JPH11237737A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH11237737A5
JPH11237737A5 JP1998175129A JP17512998A JPH11237737A5 JP H11237737 A5 JPH11237737 A5 JP H11237737A5 JP 1998175129 A JP1998175129 A JP 1998175129A JP 17512998 A JP17512998 A JP 17512998A JP H11237737 A5 JPH11237737 A5 JP H11237737A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoactive component
photoactive
photoacid generator
component
base resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1998175129A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11237737A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP10175129A priority Critical patent/JPH11237737A/ja
Priority claimed from JP10175129A external-priority patent/JPH11237737A/ja
Priority to US09/367,605 priority patent/US6440632B2/en
Priority to KR1019997007467A priority patent/KR100591215B1/ko
Priority to EP98959161A priority patent/EP0962825A4/en
Priority to PCT/JP1998/005597 priority patent/WO1999032935A1/ja
Priority to TW087120892A priority patent/TW457402B/zh
Publication of JPH11237737A publication Critical patent/JPH11237737A/ja
Publication of JPH11237737A5 publication Critical patent/JPH11237737A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Description

すなわち、本発明の感光性樹脂組成物は、ベース樹脂と光活性成分とで構成された感光性樹脂組成物であって、光活性成分が、異なる波長λ1，λ2に吸収域を有する複数の光活性成分で構成されている。前記感光性樹脂組成物は、通常、ポジ型材料である。前記ベース樹脂はノボラック樹脂又はポリビニルフェノール系重合体であってもよい。前記光活性成分は、波長λ1に吸収域を有する第１の光活性成分と波長λ2に吸収域を有する第２の光活性成分とで構成でき、通常、第１及び第２の光活性成分のうち、一方の成分は、他方の成分の吸収波長に対して実質的に不活性である。
前記第１の光活性成分の吸収波長λ1と第２の光活性成分の吸収波長λ2とは、３０〜４５０ｎｍ程度離れていてもよい。また、前記第１の光活性成分および第２の光活性成分のうち一方の成分の吸収波長は、３００〜５５０ｎｍ程度であり、他方の成分の吸収波長は１００〜３５０ｎｍ程度であってもよい。
前記第１の光活性成分と第２の光活性成分は、ジアゾベンゾキノン誘導体及び／又はジアゾナフトキノン誘導体と、アジド化合物（芳香族アジド化合物など）、光酸発生剤、又は光酸発生剤および架橋剤（メラミン誘導体など）などとの組合せやアジド化合物と光酸発生剤との組合せなどで構成してもよい。
前記感光性樹脂組成物は、(i)前記ベース樹脂としてのノボラック樹脂と、前記第１の光活性成分としての(1a)ジアゾベンゾキノン誘導体及び／又はジアゾナフトキノン誘導体と、前記第２の光活性成分としての(2a)アジド化合物、(2b)光酸発生剤、又は(2c)光酸発生剤および架橋剤とで構成してもよく、又は(ii)前記ベース樹脂としてのポリビニルフェノール系重合体と、前記第１の光活性成分としての(1b)アジド化合物と、前記第２の光活性成分としての(2b)光酸発生剤とで構成してもよい。
本発明の方法には、ベース樹脂と、異なる波長λ1，λ2に吸収域を有する複数の光活性成分とを混合する感光性樹脂組成物の製造方法も含まれる。
さらに、本発明の方法には、前記感光性樹脂組成物に波長λ1及びλ2のうち一方の波長の光線を露光してパターンを形成した後、他方の波長の光線で全面露光するパターン形成方法も含まれる。このパターン形成方法において、全面露光により、感光層表面を現像液に対して難溶化処理してもよい。

Claims (1)

  1. ベース樹脂と光活性成分とで構成された感光性樹脂組成物であって、光活性成分が、異なる波長λ1，λ2に吸収域を有する第１及び第２の光活性成分で構成され、かつ一方の光活性成分が他方の光活性成分の吸収波長に対して実質的に不活性であり、 (i) 前記ベース樹脂としてのノボラック樹脂と、前記第１の光活性成分としての (1a) ジアゾベンゾキノン誘導体及び／又はジアゾナフトキノン誘導体と、前記第２の光活性成分としての (2a) アジド化合物、 (2b) 光酸発生剤、又は (2c) 光酸発生剤および架橋剤とで構成されるか、又は (ii) 前記ベース樹脂としてのポリビニルフェノール系重合体と、前記第１の光活性成分としての (1b) アジド化合物と、前記第２の光活性成分としての (2b) 光酸発生剤とで構成されているポジ型感光性樹脂組成物。
JP10175129A 1997-12-19 1998-06-22 感光性樹脂組成物およびその製造方法 Pending JPH11237737A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10175129A JPH11237737A (ja) 1997-12-19 1998-06-22 感光性樹脂組成物およびその製造方法
US09/367,605 US6440632B2 (en) 1997-12-19 1998-12-10 Photosensitive resin composition and process for producing the same
KR1019997007467A KR100591215B1 (ko) 1997-12-19 1998-12-10 감광성 수지 조성물 및 그의 제조 방법
EP98959161A EP0962825A4 (en) 1997-12-19 1998-12-10 PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
PCT/JP1998/005597 WO1999032935A1 (fr) 1997-12-19 1998-12-10 Composition a base de resine photosensible et procede de fabrication correspondant
TW087120892A TW457402B (en) 1997-12-19 1998-12-16 Photosensitive resin composition, manufacturing method thereof and a method for forming a pattern by using the composition

