JPH1055940A - 半導体基板及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体基板及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH1055940A JPH1055940A JP21255896A JP21255896A JPH1055940A JP H1055940 A JPH1055940 A JP H1055940A JP 21255896 A JP21255896 A JP 21255896A JP 21255896 A JP21255896 A JP 21255896A JP H1055940 A JPH1055940 A JP H1055940A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反りを可及的に小さくすることを可能にす
る。 【解決手段】 基板と、この基板を構成する元素の原子
半径より小さな原子半径の元素を前記基板の一方の面に
拡散することにより形成された拡散層と、この拡散層上
に形成された前記基板より熱膨張係数の小さな材料から
なる第１の膜と、を備えていることを特徴とする。
る。 【解決手段】 基板と、この基板を構成する元素の原子
半径より小さな原子半径の元素を前記基板の一方の面に
拡散することにより形成された拡散層と、この拡散層上
に形成された前記基板より熱膨張係数の小さな材料から
なる第１の膜と、を備えていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板及び、こ
の半導体基板を用いた半導体装置の製造方法に関する。
の半導体基板を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に個別半導体装置には、片面に燐、
ボロン等の不純物を高濃度に拡散させた板厚の薄い半導
体基板が多く使用される。これは、個別半導体装置は基
板の厚さ方向に電流を流すことが多く、その際の直列抵
抗を小さくするために高濃度の拡散層が必要となるから
である。例えば、個別半導体装置が図２に示すようなＮ
ＰＮ型トランジスタの場合、Ｎ型半導体基板２２の一方
の面にコレクタ層となるＮ型拡散層２４が形成され、他
方の面にベース層となるＰ型拡散層２２が形成され、こ
のＰ型拡散層２２内にエミッタ層となるＮ型拡散層２８
が形成される。そしてコレクタ層２４、ベース層２６、
エミッタ層２８には各々電極３０，３２，３４が設けら
れている。このトランジスタの場合、電流はコレクタ層
２４からエミッタ層２８に流れる。
ボロン等の不純物を高濃度に拡散させた板厚の薄い半導
体基板が多く使用される。これは、個別半導体装置は基
板の厚さ方向に電流を流すことが多く、その際の直列抵
抗を小さくするために高濃度の拡散層が必要となるから
である。例えば、個別半導体装置が図２に示すようなＮ
ＰＮ型トランジスタの場合、Ｎ型半導体基板２２の一方
の面にコレクタ層となるＮ型拡散層２４が形成され、他
方の面にベース層となるＰ型拡散層２２が形成され、こ
のＰ型拡散層２２内にエミッタ層となるＮ型拡散層２８
が形成される。そしてコレクタ層２４、ベース層２６、
エミッタ層２８には各々電極３０，３２，３４が設けら
れている。このトランジスタの場合、電流はコレクタ層
２４からエミッタ層２８に流れる。
【０００３】また、直列抵抗を小さくするためには、基
板の厚さを薄くすることが効果的であり、一般に個別半
導体装置には薄膜の拡散ウェーハが使用される。
板の厚さを薄くすることが効果的であり、一般に個別半
導体装置には薄膜の拡散ウェーハが使用される。
【０００４】従来の拡散ウェーハ（半導体基板）の製造
方法を図３を参照して説明する。まず、図３（ａ）示す
Ｎ型シリコン基板４２の表裏面より高濃度の燐を拡散
し、高濃度のＮ型拡散層４４を形成する（図３（ｂ）参
照）。その後、片側拡散面を研摩して除去するか、また
は拡散後のウェーハを厚さ方向に二分割後、研摩して拡
散ウェーハ４６を形成する（図３（ｃ）参照）。
方法を図３を参照して説明する。まず、図３（ａ）示す
Ｎ型シリコン基板４２の表裏面より高濃度の燐を拡散
し、高濃度のＮ型拡散層４４を形成する（図３（ｂ）参
照）。その後、片側拡散面を研摩して除去するか、また
