JPH09312479A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH09312479A JPH09312479A JP12820196A JP12820196A JPH09312479A JP H09312479 A JPH09312479 A JP H09312479A JP 12820196 A JP12820196 A JP 12820196A JP 12820196 A JP12820196 A JP 12820196A JP H09312479 A JPH09312479 A JP H09312479A
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- Japan
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- organic resin
- insulating layer
- thin film
- resin insulating
- wiring conductor
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体との間に剥離が
発生する。 【解決手段】絶縁基板1上に、有機樹脂絶縁層2と薄膜
配線導体3とを交互に積層するとともに上下に位置する
薄膜配線導体3を各有機樹脂絶縁層2に設けたスルーホ
ール5の内壁に被着させたスルーホール導体6を介して
接続して成る多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁
層2は酸化物フィラーを含有し、且つ該酸化物フィラー
が有機樹脂絶縁層2の薄膜配線導体3と接触する領域の
面にその平面積に対して2乃至75%の平面積で露出し
ている。
発生する。 【解決手段】絶縁基板1上に、有機樹脂絶縁層2と薄膜
配線導体3とを交互に積層するとともに上下に位置する
薄膜配線導体3を各有機樹脂絶縁層2に設けたスルーホ
ール5の内壁に被着させたスルーホール導体6を介して
接続して成る多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁
層2は酸化物フィラーを含有し、且つ該酸化物フィラー
が有機樹脂絶縁層2の薄膜配線導体3と接触する領域の
面にその平面積に対して2乃至75%の平面積で露出し
ている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がMoーMn法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がMoーMn法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
【0003】このMoーMn法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次ぎにこれを複数枚積層すると
ともに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラ
ミック体とを焼結一体化させる方法である。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次ぎにこれを複数枚積層すると
ともに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラ
ミック体とを焼結一体化させる方法である。
【0004】尚、前記配線導体が形成されるセラミック
体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライト
質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸化
物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素
質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。
体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライト
質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸化
物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素
質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。
【0005】しかしながら、このMoーMn法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
【0006】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようになってきた。
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようになってきた。
【0007】かかる多層配線基板は、酸化アルミニウム
質焼結体等から成るセラミックスやガラス繊維を織り込
んだガラス布にエポキシ樹脂を含浸させて形成されるガ
ラスエポキシ樹脂等から成る絶縁基板の上面にスピンコ
ート法及び熱硬化処理等によって形成されるエポキシ樹
脂から成る有機樹脂絶縁層と、銅やアルミニウム等の金
属を無電解めっき法や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォ
トリソグラフィー技術を採用することによって形成され
る薄膜配線導体とを交互に積層させるとともに上下に位
置する薄膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホ
ールの内壁に被着させたスルーホール導体を介して電気
的に接続させた構造を有している。
質焼結体等から成るセラミックスやガラス繊維を織り込
