JPH1114998A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ヒステリシスを小さくして、書き込み不良や焼
きつきの発生を防止する。 【解決手段】パッシベーション膜７にその膜厚方向に電
圧を印加して観測されるインピーダンスと、その逆方向
に電圧を印加して観測されるインピーダンスとが異なる
場合において、異なる２つのインピーダンスの比をＺ
_ratio とした場合に、 ｜Ｚ_ratio ｜≦ｔ／（（ε_L ・ρ_I ）・（ｄ_I ／ｄ
_L ）） ここで、ε_L ；液晶５の誘電率、ｔ；液晶素子１を駆動
する基本的なパルス間隔、ρ_I ；パッシベーション膜７
の体積抵抗率、ｄ_I ；パッシベーション膜７の膜厚、ｄ
_L ；液晶５の厚さ が成立するようにすると、ヒステリシスを小さくでき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶を用いた光学変
調素子に関し、コンピュータの端末ディスプレイ、ワー
ドプロセッサ、タイプライター、テレビ受像機、ビデオ
カメラのビューファインダー、プロジェクタのライトバ
ルブ、液晶プリンターのライトバルブ等に用いられる液
晶素子であって、特に、カイラルスメクチック相を呈す
る液晶（強誘電性や反強誘電性を示す液晶であって、自
発分極の作用を利用して駆動するもの）を用いて良好な
表示特性を示す液晶素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、種々の情報を表示するディス
プレイとしてＣＲＴが知られているが、このＣＲＴは、
動画出力を行うＴＶやＶＴＲに、あるいはパソコンのモ
ニター等に広く用いられている。

【０００３】しかしながら、このＣＲＴは、その特性上
静止画像に対しては、フリッカや解像度不足による走査
縞などが視認性を低下させたり、焼きつきによる蛍光灯
の劣化が起ったりするという問題がある。また、最近で
は、ＣＲＴの発生する電磁波が人体に悪影響を与え、Ｖ
ＤＴ作業者の健康を害する恐れのあることが分かってい
る。さらに、このＣＲＴは、その構造上、画面後方にス
ペースを必要とするため、オフィスや家庭の省スペース
化を阻害している。

【０００４】このようなＣＲＴの欠点を解決するディス
プレイとして液晶素子がある。そして、この液晶素子の
一つとしてツイステッド・ネマチック（ｔｗｉｓｔｅｄ
ｎｅｍａｔｉｃ；ＴＮ）液晶を用いたものが知られて
おり、それは、エム・シャット（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）と
ダブリュー・ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著
の“アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉ
ｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ）、第１８巻、第
４号（１９７１年２月１５日発行）、第１２７頁〜１２
８頁”において示されている。

【０００５】このＴＮ液晶を用いた液晶素子の１つとし
て、コスト面で優位性を持つ単純マトリクスタイプのも
のがあるが、このタイプの液晶素子は、画素密度を高く
したものにあっては時分割駆動時にクロストークを発生
するため、画素密度が制限されていた。

【０００６】近年、このような単純マトリクスタイプの
ものに対して、ＴＦＴといわれる液晶素子の開発が行わ
れている。このＴＦＴは、一つ一つの画素にトランジス
タを作成するため、クロストークや応答速度の問題は解
決される反面、大面積になればなるほど不良画素が発生
し易くなって歩留りが低下するという問題がある。

【０００７】これに対して、強誘電性液晶分子（強誘電
性を示す液晶分子）の屈折率異方性を利用して偏光素子
との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子
が、クラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガーウオル（Ｌａ
ｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−
１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域にお
いて、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）またはＨ
相（ＳｍＨ＊）を有し、この状態において、加えられる
電界に応答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安
定状態のいずれかを取り、かつ電界の印加のないときは
その状態を維持する性質（すなわち、双安定性メモリー
性）を有し、その上、自発分極により反転スイッチング
を行うため、非常に速い応答速度を示す。更に視覚特性
も優れていることから、特に、高速、高精細、大画面の
表示素子あるいはライトバルブとして適していると考え
られる。

【０００８】また、最近では、チャンダニ、竹添らによ
って、反強誘電性を示す液晶（以下、“反強誘電性液
晶”とする）を利用した液晶素子も提案されている（Ｊ
ａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 第２７巻、１９８８年Ｌ７２９
頁）。この反強誘電性液晶は、強誘電性液晶と同様に、
液晶分子の屈折率異方性と自発分極を利用して表示素子
を構成するものである。また、この反強誘電性液晶は、
一般に特定の温度域において、カイラルスメクチックＣ
Ａ相（ＳｍＣＡ＊）を有し、この状態において無電界時
には平均的な光学安定状態はスメクチック層法線方向に
なるが、電界印加によって平均的な光学安定状態が層法
線方向から傾き、結局３つの安定状態を有するものであ
る。そして、この反強誘電性液晶を利用した液晶素子
は、上述のように自発分極を利用してスイッチングを行
うものであることから、非常に速い応答速度を示し、高
速の表示素子、あるいはライトバルブとして期待されて
いる。

【０００９】ところで、このようなカイラルスメクチッ
ク相を呈する液晶（強誘電性液晶、及び反強誘電性液
晶）を利用した液晶素子においては、例えば“強誘電性
液晶の構造と物性（コロナ社、福田敦夫、竹添秀男著、
１９９０年）に記載されているように、カイラルスメク
チック液晶が２種類のシェブロン構造を呈するためにジ
グザグ状の配向欠陥が発生し、コントラストが著しく低
下してしまうという問題があった。

【００１０】そこで、このような配向欠陥を防止するこ
とによりコントラストを良好に保つものとして、上記シ
ェブロン構造の替わりに、ブックシェルフ構造或はそれ
に近い層傾き角の小さな構造を用いた液晶素子が提案さ
れている（「次世代液晶ディスプレイと液晶材料；
（株）シーエムシー、福田敦夫編、１９９２年」）。な
お、“ブックシェルフ或はそれに近い構造”を現出する
液晶材料としては、パーフルオロエーテル側鎖を持つ液
晶性化合物（米国特許 ５２６２０８２、国際出願特許
ＷＯ９３／２２３９６、１９９３年第４回強誘電液晶
国際会議 Ｐ４６、Ｍａｒｃ Ｄ．Ｒａｄｃｌｉｆｆｅ
ら）がある。この液晶は、電場等の外部場を用いなくて
も“ブックシェルフ或はそれに近い構造”を現出でき、
高速、高精細、大面積の液晶素子、表示装置に適してい
る。

【００１１】このタイプの液晶素子は、特開昭６１−２
０９３０号公報他にも開示されているように、所定距離
離間した位置に配置された一対の透明基板を備えてお
り、これら一対の基板間には液晶を挟持している。そし
て、一方の透明基板には、液晶分子に対して一軸配向特
性を有するような配向制御膜を形成し、他方の透明基板
には、液晶分子に対して非一軸配向特性を有するような
特性や種類等の異なる配向制御膜を形成している。この
液晶素子によれば、液晶の配向を一軸配向処理された基
板側から高秩序に制御することができ、良好な液晶配向
状態を得やすい。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
液晶素子においては、見かけ上、配向状態は良好である
ものの、スイッチングに非対称な特性が出たり、また
は、液晶の良好な双安定性が阻害されることがあり、い
わゆるスイッチングのメモリ性が低減される場合があっ
た。

【００１３】特にスイッチング特性の対称性は、駆動マ
ージンを広げる為にも重要であり、しかも長時間の駆動
が続いてもスイッチング特性の対称性を保たなくてはな
らない。

【００１４】このほか、特に強誘電性液晶あるいは反強
誘電性液晶を用いた液晶素子では、特に中間調表示を行
う上で、液晶自身が有する自発分極により誘起される反
電場効果が重大な問題となっている。即ち、自発分極に
対応して偏在する内部イオンが電界を形成すると考えら
れる原因により所望の中間調を不安定にし、また、外部
から与える印加電圧に対して光学応答においてヒステリ
シスを生ずる場合がある。これは、「黒状態」または
「白状態」を表示している際の液晶分子の自発分極の向
きに対してそれぞれ、各々の状態を安定化させる向きに
イオンの偏在が起き、この偏在の極性の違いにより、短
い間のリセット（「黒消去」）後に与える電圧Ｖｗを等
しく印加した場合に於ても、前状態（「白」か「黒」）
で液晶部分に印加される電圧が異なるために起こると考
えられている。

【００１５】上記のような反電場効果による極端に不都
合な現象としては、例えば「黒状態」をリセット方向と
して、「白状態」を書き込もうとしても、所望の電圧レ
ベルにおいては、「白状態」がラッチできないものとな
り、「黒状態」に振り戻されしまうといういわゆるスイ
ッチング不良が起きてしまう。この現象は特に中間調を
画素レベルでは必要としない液晶素子においても致命的
な欠陥となってしまう。

【００１６】上記のような反電場効果への対策として、
例えば特開昭６３−１２１０２０号公報などにおいて、
強誘電性液晶素子を構成する配向制御膜を低インピーダ
ンス化すること、いわゆる反電場によるスイッチング不
良に対処する方法が開示されている。また、特開平２−
１５３３２１号公報においては、配向制御膜を低インピ
ーダンス化するための有機導電性膜の例が多種類にわた
り開示されている。更に特開昭６４−４９０２３号公報
においては、低インピーダンス化したショート防止のパ
ッシベーションに薄膜の配向層を形成することが開示さ
れているが、充分な解決がなされていないのが現状であ
る。

【００１７】このように、カイラルスメクチック液晶を
用いた液晶素子の電気光学特性は、配向状態の制御や自
発分極Ｐｓに起因して発生する反電場に関して、また前
放置状態に起因して生じる閾値変化、光学応答不安定な
どについて、改善すべき課題を抱えており、この点にお
いては反強誘電性液晶素子も同様の問題がある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、所定距離離間して配置される
一対の基板と、これら一対の基板の間に挟持される液晶
と、を備え、かつ、一方の基板が液晶分子に対して一軸
配向特性を有する液晶素子において、前記一対の基板の
少なくとも一方が、電極及び該電極の液晶側に設けられ
た該電極と電気的特性が異なる層からなり、かつ、該電
極と該電極と電気的特性が異なる層の間の一厚み方向に
電圧を印加して観測されるインピーダンスと、その逆方
向に電圧を印加して観測されるインピーダンスとが異な
り、

【００１９】

【式２】 Ｚ_ratio ≦ｔ／（（ε_L ・ρ_I ）・（ｄ_I ／ｄ_L ）） ここで、Ｚ_ratio ；前記電極と該電極の液晶側に設けら
れた該電極と電気的特性の異なる層に一膜厚方向に電圧
を印加して観測されるインピーダンスと、その逆方向に
電圧を印加して観測されるインピーダンスとの比 ε_L ；液晶の誘電率 ｔ ；液晶素子を駆動する基本的なパルス間隔 ρ_I ；前記電極の液晶側に設けられた該電極と電気
的特性の異なる層の体積抵抗率 ｄ_I ；前記電極の液晶側に設けられた該電極と電気
的特性の異なる層の膜厚 ｄ_L ；前記液晶の厚さ が成立する、ようにしたものである。

【００２０】本発明の液晶素子は、好ましくは、一方の
基板が液晶分子に対して一軸配向特性を有し、他方の基
板が液晶分子に対して非一軸配向特性を有するものであ
り、少なくとも非一軸配向特性を有する基板側に、上記
特性を有する電極及び該電極と電気的特性の異なる層の
構造を設けるものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図１乃至図１０を参照し
て、本発明の一実施の形態について説明する。

