（ＣｏあるいはＣｏ合金などのＣ
ｏ系金属粒子の堆積時に、酸素などを供給することによ
って構成された磁性膜）の中層部において、Ｏ濃度がＣ
ｏ濃度より高い領域（特に、この領域における両者間の
差の最大値が５〜１５ａｔ．％）が有る。Ｏ濃度がＣｏ
濃度より高い領域は一つ、二つ、三つ以上有る。又、Ｏ
濃度がＣｏ濃度より高い領域におけるＯ濃度の最高点に
おいては、Ｏ濃度が５０〜６０ａｔ．％（特に、５２〜
５６ａｔ．％）である。又、表面からＯ濃度がＣｏ濃度
より高い領域に至るまでの間において、Ｏ濃度分布には
谷が有る。すなわち、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面からＯ濃
度がＣｏ濃度より高い領域に至るまでの間におけるＯ濃
度分布が略Ｊ形状のようになっている。

【００１１】本発明の磁気記録媒体は、支持体上に、例
えば斜め蒸着法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を
製造する方法であって、斜め蒸着工程を複数回に分けて
行い、各斜め蒸着工程における酸素の供給を制御するこ
とによって得られる。図１や図２に、本発明で用いる斜
め蒸着装置を示す。図１や図２中、１は支持体、２ａは
支持体１の供給側ロール、２ｂは支持体１の巻取側ロー
ル、３ａ，３ｂはキャンロール、４ａ，４ｂは遮蔽板、
５ａ，５ｂはルツボ、６はＣｏ系金属、７ａ，７ｂは電
子銃、８ａ，８ｂ，８ｃは酸素ガス供給ノズル、９は真
空槽である。尚、本装置においては、斜め蒸着が続けて
複数回行われるようにしているが、一つの装置で繰り返
して行うようにしても良い。但し、このような場合にお
いても、酸素ガスの供給については注意する。

【００１２】すなわち、真空度が２×１０^-5〜２×１０
^-6Ｔｏｒｒ程度に排気された真空雰囲気下において、供
給側ロール２ａから繰り出された支持体１はキャンロー
ル３ａの位置にてルツボ５ａからのＣｏ系金属粒子が斜
め蒸着する。尚、電子銃７ａの出力は１０〜２０ｋｗ程
度であり、ルツボ５ａからのＣｏ系金属粒子の蒸発速度
は電子銃の出力によって制御されている。これにより、
Ｃｏ系金属磁性膜が形成される。この斜め蒸着に際し
て、酸素ガスが酸素ガス供給ノズル８ａから斜め上方向
けて（最大入射角でＣｏ系金属粒子が斜め蒸着する方向
に向けて）供給され、かつ、酸素ガス供給ノズル８ｂか
らキャンロール３ａの中心向けて、特にＣｏ系金属粒子
が斜め蒸着するのが終了する近傍においてキャンロール
３ａの中心向けて供給される。酸素ガス供給ノズル８ｂ
からの酸素は、活性度が高いように、加熱している。酸
素ガス供給ノズル８ａからの酸素ガス供給量は５０〜２
００ＳＣＣＭ、酸素ガス供給ノズル８ｂからの酸素ガス
供給量は３０〜１００ＳＣＣＭである。つまり、このよ
うな手法により、本発明が規定するような磁性膜が得ら
れる。この第一次斜め蒸着工程の後、第一次斜め蒸着工
程で形成された支持体１上のＣｏ−Ｏ系磁性膜上にルツ
ボ５ｂからのＣｏ系金属粒子が斜め蒸着する。これによ
り、あたかも二層状のＣｏ−Ｏ系磁性膜が形成される。
この第二次斜め蒸着に際しても、５０〜１５０ＳＣＣＭ
の割合で酸素ガスが酸素ガス供給ノズル８ｃから斜め上
方向けて供給される。そして、この第二次斜め蒸着の
後、支持体１は巻取側ロール２ｂに巻き取られる。

【００１３】このようにして得られた本発明になる磁気
記録媒体を図３に示す。図３中、１は支持体である。こ
の支持体１は磁性を有するものでも非磁性のものでも良
いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて
設けられる。すなわち、乾式メッキで構成される磁性膜
の密着性を向上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗
さを適度なものとして走行性を改善する為、例えばＳｉ
Ｏ₂ 等の粒子を含有させた厚さが０．０１〜０．５μｍ
の塗膜を設けることによってアンダーコート層が構成さ
れている。