んだガラス布にエポキシ樹脂を含浸させて形成されるガ
ラスエポキシ樹脂等から成る絶縁基板の上面にスピンコ
ート法及び熱硬化処理等によって形成されるエポキシ樹
脂から成る有機樹脂絶縁層と、銅やアルミニウム等の金
属を無電解めっき法や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォ
トリソグラフィー技術を採用することによって形成され
る薄膜配線導体とを交互に積層させるとともに上下に位
置する薄膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホ
ールの内壁に被着させたスルーホール導体を介して電気
的に接続させた構造を有している。
【0008】またこの多層配線基板においては、各有機
樹脂絶縁層に形成されているスルーホールがフォトリソ
グラフィー技術を採用することによって、具体的にはま
ず有機樹脂絶縁層上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層を除去して、有機樹脂絶縁層に穴(スルーホール)を
形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層上より
剥離させ除去することによって形成されている。
樹脂絶縁層に形成されているスルーホールがフォトリソ
グラフィー技術を採用することによって、具体的にはま
ず有機樹脂絶縁層上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層を除去して、有機樹脂絶縁層に穴(スルーホール)を
形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層上より
剥離させ除去することによって形成されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この多
層配線基板は、有機樹脂絶縁層を形成するエポキシ樹脂
と薄膜配線導体を形成する銅やアルミニウム等の金属と
の密着性が悪く、有機樹脂絶縁層や薄膜配線導体に外力
が印加されると該外力によって有機樹脂絶縁層と薄膜配
線導体間に剥離が容易に発生してしまうという欠点を誘
発した。
層配線基板は、有機樹脂絶縁層を形成するエポキシ樹脂
と薄膜配線導体を形成する銅やアルミニウム等の金属と
の密着性が悪く、有機樹脂絶縁層や薄膜配線導体に外力
が印加されると該外力によって有機樹脂絶縁層と薄膜配
線導体間に剥離が容易に発生してしまうという欠点を誘
発した。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の欠点に鑑
み案出されたもので、その目的は有機樹脂絶縁層と薄膜
配線導体とを強固に接合させた多層配線基板を提供する
ことにある。
み案出されたもので、その目的は有機樹脂絶縁層と薄膜
配線導体とを強固に接合させた多層配線基板を提供する
ことにある。
【0011】本発明は、絶縁基板上に、有機樹脂絶縁層
と薄膜配線導体とを交互に積層するとともに上下に位置
する薄膜配線導体を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホ
ールの内壁に被着させたスルーホール導体を介して接続
して成る多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層は
酸化物フィラーを含有し、且つ該酸化物フィラーが有機
樹脂絶縁層の薄膜配線導体と接触する領域の面にその平
面積に対して2乃至75%の平面積で露出していること
を特徴とするものである。
と薄膜配線導体とを交互に積層するとともに上下に位置
する薄膜配線導体を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホ
ールの内壁に被着させたスルーホール導体を介して接続
して成る多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層は
酸化物フィラーを含有し、且つ該酸化物フィラーが有機
樹脂絶縁層の薄膜配線導体と接触する領域の面にその平
面積に対して2乃至75%の平面積で露出していること
を特徴とするものである。
【0012】また本発明は、前記有機樹脂絶縁層に含有
されている酸化物フィラーは有機樹脂絶縁層の表面より
突出する高さが薄膜配線導体の厚みの1/2以下である
ことを特徴とするものである。
されている酸化物フィラーは有機樹脂絶縁層の表面より
突出する高さが薄膜配線導体の厚みの1/2以下である
ことを特徴とするものである。
【0013】本発明の多層配線基板よれば、有機樹脂絶
縁層に含有させた金属材と接合性の良い酸化物フィラー
が有機樹脂絶縁層の薄膜配線導体と接触する領域の面に
その平面積に対して2乃至75%の平面積で露出してい
ることから薄膜配線導体は酸化物フィラーが含有されて
いる有機樹脂絶縁層に強固に接合し、有機樹脂絶縁層や
薄膜配線導体に外力が印加されても該外力によって有機
樹脂絶縁層と薄膜配線導体との間に剥離が発生すること
はない。
縁層に含有させた金属材と接合性の良い酸化物フィラー
が有機樹脂絶縁層の薄膜配線導体と接触する領域の面に
その平面積に対して2乃至75%の平面積で露出してい
ることから薄膜配線導体は酸化物フィラーが含有されて
いる有機樹脂絶縁層に強固に接合し、有機樹脂絶縁層や
薄膜配線導体に外力が印加されても該外力によって有機
樹脂絶縁層と薄膜配線導体との間に剥離が発生すること
はない。
【0014】また本発明の多層配線基板よれば、有機樹
脂絶縁層に含有されている酸化物フィラーの有機樹脂絶
縁層表面よりの突出高さが薄膜配線導体の厚みの1/2
以下であると酸化物フィラーが薄膜配線導体に不要に食
い込んで薄膜配線導体の電気抵抗値を高いものになすこ
とはなく、これによって薄膜配線導体の電気抵抗を所定
の低抵抗となすことができる。
脂絶縁層に含有されている酸化物フィラーの有機樹脂絶
縁層表面よりの突出高さが薄膜配線導体の厚みの1/2
