JPH1129853A

JPH1129853A - 磁気記録媒体の製造装置及び製造方法

Info

Publication number: JPH1129853A
Application number: JP18860097A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Onodera; 誠一小野寺
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-07-14
Filing date: 1997-07-14
Publication date: 1999-02-02

Abstract

(57)【要約】【課題】磁性粒子の配向性を高め、更なる高密度記録
を実現する薄膜型の磁気記録媒体の製造装置及び製造方
法を提供する。【解決手段】本発明では、蒸発源から発せられた強磁
性金属粒子を、連続的に移動する基材に対して斜めに入
射させて被着させ、強磁性金属薄膜が形成されてなる磁
気記録媒体を製造する際、上記基材と上記蒸発源との間
にマスク１２，１３を配して強磁性金属粒子の基材表面
への入射角を制御するとともに、スリット板１４，１５
を配して強磁性金属粒子の散乱を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁性層となる強磁
性金属薄膜を真空中で基材上に形成する、磁気記録媒体
の製造装置及び製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、基材
上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性
材料を、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエス
テル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分散さ
せた磁性塗料を塗布、乾燥することにより作製される、
いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く使用されている。

【０００３】これに対して、高密度記録への要求の高ま
りとともに、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ等の強磁性
金属材料をメッキや真空薄膜形成手段によって基材上に
直接被着した、いわゆる薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ注目を集めている。

【０００４】真空薄膜形成手段としては、真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法等がある。

【０００５】この薄膜型の磁気記録媒体は、保磁力や残
留磁化、角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優
れるほか、磁性層の厚さを極めて薄くできるため、記録
減磁や再生時の厚み損失が小さい。また、磁性層中に非
磁性材料である結合剤を混入する必要がないため、磁性
材料の充填密度を高め、大きな磁化を得ることができる
など、数々の利点を有している。

【０００６】更に、薄膜型磁気記録媒体の電磁変換特性
を向上させ、より大きな出力を得ることができるように
するため、薄膜型磁気記録媒体の磁性層を形成するに際
し、強磁性金属材料を基材に対して斜めに入射させて被
着させる、いわゆる斜方蒸着が提案され、ハイバンド８
ｍｍビデオテープレコーダー（以下、ＶＴＲと略称す
る）、民生用デジタルＶＴＲ用の磁気テープとして実用
化されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】高密度記録を達成する
ためには、更なる高再生出力、低ノイズ媒体が必要とさ
れている。斜方蒸着テープにおいてこれらの要求を満た
すためには、磁気記録媒体の磁気的な分布をより均一に
する必要がある。

【０００８】そこで本発明は、このような実情に鑑みて
提案されたものであり、磁性粒子の配向性を高め、更な
る高密度記録を実現する薄膜型の磁気記録媒体の製造装
置及び製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体の
製造装置は、蒸発源から発せられた強磁性金属粒子を、
連続的に移動する基材に対して斜めに入射させて被着さ
せることにより、基材上に強磁性金属薄膜が形成されて
なる磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造装置に
おいて、上記基材と上記蒸発源との間に配された第１の
マスクと、上記基材と上記蒸発源との間に配された第２
のマスクと、上記第１のマスクと上記蒸発源との間に配
された第１のスリット板と、上記第２のマスクと上記蒸
発源との間に配された第２のスリット板とを備える。

【００１０】そして上記第１のスリット板と上記第２の
スリット板との間に形成されたスリットを介して、上記
強磁性金属粒子を上記基材表面へ入射させて、上記基材
上に強磁性金属薄膜を形成することを特徴とする。

【００１１】第１のマスクは上記強磁性金属粒子の上記
基材表面への最小入射角を制御する。第２のマスクは上
記強磁性金属粒子の上記基材表面への最大入射角を制御
する。第１のスリット板は上記強磁性金属粒子の散乱を
防止する。第２のスリット板は上記強磁性金属粒子の散
乱を防止する。