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35130997 1997-12-19
JP9-351309 1997-12-19
JP10175129A JPH11237737A (ja) 1997-12-19 1998-06-22 感光性樹脂組成物およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11237737A JPH11237737A (ja) 1999-08-31
JPH11237737A5 true JPH11237737A5 (ja) 2005-10-20

Family

ID=26496486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10175129A Pending JPH11237737A (ja) 1997-12-19 1998-06-22 感光性樹脂組成物およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6440632B2 (ja)
EP (1) EP0962825A4 (ja)
JP (1) JPH11237737A (ja)
KR (1) KR100591215B1 (ja)
TW (1) TW457402B (ja)
WO (1) WO1999032935A1 (ja)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1312982A4 (en) * 2000-07-27 2007-11-07 Jsr Corp RADIATION SENSITIVE COMPOSITION, INSULATING FILM AND ELECTROLUMINESCENCE SCREEN
US6746821B2 (en) 2000-10-31 2004-06-08 Infineon Technologies Ag Method of structuring a photoresist layer
DE10106861C1 (de) * 2001-02-14 2003-02-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung feiner Resiststrukturen bei der Herstellung mikroelektronischer Bauelemente
JP4514347B2 (ja) * 2001-02-23 2010-07-28 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法
DE10120674B4 (de) 2001-04-27 2005-06-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE10120675B4 (de) 2001-04-27 2005-07-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE10120673B4 (de) 2001-04-27 2007-01-25 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE10120676B4 (de) 2001-04-27 2005-06-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
JP3901997B2 (ja) * 2001-11-27 2007-04-04 富士通株式会社 レジスト材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
KR100451505B1 (ko) * 2001-12-15 2004-10-06 주식회사 하이닉스반도체 마스크 패턴 형성방법
US7022452B2 (en) 2002-09-04 2006-04-04 Agilent Technologies, Inc. Contrast enhanced photolithography
KR20040032468A (ko) * 2002-10-10 2004-04-17 주식회사 아담스테크놀로지 고개구율 액정표시소자의 유기절연막용 레지스트 조성물
JP2004177683A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Clariant (Japan) Kk 超高耐熱ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4622282B2 (ja) * 2003-03-26 2011-02-02 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子
KR101055215B1 (ko) * 2004-08-30 2011-08-08 동우 화인켐 주식회사 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물
JP5137410B2 (ja) * 2006-06-09 2013-02-06 キヤノン株式会社 感光性化合物、感光性組成物、レジストパターンの形成方法及び基板の加工方法
JP5317463B2 (ja) * 2007-11-19 2013-10-16 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
WO2011133680A2 (en) * 2010-04-22 2011-10-27 Board Of Regents The University Of Texas System Novel dual-tone resist formulations and methods
KR20120107653A (ko) 2011-03-22 2012-10-04 삼성디스플레이 주식회사 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법
KR20140015869A (ko) * 2012-07-26 2014-02-07 삼성디스플레이 주식회사 포토 레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
JP6438645B2 (ja) * 2013-09-26 2018-12-19 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、パターン形成方法、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法、及び電子デバイスの製造方法
KR20160070801A (ko) * 2013-12-26 2016-06-20 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 적층체
TWI575566B (zh) 2014-02-24 2017-03-21 東京威力科創股份有限公司 與光敏化化學放大光阻化學品及程序一起使用的方法及技術
US10020195B2 (en) * 2014-02-25 2018-07-10 Tokyo Electron Limited Chemical amplification methods and techniques for developable bottom anti-reflective coatings and dyed implant resists
US10048594B2 (en) 2016-02-19 2018-08-14 Tokyo Electron Limited Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) model calibration