以下であると酸化物フィラーが薄膜配線導体に不要に食
い込んで薄膜配線導体の電気抵抗値を高いものになすこ
とはなく、これによって薄膜配線導体の電気抵抗を所定
の低抵抗となすことができる。
【0015】更に本発明の多層配線基板よれば、絶縁基
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。
【0016】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図1は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、1は絶縁基板、2は有機樹脂絶縁層、3は
薄膜配線導体である。
詳細に説明する。図1は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、1は絶縁基板、2は有機樹脂絶縁層、3は
薄膜配線導体である。
【0017】前記絶縁基板1はその上面に有機樹脂絶縁
層2と薄膜配線導体3とから成る多層配線4が配設され
ており、該多層配線4を支持する支持部材として作用す
る。
層2と薄膜配線導体3とから成る多層配線4が配設され
ており、該多層配線4を支持する支持部材として作用す
る。
【0018】前記絶縁基板1は酸化アルミニウム質焼結
体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或い
は表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更には
ガラス繊維を織る込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させた
ガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されてお
り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されてい
る場合には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア
等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥
漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法を採用することによってセラミ
ックグリーンシート(セラミック生シート)を形成し、
しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち
抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温(約16
00℃)で焼成することによって、或いはアルミナ等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉
末を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によっ
て所定形状に成形し、最後に前記成形体を約1600℃
の温度で焼成することによって製作され、またガラスエ
ポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維を織り込
んだ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該
エポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることに
よって製作される。
体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或い
は表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更には
ガラス繊維を織る込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させた
ガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されてお
り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されてい
る場合には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア
等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥
漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法を採用することによってセラミ
ックグリーンシート(セラミック生シート)を形成し、
しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち
抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温(約16
00℃)で焼成することによって、或いはアルミナ等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉
末を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によっ
て所定形状に成形し、最後に前記成形体を約1600℃
の温度で焼成することによって製作され、またガラスエ
ポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維を織り込
んだ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該
エポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることに
よって製作される。
【0019】また前記絶縁基板1はその上面に有機樹脂
絶縁層2と薄膜配線導体3とが交互に多層に配設されて