【００２２】本発明の一実施の形態に係る液晶素子は、
所定距離だけ離間して配置される一対の基板を備えてお
り、これらの間には液晶が挟持されている。また、好ま
しくは一方の基板は液晶分子に対して一軸配向特性を有
しており、他方の基板は液晶分子に対して非一軸配向特
性を有している（以下、このように一方の基板のみが液
晶分子に対して一軸配向特性を有する素子構成を“非対
称構成”と呼ぶ）。さらに、前記非一軸配向特性を有す
る基板は、電極及び該電極の液晶側に設けられ該電極と
は電気的特性の異なる層が形成されている。また、 ＊ 前記非一軸配向特性を有する基板における電極と該
電極の液晶側に設けられた該電極と電気的特性の異なる
層の一膜厚方向に電圧を印加して観測されるインピーダ
ンスと、その逆方向に電圧を印加して観測されるインピ
ーダンスとの比をＺ_ratio とし、 ＊ 液晶の誘電率をε_L とし、 ＊ 液晶素子を駆動する基本的なパルス間隔をｔとし、 ＊ 前記非一軸配向特性を有する基板における電極の液
晶側に設けられた該電極と電気的特性の異なる層の体積
抵抗率をρ_I とし、 ＊ 前記非一軸配向特性を有する基板における電極の液
晶側に設けられた該電極と電気的特性の異なる層の膜厚
をｄ_I とし、 ＊ 液晶層の厚さをｄ_L とした場合において、 Ｚ_ratio ≦ｔ／（（ε_L ・ρ_I ）・（ｄ_I ／ｄ_L ）） が成立するようにしている。

【００２３】この場合、前記非一軸配向特性を有する基
板における電極と電気的特性の異なる層の体積抵抗率が
１×１０⁶ 〜１×１０⁹ Ωｃｍであるようにすると、隣
接画素間のクロストークがなく高解像度を維持できる点
で好ましい。前記一軸配向特性を有する基板の表面に、
液晶分子に対して一軸配向特性を有する一軸配向膜を形
成するようにしてもよい。また、前記非一軸配向特性を
有する基板における電極の液晶側に設けられた該電極と
電気的特性の異なる層は、液晶に接し、液晶に対して非
一軸配向特性を有する層であることが好ましい。

【００２４】図１は、本発明に係る液晶素子の一実施の
形態を示す断面図である。同図に示す液晶素子１は、所
定距離離間して配置される一対の基板２，３を備えてお
り、これらの基板２，３の間には液晶５が挟持されてい
る。このうち、一方の基板２（以下、“一軸配向側基板
２”とする）の表面には電極９が形成されており、この
電極９を覆うように、液晶分子に対して一軸配向特性を
有する一軸配向膜（以下、“配向制御膜”とする）１０
が形成されている。また、他方の基板３（以下、“非一
軸配向側基板３”とする）の表面には電極６が形成され
ており、この電極６を覆うように、液晶分子に対して非
一軸配向特性を有する非一軸配向膜７が形成されてい
る。

【００２５】かかる実施の形態では、好ましくは各基板
における成膜条件等を制御することで非一軸配向側基板
３側で電極６と電極６の液晶側に設けられた非一軸配向
膜７の間において上記インピーダンス特性が設定されて
いる。

【００２６】なお、本明細書における“一軸配向特性”
とは、液晶分子の一軸配向状態（例えば一軸水平配向状
態）を意味する。

【００２７】一軸配向側基板２及び非一軸配向側基板３
は、光を透過させる性質の材料（例えば、ガラス、プラ
スチック）等で形成している。

【００２８】配向制御膜１０は、一軸配向処理を施すこ
とによって一軸配向特性を発現するものでも、そのよう
な処理を施さなくとも一軸配向特性を有しているもので
も良い。

【００２９】前者（所定の処理を施すことによって一軸
配向特性を発現するもの）の場合、材料としては、無機
物（一酸化珪素、二酸化珪素、酸化アルミニウム、ジル
コニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セ
リウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化
物など）や有機物（ポリビニルアルコール、ポリイミ
ド、ポリイミドアミド、ポリエステル、ポリアミド、ポ
リエステルイミド、ポリパラキシレン、ポリカーボネー
ト、ポリビニルアセタール、ポリビニルクロライド、ポ
リスチレン、ポリシロキサン、セルロース樹脂、メラミ
ン樹脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂など）を用いれば良
く、このような材料を被膜化する方法としては、これら
の無機物や有機物を溶液状にして直接塗布する方法や、
蒸着方法、並びにスパッタリング方法を用いれば良い。
また、一軸配向処理としては、ビロード、布或は紙等の
繊維状のもので行うラビング処理が好ましい。

【００３０】また、後者（処理を施さなくとも一軸配向
特性を有しているもの）の具体例としては、シリコン
（Ｓｉ）の酸化膜や窒化膜を斜方蒸着した場合が挙げら
れる。この場合、斜方蒸着の条件を調整することによ
り、上述したラビング処理を施さなくとも一軸配向特性
を有する。

【００３１】なお、自発分極Ｐｓのスイッチングに伴っ
て発生する反電場の大きさを抑制し、良好なスイッチン
グ性能を有する観点で、配向制御膜１０の膜厚は２００
Å以下（又は、１００Å以下）が好ましい。

【００３２】配向制御膜１０としては、下式で表される
ポリイミドを用いれば良い。

【００３３】

【化３】 また、これらのポリイミドの具体的構造としては、例え
ば以下の繰り返し単位構造が挙げられる。

【００３４】

【化４】

【００３５】

【化５】 また、非一軸配向膜７として、例えば、必要に応じて導
電性制御不純物が添加された多結晶金属酸化物膜、多結
晶半導体膜を用いることができる。具体的には、Ｚｎ
Ｏ、ＣｄＯ、ＺｎＣｄＯｘ等の１２族（ＩＵＰＡＣ無機
化学命名法による族番号。以下同じ。）元素の酸化物、
ＧｅＯ₂ 、ＳｎＯ₂ 、ＧｅＳｎＯｘ、ＴｉＯ₂ 、ＺｒＯ
₂ 、ＴｉＺｒＯｘ等の４族、１４族元素の酸化物あるい
はＳｉ、ＳｉＣの１４族の半導体に必要に応じて、導電
性制御不純物が添加されたものを用いる。ここで導電性
制御不純物としては、例えば１２族酸化物に対しｎ型不
純物として１３族元素であるＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎが、
ｐ型不純物として１、１１族元素であるＣｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｌｉが用いられる。また、４、１４族酸化物に対し
てｎ型不純物として１５族元素であるＰ、Ａｓ、Ｓｂ、
Ｌｉが、ｐ型不純物として１３族元素であるＢ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎが用いられる。又、“上述した酸化物等の超
微粒子（１２族、４族、１４族の酸化物等の超微粒子）
にｐ型又はｎ型の導電性制御不純物を添加されたもの”
を所定の母材（酸化物溶融母材やシリカやシロキサンポ
リマー母材）中に分散させたものを、非一軸配向膜７と
して用いることができる。特に好ましくは、シリカある
いはシロキサンポリマー等の母材中にＳｂ等の導電性制
御不純物をドープしたＳｎＯ₂ の超微粒子を分散した塗
布型の膜を用いる。 なお、一軸配向側基板２の表面電
位が正の場合には非一軸配向膜７側にはドナー（ｎ型不
純物）を添加し、負の場合にはアクセプター（ｐ型不純
物）を添加する。また、不純物の添加濃度は、材料の種
類及びその結晶化状態（結晶欠陥密度の多寡）によって
異なるが、おおよその目安は材料中の自由電子ないしは
自由正孔の濃度が１×１０¹¹〜１×１０¹⁴／ｃｍ³ 程度
となるように設定すれば良い。このとき同時に表面電位
は１００ｍＶ程度変えられる。多結晶材料を用いる場
合、不純物の添加効率も考慮して、好ましくは、１×１
０¹⁷〜１×１０²⁰／ｃｍ³ （母体の材料に対して０．０
１％〜１％程度）が実際の添加量となる。不純物添加量
に対する表面電位の変化量は、１桁増やすにともない約
５０ｍＶに相当する。

【００３６】このように非一軸配向膜７に導電性制御不
純物を添加した場合には、表面電位（一軸配向側基板２
や非一軸配向側基板３の表面で検出される表面電位）の
微細な制御が可能となり、両表面電位の差（一軸配向側
基板２の表面で検出される表面電位と、非一軸配向側基
板３の表面で検出される表面電位との差）の絶対値を小
さな値（１００ｍＶ以下、好ましくは５０ｍＶ）に設定
し易くなる。

【００３７】また、非一軸配向膜７における膜面方向の
体積抵抗率は１×１０⁶ 〜１×１０⁹ Ωｃｍの範囲が好
ましい。これにより、画素間のクロストークを充分に防
止できる。なお、非一軸配向膜７の体積抵抗率は、その
材料を選択することにより調整すれば良い。

【００３８】本発明では、用いる液晶材料の配向特性に
応じて、配向制御膜として一方の基板において上述した
ようなポリイミド等の有機材料から選択した膜で一軸配
向処理したものを用い、他方の基板において、上述した
酸化物超微粒子等が母材中に分散されてなる膜（塗布
膜）を夫々用いることができる。

【００３９】ところで、電極６，９としては、ＩＴＯ
（インジウム ティン オキサイド）などの透明導電体
が好ましい。また、電極６，９は、図２に示すように、
ストライプ形状のものを一定のピッチで多数形成すると
共に、電極６と電極９とが互いに交差するように形成し
ても良い。

【００４０】次に、本発明で用いる液晶組成物について
説明する。

【００４１】本発明に用いる液晶５としては、カイラル
スメクチック相を呈する液晶（すなわち、強誘電性を示
す液晶、あるいは反強誘電性を示す液晶などで、自発分
極の作用を駆動に応用した液晶）が好適であるが、ネマ
ティック液晶などを用いても良い。なお、カイラルスメ
クチック相を呈する液晶を用いた場合、その液晶厚は、
双安定性を確保する観点から５μｍ以下が好ましい。

【００４２】例えば、カイラルスメクチック相を呈する
液晶としては、相転移系列として、高温側から低温側に
向かって等方相→ＳｍＡ→ＳｍＣ＊→結晶相となる材料
であって、自発分極が３０ｎＣ／ｃｍ² （約３０℃の温
度中）でチルト角が約２４度のものが好ましい。

【００４３】また、本発明の液晶素子において、表示の
際の輝度を向上すべく、液晶がＳｍＣ＊相をとる際、そ
のスメクチック層が基板に対して垂直に並列するといっ
たブックシェルフ構造、或いは垂直に近いスメクチック
層傾きの構造をとる液晶材料を用いることが好ましい。
かかるスメクチック層構造をとる液晶材料として、例え
ば、中心核にフルオロカーボン末端部分及びハイドロカ
ーボン末端部分が結合した構造であって、スメクチック
相あるいは潜在的スメクチック相を示すフッ素含有液晶
性化合物を用いた組成物が挙げられる。かかるフッ素含
有化合物については、具体的には米国特許５，０８２，
５８７号、米国特許５，２６２，０８２号、国際公開Ｗ
Ｏ９３／２２９３６号等に記載のフッ素含有化合物を用
いることができる。