【００１４】アンダーコート層の上には、図１に示した
斜め蒸着装置によってＣｏ−Ｏ系の金属薄膜型の磁性膜
１１（１１ａ，１１ｂ）が５００〜５０００Å、特に５
００〜２５００Å厚形成される。斜め蒸着の際の最小入
射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°〜７０°で
ある。尚、１１ａは第一次斜め蒸着工程で形成された下
層のＣｏ−Ｏ系磁性膜であり、その厚さは８００〜１５
００Åである。そして、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜１１ａの表面
層は酸素濃度が高い。１１ｂは第二次斜め蒸着工程で形
成された上層のＣｏ−Ｏ系磁性膜であり、その厚さは８
００〜１３００Åであり、第一次斜め蒸着工程で形成さ
れたＣｏ−Ｏ系磁性膜１１ａよりは薄い。そして、磁性
膜１１は上記した特徴を持つ。

【００１５】Ｃｏ−Ｏ系磁性膜１１の上には厚さが１０
〜２００Å程度の保護膜１２が設けられている。例え
ば、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト等のカ
ーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含珪素膜が設けら
れる。尚、ダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜
が好ましい。１３は潤滑剤層である。すなわち、炭化水
素系の潤滑剤やパーフルオロポリエーテル等のフッ素系
潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤を含有させた塗料を所定の
手段で塗布することにより、約２〜５０Å、好ましくは
約１０〜３０Å程度の厚さの潤滑剤層１３が設けられ
る。

【００１６】１４は、支持体１の他面に設けられたカー
ボンブラック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度
のバックコート層である。尚、バックコート層１４は、
例えばＡｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したも
のであっても良い。

【００１７】

【実施例１】図１や図２に示す斜め蒸着装置に６．５μ
ｍ厚のＰＥＴフィルム１を装着し、ＰＥＴフィルム１が
３ｍ／ｍｉｎの走行速度で走行させられている。真空槽
９は３×１０^-6Ｔｏｒｒに排気されている。酸化マグネ
シウム製のルツボ５ａ，５ｂにはＣｏが入っており、出
力１８ｋｗの電子銃７ａや出力１５ｋｗの電子銃７ｂに
よりＣｏは蒸発させられ、ＰＥＴフィルム１にＣｏが蒸
着させられる。

【００１８】キャンロール３ａは５０℃に、キャンロー
ル３ｂは２０℃に保持される。酸素ガス供給ノズル８ａ
からは１００ＳＣＣＭの酸素が、酸素ガス供給ノズル８
ｂからは１００℃に加熱した５０ＳＣＣＭの酸素が、酸
素ガス供給ノズル８ｃからは８０ＳＣＣＭの酸素が供給
される。第一次斜め蒸着工程における最小入射角は６０
°、第二次斜め蒸着工程における最小入射角は６０°で
ある。

【００１９】第一次斜め蒸着工程で成膜された下層のＣ
ｏ−Ｏ系磁性膜１１ａは９００Å、第二次斜め蒸着工程
で成膜された上層のＣｏ−Ｏ系磁性膜１１ｂは８５０Å
である。Ｃｏ−Ｏ系磁性膜１１ｂの上にはＥＣＲ−ＣＶ
Ｄにより１００Å厚さのダイヤモンドライクカーボン膜
が設けられた。

【００２０】又、ＰＥＴフィルム１の反対側の面にはカ
ーボンブラック等を含有させた厚さが０．５μｍのバッ
クコート層が設けられた。又、ダイヤモンドライクカー
ボン膜の表面には潤滑剤が塗布された。上記磁気テープ
のオージェプロファイル（測定条件：電子銃；加速電圧
１０ｋＶ、エミッション電流１０ｎＡ、倍率２０００
倍、エッチング条件；エッチングガスはアルゴン、加速
電圧３ｋＶ、イオン電流３００ｎＡ、３０秒間毎にエッ
チング）を図４に示す。このＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージ
ェプロファイルにおいて、縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ
量（Ｃ量＋Ｃｏ量＋Ｏ量＝１００％。尚、最表面層は潤
滑剤成分からのＣが、又、支持体との界面側にあっては
支持体成分からのＣが認められるが、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜
の領域にあっては基本的にＣはないと考える。）を、横
軸にスパッタ時間をとると、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜のスパッ
タ開始より全スパッタ時間の４８％付近の位置（すなわ
ち、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面より４８％付近の位置）に
おいて、Ｏ濃度は約５４ａｔ．％、Ｃｏ濃度は約４５ａ
ｔ．％であり、Ｏ濃度がＣｏ濃度より高い領域がある。