多層配線4が被着されており、該多層配線4を構成する
有機樹脂絶縁層2は上下に位置する薄膜配線導体3の電
気的絶縁を図る作用を為すとともに薄膜配線導体3は電
気信号を伝達するための伝達路として作用する。
絶縁層2と薄膜配線導体3とが交互に多層に配設されて
多層配線4が被着されており、該多層配線4を構成する
有機樹脂絶縁層2は上下に位置する薄膜配線導体3の電
気的絶縁を図る作用を為すとともに薄膜配線導体3は電
気信号を伝達するための伝達路として作用する。
【0020】前記多層配線4の有機樹脂絶縁層2はエポ
キシ樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂から成る場
合、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等にア
ミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化
剤等の硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹脂
前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を絶縁基板
1の上部にスピンコート法により被着させ、しかる後、
これを約80℃〜200℃の熱で0.5乃至3時間熱処
理し、熱硬化させることによって形成される。
キシ樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂から成る場
合、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等にア
ミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化
剤等の硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹脂
前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を絶縁基板
1の上部にスピンコート法により被着させ、しかる後、
これを約80℃〜200℃の熱で0.5乃至3時間熱処
理し、熱硬化させることによって形成される。
【0021】また前記有機樹脂絶縁層2はその内部に酸
化アルミニウム等の酸化物フィラーが含有されており、
且つ該酸化物フィラーが有機樹脂絶縁層2の後述する薄
膜配線導体3と接触する領域の面にその平面積に対して
2乃至75%の平面積で露出している。この有機樹脂絶
縁層2に含有される酸化アルミニウム等から成る酸化物
フィラーは薄膜配線導体3を形成する金属材と接合性が
良いことから有機樹脂絶縁層2の表面で薄膜配線導体3
と接触する領域の面にその平面積に対して2乃至75%
の平面積で露出させておくと薄膜配線導体3を有機樹脂
絶縁層2に強固に接合させることができ、その結果、有
機樹脂絶縁層2や薄膜配線導体3に外力が印加されても
該外力によって有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体3との
間に剥離が発生することはない。
化アルミニウム等の酸化物フィラーが含有されており、
且つ該酸化物フィラーが有機樹脂絶縁層2の後述する薄
膜配線導体3と接触する領域の面にその平面積に対して
2乃至75%の平面積で露出している。この有機樹脂絶
縁層2に含有される酸化アルミニウム等から成る酸化物
フィラーは薄膜配線導体3を形成する金属材と接合性が
良いことから有機樹脂絶縁層2の表面で薄膜配線導体3
と接触する領域の面にその平面積に対して2乃至75%
の平面積で露出させておくと薄膜配線導体3を有機樹脂
絶縁層2に強固に接合させることができ、その結果、有
機樹脂絶縁層2や薄膜配線導体3に外力が印加されても
該外力によって有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体3との
間に剥離が発生することはない。
【0022】尚、前記有機樹脂絶縁層2の内部に含有さ
れる酸化物フィラーは有機樹脂絶縁層2の薄膜配線導体
3と接触する領域の面にその平面積に対して2%未満の
平面積で露出していても有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導
体3とを強固に接合させることができず、また75%を
越えると酸化物フィラーの有機樹脂絶縁層2に対する接
合が弱くなって、酸化物フィラーが有機樹脂絶縁層2よ
り剥離してしまう。従って、前記有機樹脂絶縁層2の内
部に含有される酸化物フィラーは有機樹脂絶縁層2の薄
膜配線導体3と接触する領域の面にその平面積に対して
2乃至75%の平面積で露出していることに特定され
る。
れる酸化物フィラーは有機樹脂絶縁層2の薄膜配線導体
3と接触する領域の面にその平面積に対して2%未満の
平面積で露出していても有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導
体3とを強固に接合させることができず、また75%を
越えると酸化物フィラーの有機樹脂絶縁層2に対する接
合が弱くなって、酸化物フィラーが有機樹脂絶縁層2よ
り剥離してしまう。従って、前記有機樹脂絶縁層2の内
部に含有される酸化物フィラーは有機樹脂絶縁層2の薄
膜配線導体3と接触する領域の面にその平面積に対して
2乃至75%の平面積で露出していることに特定され
る。
【0023】更に前記有機樹脂絶縁層2に含有されてい
る酸化物フィラーは、有機樹脂絶縁層2の表面より薄膜
配線導体3の厚みに対して1/2以上の高さに突出する
と酸化物フィラーが薄膜配線導体3に不要に食い込んで
薄膜配線導体3の電気抵抗値を高いものとなしてしま
う。従って、前記有機樹脂絶縁層2に含有されている酸
化物フィラーは薄膜配線導体3の電気抵抗を所定の低抵
抗となすためには有機樹脂絶縁層2の表面からの突出高
さを薄膜配線導体3の厚みに対し1/2以下としておく