【００４４】更に具体的には、当核フッ素含有化合物で
あって、例えば上述したような降温下で等方相→ＳｍＡ
→ＳｍＣ＊→結晶相といった相転移を示す（特にコレス
テリック相を呈さない）液晶材料が使用され得る。

【００４５】本実施の形態によれば、液晶素子を、一方
の基板２の片側のみを一軸配向処理した非対称構成とし
ているため、液晶（特に強誘電性あるいは反強誘電性液
晶）の特にＳｍＡでの温度領域における配向が、一方の
基板２における一軸配向処理が施された表面からの一軸
分子成長として行われ、ＳｍＣ＊相において良好な配向
状態を得ることができる。特に、上述したコレステリッ
ク相を呈さない液晶を用いた場合には、降温下でＩ（等
方相）→ＳｍＡの相転移の際に良好に配向制御を行うこ
とにより、均一な配向状態を実現できる。

【００４６】前記フッ素含有液晶化合物としては、フル
オロカーボン末端部分が、−Ｄ¹−Ｃ_xaＦ_2xa−Ｘで表わ
される基、（但し、上記式中ｘａは１〜２０であり、Ｘ
は−Ｈ又は−Ｆを表わし、Ｄ¹は、−ＣＯ−Ｏ−（Ｃ
Ｈ₂）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−、−（ＣＨ₂）_ra−、
−Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−（ＣＨ₂）_ra−、
−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−Ｏ−（ＣＨ₂）_rb−、−（ＣＨ₂）
_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1）−ＳＯ₂−、又は−（ＣＨ₂）_ra
−Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂ
は、独立に１〜２０であり、ｐａは０〜４である。）、
或いは、−Ｄ²−（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ_2ya+1で
表わされる基、（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ
_xbＦ_2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは、１〜
１０であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ²は、−ＣＯ−
Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc、−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−、
−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd−、−Ｏ−ＳＯ
₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc
−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＳＯ₂−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ
_pbＨ_2pb+1）−ＣＯ−、単結合から選ばれ、ｒｃ及びｒ
ｄはそれぞれ独立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの
（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１
〜６であり、ｐｂは０〜４である。）であるような化合
物を用いることができる。

【００４７】特に好ましくは、下記一般式（Ｉ）、或い
は（ＩＩ）で表わされるフッ素含有液晶化合物を用いる
ことができる。

【００４８】

【化６】 を表わす。

【００４９】ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数
（但し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表
わす。

【００５０】夫々のＬ¹とＬ²は独立に、単結合、−ＣＯ
−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−
ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔ
ｅ−ＣＯ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡
Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂−Ｏ−、
−Ｏ−ＣＨ₂−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。

【００５１】夫々のＸ¹、Ｙ¹、Ｚ¹はＡ¹、Ａ²、Ａ³の置
換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−ＣＮ、又は−ＮＯ
₂を表わし、夫々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の
整数を表わす。

【００５２】Ｊ¹は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ
−（ＣＨ₂）_ra−、−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−ＳＯ₂−、
−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂）
_ra−Ｏ−（ＣＨ₂）_rb−、−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ
_2pa+1）−ＳＯ₂−、又は−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ
_2pa+1）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１
〜２０であり、ｐａは０〜４である。

【００５３】Ｒ¹は、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｏ−Ｃ_qbＨ
_2qb+1、−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−Ｃ_qaＨ_2qa−
Ｒ³、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｒ³、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−
Ｒ³、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｒ³を表わし、直鎖
状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ³は、−
Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−
Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃、−ＮＯ₂、−ＣＮを表わ
し、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０である）。

【００５４】Ｒ²はＣ_xaＦ_2xa−Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ又
は−Ｆを表わし、ｘａは１〜２０の整数である）。

【００５５】

【化７】 を表わす。

【００５６】ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３
の整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２であ
る）を表わす。

【００５７】夫々のＬ³、Ｌ⁴は独立に、単結合、−ＣＯ
−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、
−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂）_ka−（ｋａは１〜
４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−
Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂−、−ＣＯ−
又は−Ｏ−を表わす。

【００５８】夫々のＸ²、Ｙ²、Ｚ²はＡ⁴、Ａ⁵、Ａ⁶の置
換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−ＣＦ₃、−Ｏ−Ｃ
Ｆ₃、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂を表わし、夫々のｊｂ、ｍ
ｂ、ｎｂはそれぞれ０〜４の整数を表わす。

【００５９】Ｊ²は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−
Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−
Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd−、−Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−
ＳＯ₂−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）
−ＳＯ₂−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＣＯ−
であり、ｒｃ及びｒｄは独立に１〜２０であり、ｓａは
それぞれの（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であ
り、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４である。

【００６０】Ｒ⁴は、−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa−Ｃ_qd
Ｈ_2qd+1、−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−Ｃ
_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶を表わ
し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ
⁶は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qdＨ
_2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃、−ＮＯ₂、−ＣＮ、又
は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立に１〜２０の整
数、ｗａは１〜１０の整数である）。

【００６１】Ｒ⁵は、（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ
_2ya+1で表わされる（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの
（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは１
〜１０であり、ｚａは１〜１０である）。

【００６２】上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、
特開平２−１４２７５３号公報、米国特許第５，０８
２，５８７号に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。

【００６３】

【化８】

【００６４】

【化９】

【００６５】

【化１０】

【００６６】

【化１１】

【００６７】

【化１２】

【００６８】

【化１３】

【００６９】

【化１４】

【００７０】

【化１５】

【００７１】

【化１６】

【００７２】

【化１７】

【００７３】

【化１８】

【００７４】

【化１９】 上記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物は、国際公開Ｗ
Ｏ９３／２２３９６、特表平７−５０６３６８号公報に
記載の方法によって得ることができる。かかる化合物の
具体例を以下に列挙する。

【００７５】

【化２０】

【００７６】

【化２１】

【００７７】

【化２２】

【００７８】

【化２３】

【００７９】

【化２４】 本発明の液晶素子で用いる液晶組成物では、上述したフ
ッ素含有液晶性化合物の他、フルオロカーボン鎖を持た
ない、いわゆるハイドロカーボンタイプの液晶性化合物
を配合することができる。その具体例として、以下の構
造のものが挙げられる。

【００８０】

【化２５】

【００８１】

【化２６】

【００８２】

【化２７】

【００８３】

【化２８】

【００８４】

【化２９】 また本発明で用いるカイラルスメクチック相を呈する液
晶組成物では、少なくとも一種の光学活性化合物を配合
することが必須となる。かかる光学活性化合物として
は、鎖状あるいは環状の光学活性部位を有する化合物の
中から上述したフッ素含有液晶性化合物等の他の液晶成
分との適合を考慮して、選択され得る。具体例を以下に
示す。

【００８５】

【化３０】

【００８６】

【化３１】

【００８７】

【化３２】

【００８８】

【化３３】

【００８９】

【化３４】

【００９０】

【化３５】

【００９１】

【化３６】

【００９２】

【式３】

【００９３】

【表１】

【００９４】

【表２】

【００９５】

【表３】

【００９６】

【表４】

【００９７】

【表５】

【００９８】

【化３７】

【００９９】

【化３８】

【０１００】

【化３９】 なお、上述したカイラルスメクチック液晶には、染料や
顔料や酸化防止剤や紫外線吸収剤等の添加物を含有させ
ても良い。

【０１０１】また、非一軸配向膜７における膜面方向の
体積抵抗率は１×１０⁶ 〜１×１０⁹ Ωｃｍの範囲が好
ましい。これにより、画素間のクロストークを充分に防
止できる。なお、非一軸配向膜７の体積抵抗率は、その
材料を選択することにより調整すれば良い。

【０１０２】ところで、図１に示す実施の形態の液晶素
子における誘電緩和の時定数τは、液晶の容量Ｃ_L と電
極６上に形成される非一軸配向膜７の抵抗Ｒ_I との積で
表され、 τ≒Ｃ_L ・Ｒ_I となる。ここで、Ｃ_L ＝ε_L ・（Ｓ／ｄ_L ），Ｒ_I ＝
（ｄ_I ／Ｓ）・ρ_I より、 τ＝ε_L ・ρ_I ・（ｄ_I ／ｄ_L ） となる。

【０１０３】一方、液晶素子１の各画素に情報を書き込
む場合において、印加電圧の基本的なパルス巾をｔとす
ると、この時間ｔ内に上記誘電緩和が行われている必要
があり、

【０１０４】

【式４】τ＝ε_L ・ρ_I ・（ｄ_I ／ｄ_L ）≦ｔ を満たす必要がある。

【０１０５】ところで、非一軸配向膜７の体積抵抗率ρ
_I は一般に高いため、電極と接している部分において電
荷の出し入れに整流性が生じ、電圧印加の方向によって
異なるインピーダンス（Ｚ＋，Ｚ−）を示すことがあ
る。つまり、非一軸配向膜７にその膜厚方向に電圧を印
加した場合、観測されるインピーダンスは電圧印加方向
に応じて異なる。そして、インピーダンスの大きい方に
おいてはスイッチングスピードが低下し、駆動マージン
も低下することとなる。

【０１０６】ここで、大きいインピーダンスの絶対値と
小さいインピーダンスの絶対値との比（以下、“インピ
ーダンス極性比”とする）Ｚ_ratio を、

【０１０７】

【式５】Ｚ_ratio ＝ｍａｘ（｜Ｚ−｜／｜Ｚ＋｜，｜Ｚ
＋｜／｜Ｚ−｜） と定義すると、｜Ｚ−｜＜｜Ｚ＋｜の場合にはＺ_ratio
＝｜Ｚ＋｜／｜Ｚ−｜となり、｜Ｚ−｜＞｜Ｚ＋｜の場
合にはＺ_ratio ＝｜Ｚ−｜／｜Ｚ＋｜となる。そして、
インピーダンスの小さい方（すなわち、（ｄ_I ／Ｓ）・
ρ_I ）において、 τ＝ε_L ・ρ_I ・（ｄ_I ／ｄ_L ）≦ｔ を満たしている必要があり、インピーダンスの大きい方
（すなわち、Ｚ_ratio ・（ｄ_I ／Ｓ）・ρ_I ）におい
て、 τ′＝Ｚ_ratio ・ε_L ・ρ_I ・（ｄ_I ／ｄ_L ）≦ｔ を満足している必要がある。

【０１０８】つまり、インピーダンスの大小にかかわら
ず、

【０１０９】

【式６】 Ｚ_ratio ≦ｔ／（（ε_L ・ρ_I ）・（ｄ_I ／ｄ_L ）） を満足している必要があり、この式を満足する場合には
駆動マージンの低下が防止される。

【０１１０】つまり、スイッチング時の誘電緩和は、非
一軸配向膜の整流性のために一方は遅くなり易く、マー
ジンが低下するおそれがあるが、式＊３に示す条件を満
たす限り、マージン低下は発生しない。

【０１１１】特に、隣接間抵抗として数１０メガΩ以上
得られるように、非一軸配向膜７の体積抵抗率を１×１
０⁶ 〜１×１０⁹ Ωｃｍとするときは、パネル駆動パル
スとしてマイクロ秒前後の波形を用いる際に、値として
１０〜１００のインピーダンスの極性比が液晶の緩和時
定数に影響を与える大きさとなるため、インピーダンス
の極性比をなくすことがマージン確保に効果的になる。