【００１２】また、本発明の磁気記録媒体の製造装置で
は、上記第１のスリット板と上記第２のスリット板とを
加熱する加熱器を配してもよい。

【００１３】また、本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、蒸発源から発せられた強磁性金属粒子を、連続的に
移動する基材に対して斜めに入射させて被着させること
により、基材上に強磁性金属薄膜が形成されてなる磁気
記録媒体を製造するに際し、上記基材と上記蒸発源との
間に第１のマスクと、上記基材と上記蒸発源との間に第
２のマスクと、上記第１のマスクと上記蒸発源との間に
第１のスリット板と、上記第２のマスクと上記蒸発源と
の間に第２のスリット板とを配する。

【００１４】そして上記強磁性金属粒子を上記第１のス
リット板と上記第２のスリット板との間に形成されたス
リットを介して上記基材表面へ入射させて、上記基材上
に強磁性金属薄膜を形成することを特徴とする。

【００１５】第１のマスクにより上記強磁性金属粒子の
上記基材表面への最小入射角を制御する。第２のマスク
により上記強磁性金属粒子の上記基材表面への最大入射
角を制御する。第１のスリット板により上記強磁性金属
粒子の散乱を防止する。第２のスリット板により上記強
磁性金属粒子の散乱を防止する。

【００１６】また、本発明の磁気記録媒体の製造方法で
は、上記基材上に強磁性金属薄膜を形成するに際し、上
記第１のスリット板と上記第２のスリット板とを加熱し
てもよい。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１８】図１に本発明に係る磁気記録媒体の製造装
置を示す。

【００１９】この製造装置は、真空室１内に排気口２
と、送りロール３と、巻取りロール４と、ドラム６と、
ガイドロール７，８と、ルツボ９と、電子銃１１と、マ
スク１２，１３と、スリット板１４，１５と、加熱器１
７と、酸素ガス導入口１８とを備える。

【００２０】排気口２は、真空室１の上部及び下部にそ
れぞれ設けられ、独立した図示しない排気装置により真
空室１内を所定の真空度に排気する。

【００２１】送りロール３は、図中反時計回り方向に定
速回転し、巻取りロール４は図中反時計回り方向に定速
回転する。テープ状の基材５は送りロール３から巻取り
ロール４に順次走行する。なお、送りロール３及び巻取
りロール４は、それぞれ基材５の幅と略同じ長さからな
る円筒状をなす。

【００２２】ドラム６は、送りロール３から巻取りロー
ル４側に基材５が走行する中途部に、基材５を図中下方
に引き出すように設けられる。ドラム６は図中時計回り
方向に回転し、基材５はドラム６の周面に沿って走行す
る。このドラム６は、送りロール３、巻取りロール４の
径よりも大径とされ、基材５の幅と略同じ長さからなる
円筒状をなす。

【００２３】ガイドロール７，８は、それぞれ送りロー
ル３とドラム６との間およびドラム６と巻取りロール４
との間に配設されている。送りロール３から順次送り出
され、ドラム６の周面を通過し、巻取りロール４に巻取
られていく基材５に所定の張力をかけ、基材５を円滑に
走行させる。

【００２４】ルツボ９は、ドラム６の下方に設けられ、
このルツボ９内に強磁性金属材料１０が充填されてい
る。

【００２５】電子銃１１は、真空室１の側壁部に配設さ
れ、電子銃１１より放出される電子線が、ルツボ９内の
強磁性金属材料１０に照射されるような位置に取り付け
られる。そして、電子銃１１から発せられた電子線によ
って上記ルツボ９内の強磁性金属材料１０が加熱され、
強磁性金属粒子となって蒸発する。

【００２６】マスク１２は、ドラム６とルツボ９との間
であってドラム６に近接して配設され、ドラム６の周面
を定速走行する基材５の所定領域を覆っている。このマ
スク１２は、図２に示すように強磁性金属粒子の基材５
の表面への最小入射角θ₁を制御する。