US10429745B2 (en) 2016-02-19 2019-10-01 Osaka University Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) simulation
CN109313395B (zh) 2016-05-13 2021-05-14 东京毅力科创株式会社 通过使用光剂来进行的临界尺寸控制
WO2017197279A1 (en) 2016-05-13 2017-11-16 Tokyo Electron Limited Critical dimension control by use of photo-sensitized chemicals or photo-sensitized chemically amplified resist
WO2020014026A1 (en) * 2018-07-09 2020-01-16 Applied Materials, Inc. Photoresist composition for line doubling
KR102898764B1 (ko) 2019-08-16 2025-12-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 확률 중심 결함 교정을 위한 방법 및 공정
US20220365432A1 (en) * 2019-11-25 2022-11-17 Merck Patent Gmbh Chemically amplified photoresist
CN121586866A (zh) * 2023-07-31 2026-02-27 株式会社东进世美肯 感光性树脂组合物、绝缘膜以及包含所述绝缘膜的显示装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5979248A (ja) 1982-10-29 1984-05-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 感光性組成物
DE3337315A1 (de) * 1982-10-13 1984-04-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa Zweifach-lichtempfindliche zusammensetzungen und verfahren zur erzeugung bildmustergemaesser photoresistschichten
CA1265948A (en) * 1983-11-02 1990-02-20 Olin Hunt Specialty Products Inc. Thermally stable positive resist
JPS6270837A (ja) 1985-09-24 1987-04-01 Sony Corp ポジ型レジスト及びその形成方法
JPS62100751A (ja) 1985-10-24 1987-05-11 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 自己整合パタ−ンの形成方法
JPS62249144A (ja) 1986-04-22 1987-10-30 Konika Corp 感光性組成物及び感光性平版印刷版
JPH0210345A (ja) 1988-06-29 1990-01-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成材料及びパターン形成方法
JPH03253858A (ja) 1990-03-05 1991-11-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> パターン形成材料及びパターン形成方法
JPH03276156A (ja) 1990-03-27 1991-12-06 Sony Corp ブロードバンド光源用レジスト
US5230719A (en) 1990-05-15 1993-07-27 Erling Berner Dehumidification apparatus
JPH05127385A (ja) 1991-10-31 1993-05-25 Nec Corp 感光性樹脂
JPH05127371A (ja) 1991-11-01 1993-05-25 Hitachi Ltd パタン形成方法
JPH0736187A (ja) 1993-07-15 1995-02-07 Nippon Kayaku Co Ltd ネガ型化学増幅系レジスト組成物
JPH07219216A (ja) * 1994-01-31 1995-08-18 Nippon Kayaku Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物及びそれを用いるパターン形成法
JPH09288348A (ja) 1996-02-22 1997-11-04 Toray Ind Inc 水なし平版印刷版原版およびその製造方法
JP3253858B2 (ja) 1996-07-26 2002-02-04 株式会社マキタ 連続ねじ締付機のねじ送り装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11237737A5 (ja)
KR102052032B1 (ko) 레지스트 적용에서 광산 발생제로서의 술폰산 유도체 화합물
US20030162120A1 (en) Compositions for anti-reflective light absorbing layer and method for forming patterns in semiconductor device using the same
US20090104566A1 (en) Process of multiple exposures with spin castable film
JP4852360B2 (ja) 多層リソグラフィプロセスにおいて用いられる複素環芳香族構造物を含む基層組成物、リソグラフィ構造物、材料層または材料要素を基板上に形成させる方法
JP2005519456A5 (ja)
EP1054296A2 (en) Fine pattern forming method
EP0917000A3 (en) Positive resist composition and method for forming a resist pattern
JPH0419666A (ja) 感光性樹脂組成物
JP4514583B2 (ja) 有機反射防止膜組成物及びこれを利用したフォトレジストのパターン形成方法
JPH02132446A (ja) 微細レジストパターンの形成方法
JPH06503187A (ja) 写真石版法によってパターンを形成した感光性塗料
JP2009507263A (ja) リソグラフィー・パターニング法
JPH1055068A (ja) 高分解能リソグラフィを用いる半導体装置の製造方法及び装置
JP2797256B2 (ja) 耐高熱性レリーフ構造体の製法
JP2003257089A5 (ja)
JP2000241989A (ja) ホトリソグラフィー構造の製造方法
US6727046B1 (en) Process for making a periodic profile
JPS6240697B2 (ja)
KR20000064553A (ko) 양각포토레지스트조성물의열처리법
JPS6048023B2 (ja) ポジ型レジスト
JP2687567B2 (ja) ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法
JPH085812A (ja) λ／４シフト回折格子の製造方法
JP2676833B2 (ja) フォトレジストパターンの形成方法
JPS63220140A (ja) パタ−ン形成方法