は拡散後のウェーハを厚さ方向に二分割後、研摩して拡
散ウェーハ４６を形成する（図３（ｃ）参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようにして得られ
た拡散ウェーハは、拡散不純物の原子半径が一般的にシ
リコンの原子半径（＝０．１１７ｎｍ）より小さい。例
えば燐、ボロンの原子半径は各々、０．１１０ｎｍ、
０．０８８ｎｍである。このことから、図３（ｃ）示す
拡散ウェーハ４６には大なり小なり反りが生じている。
この場合、一般的に拡散面側４４ａが凹になるように反
りが形成される。
た拡散ウェーハは、拡散不純物の原子半径が一般的にシ
リコンの原子半径（＝０．１１７ｎｍ）より小さい。例
えば燐、ボロンの原子半径は各々、０．１１０ｎｍ、
０．０８８ｎｍである。このことから、図３（ｃ）示す
拡散ウェーハ４６には大なり小なり反りが生じている。
この場合、一般的に拡散面側４４ａが凹になるように反
りが形成される。
【０００６】従来、個別半導体装置の半導体基板は口径
（直径）が７５ｍｍ〜１２５ｍｍの拡散ウェーハが主と
して使用されている。拡散後のウェーハの反りは直径が
１２５ｍｍのウェーハでは大きい時に１５０μｍ前後で
あったが特に大きな問題は起きていない。また、ウェー
ハを使って半導体素子を作る際に発生する反りも、素子
のデザインルールが緩いこともあり、製造上大きな問題
も無く、拡散ウェーハの反りを制御する必要はなかっ
た。
（直径）が７５ｍｍ〜１２５ｍｍの拡散ウェーハが主と
して使用されている。拡散後のウェーハの反りは直径が
１２５ｍｍのウェーハでは大きい時に１５０μｍ前後で
あったが特に大きな問題は起きていない。また、ウェー
ハを使って半導体素子を作る際に発生する反りも、素子
のデザインルールが緩いこともあり、製造上大きな問題
も無く、拡散ウェーハの反りを制御する必要はなかっ
た。
【０００７】当然のことであるが、直径が１２５ｍｍよ
り小さな口径の拡散ウェーハはこれより反りは小さく、
問題は無かった。しかしながらウェーハの口径が大きく
なり、デザインルールも厳しくなって来ると、反りの制
御されないウェーハは製造工程で搬送トラブルや、歩留
低下をもたらす大きな原因となる。
り小さな口径の拡散ウェーハはこれより反りは小さく、
問題は無かった。しかしながらウェーハの口径が大きく
なり、デザインルールも厳しくなって来ると、反りの制
御されないウェーハは製造工程で搬送トラブルや、歩留
低下をもたらす大きな原因となる。
【０００８】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、可及的に反りを小さくすることのできる半導
体基板及び半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
であって、可及的に反りを小さくすることのできる半導
体基板及び半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体基板
の第１の態様は、基板と、この基板を構成する元素の原
子半径より小さな原子半径の元素を前記基板の一方の面
に拡散することにより形成された拡散層と、この拡散層
上に形成された前記基板より熱膨張係数の小さな材料か
らなる第１の膜と、を備えていることを特徴とする。
の第１の態様は、基板と、この基板を構成する元素の原
子半径より小さな原子半径の元素を前記基板の一方の面
に拡散することにより形成された拡散層と、この拡散層
上に形成された前記基板より熱膨張係数の小さな材料か
らなる第１の膜と、を備えていることを特徴とする。
【００１０】また本発明による半導体基板の第２の態様
は、基板と、この基板を構成する元素の原子半径より小
さな原子半径の元素を前記基板の一方の面に拡散するこ
とにより形成された拡散層と、前記基板の前記拡散層が
形成された面とは反対側の面上に形成された、前記基板
より熱膨張係数の大きな材料からなる第２の膜と、を備
えていることを特徴とする。
は、基板と、この基板を構成する元素の原子半径より小
さな原子半径の元素を前記基板の一方の面に拡散するこ
とにより形成された拡散層と、前記基板の前記拡散層が
形成された面とは反対側の面上に形成された、前記基板
より熱膨張係数の大きな材料からなる第２の膜と、を備