【００２７】マスク１３は、上記マスク１２よりも基材
５移動方向上流側に位置し、ドラム６とルツボ９との間
であってドラム６に近接して配設され、ドラム６の周面
を定速走行する基材５の所定領域を覆っている。このマ
スク１３は、図２に示すように強磁性金属粒子の基材５
の表面への最大入射角θ₂を制御する。

【００２８】強磁性金属粒子は、このマスク１２，１３
により、基材５に対して所定の角度範囲で入射し、斜め
に被着する。

【００２９】しかし、マスクのみであると、強磁性金属
粒子の散乱による回り込みが生じ、配向の均一化がはか
れない。

【００３０】そこで本発明では、ルツボ９と基材５との
間にスリット板１４，１５を配することで強磁性金属粒
子の散乱を防止して、配向をより均一化する。

【００３１】スリット板１４は、図２に示すように、ル
ツボ９の周縁部とマスク１２の端部とを結ぶ位置であ
り、ルツボ９及びマスク１２に近接して配設されること
が好ましい。

【００３２】スリット板１５は、図２に示すように、ル
ツボ９の周縁部とマスク１３の端部とを結ぶ位置であ
り、ルツボ９及びマスク１３に近接して配設されること
が好ましい。

【００３３】そして上記スリット板１４と上記スリット
板１５との間にはスリット１６が形成されている。ルツ
ボ９から発せられた強磁性金属粒子は、このスリット１
６を介して基材５の表面に入射する。

【００３４】スリット板１４，１５により、強磁性金属
粒子の散乱を防ぎ、強磁性金属粒子が基材５の表面に入
射する際の強磁性金属粒子の回り込みを防止する。強磁
性金属粒子が基材５の表面に入射する際の強磁性金属粒
子の回り込みを防止することにより、強磁性金属薄膜の
磁気的な配向の均一性を高めることができる。

【００３５】また、図３に示すようにスリット板１４
と、ルツボ９の周縁部とマスク１２の端部とを結ぶ線と
のなす角度、またはスリット板１５と、ルツボ９の周縁
部とマスク１３の端部とを結ぶ線とのなす角度（以下、
分散角と称する）が１０゜以下のとき、強磁性金属粒子
の散乱を十分に防止することができる。分散角が１０゜
より大きいと、強磁性金属粒子の散乱を十分に防止する
ことができない。

【００３６】また、本発明では加熱器１７や酸素ガス導
入口１８を設けてもよい。

【００３７】加熱器１７はスリット板の近傍に設けら
れ、上記基材５上に強磁性金属薄膜を形成する際にスリ
ット板１４，１５を加熱する。スリット板１４，１５を
加熱することにより、強磁性金属粒子がスリット板１
４，１５に付着するのを防止することができる。

【００３８】酸素ガス導入口１８は、真空室１の側壁部
を貫通して設けられる。蒸着の際、この酸素ガス導入口
１８を通じて基材５の表面に酸素ガスが供給される。こ
れにより、磁性層の磁気特性、耐久性および耐侯性が向
上する。

【００３９】この真空蒸着は、真空室１内が排気され、
所定の圧力に保たれた状態で行われる。フィルム状の基
材５は、送りロール３から順次送り出され、ドラム６の
周面を通過し、巻取りロール４に巻取られるように走行
する。このとき、基材５にはガイドロール７，８によっ
て所定の張力がかけられており、安定な走行状態が保た
れている。

【００４０】一方、磁性層を形成する強磁性金属材料１
０は、ドラム６近傍のルツボ９内に充填されている。電
子銃１１からルツボ９内の強磁性金属材料１０に向かっ
て電子線が発射される。強磁性金属材料１０は電子線に
よって加熱され、強磁性金属粒子となって蒸発する。