【００２１】尚、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜と支持体（あるいは
ダイヤモンドライクカーボン膜）との界面は、オージェ
プロファイルにおいてＣｏ濃度とＣ濃度とが等しいポイ
ントを界面と考える。

【００２２】

【実施例２】酸素ガス供給ノズル８ａからは９０ＳＣＣ
Ｍの酸素が、酸素ガス供給ノズル８ｂからは９０℃に加
熱した５５ＳＣＣＭの酸素が供給され、９００Å厚のＣ
ｏ−Ｏ系磁性膜１１ａが、又、９００Å厚のＣｏ−Ｏ系
磁性膜１１ｂが形成された以外は実施例１に準じて行
い、図３に示されるタイプの磁気テープを得た。

【００２３】上記磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図５に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量（Ｃ量＋Ｃｏ量＋Ｏ量＝
１００％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、又、
支持体との界面側にあっては支持体成分からのＣが認め
られるが、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては基本的に
Ｃはないと考える。）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜のスパッタ開始より全スパッタ時
間の５０％付近の位置（すなわち、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の
表面より５０％付近の位置）において、Ｏ濃度は５２ａ
ｔ．％、Ｃｏ濃度は４８ａｔ．％であり、Ｏ濃度がＣｏ
濃度より高い領域がある。

【００２４】

【実施例３】キャンロール３ａを７０℃に保持し、酸素
ガス供給ノズル８ａからは１００ＳＣＣＭの酸素が、酸
素ガス供給ノズル８ｂからは１３０℃に加熱した５５Ｓ
ＣＣＭの酸素が供給され、１３００Å厚のＣｏ−Ｏ系磁
性膜１１ａが、又、出力１８ｋｗの電子銃７ｂを用いて
１０００Å厚のＣｏ−Ｏ系磁性膜１１ｂが形成された以
外は実施例１に準じて行い、図３に示されるタイプの磁
気テープを得た。

【００２５】上記磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図６に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量（Ｃ量＋Ｃｏ量＋Ｏ量＝
１００％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、又、
支持体との界面側にあっては支持体成分からのＣが認め
られるが、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては基本的に
Ｃはないと考える。）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜のスパッタ開始より全スパッタ時
間の４４％付近の位置（すなわち、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の
表面より４４％付近の位置）において、Ｏ濃度は５６ａ
ｔ．％、Ｃｏ濃度は４４ａｔ．％であり、Ｏ濃度がＣｏ
濃度より高い領域がある。

【００２６】

【比較例１】キャンロール３ａを２０℃に保持し、酸素
ガス供給ノズル８ａからは５０ＳＣＣＭの酸素が、酸素
ガス供給ノズル８ｂからは２０℃で５０ＳＣＣＭの酸素
が供給され、９００Å厚のＣｏ−Ｏ系磁性膜１１ａが、
又、９００Å厚のＣｏ−Ｏ系磁性膜１１ｂが形成された
以外は実施例１に準じて行い、図３に示されるタイプの
磁気テープを得た。

【００２７】上記磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図７に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量（Ｃ量＋Ｃｏ量＋Ｏ量＝
１００％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、又、
支持体との界面側にあっては支持体成分からのＣが認め
られるが、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては基本的に
Ｃはないと考える。）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜のスパッタ開始より全スパッタ時
間の５４％付近の位置において、Ｏ濃度は４０ａｔ．
％、Ｃｏ濃度は６０ａｔ．％であり、Ｏ濃度がＣｏ濃度
より高い領域はない。