えていることを特徴とする。
【００１１】また本発明による半導体基板の第３の態様
は、主面に拡散層が形成された厚さがｔsiのシリコン基
板と、前記拡散層上に形成された厚さがｔSiO2の二酸化
シリコン膜と、を備え、前記シリコン基板の直径をａ、
前記シリコン基板の反りをＲ0 、前記シリコン基板上に
前記二酸化シリコン膜を形成した場合の所望の反りを
Ｒ、ｋ＝（０．５〜２．５）×１０3 としたとき、前記
二酸化シリコン膜の厚さｔsio 2 は ｔSiO2＝ｋ×（Ｒ
−Ｒo ）×（ＴSi／ａ）2 を満たすことを特徴とす
る。
は、主面に拡散層が形成された厚さがｔsiのシリコン基
板と、前記拡散層上に形成された厚さがｔSiO2の二酸化
シリコン膜と、を備え、前記シリコン基板の直径をａ、
前記シリコン基板の反りをＲ0 、前記シリコン基板上に
前記二酸化シリコン膜を形成した場合の所望の反りを
Ｒ、ｋ＝（０．５〜２．５）×１０3 としたとき、前記
二酸化シリコン膜の厚さｔsio 2 は ｔSiO2＝ｋ×（Ｒ
−Ｒo ）×（ＴSi／ａ）2 を満たすことを特徴とす
る。
【００１２】また本発明による半導体装置の製造方法
は、第１乃至第３の態様いずれかに記載の半導体基板を
用いて半導体装置を製造する際、製造工程中で前記半導
体基板の一方の面に前記半導体基板と熱膨張係数の異な
る材料の膜を形成することを特徴とする。
は、第１乃至第３の態様いずれかに記載の半導体基板を
用いて半導体装置を製造する際、製造工程中で前記半導
体基板の一方の面に前記半導体基板と熱膨張係数の異な
る材料の膜を形成することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明による半導体基板の第１の
実施の形態を図１を参照して説明する。この実施の形態
の半導体基板は次のように形成される。面方位が（１０
０）で、厚さが０．７ｍｍのシリコンウェーハ（基板と
もいう）２を、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）を用いて
１２００℃、１２０分間熱処理することにより基板２の
表裏面にリンガラス層４及びリン拡散層５を形成する
（図１（ａ）参照）。
実施の形態を図１を参照して説明する。この実施の形態
の半導体基板は次のように形成される。面方位が（１０
０）で、厚さが０．７ｍｍのシリコンウェーハ（基板と
もいう）２を、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）を用いて
１２００℃、１２０分間熱処理することにより基板２の
表裏面にリンガラス層４及びリン拡散層５を形成する
（図１（ａ）参照）。
【００１４】続いてリンガラス層４を除去した後、窒素
と酸素の混合ガス雰囲気中で、１２８５℃、１８０時間
の熱処理を行うことにより、リンを基板２の深さ方向に
深く拡散させる（図１（ｂ）参照）。このとき図１
（ｂ）に示すように基板２の表裏面にＳｉＯ2 膜６が形
成される。
と酸素の混合ガス雰囲気中で、１２８５℃、１８０時間
の熱処理を行うことにより、リンを基板２の深さ方向に
深く拡散させる（図１（ｂ）参照）。このとき図１
（ｂ）に示すように基板２の表裏面にＳｉＯ2 膜６が形
成される。
【００１５】次に図１（ｃ）に示すようにＳｉＯ2 膜６
を除去した後、水蒸気中で１２００℃で５０分間熱処理
することにより、基板２の表裏面に厚さが０．７μｍの
ＳｉＯ2 膜８を形成する（図１（ｄ）参照）。続いてこ
の基板２の片側を研削及び鏡面研摩することにより厚さ
が３００μｍの半導体基板１０を形成する（図１（ｅ）
参照）。
を除去した後、水蒸気中で１２００℃で５０分間熱処理
することにより、基板２の表裏面に厚さが０．７μｍの
ＳｉＯ2 膜８を形成する（図１（ｄ）参照）。続いてこ
の基板２の片側を研削及び鏡面研摩することにより厚さ
が３００μｍの半導体基板１０を形成する（図１（ｅ）
参照）。
【００１６】このようにして形成された半導体基板１０
の反りは、拡散面側（ＳｉＯ2 膜８が形成された面側）
が凹で１５μｍであった。因みにＳｉＯ2 膜８を形成し
ない場合の反りは、拡散面側が凹で２５０μｍであっ
た。
の反りは、拡散面側（ＳｉＯ2 膜８が形成された面側）
が凹で１５μｍであった。因みにＳｉＯ2 膜８を形成し