【００４１】蒸発した強磁性金属粒子は、スリット板１
４，１５により形成されたスリット１６中を通過する。

【００４２】このときスリット板１４，１５を加熱して
もよい。スリット板を加熱することにより、スリット板
１４，１５への強磁性金属粒子の付着を防止できる。

【００４３】スリット１６中を通過した強磁性金属粒子
は、ドラム６の周面を通過している基材５の表面に被着
して強磁性金属薄膜を形成する。このとき強磁性金属粒
子はマスク１２，１３により基材５の表面に所定の角度
範囲で入射し、斜めに被着する。

【００４４】ドラム６の周面を通過している基材５の表
面はマスク１２，１３によって所定範囲を覆われてお
り、マスク１２、１３から露出した領域にのみ強磁性金
属粒子が被着する。ドラム６の周面を通過している基材
５がマスク１３から露出する時点で強磁性金属粒子の基
材５表面への被着が開始する。このとき、強磁性金属粒
子の基材５表面への入射角度は最大となり、基材５の移
動に伴って入射角度は小さくなる。そして基材５が再び
マスク１２で覆われる時点で被着が終了する。このとき
の強磁性金属粒子の基材５表面への入射角度は最小とな
る。

【００４５】強磁性金属薄膜形成時、基材５の表面に酸
素ガスを供給してもよい。酸素ガスを供給することによ
り、磁性層の磁気特性および耐久性が向上する。

【００４６】本発明において、強磁性金属粒子の基材５
への最低入射角は３０゜以上、５０゜以下であることが
好ましい。

【００４７】強磁性金属粒子の基材５への最低入射角が
３０゜以下であると、保磁力や再生出力が十分に得られ
ない。また、強磁性金属粒子の基材５への最低入射角が
５０゜以上であると、強磁性金属薄膜を所定の厚さで得
るためのテープライン速度が小さくする必要が生じ、生
産効率が悪くなる。

【００４８】本発明は、強磁性金属粒子を基材表面に垂
直に入射させて被着させることにより、磁性層を形成す
る磁気記録媒体の製造装置及び製造方法にも適用可能で
ある。

【００４９】本発明により製造される磁気記録媒体は、
図４に示すように基材１０１と、基材１０１上に形成さ
れた磁性層１０２とを有する。

【００５０】上記基材１０１としては、通常この種の磁
気記録媒体に用いられる公知のものが使用可能である。
例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
２，６−ナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチ
レン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン類、セルロ
ーストリアセテートなどのセルロース誘導体、ポリカー
ボネート、ポリイミド、ポリアミドイミドなどのプラス
チックの他、アルミニウムなどの金属を蒸着したプラス
チック等があげられる。

【００５１】上記磁性層１０２は、強磁性金属材料を真
空薄膜形成手段により上記基材上に被着させて形成され
る。

【００５２】上記強磁性金属材料としては、薄膜型磁気
記録媒体に通常使用されるものが使用可能である。例え
ば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、
Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａ
ｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃ
ｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金があげられる。

【００５３】これらの単層膜であってもよいし多層膜で
あってもよい。さらには、基材と金属強磁性金属薄膜
間、あるいは多層膜の場合には、各層間の付着力向上、
ならびに抗磁力の制御等のため、下地層、または中間層
を設けてもよい。また、例えば磁性層表面近傍が耐食性
の改善等のために酸化物となっていてもよい。

【００５４】本発明による磁性層形成の手段としては、
真空下で強磁性材料を加熱蒸発させ基材上に沈着させる
真空蒸着法が好適であるが、その他にも強磁性金属材料
の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、アルゴ
ンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし生じた
アルゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき出すス
パッタリング法等、いわゆるＰＶＤ技術でもよい。