ことが好ましい。
る酸化物フィラーは、有機樹脂絶縁層2の表面より薄膜
配線導体3の厚みに対して1/2以上の高さに突出する
と酸化物フィラーが薄膜配線導体3に不要に食い込んで
薄膜配線導体3の電気抵抗値を高いものとなしてしま
う。従って、前記有機樹脂絶縁層2に含有されている酸
化物フィラーは薄膜配線導体3の電気抵抗を所定の低抵
抗となすためには有機樹脂絶縁層2の表面からの突出高
さを薄膜配線導体3の厚みに対し1/2以下としておく
ことが好ましい。
【0024】前記前記酸化物フィラーは絶縁基板1の上
面にペースト状のエポキシ樹脂前駆体をスピンコート法
により被着させる際にエポキシ樹脂前駆体中に事前に酸
化アルミニウム質焼結体等の酸化物粉末を混入させてお
くことによって有機樹脂絶縁層2中に含有される。
面にペースト状のエポキシ樹脂前駆体をスピンコート法
により被着させる際にエポキシ樹脂前駆体中に事前に酸
化アルミニウム質焼結体等の酸化物粉末を混入させてお
くことによって有機樹脂絶縁層2中に含有される。
【0025】また前記酸化物フィラーとしては粒径が
0.1μmφ乃至10μmφの酸化アルミニウム粉末、
酸化マグネシウム粉末、酸化珪素粉末、酸化カルシウム
粉末等が好適に使用され、有機樹脂絶縁層2の全量に対
し、2重量%以上含有させれば該酸化物フィラーは有機
樹脂絶縁層2の薄膜配線導体3と接触する領域の面にそ
の平面積に対して2乃至75%の平面積で露出すること
となる。
0.1μmφ乃至10μmφの酸化アルミニウム粉末、
酸化マグネシウム粉末、酸化珪素粉末、酸化カルシウム
粉末等が好適に使用され、有機樹脂絶縁層2の全量に対
し、2重量%以上含有させれば該酸化物フィラーは有機
樹脂絶縁層2の薄膜配線導体3と接触する領域の面にそ
の平面積に対して2乃至75%の平面積で露出すること
となる。
【0026】前記多層配線4の有機樹脂絶縁層2は更に
その各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層2の厚み
に対して約1.5倍程度のスルーホール5が形成されて
おり、該スルーホール5は後述する有機樹脂絶縁層2を
介して上下に位置する薄膜配線導体3の各々を電気的に
接続するスルーホール導体6を形成するための形成孔と
して作用する。
その各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層2の厚み
に対して約1.5倍程度のスルーホール5が形成されて
おり、該スルーホール5は後述する有機樹脂絶縁層2を
介して上下に位置する薄膜配線導体3の各々を電気的に
接続するスルーホール導体6を形成するための形成孔と
して作用する。
【0027】前記有機樹脂絶縁層2に設けるスルーホー
ル5は例えば、フォトリソグラフィー技術、具体的には
有機樹脂絶縁層2上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層2を除去して、有機樹脂絶縁層2に穴(スルーホー
ル)を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層
2上より剥離させ除去することによって行われる。
ル5は例えば、フォトリソグラフィー技術、具体的には
有機樹脂絶縁層2上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層2を除去して、有機樹脂絶縁層2に穴(スルーホー
ル)を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層
2上より剥離させ除去することによって行われる。
【0028】前記各有機樹脂絶縁層2の上面には所定パ
ターンの薄膜配線導体3が、更に各有機樹脂絶縁層2に
設けたスルーホール5の内壁にはスルーホール導体6が
各々配設されており、スルーホール導体6によって間に
有機樹脂絶縁層2を挟んで上下に位置する各薄膜配線導
体3の各々が電気的に接続されるようになっている。
ターンの薄膜配線導体3が、更に各有機樹脂絶縁層2に
設けたスルーホール5の内壁にはスルーホール導体6が
各々配設されており、スルーホール導体6によって間に
有機樹脂絶縁層2を挟んで上下に位置する各薄膜配線導
体3の各々が電気的に接続されるようになっている。
【0029】前記各有機樹脂絶縁層2の上面及びスルー
ホール5内に配設される薄膜配線導体3及びスルーホー
ル導体6は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金属材
料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等の薄
膜形成技術及びエッチング加工技術を採用することによ
って形成され、例えば銅で形成されている場合には、有
機樹脂絶縁層2の上面及びスルーホール5の内表面に硫
酸銅0.06モル/リットル、ホルマリン0.3モル/
リットル、水酸化ナトリウム0.35モル/リットル、
エチレンジアミン四酢酸0.35モル/リットルからな
る無電解銅メッキ浴を用いて厚さ1μm乃至40μmの
銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング加工
法により所定パターンに加工することによって各有機樹
脂絶縁層2間及び各有機樹脂絶縁層2のスルーホール5
内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体3は薄膜形
成技術により形成されることから配線の微細化が可能で
あり、これによって薄膜配線導体3を極めて高密度に形
成することが可能となり、また同時に有機樹脂絶縁層2
はその表面に金属材と接合性の良い酸化物フィラーが露
出していることから薄膜配線導体3が極めて強固に接合
することとなる。
ホール5内に配設される薄膜配線導体3及びスルーホー
ル導体6は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金属材