ない場合の反りは、拡散面側が凹で２５０μｍであっ
た。
【００１７】この実施の形態の半導体基板１０は、Ｓｉ
Ｏ2 膜８とシリコン基板２の熱膨張係数の差（例えば、
シリコンが約３×１０-6／℃でＳｉＯ2 が約５×１０-7
／℃）を利用したものであり、高温において、応力的に
平衡状態にあるシリコン基板２とＳｉＯ2 膜８が温度の
低下とともに、シリコン基板２側がＳｉＯ2 膜８側より
も大きく収縮することにより、反りを小さくしたもので
ある。
Ｏ2 膜８とシリコン基板２の熱膨張係数の差（例えば、
シリコンが約３×１０-6／℃でＳｉＯ2 が約５×１０-7
／℃）を利用したものであり、高温において、応力的に
平衡状態にあるシリコン基板２とＳｉＯ2 膜８が温度の
低下とともに、シリコン基板２側がＳｉＯ2 膜８側より
も大きく収縮することにより、反りを小さくしたもので
ある。
【００１８】上記実施の形態においては基板２の拡散層
５が形成された面上にＳｉＯ2 膜８を形成したが、基板
２を構成する材料よりも熱膨張係数の小さな材料からな
る膜を、基板２の拡散層５が形成された面上に形成して
も同様の効果を奏することは言うまでもない。
５が形成された面上にＳｉＯ2 膜８を形成したが、基板
２を構成する材料よりも熱膨張係数の小さな材料からな
る膜を、基板２の拡散層５が形成された面上に形成して
も同様の効果を奏することは言うまでもない。
【００１９】また、基板２を構成する材料よりも熱膨張
係数の大きな材料からなる膜を基板２の拡散層５が形成
された面とは反対側の面に形成しても同様の効果を奏す
ることは言うまでもない。
係数の大きな材料からなる膜を基板２の拡散層５が形成
された面とは反対側の面に形成しても同様の効果を奏す
ることは言うまでもない。
【００２０】更に、形成する膜が複合膜であっても、複
合膜全体の熱膨張係数が同じ傾向を持てば、反りに対し
て同じ効果が得られることは言うまでもない。
合膜全体の熱膨張係数が同じ傾向を持てば、反りに対し
て同じ効果が得られることは言うまでもない。
【００２１】次に本発明による半導体基板の第２の実施
の形態を説明する。この実施の形態の半導体基板は図１
（ｅ）に示す第１の実施の形態の半導体基板１０におい
てＳｉＯ2 膜８の膜厚を０．７μｍから１．０μｍにし
たものである。この実施の形態の半導体基板１０の反り
は１５５μｍであった。なおこの膜厚が１．０μｍのＳ
ｉＯ2 膜８は水蒸気中で１２００℃、９０分の熱処理
（酸化処理）を行うことによって形成される。
の形態を説明する。この実施の形態の半導体基板は図１
（ｅ）に示す第１の実施の形態の半導体基板１０におい
てＳｉＯ2 膜８の膜厚を０．７μｍから１．０μｍにし
たものである。この実施の形態の半導体基板１０の反り
は１５５μｍであった。なおこの膜厚が１．０μｍのＳ
ｉＯ2 膜８は水蒸気中で１２００℃、９０分の熱処理
（酸化処理）を行うことによって形成される。
【００２２】一般にデバイス製造工程中で発生する反り
も大きく、拡散ウェーハは必ずしもデバイス工程投入前
に反りが“０”である必要は無く、用いるデバイス製造
工程に対応して反りをある大きさに制御した方が良い。
も大きく、拡散ウェーハは必ずしもデバイス工程投入前
に反りが“０”である必要は無く、用いるデバイス製造
工程に対応して反りをある大きさに制御した方が良い。
【００２３】二酸化シリコン膜８をシリコンウェーハ２
の片面につけた時の反りは一般的に、二酸化シリコン膜
厚をｔSiO2、シリコンウェーハ厚をｔSi、反りをｒ、ウ
ェーハ直径をａとすると
の片面につけた時の反りは一般的に、二酸化シリコン膜
厚をｔSiO2、シリコンウェーハ厚をｔSi、反りをｒ、ウ
ェーハ直径をａとすると
【００２４】
【数１】 と表される。ここでＫは比例定数。従って、拡散によっ
て生じる反り（図１（ｅ）に示す二酸化シリコン膜８の
無い場合の反りに相当）をＲ0 とした時、二酸化シリコ
ン膜８の形成されたウェーハ（半導体基板１０）の反り
Ｒは、拡散面が凸の場合を正とした時、
て生じる反り（図１（ｅ）に示す二酸化シリコン膜８の
無い場合の反りに相当）をＲ0 とした時、二酸化シリコ
ン膜８の形成されたウェーハ（半導体基板１０）の反り
Ｒは、拡散面が凸の場合を正とした時、
【００２５】
【数２】 と表され、目標とする反りを得る為の二酸化シリコン膜