【００５５】また、磁性層の厚さは、厚いほど再生出力
を増大させる傾向にあるが、記録波長の４分の１以上の
厚さとしても、それ以上の再生出力の増大は望めなくな
る。

【００５６】また、磁性層が厚すぎると、磁気記録媒体
の生産性を劣化させることにもなる。このため、磁性層
の厚さは１００ｎｍ〜２５０ｎｍが好ましい。

【００５７】上記磁性層上には保護膜層が形成されてい
てもよい。

【００５８】保護膜層の材料としては、通常、保護膜層
の材料として一般に使用されるものが使用可能である。
例えば、カーボン、ＣｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢＮ、Ｃｏ酸
化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｏ₄、ＳｉＮ_x、ＳｉＣ、
ＳｉＮ_x−ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｉＣ等が挙げ
られる。これらの単層膜であってもよいし多層膜、ある
いは複合膜であってもよい。

【００５９】また、基材の一方面に下塗り層を設けても
よい。これにより磁性層の接着強度が向上する。下塗り
層の上層に上述の構成からなる磁性層を形成した磁気記
録媒体、あるいは、さらに他方の面にバックコート層を
形成した磁気記録媒体に適用してもよい。

【００６０】もちろん、磁気記録媒体の構成はこれに限
定されるものではなく、必要に応じて基材上に下塗り層
を形成してもよいし、基材の強磁性金属薄膜が形成され
た面とは反対の面にバックコート層を設けてもよい。ま
た、強磁性金属薄膜または保護膜層の表面に潤滑剤や防
錆剤よりなるトップコート層を形成してもよい。

【００６１】

【実施例】以下、本発明の実施例を具体的な実験結果に
基づいて説明する。

【００６２】まず、スリット板に関する実施例及び比較
例について説明する。

【００６３】〈実施例１〉先ず、基材上に下塗り層を形
成した。基材には、厚さ１０μｍ、幅１５０ｍｍのポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用いた。下塗り層
は、アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックス
を密度が１０⁷個／ｍｍ²となるように基材上に塗布する
ことにより形成した。

【００６４】次に、下塗り層上に磁性層を形成した。磁
性層は、Ｃｏを用い、テープライン速度を３０ｍ／分と
し、酸素導入量を３．３×１０^-6ｍ³／分とし、蒸着時
真空度を７×１０^-2Ｐａとして真空蒸着を行うことによ
り形成した。

【００６５】このとき、マスクにより粒子の最小入射角
度を４５゜、最大入射角度を９０゜とするとともに、ス
リット板を配して粒子の散乱を防止した。

【００６６】そして、磁性層上にカーボン膜を形成し
た。カーボン膜は、スパッタリング法により膜厚が１０
ｎｍとなるように形成した。

【００６７】基材の、磁性層が形成された面とは反対の
面に、バックコート層を形成した。バックコート層は、
カーボンとウレタン樹脂とを含む塗料を乾燥厚さが０．
６μｍとなるように塗布、乾燥して形成した。

【００６８】また、カーボン膜表面にパーフルオロポリ
エーテルを塗布して潤滑層とした。

【００６９】磁性層等が形成されたフィルムを８ｍｍ幅
に裁断してサンプルテープを作製した。

【００７０】〈比較例〉先ず、基材上に下塗り層を形成
した。基材には、厚さ１０μｍ、幅１５０ｍｍのポリエ
チレンテレフタレートフィルムを用いた。下塗り層は、
アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスを密
度が１０⁷個／ｍｍ²となるように基材上に塗布すること
により形成した。

【００７１】次に、下塗り層上に磁性層を形成した。磁
性層は、Ｃｏを用い、テープライン速度を３０ｍ／分と
し、酸素導入量を３．３×１０^-6ｍ³／分とし、蒸着時
真空度を７×１０^-2Ｐａとして真空蒸着を行うことによ
り形成した。