【００２８】

【比較例２】酸素ガス供給ノズル８ｂから酸素を供給せ
ず、１２００Å厚のＣｏ−Ｏ系磁性膜１１ｂが、又、１
０００Å厚のＣｏ−Ｏ系磁性膜１１ａが形成された以外
は実施例１に準じて行い、図３に示されるタイプの磁気
テープを得た。上記磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図８に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量（Ｃ量＋Ｃｏ量＋Ｏ量＝
１００％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、又、
支持体との界面側にあっては支持体成分からのＣが認め
られるが、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては基本的に
Ｃはないと考える。）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜のスパッタ開始より全スパッタ時
間の４５％付近の位置において、Ｏ濃度は４１ａｔ．
％、Ｃｏ濃度は５７ａｔ．％であり、Ｏ濃度がＣｏ濃度
より高い領域はない。

【００２９】

【比較例３】市販の磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図９に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量（Ｃ量＋Ｃｏ量＋Ｏ量＝
１００％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、又、
支持体との界面側にあっては支持体成分からのＣが認め
られるが、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては基本的に
Ｃはないと考える。）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜のスパッタ開始より全スパッタ時
間の６４％付近の位置において、Ｏ濃度は４２ａｔ．
％、Ｃｏ濃度は５８ａｔ．％であり、Ｏ濃度がＣｏ濃度
より高い領域はない。

【００３０】

【特性】上記各例の磁気テープについてのＣ／Ｎを調べ
たので、その結果を表−１に示す。 表−１ Ｃ／Ｎ（ｄＢ） １ＭＨｚ １０ＭＨｚ ２０ＭＨｚ 実施例１ ＋１．８ ＋２．３ ＋３．４ 実施例２ ＋１．３ ＋１．６ ＋２．４ 実施例３ ＋２．１ ＋２．９ ＋４．１ 比較例１ −０．３ −０．４ −０．６ 比較例２ ＋０．２ ＋０．３ ＋０．６ 比較例３ ０ ０ ０ ＊市販品の比較例３を基準（０ｄＢ）

【００３１】

【発明の効果】Ｃ／Ｎ特性に優れ、高密度記録に対応で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体製造装置の概略図

【図２】磁気記録媒体製造装置の要部拡大概略図

【図３】磁気記録媒体の概略断面図

【図４】実施例１の磁気テープのオージェプロファイル

【図５】実施例２の磁気テープのオージェプロファイル

【図６】実施例３の磁気テープのオージェプロファイル

【図７】比較例１の磁気テープのオージェプロファイル

【図８】比較例２の磁気テープのオージェプロファイル

【図９】比較例３の磁気テープのオージェプロファイル

【符号の説明】

１ 支持体 １１ａ 下層のＣｏ−Ｏ系磁性膜 １１ｂ 上層のＣｏ−Ｏ系磁性膜 １２ 保護膜 １３ 潤滑剤層 １４ バックコート層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 二つ以上のＣｏ−Ｏ系の磁性膜が積層さ
   れてなり、 前記磁性膜と磁性膜との界面部においてＯ濃度がＣｏ濃
   度より高いことを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 Ｃｏ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面より該Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の
   厚さの２５％の深さの位置から該Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表
   面より該Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の厚さの６０％の深さの位置
   にかけての中層部において、Ｏ濃度がＣｏ濃度より高い
   領域があることを特徴とする磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 Ｃｏ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｃｏ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析におい
   て、縦軸にＣｏ量、及びＯ量を、横軸にスパッタ時間を
   とると、スパッタ開始より全スパッタ時間の２５％の位
   置からスパッタ開始より全スパッタ時間の６０％の位置
   にかけての中層部において、Ｏ濃度がＣｏ濃度より高い
   領域があることを特徴とする磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 Ｏ濃度がＣｏ濃度より高い領域における
   両者間の差の最大値が５〜１５ａｔ．％であることを特
   徴とする請求項１〜請求項３いずれかの磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 Ｏ濃度がＣｏ濃度より高い領域が一つ以
   上あることを特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの
   磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 Ｏ濃度がＣｏ濃度より高い領域における
   Ｏ濃度の最高点においては、Ｏ濃度が５０〜６０ａｔ．
   ％であることを特徴とする請求項１〜請求項５いずれか
   の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 表面からＯ濃度がＣｏ濃度より高い領域
   に至るまでの間において、Ｏ濃度分布には谷があること
   を特徴とする請求項１〜請求項６いずれかの磁気記録媒
   体。