の膜厚ｔSiO2は（２）式より
の膜厚ｔSiO2は（２）式より
【００２６】
【数３】 と求まる。ここでｋは比例定数であるが、二酸化シリコ
ン膜の形成条件によって変動する。実用的には種々検討
した結果、ｋ＝（０．５〜２．５）×１０3 と求まっ
た。
ン膜の形成条件によって変動する。実用的には種々検討
した結果、ｋ＝（０．５〜２．５）×１０3 と求まっ
た。
【００２７】このようにしてＳｉＯ2 膜の膜厚を決定し
てシリコン基板２の拡散面側にＳｉＯ2 膜を形成すれ
ば、所望の反りを得ることが可能となる。
てシリコン基板２の拡散面側にＳｉＯ2 膜を形成すれ
ば、所望の反りを得ることが可能となる。
【００２８】次に本発明による半導体装置の製造方法の
一実施の形態を説明する。この実施の形態の製造方法
は、まず図１に示すようにして半導体基板（拡散ウェー
ハ）１０を形成する。
一実施の形態を説明する。この実施の形態の製造方法
は、まず図１に示すようにして半導体基板（拡散ウェー
ハ）１０を形成する。
【００２９】その後、この拡散ウェーハを半導体装置
（デバイス）の製造工程に投入する。デバイスプロセス
のほぼ中間の段階でウェーハの反りが拡散面側を凹に２
００μｍ反っていることが判り、常圧ＣＶＤにより拡散
面側に０．６５μｍのＳｉＯ2膜を形成した。続いてウ
ェーハを洗浄後、窒素雰囲気中で１０００℃、２０分の
熱処理をした所、反りは、拡散面側を凸に１０μｍと大
巾に低減した。
（デバイス）の製造工程に投入する。デバイスプロセス
のほぼ中間の段階でウェーハの反りが拡散面側を凹に２
００μｍ反っていることが判り、常圧ＣＶＤにより拡散
面側に０．６５μｍのＳｉＯ2膜を形成した。続いてウ
ェーハを洗浄後、窒素雰囲気中で１０００℃、２０分の
熱処理をした所、反りは、拡散面側を凸に１０μｍと大
巾に低減した。
【００３０】上述の如き薄膜を形成することによる反り
の制御は大口径の拡散ウェーハには非常に有効であり、
膜の種類、ウェーハの表面あるいは裏面のいずれに形成
するかによって、反りの大きさを自由に制御出来ること
はこれまでの実施の形態の説明から明らかである。
の制御は大口径の拡散ウェーハには非常に有効であり、
膜の種類、ウェーハの表面あるいは裏面のいずれに形成
するかによって、反りの大きさを自由に制御出来ること
はこれまでの実施の形態の説明から明らかである。
【００３１】上述の実施の形態の製造方法を用いた場
合、従来、デバイス製造工程中で起きていたウェーハ搬
送時のトラブルが低減した。
合、従来、デバイス製造工程中で起きていたウェーハ搬
送時のトラブルが低減した。
【００３２】搬送トラブルによるウェーハ割れは１０〜
１５％程度から１％以下に低減した他、装置メンテナン
スが２時間も大巾に低減した。
１５％程度から１％以下に低減した他、装置メンテナン
スが２時間も大巾に低減した。
【００３３】更に又、反りによりリソグラフィー工程
（回路焼付工程）の歩留低下が無くなり、ウェーハ１枚
当りのチップ収率は従来を１．０とした時、本実施の形
成の製造方法を用いることにより１．０５〜１．１倍に
上昇した。
（回路焼付工程）の歩留低下が無くなり、ウェーハ１枚
当りのチップ収率は従来を１．０とした時、本実施の形
成の製造方法を用いることにより１．０５〜１．１倍に
上昇した。
【００３４】なお、なお、上記実施の形態においては、
Ｎ型基板に高濃度のＮ型拡散層が形成された拡散ウェー
ハについて説明したが、Ｐ型基板に高濃度Ｐ型拡散層を
形成した拡散ウェーハＰ型基板にＮ型の拡散層を形成し
た拡散ウェーハ、またはＮ型基板にＰ型の拡散層を形成
した拡散ウェーハを用いても同様の効果を奏することは
言うまでもない。
Ｎ型基板に高濃度のＮ型拡散層が形成された拡散ウェー
ハについて説明したが、Ｐ型基板に高濃度Ｐ型拡散層を
形成した拡散ウェーハＰ型基板にＮ型の拡散層を形成し
た拡散ウェーハ、またはＮ型基板にＰ型の拡散層を形成
した拡散ウェーハを用いても同様の効果を奏することは
言うまでもない。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、反り
を可及的に小さくすることができる。
を可及的に小さくすることができる。
【図１】本発明による半導体基板の製造工程を示す工程
断面図。
断面図。