【００７２】このとき、マスクにより粒子の最小入射角
度を４５゜、最大入射角度を９０゜とした。

【００７３】そして、磁性層上にカーボン膜を形成し
た。カーボン膜は、スパッタリング法により膜厚が１０
ｎｍとなるように形成した。

【００７４】基材の、磁性層が形成された面とは反対の
面に、バックコート層を形成した。バックコート層は、
カーボンとウレタン樹脂とを含む塗料を乾燥厚さが０．
６μｍとなるように塗布、乾燥して形成した。

【００７５】また、カーボン膜表面にパーフルオロポリ
エーテルを塗布して潤滑層とした。

【００７６】磁性層等が形成されたフィルムを８ｍｍ幅
に裁断してサンプルテープを作製した。

【００７７】つぎに、スリット板の分散角に関する実施
例２〜実施例４について説明する。

【００７８】〈実施例２〉先ず、基材上に下塗り層を形
成した。基材には、厚さ１０μｍ、幅１５ｍｍのポリエ
チレンテレフタレートフィルムを用いた。下塗り層は、
アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスを密
度が１０⁷個／ｍｍ²となるように基材上に塗布すること
により形成した。

【００７９】次に、下塗り層上に磁性層を形成した。磁
性層は、Ｃｏを用い、テープライン速度を３０ｍ／分と
し、酸素導入量を３．３×１０^-6ｍ³／分とし、蒸着時
真空度を７×１０^-2Ｐａとして真空蒸着を行うことによ
り形成した。

【００８０】このとき、マスクにより粒子の粒子の最小
入射角度を４５゜、最大入射角度を９０゜とするととも
に、スリット板により粒子の散乱を防止した。

【００８１】このとき、スリット板の分散角を５゜とし
た。

【００８２】そして、磁性層上にカーボン膜を形成し
た。カーボン膜は、スパッタリング法により膜厚が１０
ｎｍとなるように形成した。

【００８３】基材の、磁性層が形成された面とは反対の
面に、バックコート層を形成した。バックコート層は、
カーボンとウレタン樹脂とを含む塗料を乾燥厚さが０．
６μｍとなるように塗布、乾燥して形成した。

【００８４】また、カーボン膜表面にパーフルオロポリ
エーテルを塗布して潤滑層とした。

【００８５】磁性層等が形成されたフィルムを８ｍｍ幅
に裁断してサンプルテープを作製した。

【００８６】〈実施例３〉スリット板の分散角を１０゜
とした以外は、実施例２と同様にしてサンプルテープを
作製した。

【００８７】〈実施例４〉スリット板の分散角を２０゜
とした以外は、実施例２と同様にしてサンプルテープを
作製した。

【００８８】つぎに、強磁性金属粒子の基材表面への最
小入射角に関する実施例５〜実施例１０について説明す
る。

【００８９】〈実施例５〉先ず、基材上に下塗り層を形
成した。基材には、厚さ１μｍ、幅１５ｍｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムを用いた。下塗り層は、ア
クリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスを密度
が１０⁷個／ｍｍ²となるように基材上に塗布することに
より形成した。

【００９０】次に、下塗り層上に磁性層を形成した。磁
性層は、Ｃｏを用い、酸素導入量が３．３×１０^-6ｍ³
／分とし、蒸着時真空度を７×１０^-2Ｐａとして真空蒸
着を行うことにより形成した。

【００９１】このとき、マスクにより粒子の最小入射角
度を１０゜、最大入射角度を９０゜とするとともに、ス
リット板により粒子の散乱を防止した。

【００９２】そして、磁性層上にカーボン膜を形成し
た。カーボン膜は、スパッタリング法により膜厚が１０
ｎｍとなるように形成した。

【００９３】基材の、磁性層が形成された面とは反対の
面に、バックコート層を形成した。バックコート層は、
カーボンとウレタン樹脂とを含む塗料を乾燥厚さが０．
６μｍとなるように塗布、乾燥して形成した。