【０１１２】なお、Ｚ＋とＺ−との間に差がないときに
は、Ｚ_ratio ＝１となり、式６と式４とは一致する。

【０１１３】次に、非一軸配向膜７等の膜の抵抗値を測
定する手段について、図３及び図４を参照して説明す
る。

【０１１４】図３は、膜の膜厚方向における抵抗値を測
定するための系を示した図であり、符号２０は、測定対
象の膜であり、電極２１と電極２２との間に電流を流し
て測定を行うものである。ここで、一方の電極２１は、
Ａｌからなる直径１ｍｍφの電極であり、他方の電極２
２は、ＩＴＯからなる電極である。

【０１１５】また、図４は、膜の膜面方向における抵抗
値を測定するための系を示した図であり、符号２３は、
測定対象の膜であり、電極２５と電極２６との間に電流
を流して測定を行うものである。

【０１１６】ところで、本発明においては、特に図１に
示す実施の形態では非一軸配向膜７よりも基板側（例え
ば、非一軸配向膜７と電極６との間）に、所定の無機膜
を設けて、さらに耐圧を増加させても良い。これによ
り、素子の耐久性を増すことができる。

【０１１７】このような無機膜としては、ＺｎＯ、Ｓｎ
Ｏ₂ 、またはＴａＯｘなどの種々のスパッタにより形成
した蒸着膜が適しており、例えば、酸素ガス、アルゴン
ガスなどのガス圧調整により、またはＲＦパワーの調整
により、その膜厚方向の抵抗率を１×１０⁴ 〜１×１０
⁸ Ωｃｍに制御した１０００Å〜２０００Åの膜厚程度
のものが最適に使用し得る。

【０１１８】なお、このような無機膜を設ける場合、膜
厚方向の体積抵抗の上限値は、非一軸配向膜７と同様
に、スイッチングの前状態を解除する必要から、約１×
１０⁸Ωｃｍ程度が好ましい。

【０１１９】一方、下限値も上層の膜に対しても同様の
条件として、例えば導電性の異物などの混入により、液
晶部分がショート状態になったとしても、該蒸着膜の膜
厚方向に流れる電流を抑制することにより、ショート部
分またはその周辺に対して、画質上の欠陥を顕著にしな
いための条件により導出される。代表的な考え方の例と
して、セルの厚み程度の異物により、液晶部分に膜厚方
向に電気的なパスが生じた場合、前述した画素間におけ
る電圧降下率を１／１００とするためには、この部分の
抵抗が給電部から画素端までの抵抗１ｋΩの１００倍必
要である。ショート面積を２μｍ×２μｍとし、無機膜
の厚みが１０００Åであれば、ρ_min ・１・１０^-5／
（２・１０^-4）² ≧１・１０⁵ （Ω）（ρ_min ：抵抗の
下限値）より、ρ_min ≧４・１０² （Ωｃｍ）であり、
例えば複数箇所でのパスを想定すると、約１×１０⁴ Ω
ｃｍ以上の体積抵抗率が求められる。

【０１２０】次に、上述した液晶素子１を用いて液晶表
示装置３０を構成した場合について、図５及び図６を参
照して簡単に説明する。

【０１２１】図５は、液晶表示装置の全体構成を示すブ
ロック図であるが、この図に示すように、液晶素子１に
は情報線駆動回路４０５や走査線駆動回路４０４が接続
されており、これらの回路４０４，４０５には、駆動制
御回路４１１及びグラフィックコントローラ４０２が順
に接続されている。このうち、グラフィックコントロー
ラ４０２は、ＧＣＰＵ（中央演算処理装置）４１２、ホ
ストＣＰＵ４１３並びにＶＲＡＭ４１４を有しており、
画像情報の管理や通信を司っている。また、ＧＣＰＵ４
１２から駆動制御回路４１１へは画像情報やＳＹＮＣ信
号が送信されるが、この画像情報は、図６に示すよう
に、走査線アドレス情報や表示情報からなっている。こ
のうち、走査線アドレス情報は走査線駆動回路４０４へ
送られ、表示情報は情報線駆動回路４０５へ送られるよ
うになっている。

【０１２２】さらに、走査線駆動回路４０４は、走査線
アドレス情報によって決まる電極９に走査信号を印加す
るようになっており、また情報線駆動回路４０５は情報
信号を印加するようになっている。なお、液晶素子１の
裏面には光源（不図示）が配置されていて、この光源に
よって液晶素子１を照明するようになっている。

【０１２３】液晶素子１が上述のように良好なスイッチ
ング特性を有することから、図５に示す液晶表示装置３
０は、優れた駆動特性を発揮し、高精細、高速、大面積
の表示装置となる。

【０１２４】次に、液晶素子１の駆動法について、図７
を参照して説明する。

【０１２５】上述した液晶素子１の駆動法としては、例
えば特開昭５９−１９３４２６号公報、特開昭５９−１
９３４２７号公報、特開昭６０−１５６０４６号公報、
特開昭６０−１５６０４７号公報などに開示された駆動
法を適用すればよい。

【０１２６】図７は、電極に印加する各信号の波形を示
す波形図である。ここで、図７(a)中に符号Ｓ_S で示す
信号は、選択された走査線に印加する選択走査波形を示
しており、符号Ｓ_N で示す信号は、選択されていない非
選択走査波形を示している。また、符号Ｉ_S で示す信号
は、選択された情報線に印加する選択情報信号（黒）を
示しており、符号Ｉ_N で示す信号は、選択されていない
情報線に印加する非選択情報信号（白）を示している。
さらに、符号“Ｉ_S −Ｓ_S ”及び“Ｉ_N −Ｓ_S”は、選
択された走査線上の画素に印加される電圧波形を示して
おり、符号“Ｉ_S −Ｓ_S ”に示す電圧が印加された画素
は黒の表示状態をとり、符号“Ｉ_N −Ｓ_S ”に示す電圧
が印加された画素は白の表示状態をとるようになってい
る。

【０１２７】ここで、液晶素子１の駆動例について図８
及び図９を参照して具体的に説明する。

【０１２８】いま、６個の画素に、図８に示すような表
示を行わせる場合を考える。なお、これらの画素を構成
する情報線を符号Ｉ₁ ，Ｉ₂ で示し、走査線を符号Ｓ
₁ ，Ｓ₂ ，Ｓ₃ で示すものとする。

【０１２９】図９は、図８に示す表示を行うための駆動
信号の波形を示す波形図であるが、図８に示す表示を行
うためには、 ＊ ３本の走査線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，Ｓ₃ には図示の順序で選
択走査信号Ｓ_S を印加し、 ＊ 走査線Ｓ₁ に選択走査信号Ｓ_S を印加しているとき
に、情報線Ｉ₁ には非選択情報信号Ｉ_N を印加すると共
に、情報線Ｉ₂ には選択情報信号Ｉ_S を印加し、 ＊ 走査線Ｓ₂ に選択走査信号Ｓ_S を印加しているとき
に、情報線Ｉ₁ 及び情報線Ｉ₂ には非選択情報信号Ｉ_N
を共に印加し、 ＊ 走査線Ｓ₃ に選択走査信号Ｓ_S を印加しているとき
に、情報線Ｉ₁ 及び情報線Ｉ₂ には選択情報信号Ｉ_S を
共に印加すれば良い。

【０１３０】ところで、図７に示す走査信号Ｓ_S は、リ
セットパルス（パルス巾ｔ₁ ）と書き込みパルス（パル
ス巾ｔ₂ ）とからなるが、ｔ₁ ＝２ｔ₂ （すなわち、ｔ
₂ ＝Δｔとした場合にｔ₁ ＝２Δｔ）となるようにして
いる。なお、リセットパルスによって前表示状態がリセ
ットされる（本駆動例では白表示状態にリセットされ
る）ようになっている。

【０１３１】なお、駆動波形の各パラメータ（Ｖ_S 、Ｖ
_I 、並びに△ｔの値）は使用する液晶材料のスイッチン
グ特性によって決定される。

【０１３２】図１０は、バイアス比Ｖ_I ／（Ｖ_I ＋Ｖ
_S ）を一定に保ちながら駆動電圧（Ｖ_S ＋Ｖ_I ）を変化
させたときの、駆動電圧（Ｖ_S ＋Ｖ_I ）と透過率Ｔとの
関係（すなわち、Ｖ−Ｔ特性）を示す図である。ここで
は、Δｔ＝５０μｓｅｃ、バイアス比Ｖ_I ／（Ｖ_I ＋Ｖ
_S ）は固定している。

【０１３３】そして、図１０の右側は、前表示状態が黒
の画素に“Ｉ_N −Ｓ_S の波形（図７参照）”を印加した
場合のＶ−Ｔ特性を示しており、 ０ ≦Ｖ_S ＋Ｖ_I ≦Ｖ₂ ；白リセットがされず、黒
（前表示状態）が保持される範囲 Ｖ₂ ≦Ｖ_S ＋Ｖ_I ≦Ｖ₃ ；黒（前表示状態）が白リ
セットされ、かつ、白保持される範囲 Ｖ₃ ≦Ｖ_S ＋Ｖ_I ；黒（前表示状態）が白リ
セットされ、黒書き込みされる範囲 であることを示している。

【０１３４】また、図１０の左側は、前表示状態が白の
画素に“Ｉ_S −Ｓ_S の波形（図７参照）”を印加した場
合のＶ−Ｔ特性を示しており、 ０ ≦Ｖ_S ＋Ｖ_I ≦Ｖ₁ ；白（前表示状態）が保持
される範囲 Ｖ₁ ≦Ｖ_S ＋Ｖ_I ；白（前表示状態）がリセ
ットされ、白保持できない範囲 であることを示している。なお、上述したＶ₁ を“実駆
動閾値電圧”と呼ぶ。

【０１３５】つまり、上記〜をまとめると、Ｉ_N −
Ｓ_S の波形を印加した場合に適正に白書き込み（白保
持）が行なわれ（上記参照））、かつ、Ｉ_S −Ｓ_S の
波形を印加した場合に適正に黒書き込みが行われる（上
記参照）ようにするためには、Ｖ₂ ＜Ｖ₁ ＜Ｖ₃ のと
き、 Ｖ₁ ≦Ｖ_S ＋Ｖ_I ≦Ｖ₃ でなければならない。

【０１３６】ここで、Ｖ₃ （以下、“クロストーク電
圧”と呼ぶ）は、図７に示す波形“Ｉ_N −Ｓ_S ”のＶ_B ¹
によって黒書き込みが行われてしまう電圧値（上記参
照）であって、カイラルスメクチック液晶素子を駆動す
る場合一般的に存在すると言ってよい。そして、このク
ロストーク電圧Ｖ₃ が大きい方が、駆動の上から好まし
い。

【０１３７】なお、このクロストーク電圧Ｖ₃ を大きく
するにはバイアス比を大きくすれば良いが、バイアス比
を増すことは情報信号の振幅を大きくすることを意味
し、画質的にはちらつきの増大、コントラストの低下を
招き好ましくない。我々の検討でバイアス比１／３〜１
／４程度が実用的であった。

【０１３８】いま、△Ｖ（以下、“電圧マージンパラメ
ータと呼ぶ”）を、 △Ｖ＝（Ｖ₃ −Ｖ₁ ）／（Ｖ₃ ＋Ｖ₁ ） と定義すると、この電圧マージンパラメータ△Ｖは、マ
トリクス駆動可能な電圧幅のパラメータとなり、このパ
ラメータ△Ｖは大きい程良く、このパラメータΔＶは液
晶材料のスイッチング特性及び素子構成に強く依存す
る。