料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等の薄
膜形成技術及びエッチング加工技術を採用することによ
って形成され、例えば銅で形成されている場合には、有
機樹脂絶縁層2の上面及びスルーホール5の内表面に硫
酸銅0.06モル/リットル、ホルマリン0.3モル/
リットル、水酸化ナトリウム0.35モル/リットル、
エチレンジアミン四酢酸0.35モル/リットルからな
る無電解銅メッキ浴を用いて厚さ1μm乃至40μmの
銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング加工
法により所定パターンに加工することによって各有機樹
脂絶縁層2間及び各有機樹脂絶縁層2のスルーホール5
内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体3は薄膜形
成技術により形成されることから配線の微細化が可能で
あり、これによって薄膜配線導体3を極めて高密度に形
成することが可能となり、また同時に有機樹脂絶縁層2
はその表面に金属材と接合性の良い酸化物フィラーが露
出していることから薄膜配線導体3が極めて強固に接合
することとなる。
【0030】尚、前記有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体
3とを交互に多層に配設して形成される多層配線4は各
有機樹脂絶縁層2の厚みが100μmを越えると有機樹
脂絶縁層2にフォトリソグラフィー技術を採用すること
によってスルーホール5を形成する際、エッチングの加
工時間が長くなってスルーホール5を所望する鮮明な形
状に形成するのが困難となり、また5μm未満となると
有機樹脂絶縁層2の上面に上下に位置する有機樹脂絶縁
層2の接合強度を上げるための粗面加工を施す際、有機
樹脂絶縁層2に不要な穴が形成され上下に位置する薄膜
配線導体3に不要な電気的短絡を招来してしまう危険性
がある。従って、前記有機樹脂絶縁層2はその各々の厚
みを5μm乃至100μmの範囲としておくことが好ま
しい。また前記多層配線4の各薄膜配線導体2はその厚
みが1μm未満となると各薄膜配線導体3の電気抵抗が
大きなものとなって各薄膜配線導体3に所定の電気信号
を伝達させることが困難なものとなり、また40μmを
越えると薄膜配線導体3を有機樹脂絶縁層2に被着させ
る際、薄膜配線導体3内に大きな応力が内在し、該内在
応力によって薄膜配線導体3が有機樹脂絶縁層2より剥
離し易いものとなる。従って、前記多層配線4の各薄膜
配線導体2の厚みを1μm乃至40μmの範囲としてお
くことが好ましい。
3とを交互に多層に配設して形成される多層配線4は各
有機樹脂絶縁層2の厚みが100μmを越えると有機樹
脂絶縁層2にフォトリソグラフィー技術を採用すること
によってスルーホール5を形成する際、エッチングの加
工時間が長くなってスルーホール5を所望する鮮明な形
状に形成するのが困難となり、また5μm未満となると
有機樹脂絶縁層2の上面に上下に位置する有機樹脂絶縁
層2の接合強度を上げるための粗面加工を施す際、有機
樹脂絶縁層2に不要な穴が形成され上下に位置する薄膜
配線導体3に不要な電気的短絡を招来してしまう危険性
がある。従って、前記有機樹脂絶縁層2はその各々の厚
みを5μm乃至100μmの範囲としておくことが好ま
しい。また前記多層配線4の各薄膜配線導体2はその厚
みが1μm未満となると各薄膜配線導体3の電気抵抗が
大きなものとなって各薄膜配線導体3に所定の電気信号
を伝達させることが困難なものとなり、また40μmを
越えると薄膜配線導体3を有機樹脂絶縁層2に被着させ
る際、薄膜配線導体3内に大きな応力が内在し、該内在
応力によって薄膜配線導体3が有機樹脂絶縁層2より剥
離し易いものとなる。従って、前記多層配線4の各薄膜
配線導体2の厚みを1μm乃至40μmの範囲としてお
くことが好ましい。
【0031】かくして本発明の多層配線基板によれば、
多層配線4の薄膜配線導体3に半導体素子等の電極と外
部電気回路とを接続すれば半導体素子等の電極は薄膜配
線導体3を介して外部電気回路に電気的に接続されるこ
ととなり、薄膜配線導体3を介して外部電気回路から半
導体素子に電気信号を伝達供給すれば半導体素子は所定
の駆動を行うこととなる。
多層配線4の薄膜配線導体3に半導体素子等の電極と外
部電気回路とを接続すれば半導体素子等の電極は薄膜配
線導体3を介して外部電気回路に電気的に接続されるこ
ととなり、薄膜配線導体3を介して外部電気回路から半
導体素子に電気信号を伝達供給すれば半導体素子は所定
の駆動を行うこととなる。
【0032】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
【0033】
【発明の効果】本発明の多層配線基板よれば、有機樹脂
絶縁層に含有させた金属材と接合性の良い酸化物フィラ
ーが有機樹脂絶縁層の薄膜配線導体と接触する領域の面
にその平面積に対して2乃至75%の平面積で露出して
いることから薄膜配線導体は酸化物フィラーが含有され
ている有機樹脂絶縁層に強固に接合し、有機樹脂絶縁層
や薄膜配線導体に外力が印加されても該外力によって有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体との間に剥離が発生するこ
とはない。
絶縁層に含有させた金属材と接合性の良い酸化物フィラ
ーが有機樹脂絶縁層の薄膜配線導体と接触する領域の面
にその平面積に対して2乃至75%の平面積で露出して
いることから薄膜配線導体は酸化物フィラーが含有され
ている有機樹脂絶縁層に強固に接合し、有機樹脂絶縁層
や薄膜配線導体に外力が印加されても該外力によって有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体との間に剥離が発生するこ
とはない。
【0034】また本発明の多層配線基板よれば、有機樹
脂絶縁層に含有されている酸化物フィラーの有機樹脂絶