【００９４】また、カーボン膜表面にパーフルオロポリ
エーテルを塗布して潤滑層とした。

【００９５】磁性層等が形成されたフィルムを８ｍｍ幅
に裁断してサンプルテープを作製した。

【００９６】〈実施例６〉粒子の最小入射角を２０゜と
した以外は、実施例５と同様にしてサンプルテープを作
製した。

【００９７】〈実施例７〉粒子の最小入射角を３０゜と
した以外は、実施例５と同様にしてサンプルテープを作
製した。

【００９８】〈実施例８〉粒子の最小入射角を４０゜と
した以外は、実施例５と同様にしてサンプルテープを作
製した。

【００９９】〈実施例９〉粒子の最小入射角を５０゜と
した以外は、実施例５と同様にしてサンプルテープを作
製した。

【０１００】〈実施例１０〉粒子の最小入射角を６０゜
とした以外は、実施例５と同様にしてサンプルテープを
作製した。

【０１０１】特性評価以上のようにして作製されたサンプルテープについて、
電磁変換特性の評価をおこなった。

【０１０２】磁性薄膜蒸着の際、スリット板を設けた実
施例１とスリット板を設けなかった比較例のサンプルテ
ープについて、飽和磁化、保磁力、角形比、残留磁化、
再生出力の各特性を評価した。

【０１０３】再生出力は、８ｍｍＶＴＲを改造したもの
を用いて、各サンプルテープに記録波長０．５μｍで情
報信号を記録し、比較例２のサンプルテープを基準とし
て測定した。

【０１０４】実施例１及び比較例の特性評価結果を表１
に示す。

【０１０５】

【表１】

【０１０６】スリット板を設けた実施例１のほうが、ス
リット板を設けなかった比較例に比べて、いずれの特性
についても優れていることがわかった。

【０１０７】マスクのみでなく、スリット板を設けるこ
とにより、基材表面に入射する強磁性金属粒子の散乱に
よる回り込みを防ぎ、磁気記録媒体の磁気的な配向の均
一性を高め、優れた特性を得られることがわかった。

【０１０８】スリット板の分散角を変えて行った実施例
２〜実施例４のサンプルテープについて、保磁力、再生
出力の特性を評価した。

【０１０９】再生出力は、８ｍｍＶＴＲを改造したもの
を用いて、各サンプルテープに記録波長０．５μｍで情
報信号を記録し、実施例４のサンプルテープを基準とし
て測定した。

【０１１０】実施例２〜実施例４の特性評価結果を表２
に示す。

【０１１１】

【表２】

【０１１２】分散角が１０゜以下の場合、優れた特性が
得られているが、分散角が２０゜の場合には特性が劣っ
てしまうことがわかった。

【０１１３】従って、分散角が１０゜以下であるときに
強磁性金属粒子の散乱を十分に防止できるが、分散角が
１０゜以上であると、強磁性金属粒子の散乱を防止する
効果が不十分であることがわかった。

【０１１４】強磁性金属粒子の基材表面への最低入射角
を変えて行った実施例５〜実施例１０のサンプルテープ
について、保磁力、再生出力、ライン速度の特性を評価
した。

【０１１５】再生出力は、８ｍｍＶＴＲを改造したもの
を用いて、各サンプルテープに記録波長０．５μｍで情
報信号を記録し、実施例５のサンプルテープを基準とし
て測定した。

【０１１６】ライン速度は、強磁性金属薄膜を２００ｎ
ｍの厚さで得るために必要なライン速度を測定した。

【０１１７】実施例５〜実施例１０の特性評価結果を表
３に示す。

【０１１８】

【表３】

【０１１９】最低入射角が大きくなるにつれて、保磁
力、再生出力の特性は向上するが、ライン速度が遅くな
ってしまうことがわかった。

【０１２０】従って、最低入射角を３０゜以上、５０゜
以下とすることで、磁気特性と生産性とを両立すること
ができることがわかった。

【０１２１】

【発明の効果】本発明では、強磁性金属粒子を基材上に
被着させて磁性層を形成する際、マスクにより強磁性金
属粒子の基材への入射角を制御するとともにスリット板
で強磁性金属粒子の散乱を防止し、強磁性金属粒子が基
材に入射する際の配向の均一性を高めることができる。

