JPH10294280A5 - - Google Patents

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  1. 少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記結晶粒界における全ての結合手に対する不整合結合手の割合が５％以下であることを特徴とする半導体薄膜。
  2. 少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記結晶粒界の任意の少なくとも一つの領域では、１００個の結合手のうちに含まれる不整合結合手が５個以下であることを特徴とする半導体薄膜。
  3. 少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記結晶粒界の任意の少なくとも一つの領域では、５０個の結合手のうちに含まれる不整合結合手が０個であることを特徴とする半導体薄膜。
  4. 少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記少なくとも二つの結晶のうち、任意の一つの結晶に観察される格子縞と隣接する他の結晶に観察される格子縞とがなす角は60〜80°であることを特徴とする半導体薄膜。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記結晶を構成する主成分元素はシリコンであることを特徴とする半導体薄膜。
  6. 絶縁表面を有する基板上に形成された活性層、ゲイト絶縁膜およびゲイト電極とを少なくとも有する絶縁ゲイト型半導体装置であって、
    前記活性層を構成する半導体薄膜は、少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記結晶粒界における全ての結合手に対する不整合結合手の割合が５％以下であることを特徴とする半導体装置。
  7. 絶縁表面を有する基板上に形成された活性層、ゲイト絶縁膜およびゲイト電極とを少なくとも有する絶縁ゲイト型半導体装置であって、
    前記活性層を構成する半導体薄膜は、少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記結晶粒界の任意の少なくとも一つの領域では、１００個の結合手のうちに含まれる不整合結合手が５個以下であることを特徴とする半導体装置。
  8. 絶縁表面を有する基板上に形成された活性層、ゲイト絶縁膜およびゲイト電極とを少なくとも有する絶縁ゲイト型半導体装置であって、
    前記活性層を構成する半導体薄膜は、少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記結晶粒界の任意の少なくとも一つの領域では、５０個の結合手のうちに含まれる不整合結合手が０個であることを特徴とする半導体装置。
  9. 絶縁表面を有する基板上に形成された活性層、ゲイト絶縁膜およびゲイト電極とを少なくとも有する絶縁ゲイト型半導体装置であって、
    前記活性層を構成する半導体薄膜は、少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記少なくとも二つの結晶のうち、任意の一つの結晶に観察される格子縞と隣接する他の結晶に観察される格子縞とがなす角は60〜80°であることを特徴とする半導体装置。
  10. 絶縁表面を有する基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、低濃度不純物領域およびチャネル形成領域を有する半導体層と、前記ソース領域およびドレイン領域上に形成されたシリサイドと、ゲイト絶縁膜と、ゲイト電極とを少なくとも有する絶縁ゲイト型半導体装置であって、
    前記半導体層は、少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記結晶粒界における全ての結合手に対する不整合結合手の割合が５％以下であることを特徴とする半導体装置。
  11. 絶縁表面を有する基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、低濃度不純物領域およびチャネル形成領域を有する半導体層と、前記ソース領域およびドレイン領域上に形成されたシリサイドと、ゲイト絶縁膜と、ゲイト電極とを少なくとも有する絶縁ゲイト型半導体装置であって、
    前記半導体層は、少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記結晶粒界の任意の少なくとも一つの領域では、１００個の結合手のうちに含まれる不整合結合手が５個以下であることを特徴とする半導体装置。
  12. 絶縁表面を有する基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、低濃度 不純物領域およびチャネル形成領域を有する半導体層と、前記ソース領域およびドレイン領域上に形成されたシリサイドと、ゲイト絶縁膜と、ゲイト電極とを少なくとも有する絶縁ゲイト型半導体装置であって、
    前記半導体層は、少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記結晶粒界の任意の少なくとも一つの領域では、５０個の結合手のうちに含まれる不整合結合手が０個であることを特徴とする半導体装置。
  13. 絶縁表面を有する基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、低濃度不純物領域およびチャネル形成領域を有する半導体層と、前記ソース領域およびドレイン領域上に形成されたシリサイドと、ゲイト絶縁膜と、ゲイト電極とを少なくとも有する絶縁ゲイト型半導体装置であって、
    前記半導体層は、少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記少なくとも二つの結晶のうち、任意の一つの結晶に観察される格子縞と隣接する他の結晶に観察される格子縞とがなす角は60〜80°であることを特徴とする半導体装置。
  14. 請求項６乃至請求項１３のいずれか一において、前記結晶を構成する主成分元素はシリコンであることを特徴とする半導体装置。
  15. 請求項６乃至請求項１４のいずれか一において、前記基板上に画素マトリクス回路、ドライバー回路、メモリおよびＣＰＵを構成する半導体回路を有するシステムディスプレイ。
  16. 請求項６乃至請求項１４のいずれか一に記載の前記半導体装置を用いたモバイルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーションシステム、携帯電話またはビデオカメラ。
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