縁層表面よりの突出高さが薄膜配線導体の厚みの1/2
以下であると酸化物フィラーが薄膜配線導体に不要に食
い込んで薄膜配線導体の電気抵抗値を高いものになすこ
とはなく、これによって薄膜配線導体の電気抵抗を所定
の低抵抗となすことができる。
脂絶縁層に含有されている酸化物フィラーの有機樹脂絶
縁層表面よりの突出高さが薄膜配線導体の厚みの1/2
以下であると酸化物フィラーが薄膜配線導体に不要に食
い込んで薄膜配線導体の電気抵抗値を高いものになすこ
とはなく、これによって薄膜配線導体の電気抵抗を所定
の低抵抗となすことができる。
【0035】更に本発明の多層配線基板よれば、絶縁基
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。
である。
1・・・絶縁基板 2・・・有機樹脂絶縁層 3・・・薄膜配線導体 4・・・多層配線 5・・・スルーホール 6・・・スルーホール導体
Claims (2)
- 【請求項1】絶縁基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線
導体とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配
線導体を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁
に被着させたスルーホール導体を介して接続して成る多
層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層は酸化物フィ
ラーを含有し、且つ該酸化物フィラーが有機樹脂絶縁層
の薄膜配線導体と接触する領域の面にその平面積に対し
て2乃至75%の平面積で露出していることを特徴とす
る多層配線基板。 - 【請求項2】前記有機樹脂絶縁層に含有されている酸化
物フィラーは有機樹脂絶縁層の表面より突出する高さが
薄膜配線導体の厚みの1/2以下であることを特徴とす
る請求項1に記載の多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12820196A JPH09312479A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12820196A JPH09312479A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312479A true JPH09312479A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=14978974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12820196A Pending JPH09312479A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09312479A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007096185A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板 |
| WO2009069791A1 (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Kyocera Corporation | 配線基板、実装構造体及び配線基板の製造方法 |
| US7745938B2 (en) | 2007-02-28 | 2010-06-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device, a method for manufacturing a circuit device, and a semiconductor module |
-
1996
- 1996-05-23 JP JP12820196A patent/JPH09312479A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007096185A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板 |
| US7759583B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-07-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit board |
| US7745938B2 (en) | 2007-02-28 | 2010-06-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device, a method for manufacturing a circuit device, and a semiconductor module |
| WO2009069791A1 (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Kyocera Corporation | 配線基板、実装構造体及び配線基板の製造方法 |
| JP5066192B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2012-11-07 | 京セラ株式会社 | 配線基板及び実装構造体 |
| US8431832B2 (en) | 2007-11-28 | 2013-04-30 | Kyocera Corporation | Circuit board, mounting structure, and method for manufacturing circuit board |
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