【０１３９】なお、以上においては、電圧を変化させる
ことによって液晶のスイッチングを行っているが、電圧
を一定の状態で電圧印加時間Δｔを変化させることによ
って該スイッチングを行うようにしてもよい。その場合
には、 Ｍ２＝（Δｔ₂ −Δｔ₁ ）／（Δｔ₂ ＋Δｔ₁ ） ここで、Δｔ₁ （電圧印加時間閾値）は、上記実駆動閾
値電圧Ｖ₁ に相当するもの、Δｔ₂ （電圧印加時間クロ
ストーク値）は、上記クロストーク電圧Ｖ₃ に相当する
もの。で定義する電圧印加時間マージンパラメータ（Ｍ
２）は、大きい程良い。

【０１４０】なお、上記電圧マージンパラメータ△Ｖ並
びに電圧印加時間マージンパラメータＭ２は、液晶素子
に固有のものであって、液晶材料や液晶素子の構成に応
じて異なる。また、これらのパラメータ△Ｖ，Ｍ２は、
環境温度に応じて変化する。したがって、液晶素子の駆
動条件は、液晶材料、液晶素子の構成、環境温度に応じ
て最適化する必要がある。

【０１４１】

【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に沿って更に
詳細に説明する。 （実施例１）まず、本発明の実施例１について、図１１
乃至図１４を参照して説明する。

【０１４２】本実施例においては、図１に示す構造の液
晶素子であって非一軸配向膜７の形成方法等が相違する
２種類の液晶素子（以下、“液晶素子１Ａ”並びに“液
晶素子１Ｂ”とする）を作成して、これら２種類の液晶
素子１Ａ，１Ｂの特性を比較すると共に、非一軸配向膜
７の形成方法等が相違する２種類の試料１ＬＡ，１ＬＢ
（以下、“評価用試料１ＬＡ，１ＬＢ”とする）を作成
して、非一軸配向膜７の評価を行った。

【０１４３】まず、液晶素子１Ａ，１Ｂについて説明す
る。

【０１４４】液晶素子１Ａ，１Ｂの具体的構造は、図１
に示す液晶素子１と同様である。すなわち、液晶素子１
Ａ，１Ｂは、所定距離だけ離間した位置に配置される一
軸配向側基板（基板）２及び非一軸配向側基板（基板）
３を備えており、これらの基板２，３の間には液晶５が
挟持されている。また、一軸配向側基板２の表面には電
極９や配向制御膜１０が形成されており、配向制御膜１
０には、液晶５を一軸配向させるべく処理がなされてい
る。さらに、非一軸配向側基板３の表面には電極６や非
一軸配向膜７が形成されており、液晶分子に対して非一
軸配向特性を有するようになっている。

【０１４５】次に、液晶素子１Ａの製造方法について説
明する。

【０１４６】まず、一般的なＤＣスパッタ装置とＩＴＯ
（インジウム ティン オキサイド）のターゲットとを
用い、基板２，３の表面にＩＴＯ膜をスパッタリング形
成した。なお、このスパッタリングにおいては、スパッ
タ装置のパワーを１Ｗ／ｃｍ² とし、スパッタガスには
ＡｒとＯ₂ の混合ガス（Ａｒ：９０ＳＣＣＭ，Ｏ₂ ：１
０ＳＣＣＭ）を用い、放電時間を２．５分間として、Ｉ
ＴＯ膜の膜厚が７００Åになるようにした。そして、こ
のＩＴＯ膜を、通常の湿式エッチング法によって所望の
形状にパターニングし、電極６，９を作成した。

【０１４７】次に、一方の基板（一軸配向側基板）２の
表面には、ポリアミック酸（東レ社製、ＬＰ−６４）
を、２７００ｒｐｍ，２０秒の条件でスピンコートし、
これを２００℃で６０分間焼成して、厚さ５０Åの配向
制御膜（ポリイミド膜）１０を形成した。その後、この
配向制御膜１０に、回転数１０００ｒｐｍ、押し込み量
０．４ｍｍ、送りスピード５ｍｍ／ｓｅｃ、片方向３回
のラビング処理を施した。

【０１４８】また、他方の基板（非一軸配向側基板）３
の表面には、溶液（ＳｉＯｘの重合体にラダー型のポリ
シロキサンを重合比で４０％混合したシリコン酸化物母
材中に、粒径が約１００ÅのＳｎＯｘの酸化物超微粒子
を分散した溶液）を、１０００ｒｐｍ，１０秒の条件で
スピンコートし、これを２００℃で６０分間焼成して、
厚さ２０００Åの非一軸配向膜７を形成した。

【０１４９】次に、一軸処理側基板２の配向制御膜１０
表面には、２．２μｍ径のＳｉＯ₂微粒子を含有させた
溶液をスピンコート法によって塗布し、これを加熱し
て、ＳｉＯ₂ 微粒子を配向制御膜１０の表面に分散固着
させた。さらに、粒径約５μｍの接着粒子（エポキシ樹
脂粒子）を含有させた溶液をスピンコート法によって塗
布し、同じく加熱してエポキシ樹脂粒子を分散固着させ
た。

【０１５０】また、印刷機を用いて、非一軸処理側基板
３の所望の位置にシール剤を塗布し、これを９０℃で５
分間プリベークした。

【０１５１】さらに、基板２と基板３とを、プレス機を
用いて５０ｇｆ／ｃｍ² の圧力で圧着し、同じ圧力をエ
アークッションにて加えた状態で、１１０℃、９０分間
の加熱を行ない、シール剤を硬化させ、これら２枚の基
板２，３を貼り合わせた。

【０１５２】このあと上記作業でできあがった空素子
を、通常のロードロック式の真空室内に入れ、１×１０
^-5Ｔｏｒｒまで真空引きしたあと、１×１０^-2Ｔｏｒｒ
の真空中で９５℃に加熱した液晶貯留槽に注入口をつけ
るように浸し、液晶を空素子内に注入した。

【０１５３】次に、液晶素子１Ｂの製造方法について説
明する。

【０１５４】基板２，３の表面には、上述と同様の方法
で電極６，９を形成した。また、一方の基板（一軸配向
側基板）２の表面には、上述と同様の方法で配向制御膜
（ポリイミド膜）１０を形成すると共に、その配向制御
膜１０の表面にはラビング処理を施した。

【０１５５】次に、他方の基板（非一軸配向側基板）３
の表面には、所定の溶液（ＳｉＯｘの重合体からなるシ
リコン酸化物母材中に、ＳｎＯｘの酸化物超微粒子を分
散させた溶液、すなわち、液晶素子１Ａの場合と異なり
ラダー型ポリシロキサンを混ぜていないもの）を、１０
００ｒｐｍ，１０秒の条件でスピンコートし、これを２
００℃で６０分間焼成して、厚さ２０００Åの非一軸配
向膜７を形成した。

【０１５６】さらに、上述と同様の方法で、ＳｉＯ₂ 微
粒子並びに接着粒子の分散固着、及びシール剤の塗布等
を行った後に、２枚の基板２，３を貼り合わせ、液晶注
入を行った。

【０１５７】次に、非一軸配向膜７の評価を行うための
評価用試料１ＬＡ，１ＬＢについて説明する。

【０１５８】図１１は、評価用試料の具体的構造を示す
断面図であるが、この図に示すように、評価用試料１Ｌ
Ａ，１ＬＢは基板３を１枚のみ備えており、この基板３
の表面には、パターニングをしない状態のＩＴＯ膜５０
が形成されている。また、このＩＴＯ膜５０の表面には
素子１Ａ及び１Ｂで作成した非一軸配向膜７と同様の膜
１７が形成されており、この膜１７の表面にはオーミッ
クコンタクト層５１が形成されている。さらに、このオ
ーミックコンタクト層５１の表面には、直径が１mmφで
Ａｌ製のオーミック電極５２が複数形成されている。ま
た、基板３の端部においては、リード線５３がＩＴＯ膜
５０に接続されている。

【０１５９】ここで、評価用試料１ＬＡの製造方法につ
いて説明する。

【０１６０】まず、液晶素子１Ａ，１Ｂの場合と同様の
方法で基板３の表面にＩＴＯ膜５０を形成した。なお、
このＩＴＯ膜５０のパターニングは行わず、ＩＴＯ膜５
０の表面には、液晶素子１Ａにおける非一軸配向膜７の
場合と同様に膜１７を形成した。

【０１６１】そして、このように膜１７を形成した後、
膜１７（非一軸配向膜７）と同様の材料を用いＳｎＯｘ
超微粒子の濃度を高めて体積抵抗率が１×１０⁴ Ωｃｍ
程度の値を取るように処方を変更した膜形成用の溶液
を、膜１７の表面にスピンコートして、オーミックコン
タクト層５１を形成した。なお、スピン条件は、１５０
０ｒｐｍ、１０ｓｅｃとして、膜厚が約５００Åになる
ようにした。さらに、このオーミックコンタクト層５１
の表面にはオーミック電極５２を、通常の抵抗加熱型の
蒸着機によって形成した。その後、リード線５３をＩＴ
Ｏ膜５０に超音波はんだで接合した。

【０１６２】次に、評価用試料１ＬＢの製造方法につい
て説明する。

【０１６３】評価用試料１ＬＢにおいても、試料１ＬＡ
と同様の方法でＩＴＯ膜５０を形成し、このＩＴＯ膜５
０の表面には、液晶素子１Ｂにおける非一軸配向膜７と
同様に膜１７を形成した。その他の構成並びに製造方法
は、上述した試料１ＬＡと同様である。

【０１６４】次に、評価用試料１ＬＡ，１ＬＢを用いて
行う電極上に形成された膜（非一軸配向膜）の評価方法
について説明する。

【０１６５】図１２は、膜１７（素子における非一軸配
向膜）の評価方法を説明するための模式図であるが、こ
の膜の評価を行うに際しては、この図に示すように、リ
ード線５３を接地すると共に、オーミック電極５２にイ
ンピーダンス測定器６０を接続した。そして、オーミッ
ク電極５２に＋５００ｍＶのＤＣ電圧を印加した場合の
インピーダンスＺ＋と、オーミック電極５２に−５００
ｍＶのＤＣ電圧を印加した場合のインピーダンスＺ−
と、をそれぞれ測定した。その結果、インピーダンス極
性比Ｚ_ratio は、評価用試料１ＬＡにおいてはほぼ
“５”となり、評価用試料１ＬＢにおいておよそ３０と
なった。これにより、試料１ＬＡと試料１ＬＢとでは、
膜１７の電荷を出入りさせる能力が異なることが分かっ
た。

【０１６６】次に、上述の方法で作成した液晶素子１
Ａ，１Ｂについて１画素の特性を調べた。

【０１６７】図１３は、液晶素子の特性を調べる様子を
説明するための模式図であるが、１画素の特性を調べる
に際しては、この図に示すように、非一軸処理側基板３
（正確には、その電極６）を接地し、一軸処理側基板２
（正確には、その電極９）側に信号電圧を印加した。