【図２】従来の個別半導体装置の一例を示す断面図。
【図３】従来の半導体基板の製造工程を示す工程断面
図。
図。
２ シリコン基板 ４ リンガラス層 ５ 拡散層 ６ ＳｉＯ2 膜 ８ ＳｉＯ2 膜 １０ 半導体基板（拡散ウェーハ） ２２ Ｎ型シリコン基板 ２４ コレクタ（Ｎ型拡散層） ２６ ベース（Ｐ型拡散層） ２８ エミッタ（Ｎ型拡散層） ４２ Ｎ型シリコン基板 ４４ Ｎ型拡散層 ４４ 拡散面側 ４６ 半導体基板（拡散ウェーハ）
Claims (4)
- 【請求項１】基板と、 この基板を構成する元素の原子半径より小さな原子半径
の元素を前記基板の一方の面に拡散することにより形成
された拡散層と、 この拡散層上に形成された前記基板より熱膨張係数の小
さな材料からなる第１の膜と、 を備えていることを特徴とする半導体基板。 - 【請求項２】基板と、 この基板を構成する元素の原子半径より小さな原子半径
の元素を前記基板の一方の面に拡散することにより形成
された拡散層と、 前記基板の前記拡散層が形成された面とは反対側の面上
に形成された、前記基板より熱膨張係数の大きな材料か
らなる第２の膜と、 を備えていることを特徴とする半導体基板。 - 【請求項３】主面に拡散層が形成された厚さがｔsiのシ
リコン基板と、 前記拡散層上に形成された厚さがｔSio2の二酸化シリコ
ン膜と、 を備え、 前記シリコン基板の直径をａ、前記シリコン基板の反り
をＲo 、前記シリコン基板上に前記二酸化シリコン膜を
形成した場合の所望の反りをＲ、ｋ＝（０．５〜２．
５）×１０3 としたとき、前記二酸化シリコン膜の厚さ
ｔSio2は ｔSio2＝ｋ×（Ｒ−Ｒo ）×（Ｔsi／ａ）2 を満たすことを特徴とする半導体基板。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体
基板を用いて半導体装置を製造する際、製造工程中で前
記半導体基板の一方の面に前記半導体基板と熱膨張係数
の異なる材料の膜を形成することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21255896A JPH1055940A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 半導体基板及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21255896A JPH1055940A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 半導体基板及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1055940A true JPH1055940A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16624686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21255896A Pending JPH1055940A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 半導体基板及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1055940A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013026473A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法および太陽電池 |
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1996
- 1996-08-12 JP JP21255896A patent/JPH1055940A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013026473A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法および太陽電池 |
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