【０１２２】従って、磁性層の磁気的な均一性を高め、
電磁変換特性に優れた磁気記録媒体を実現することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気記録媒体の製造装置を模式的
に示す図である。

【図２】本発明に係る磁気記録媒体の製造装置を説明す
る図である。

【図３】本発明に係る磁気記録媒体の製造装置を説明す
る図である。

【図４】本発明により製造される磁気記録媒体の構成を
示す断面図である。

【符号の説明】

５基材、６ガイドロール、９ルツボ、１０
強磁性金属材料、１２，１３マスク、１４，１５
スリット板、１６スリット、１０１基材、１
０２磁性層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＣ２３Ｃ 14/56 Ｃ２３Ｃ 14/56 ＪＧ１１Ｂ 5/85 Ｇ１１Ｂ 5/85 Ｚ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】蒸発源から発せられた強磁性金属粒子
を、連続的に移動する基材に対して斜めに入射させて被
着させることにより、基材上に強磁性金属薄膜が形成さ
れてなる磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造装
置において、上記基材と上記蒸発源との間に配され、上記強磁性金属
粒子の上記基材表面への最小入射角を制御する第１のマ
スクと、上記基材と上記蒸発源との間に配され、上記強磁性金属
粒子の上記基材表面への最大入射角を制御する第２のマ
スクと、上記第１のマスクと上記蒸発源との間に配され、上記強
磁性金属粒子の散乱を防止する第１のスリット板と、上記第２のマスクと上記蒸発源との間に配され、上記強
磁性金属粒子の散乱を防止する第２のスリット板とを備
え、上記第１のスリット板と上記第２のスリット板との間に
形成されたスリットを介して、上記強磁性金属粒子を上
記基材表面へ入射させて、上記基材上に強磁性金属薄膜
を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【請求項２】上記第１のスリット板と上記第２のスリ
ット板とを加熱する加熱手段を備えることを特徴とする
請求項１記載の磁気記録媒体の製造装置。
【請求項３】上記第１のマスクによって、上記強磁性
金属粒子の上記基材表面への最小入射角が３０゜以上、
５０゜以下とされていることを特徴とする請求項１記載
の磁気記録媒体の製造装置。
【請求項４】蒸発源から発せられた強磁性金属粒子
を、連続的に移動する基材に対して斜めに入射させて被
着させることにより、基材上に強磁性金属薄膜が形成さ
れてなる磁気記録媒体を製造するに際し、上記基材と上記蒸発源との間に上記強磁性金属粒子の上
記基材表面への最小入射角を制御する第１のマスクを配
し、上記基材と上記蒸発源との間に上記強磁性金属粒子
の上記基材表面への最大入射角を制御する第２のマスク
を配し、上記第１のマスクと上記蒸発源との間に上記強
磁性金属粒子の散乱を防止する第１のスリット板を配
し、上記第２のマスクと上記蒸発源との間に上記強磁性
金属粒子の散乱を防止する第２のスリット板を配して、上記強磁性金属粒子を上記第１のスリット板と上記第２
のスリット板との間に形成されたスリットを介して上記
基材表面へ入射させて、上記基材上に強磁性金属薄膜を
形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】上記基材上に強磁性金属薄膜を形成する
に際し、上記第１のスリット板と上記第２のスリット板
とを加熱することを特徴とする請求項４記載の磁気記録
媒体の製造方法。
【請求項６】上記強磁性金属粒子を上記基材表面へ入
射させる際に、上記強磁性金属粒子の上記基材表面への
最小入射角を上記第１のマスクによって３０゜以上、５
０゜以下とすることを特徴とする請求項４記載の磁気記
録媒体の製造方法。