【０１６８】そして、書き込み信号電圧を変化させた場
合、該電圧と光透過率との関係（Ｖ―Ｔ特性）は図１４
に示すようになった。

【０１６９】ここで、同図に示す矢印の行きと帰りの違
いはヒステリシスと呼ばれる量で、理想的には「０」と
なることが望ましいが、実用上は駆動電圧の５％以下程
度であれば良い。また、実線Ｕ１と破線Ｕ２は黒リセッ
卜時に液晶分子の自発分極がどちらを向いているかを示
し、例えばＰｓが負の場合、非一軸配向側を向くときが
Ｕ１、一軸配向側を向くときがＵ２である。このＵ１と
Ｕ２の夫々の状態を黒状態とした場合の互いの電圧閾値
のずれ量が、理想的にはやはり「０」となることが望ま
しく、このとき対称性が得られたという。これに対し閾
値ずれ量が非対称性とも呼ばれ、その値は実用的にはプ
ラスマイナス１Ｖ程度以下であれば双安定ポテンシャル
が極端に乱されることがなく、書き込み不良や焼きつき
などの経時変化が抑制される。

【０１７０】そして、液晶素子１Ａの場合は、ヒステリ
シスは０．６Ｖ、非対称性は約０．２Ｖに低く抑えられ
ていることが分かった。また、他方の液晶素子１Ｂの場
合は、非対称性は０．３〜０．４Ｖで素子１Ａとほとん
ど変わらないが、ヒステリシスは１．２Ｖと増加してい
ることが分かった。

【０１７１】ここで、式 Ｚ_ratio ≦ｔ／（（ε_L ・ρ_I ）・（ｄ_I ／ｄ_L ）） について考察する。

【０１７２】本実施例の場合、ｔ＝１０〜２０μｓｅｃ
であり、素子１Ａ，１Ｂにおける非一軸配向膜７の膜厚
ｄ_I ＝２０００Åであり、液晶層の厚さｄ_L ＝２μｍ＝
２００００Åであり、液晶の誘電率ε_L ＝１×１０^-12
（比誘電率がおよそ１０）であり、膜の体積抵抗率ρ_I
＝１×１０⁷ Ωｃｍであるため、上式の右辺は１０〜２
０となる。そして、液晶素子１Ａの場合は、左辺（Ｚ
_ratio の実測値）は５であって上式を満足しており、液
晶素子１Ｂの場合は、左辺（Ｚ_ratio の実測値）は３０
であって上式を満足していない。したがって、本実施例
によれば、上式を満たす場合（評価用試料１ＬＡ、すな
わち液晶素子１Ａの場合）にはヒステリシスは小さくな
り、上式を満たさない場合（評価用試料１ＬＢ、すなわ
ち液晶素子１Ｂの場合）にはヒステリシスは大きくなる
ことから、上式を満たす限り適正であることが分かる。

【０１７３】さらに、作成した液晶素子１Ａを駆動する
と、残像は見えず、速い応答性が得られることを確認し
た。また、この液晶素子１Ａでは、ちらつきや不良表示
領域の成長などは見られず、極めてよい双安定性が得ら
れ、焼き付きや単安定性の進行などが充分抑制され、高
い信頼性が得られることを確認した。

【０１７４】これに対して、もう一方の液晶素子１Ｂを
駆動すると、残像や不良表示領域の成長や焼きつきが多
少観察された。

【０１７５】一方、上述した電圧印加時間マージンパラ
メータＭ２（＝（Δｔ₂ −Δｔ₁ ）／（Δｔ₂ ＋Δｔ
₁ ））は、液晶素子１Ｂにおいてはインピーダンスの大
きい側の極性の電圧印加をリセットとした場合で０．０
５〜０．１の低下があったにもかかわらず、液晶素子１
Ａにおいては（インピーダンスの大きい側の極性の電圧
及びインピーダンスの小さい側の極性の電圧）いずれを
リセットとした場合においても等しくおよそ０．２５で
あった。この際、駆動電圧のピーク値として上下の基板
の電極間に２０Ｖの電圧をかけても、液晶素子１Ａ，１
Ｂともにショートの起こる画素は、見られず、マージン
改善の結果ショート防止機能が低下するというトレード
オフはなかった。 （実施例２）次に、本発明の実施例２について、図１５
を参照して説明する。

【０１７６】本実施例においては、図１５に示す非対称
構造の液晶素子であって非一軸配向側の基板における膜
の形成方法等が相違する２種類の液晶素子（以下、“液
晶素子２Ａ”並びに“液晶素子２Ｂ”とする）を作成し
て、これら２種類の液晶素子２Ａ，２Ｂの特性を比較す
ると共に、非一軸基板側の膜の形成方法等が相違する２
種類の試料２ＬＡ，２ＬＢ（以下、“評価用試料２Ｌ
Ａ，２ＬＢ”とする）を作成して、膜の評価を行った。

【０１７７】図１５は、本実施例にて作成した液晶素子
２Ａ，２Ｂの具体的構造を示す断面図であるが、同図に
示すように、液晶素子２Ａ，２Ｂにおいては、非一軸配
向側基板３には２つの層７ａ，７ｂ（以下、基板３側の
層７ａを“下部層７ａ”とし、液晶５側の層（非一軸配
向膜）７ｂを“上部層７ｂ”とする）にて構成されてい
る。それ以外の構成は、上述した液晶素子１と同様であ
る。

【０１７８】次に、液晶素子２Ａの製造方法について説
明する。

【０１７９】まず、実施例１と同様の装置及び同様の条
件で、基板２，３の表面にＩＴＯ膜をスパッタリング
し、このＩＴＯ膜をパターニングして、電極６，９を作
成した。

【０１８０】次に、一方の基板（一軸配向側基板）２の
表面には、下記構造式のポリイミドをＮＭＰ，ｎＢＣの
混合液（２：１）で０．８ｗｔ％に希釈した溶液を、３
０００ｒｐｍ，２０秒の条件でスピンコートし、これを
２００℃で６０分間焼成して、厚さ５０Åの配向制御膜
（ポリイミド膜）１０を形成した。

【０１８１】

【化４０】 その後、この配向制御膜１０に、回転数１０００ｒｐ
ｍ、押し込み量０．４ｍｍ、送りスピード１０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、片方向４回のラビング処理を施した。

【０１８２】また、他方の基板（非一軸配向側基板）３
の表面には、通常のＲＦスパッタ装置とＺｎＯ（１００
％）のターゲットとを用いて、ＺｎＯ膜よりなる下部層
７ａを２０００Åの厚さに形成した。なお、パワーを５
Ｗ／ｃｍ² とし、基板加熱温度を２００℃とした。ま
た、スパッタガスにはＡｒとＯ₂ の混合ガス（Ａｒ：９
０ＳＣＣＭ，Ｏ₂ ：１０ＳＣＣＭ）を用い、圧力を３ｍ
Ｔｏｒｒとし、放電時間を２分間とした。

【０１８３】次に、この下部層７ａの表面に、溶液（ラ
ダー型のポリシロキサンの母材中に、粒径が約１００Å
のＳｎＯｘの酸化物超微粒子を分散した溶液）を、１０
００ｒｐｍ，１０秒の条件で２５００Åの厚さにスピン
コートし、これを２００℃で６０分間焼成して、上部層
７ｂを形成した。

【０１８４】さらに、実施例１と同様の方法で、ＳｉＯ
₂ 微粒子並びにＶ接着粒子（エポキシ樹脂粒子）の分散
固着、及びシール剤の塗布等を行った後に、２枚の基板
２，３を貼り合わせ、液晶注入を行った。

【０１８５】次に、液晶素子２Ｂの製造方法について説
明する。

【０１８６】基板２，３の表面には、上述と同様の方法
で電極６，９を形成した。また、一方の基板（一軸配向
側基板）２の表面には、上述と同様の方法で配向制御膜
（ポリイミド膜）１０を形成すると共に、その配向制御
膜１０の表面にはラビング処理を施した。さらに、他方
の基板（非一軸配向側基板）３の表面には、上述と同様
の方法で下部層７ａを形成した。

【０１８７】次に、この下部層７ａの表面に、溶液（Ｓ
ｉＯｘの重合体にラダー型のポリシロキサンを重合比で
４０％混合したシリコン酸化物母材中に、粒径が約１０
０ÅのＳｎＯｘの酸化物超微粒子を分散した溶液）を、
１０００ｒｐｍ，１０秒の条件でスピンコートし、これ
を２００℃で６０分間焼成して、厚さ１５００Åの上部
層７ｂを形成した。

【０１８８】さらに、実施例１と同様の方法で、ＳｉＯ
₂ 微粒子並びに接着粒子の分散固着、及びシール剤の塗
布等を行った後に、２枚の基板２，３を貼り合わせ、液
晶注入を行った。

【０１８９】次に、液晶素子２Ａ，２Ｂにおける基板３
側の下部層７ａ、上部層７ｂの評価を行うための評価用
試料２ＬＡ，２ＬＢについて説明する。

【０１９０】評価用試料２ＬＡ，２ＬＢについては、上
述した液晶素子２Ａ，２Ｂと同様に、下部層７ａ及び上
部層７ｂの２層で構成することとした。それ以外の構成
（すなわち、ＩＴＯ膜５０、オーミックコンタクト層５
１、オーミック電極５２及びリード線５３）は、上述し
た実施例１における評価用試料１ＬＡ，１ＬＢ（図１５
参照）と同様である。

【０１９１】次に、下部層７ａ、上部層７ｂの評価を行
うための評価用試料２ＬＡ，２ＬＢの製造方法について
説明する。

【０１９２】評価用試料２ＬＡにおいては、下部層７ａ
及び上部層７ｂは、上述した液晶素子２Ａと同様の方法
で形成した。また、他方の評価用試料２ＬＢにおいて
は、下部層７ａ及び上部層７ｂは、上述した液晶素子２
Ｂと同様の方法で形成した。それ以外の製造方法（すな
わち、ＩＴＯ膜５０、オーミックコンタクト層５１、オ
ーミック電極５２及びリード線５３の製造方法）は、上
述した実施例１における評価用試料１ＬＡ，１ＬＢと同
様である。

【０１９３】次に、評価用試料２ＬＡ，２ＬＢを用いて
行う膜の評価方法について説明する。

【０１９４】膜（下部層７ａ及び上部層７ｂ）の評価
は、実施例１と同様に、図１２に示す方法により行っ
た。その結果、インピーダンス極性比Ｚ_ratio は、評価
用試料２ＬＡにおいてはほぼ“１”となり、評価用試料
２ＬＢにおいておよそ３０となった。これにより、試料
２ＬＡと試料２ＬＢとでは、膜（下部層７ａ及び上部層
７ｂ）の電荷を出入りさせる能力が異なることが分かっ
た。

【０１９５】次に、上述の方法で作成した液晶素子２
Ａ，２Ｂについて１画素の特性を、実施例１と同様の方
法で調べた。その結果、いずれの液晶素子２Ａ，２Ｂに
おいても非対称性は０．３〜０．４Ｖで大きな差はなか
ったが、ヒステリシスは液晶素子２Ａの方が０．５Ｖで
あるのに対し、液晶素子２Ｂの方は１．２Ｖと大きく劣
ることが分かった。

【０１９６】ここで、式 Ｚ_ratio ≦ｔ／（（ε_L ・ρ_I ）・（ｄ_I ／ｄ_L ）） について考察する。

【０１９７】本実施例の場合、ｔ＝１０〜２０μｓｅｃ
であり、膜厚ｄ_I ＝４５００Å（素子２Ａ）、４０００
Å（素子２Ｂ）であり、液晶層の厚さｄ_L ＝２μｍ＝２
００００Åであり、液晶の誘電率ε_L ＝１×１０^-12
（比誘電率がおよそ１０）であり、膜の体積抵抗率ρ_I
＝１×１０⁷ Ωｃｍであるため、上式の右辺は４．４〜
８．９（素子２Ａ）、５〜１０（素子２Ｂ）となる。そ
して、液晶素子２Ａの場合は、左辺（Ｚ_ratio の実測
値）は１であって上式を満足しており、液晶素子２Ｂの
場合は、左辺（Ｚ_ratio の実測値）は３０であって上式
を満足していない。したがって、本実施例によれば、上
式を満たす場合（評価用試料２ＬＡ、すなわち液晶素子
２Ａの場合）にはヒステリシスは小さくなり、上式を満
たさない場合（評価用試料２ＬＢ、すなわち液晶素子２
Ｂの場合）にはヒステリシスは大きくなることから、上
式を満たす限り適正であることが分かる。

【０１９８】さらに、作成した液晶素子２Ａを駆動する
と、実施例１における液晶素子１Ａと同様の効果が得ら
れたが、もう一方の液晶素子２Ｂを駆動すると、残像や
不良表示領域の成長や焼きつきが多少観察された。

【０１９９】一方、上述した電圧印加時間マージンパラ
メータＭ２（＝（Δｔ₂ −Δｔ₁ ）／（Δｔ₂ ＋Δｔ
₁ ））は、液晶素子２Ｂにおいてはインピーダンスの大
きい側の極性の電圧印加をリセットとした場合０．０５
〜０．１の低下があったにもかかわらず、液晶素子２Ａ
においてはインピーダンスの大きい側の極性の電圧及び
インピーダンスの小さい側の極性の電圧のいずれをリセ
ットとした場合においても等しくおよそ０．２５であっ
た。この際、駆動電圧のピーク値として上下の基板の電
極間に２０Ｖの電圧をかけても、液晶素子２Ａ，２Ｂと
もにショートの起こる画素は、見られず、マージン改善
の結果ショート防止機能が低下するというトレードオフ
はなかった。 （実施例３）さらに、本発明の実施例３について、図１
６を参照して説明する。

【０２００】本実施例においては、図１６に示す非対称
構成の素子において非一軸配向側の基板３における非一
軸配向膜７の形成方法等が相違する２種類の液晶素子
（以下、“液晶素子３Ａ”並びに“液晶素子３Ｂ”とす
る）を作成して、これら２種類の液晶素子３Ａ，３Ｂの
特性を比較すると共に、膜１７の形成方法等が相違する
２種類の試料３ＬＡ，３ＬＢ（以下、“評価用試料３Ｌ
Ａ，３ＬＢ”とする）を作成して、膜１７の評価を行っ
た。

【０２０１】図１６は、本実施例にて作成した液晶素子
３Ａ，３Ｂの具体的構造を示す断面図であるが、同図に
示すように、液晶素子３Ａ，３Ｂは、上述した液晶素子
１と同様の構造をしている。

【０２０２】次に、液晶素子３Ａの製造方法について説
明する。

【０２０３】まず、実施例１及び実施例２と同様の装置
及び同様の条件で、基板２，３の表面にＩＴＯ膜をスパ
ッタリングし、このＩＴＯ膜をパターニングして、電極
６，９を作成した。

【０２０４】次に、一方の基板（一軸配向側基板）２の
表面には、所定の溶液（ナイロンを蟻酸で０．２ｗｔ％
に希釈した溶液）を、３０００ｒｐｍ，２０秒の条件で
スピンコートし、これを１８０℃で６０分間焼成して、
厚さ５０Åの配向制御膜（ナイロン膜）１０を形成し
た。その後、この配向制御膜１０に、回転数１０００ｒ
ｐｍ、押し込み量０．３ｍｍ、送りスピード５ｍｍ／ｓ
ｅｃ、片方向３回のラビング処理を施した。

【０２０５】また、他方の基板（非一軸配向側基板）３
の表面には、溶液（ＳｉＯｘの重合体とラダー型のポリ
シロキサンとを２：８の比率で混合した母材中に、粒径
が約１００ÅのＳｎＯｘの酸化物超微粒子を分散した溶
液）を、１０００ｒｐｍ，１０秒の条件でスピンコート
し、これを２００℃で６０分間焼成して、厚さが２２０
０Åの非一軸配向膜７を形成した。

【０２０６】さらに、実施例１、２と同様の方法で、Ｓ
ｉＯ₂ 微粒子並びに接着粒子の分散固着、及びシール剤
の塗布等を行った後に、２枚の基板２，３を貼り合わ
せ、液晶注入を行った。

【０２０７】次に、液晶素子３Ｂの製造方法について説
明する。

【０２０８】基板２，３の表面には、上述と同様の方法
で電極６，９を形成した。また、一方の基板（一軸配向
側基板）２の表面には、上述と同様の方法で配向制御膜
（ポリイミド膜）１０を形成すると共に、その配向制御
膜１０の表面にはラビング処理を施した。

【０２０９】さらに、他方の基板（非一軸配向側基板）
３の表面には、通常のＲＦスパッタ装置と、ＺｎＯ（９
５．５％）にＡｌ₂ Ｏ₃ （０．５％）を混ぜたターゲッ
トとを用いて、ＡｌドープされたＺｎＯ膜よりなる非一
軸配向膜７を２０００Åの厚さに形成した。なお、パワ
ーを５Ｗ／ｃｍ² とし、基板加熱温度を２００℃とし
た。また、スパッタガスにはＡｒとＯ₂ の混合ガス（Ａ
ｒ：９０ＳＣＣＭ，Ｏ₂：１０ＳＣＣＭ）を用い、圧力
を３ｍＴｏｒｒとし、放電時間を４分間とした。

【０２１０】さらに、実施例１、２と同様の方法で、Ｓ
ｉＯ₂ 微粒子並びに接着粒子の分散固着、及びシール剤
の塗布等を行った後に、２枚の基板２，３を貼り合わ
せ、液晶注入を行った。

【０２１１】次に、膜１７の評価を行うための評価用試
料３ＬＡ，３ＬＢの製造方法について説明する。

【０２１２】本実施例にて作成した評価用試料３ＬＡ，
３ＬＢは、実施例１の評価用試料１ＬＡ，１ＬＢ（図１
２参照）とは膜１７の形成方法のみを異ならせ、他の部
材（すなわち、ＩＴＯ膜５０、オーミックコンタクト層
５１、オーミック電極５２及びリード線５３）の構成並
びに製造方法は同じとした。すなわち、評価用試料３Ｌ
Ａにおいては、上述した液晶素子３Ａと同様の方法で膜
１７を形成し、他方の評価用試料３ＬＢにおいては、上
述した液晶素子３Ｂと同様の方法で膜１７を形成した。

【０２１３】次に、評価用試料３ＬＡ，３ＬＢを用いて
行う非一軸配向膜の評価について説明する。

【０２１４】非一軸配向膜の評価は、実施例１と同様
に、図１２に示す方法により行った。その結果、インピ
ーダンス極性比Ｚ_ratio は、評価用試料３ＬＡにおいて
はほぼ“１”となり、評価用試料３ＬＢにおいておよそ
１０となった。これにより、試料３ＬＡと試料３ＬＢと
では、非一軸配向膜７の電荷を出入りさせる能力が異な
ることが分かった。

【０２１５】次に、上述の方法で作成した液晶素子３
Ａ，３Ｂについて１画素の特性を、実施例１と同様の方
法で調べた。その結果、液晶素子３Ａが０．１Ｖで液晶
素子３Ｂが０．３〜０．４Ｖであり、液晶素子３Ｂの方
が少し劣ることが分かった。また、ヒステリシスは液晶
素子３Ａの方が０．５Ｖであるのに対し、液晶素子３Ｂ
の方は０．８Ｖと劣ることが分かった。

【０２１６】ここで、式 Ｚ_ratio ≦ｔ／（（ε_L ・ρ_I ）・（ｄ_I ／ｄ_L ）） について考察する。

【０２１７】本実施例の場合、非一軸配向膜の体積抵抗
率ρ_I ＝３×１０⁷ Ωｃｍであって上記実施例１及び２
とは異なり、又、ｔ＝１０〜２０μｓｅｃ、ｄ_I ＝２２
００Å（素子３Ａ）、２０００Å（素子３Ｂ）、ｄ_L ＝
２００００Å、ε_L ＝１．０×１０^-12 であった。上式
の右辺は３〜６（素子３Ａ）、３．３〜６．７（素子３
Ｂ）となる。そして、液晶素子３Ａの場合は、左辺（Ｚ
_ratio の実測値）は１であって上式を満足しており、液
晶素子３Ｂの場合は、左辺（Ｚ_ratio の実測値）は１０
であって上式を満足していない。したがって、本実施例
によれば、上式を満たす場合（評価用試料３ＬＡ、すな
わち液晶素子３Ａの場合）にはヒステリシスは小さくな
り、上式を満たさない場合（評価用試料３ＬＢ、すなわ
ち液晶素子３Ｂの場合）にはヒステリシスは大きくなる
ことから、上式を満たす限り適正であることが分かる。

【０２１８】さらに、作成した液晶素子３Ａを駆動する
と、実施例１における液晶素子１Ａと同様の効果が得ら
れたが、もう一方の液晶素子３Ｂを駆動すると、残像や
不良表示領域の成長や焼きつきが多少観察された。

【０２１９】一方、上述した電圧印加時間マージンパラ
メータＭ２（＝（Δｔ₂ −Δｔ₁ ）／（Δｔ₂ ＋Δｔ
₁ ））は、液晶素子３Ｂにおいてはインピーダンスの大
きい側のリセットで０．０５の低下があったにもかかわ
らず、液晶素子３Ａにおいてはどちら側（インピーダン
スの大きい側及びインピーダンスの小さい側）からのリ
セットに対しても等しくおよそ０．２５であった。この
際、駆動電圧のピーク値として上下の基板の電極間に２
０Ｖの電圧をかけても、液晶素子３Ａ，３Ｂともにショ
ートの起こる画素は、見られず、マージン改善の結果シ
ョート防止機能が低下するというトレードオフはなかっ
た。

【０２２０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
所定距離離間して配置される一対の基板と、これら一対
の基板の間に挟持される液晶と、を備え、かつ、一方の
基板が液晶分子に対して一軸配向特性を有し、他方の基
板が液晶分子に対して非一軸配向特性を有する液晶素子
において、前記非一軸配向特性を有する基板は、電極及
び該電極の液晶側に設けられた該電極と電気的特性の異
なる層からなり、かつ、該電極と該電極と電気的特性が
異なる層の間の一厚み方向に電圧を印加して観測される
インピーダンスと、その逆方向に電圧を印加して観測さ
れるインピーダンスとが異なり、

【０２２１】

【式７】 Ｚ_ratio ≦ｔ／（（ε_L ・ρ_I ）・（ｄ_I ／ｄ_L ）） ここで、Ｚ_ratio ；前記電極と該電極の液晶側に設けら
れた該電極と電気的特性の異なる層に一膜厚方向に電圧
を印加して観測されるインピーダンスと、その逆方向に
電圧を印加して観測されるインピーダンスとの比 ε_L ；液晶の誘電率 ｔ ；液晶素子を駆動する基本的なパルス間隔 ρ_I ；前記電極の液晶側に設けられた該電極と電気
的特性の異なる層の体積抵抗率 ｄ_I ；前記電極の液晶側に設けられた該電極と電気
的特性の異なる層の膜厚 ｄ_L ；前記液晶の厚さ とすることにより、ヒステリシスを小さくして、書き込
み不良や焼きつきを防止することができる。また、残像
を抑えて、速い応答性を得ることができ、ちらつきや不
良表示領域の成長を防止できる。さらに、ショートの発
生を防止した上で駆動マージンを向上させることができ
る。

【０２２２】また、前記電極の液晶側に設けられた該電
極と電気的特性の異なる層の体積抵抗率が１×１０⁶ 〜
１×１０⁹ Ωｃｍであるようにした場合には、隣接画素
間のクロストークの発生を防止でき、高解像度を維持で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶素子の一実施の形態を示す断
面図。

【図２】電極の形状等を示す模式図。

【図３】非一軸配向膜の膜厚方向の体積抵抗測定系を示
す説明図。

【図４】非一軸配向膜の膜面方向の体積抵抗測定系を示
す説明図。

【図５】液晶素子を組み込んだ液晶表示装置の全体構成
を示すブロック図。

【図６】本発明に係る液晶素子とグラフィックコントロ
ーラとの間の画像情報通信状態を示すタイミングチャー
ト図。

【図７】電極に印加する各信号の波形を示す波形図。

【図８】表示状態の一例を示す模式図。

【図９】図８に示す表示を行うための駆動信号の波形
図。

【図１０】駆動電圧と透過率との関係（すなわち、Ｖ−
Ｔ特性）を示す図。

【図１１】評価用試料の具体的構造を示す断面図。

【図１２】非一軸配向膜の評価方法を説明するための模
式図。

【図１３】液晶素子の特性を調べる様子を説明するため
の模式図。

【図１４】液晶素子におけるヒステリシス及びスイッチ
ングの非対称性を説明するための図。

【図１５】実施例２にて作成した液晶素子２Ａ，２Ｂの
具体的構造を示す断面図。

【図１６】実施例３にて作成した液晶素子２Ａ，２Ｂの
具体的構造を示す断面図。

【符号の説明】

１ 液晶素子 ２ 一軸配向側基板（基板） ３ 非一軸配向側基板（基板） ５ 液晶 ７ 非一軸配向膜 １０ 配向制御膜（一軸配向膜）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺田 匡宏 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定距離離間して配置される一対の基板
   と、これら一対の基板の間に挟持される液晶と、を備
   え、かつ、一方の基板が液晶分子に対して一軸配向特性
   を有する液晶素子において、 前記一対の基板の少なくとも一方が、電極及び該電極の
   液晶側に設けられた該電極と電気的特性が異なる層から
   なり、かつ、 該電極と該電極と電気的特性が異なる層の間の一厚み方
   向に電圧を印加して観測されるインピーダンスと、その
   逆方向に電圧を印加して観測されるインピーダンスとが
   異なり、 【式１】 Ｚ_ratio ≦ｔ／（（ε_L ・ρ_I ）・（ｄ_I ／ｄ_L ）） ここで、Ｚ_ratio ；前記電極と該電極の液晶側に設けら
   れた該電極と電気的特性の異なる層に一膜厚方向に電圧
   を印加して観測されるインピーダンスと、その逆方向に
   電圧を印加して観測されるインピーダンスとの比 ε_L ；液晶の誘電率 ｔ ；液晶素子を駆動する基本的なパルス間隔 ρ_I ；前記電極の液晶側に設けられた該電極と電気
   的特性の異なる層の体積抵抗率 ｄ_I ；前記電極の液晶側に設けられた該電極と電気
   的特性の異なる層の膜厚 ｄ_L ；前記液晶の厚さ が成立する、 ことを特徴とする液晶素子。
2. 【請求項２】 前記一対の基板のうち一方が液晶分子に
   対して一軸配向特性を有し、他方の基板が液晶分子に対
   して非一軸配向特性を有するものであり、少なくとも該
   非一軸配向特性を有する基板が前記インピーダンス特性
   を持つ電極と、該電極と電気的特性の異なる層とを有す
   る請求項１記載の液晶素子。
3. 【請求項３】 前記電極の液晶側に設けられた該電極と
   電気的特性の異なる層の体積抵抗率が１×１０⁶ 〜１×
   １０⁹ Ωｃｍである、ことを特徴とする請求項１に記載
   の液晶素子。
4. 【請求項４】 前記電極の液晶側に設けられた該電極と
   電気的特性の異なる層を、導電性制御不純物が添加され
   た多結晶金属酸化物又は多結晶半導体によって形成し
   た、 ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶素子。
5. 【請求項５】 前記非一軸配向特性を有する基板におい
   て電極の液晶側に設けられた該電極と電気的特性の異な
   る層を、絶縁性材料中に導電性制御不純物が添加された
   微粒子を分散させて形成した、 ことを特徴とする請求項２に記載の液晶素子。
6. 【請求項６】 前記液晶が、フルオロカーボン末端鎖及
   び炭化水素末端鎖からなり、該両末端鎖が中心核によっ
   て結合され、スメクチック中間相または潜在的スメクチ
   ック中間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有するカイ
   ラルスメクチック液晶である、 ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶素子。
7. 【請求項７】 前記フッ素含有液晶化合物が、以下の一
   般式（Ｉ）で表される、ことを特徴とする請求項６に記
   載の液晶素子。 【化１】 を表わす。ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数（但
   し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表わ
   す。夫々のＬ^１とＬ^２は独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ
   −、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ
   −Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔｅ−
   ＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ
   −、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−Ｏ−、−
   Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ
   ^１、Ｙ^１、Ｚ^１はＡ^１、Ａ^２、Ａ^３の置換基であり、独
   立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−Ｏ
   ＣＨ_３、−ＣＨ_３、−ＣＮ、又は−ＮＯ_２を表わし、夫
   々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の整数を表わす。
   Ｊ^１は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｒａ−、−Ｏ−（ＣＨ
   _２）_ｒａ−、−（ＣＨ_２）_ｒａ−、−Ｏ−ＳＯ_２−、−
   ＳＯ_２−、−ＳＯ_２−（ＣＨ_２）_ｒａ−、−Ｏ−（ＣＨ
   _２）_ｒａ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｒｂ−、−（ＣＨ_２）_ｒａ−
   Ｎ（Ｃ_ｐａＨ_{２ｐａ＋１}）−ＳＯ_２−、又は−（Ｃ
   Ｈ_２）_ｒａ−Ｎ（Ｃ_ｐａＨ_{２ｐａ＋１}）−ＣＯ−を表わ
   す。ｒａ及びｒｂは、独立に１〜２０であり、ｐａは０
   〜４である。Ｒ^１は、−Ｏ−Ｃ_ｑａＨ_２ｑａ−Ｏ−Ｃ
   _ｑｂＨ_{２ｑｂ＋１}、−Ｃ_ｑａＨ_２ｑａ−Ｏ−Ｃ_ｑｂＨ
   _{２ｑｂ＋１}、−Ｃ_ｑａＨ_２ｑａ−Ｒ^３、−Ｏ−Ｃ_ｑａＨ
   _２ｑａ−Ｒ^３、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_ｑａＨ_２ｑａ−Ｒ^３、又
   は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_ｑａＨ_２ｑａ−Ｒ^３を表わし、直鎖
   状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ^３は、−
   Ｏ−ＣＯ−Ｃ_ｑｂＨ_{２ｑｂ＋１}、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_ｑｂＨ
   _{２ｑｂ＋１}、−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ_３、−Ｎ
   Ｏ_２、−ＣＮを表わし、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０
   である）。Ｒ^２はＣ_ｘａＦ_２ｘａ−Ｘを表わす（Ｘは−
   Ｈ又は−Ｆを表わし、ｘａは１〜２０の整数である）。
8. 【請求項８】 前記フッ素含有液晶化合物が、以下の一
   般式（II）で表される、ことを特徴とする請求項６に記
   載の液晶素子。 【化２】 を表わす。ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３の
   整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２である）
   を表わす。夫々のＬ^３、Ｌ^４は独立に、単結合、−ＣＯ
   −Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、
   −ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
   Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ_２ＣＨ_２）_ｋａ−（ｋａは１〜
   ４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−
   Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＯ
   −又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ^２、Ｙ^２、Ｚ^２は
   Ａ^４、Ａ^５、Ａ^６の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃ
   ｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ_３、−ＣＨ
   _３、−ＣＦ_３、−Ｏ−ＣＦ_３、−ＣＮ、又は−ＮＯ_２を
   表わし、夫々のｊｂ、ｍｂ、ｎｂはそれぞれ０〜４の整
   数を表わす。Ｊ^２は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_ｒｃＨ_２ｒｃ−、
   −Ｏ−Ｃ_ｒｃＨ_２ｒｃ−、−Ｃ_ｒｃＨ_２ｒｃ−、−Ｏ−
   （Ｃ_ｓａＨ_２ｓａ−Ｏ）_ｔａ−Ｃ_ｒｄＨ_２ｒｄ−、−Ｏ
   −ＳＯ_２−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ_２−Ｃ_ｒｃＨ
   _２ｒｃ−、−Ｃ_ｒｃＨ_２ｒｃ−Ｎ（Ｃ
   _ｐｂＨ_{２ｐｂ＋１}）−ＳＯ_２−、−Ｃ_ｒｃＨ_２ｒｃ−Ｎ
   （Ｃ_ｐｂＨ_{２ｐｂ＋１}）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄ
   は独立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ_ｓａＨ
   _２ｓａ−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６で
   あり、ｐｂは０〜４である。Ｒ^４は、−Ｏ−（Ｃ_ｑｃＨ
   _２ｑｃ−Ｏ）_ｗａ−Ｃ_ｑｄＨ_{２ｑｄ＋１}、−（Ｃ_ｑｃＨ
   _２ｑｃ−Ｏ）_ｗａ−Ｃ_ｑｄＨ_{２ｑｄ＋１}、−Ｃ_ｑｃＨ
   _２ｑｃ−Ｒ^６、−Ｏ−Ｃ_ｑｃＨ_２ｑｃ−Ｒ^６、−ＣＯ−
   Ｏ−Ｃ_ｑｃＨ_２ｑｃ−Ｒ^６、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_ｑｃＨ
   _２ｑｃ−Ｒ^６を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであっ
   ても良い（但し、Ｒ^６は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_ｑｄＨ
   _{２ｑｄ＋１}、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_ｑｄＨ_{２ｑｄ＋１}、−Ｃ
   ｌ、−Ｆ、−ＣＦ_３、−ＮＯ_２、−ＣＮ、又は−Ｈを表
   わし、ｑｃ及びｑｄは独立に１〜２０の整数、ｗａは１
   〜１０の整数である）。Ｒ^５は、（Ｃ_ｘｂＦ_２ｘｂ−
   Ｏ）_ｚａ−Ｃ_ｙａＦ_{２ｙａ＋１}で表わされる（但し、上
   記式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ_ｘｂＦ_２ｘｂ−Ｏ）に独立
   に１〜１０であり、ｙａは１〜１０であり、ｚａは１〜
   １０である）。
9. 【請求項９】 前記カイラルスメクチック液晶が、強誘
   電性を示す液晶である、ことを特徴とする請求項６乃至
   ８のいずれか１項に記載の液晶素子。
10. 【請求項１０】 前記一般式（II）で表される化合物が
    フェニルピリミジンコアからなる化合物である、ことを
    特徴とする請求項８記載の液晶素子。
11. 【請求項１１】 前記一軸配向特性を有する基板はその
    表面に、液晶分子に対して一軸配向特性を有する一軸配
    向膜を有するものである、ことを特徴とする請求項１記
    載の液晶素子。