JPH1129529A - ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類 - Google Patents

ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類

Info

Publication number
JPH1129529A
JPH1129529A JP18130797A JP18130797A JPH1129529A JP H1129529 A JPH1129529 A JP H1129529A JP 18130797 A JP18130797 A JP 18130797A JP 18130797 A JP18130797 A JP 18130797A JP H1129529 A JPH1129529 A JP H1129529A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
butyl ester
acid
butyl
carboxylic acid
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP18130797A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3808178B2 (ja
Inventor
Minetada Taira
嶺 正 平
Toru Masuda
田 透 増
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honshu Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Honshu Chemical Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honshu Chemical Industry Co Ltd filed Critical Honshu Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP18130797A priority Critical patent/JP3808178B2/ja
Publication of JPH1129529A publication Critical patent/JPH1129529A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3808178B2 publication Critical patent/JP3808178B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Medicinal Preparation (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】本発明のヒト゛ロ芳香族カルホ゛ン酸t-フ゛チルエステル類
は、シクロヘキサンカルホ゛ン酸t-フ゛チルエステル類;-OH、メチル、t-フ゛チル、メトキシ
またはトリフルオロメチル基を有するシクロヘキサンモノカルホ゛ン酸t-フ゛チルエステ
ル類;ヒト゛ロナフタレンカルホ゛ン酸t-フ゛チルエステル類;-OH基1個を有するヒ
ト゛ロナフタレンモノカルホ゛ン酸t-フ゛チルエステル類;シ゛シクロヘキシルカルホ゛ン酸t-フ゛
チルエステル類;-OH基1個を有するシ゛シクロヘキシルモノカルホ゛ン酸t-フ゛チルエ
ステル類;t-フ゛トキシカルホ゛ニル基を有するシ゛シクロヘキシルエーテル類および
シ゛シクロヘキシルケトン類;4,4'-(ヘキサフルオロイソフ゜ロヒ゜リテ゛ン)シ゛シクロヘキシルカ
ルホ゛ン酸t-フ゛チルエステル類;-OH基1個とt-フ゛トキシカルホ゛ニル基1個を
有するシ゛シクロヘキシルエーテル類およびシ゛シクロヘキシルケトン類;-OH基1個
を有する4,4'-(ヘキサフルオロイソフ゜ロヒ゜リテ゛ン)シ゛シクロヘキシルカルホ゛ン酸t
-フ゛チルエステル類である。 【効果】上記エステル類は、ArF、KrFエキシマレシ゛スト等で代表され
る、各種放射線を使用する化学増幅型レシ゛スト用の溶解抑
制剤として、また各種合成品の中間体として非常に有用
である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の技術分野】本発明は、新規なヒドロ芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類に関し、さらに詳しくは、ア
ルゴンフルオライド(ArF)またはクリプトンフルオ
ライド(KrF)エキシマレジスト等で代表される、各
種放射線を使用する化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤
として有用であり、さらには各種合成品の中間体として
有用なヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に関
する。
【0002】
【発明の技術的背景】アルゴンフルオライド(ArF)
またはクリプトンフルオライド(KrF)エキシマレジ
スト用の溶解抑制剤としては、短波長紫外線領域にある
ArFまたはKrFレーザーに対する透過性(透明性)
に優れ、しかも現像時に画像部の耐エッチング性を向上
させるような化合物が求められている。
【0003】従来、耐エッチング性の高い溶解抑制剤と
してベンゼン環含有の有機化合物が知られているが、短
波長紫外線領域にあるArFまたはKrFレーザーに対
する透過性が低い。特にArFレーザーに対する透過性
が低いため、ベンゼン環含有有機化合物は、ArFエキ
シマレジスト用の溶解抑制剤として使用することは困難
である。
【0004】また、上記の耐エッチング性と透明性を備
えた溶解抑制剤の材料として、脂環式有機化合物が提案
されている。特にヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テルが望ましいが、ヒドロ芳香環に直接結合したカルボ
キシル基をt-ブチルエステル化するのは難しいため、こ
のような有機化合物の検討は殆どなされていない。特に
ヒドロ芳香環に複数のt-ブチルエステル基が結合した化
合物は、その合成が極めて困難になるため、検討されて
いない。
【0005】したがって、上記溶解抑制剤の材料として
有用な新規なヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類、特にヒドロ芳香環に複数のt-ブチルエステル基が結
合した化合物の出現が望まれている。
【0006】
【発明の目的】本発明は、アルゴンフルオライド(Ar
F)またはクリプトンフルオライド(KrF)エキシマ
レジスト等の化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤とし
て、さらには各種合成品の中間体として有用なヒドロ芳
香族カルボン酸t-ブチルエステル類を提供することを目
的としている。
【0007】
【発明の概要】本発明に係るヒドロ芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類は、少なくとも1個のt-ブトキシカル
ボニル基を有するヒドロ芳香環を含む、下記一般式
[I]、[II]、[III]、[III]’、[IV]、[I
V]’、[V]、または[V]’で表わされる。
【0008】
【化9】
【0009】[式中、nは、2〜4の整数である。]
【0010】
【化10】
【0011】[式中、Xは、水酸基、メチル基、t-ブチ
ル基、メトキシ基またはトリフルオロメチル基であり、
pは1〜4の整数である。]
【0012】
【化11】
【0013】[式中、mおよびnは、それぞれ0〜2の
整数であり、かつ、m+nは、1または2である。]
【0014】
【化12】
【0015】
【化13】
【0016】[式中、mおよびnは、それぞれ0〜4の
整数であり、かつ、m+nは、1〜4の整数である。]
【0017】
【化14】
【0018】
【化15】
【0019】[式中、Yは、酸素原子、カルボニル基、
またはヘキサフルオロイソプロピリデン基であり、mお
よびnは、それぞれ0〜4の整数であり、かつ、m+n
は、1〜4の整数である。]
【0020】
【化16】
【0021】[式中、Yは、酸素原子、カルボニル基、
またはヘキサフルオロイソプロピリデン基である。] 上記ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類として
は、下記の化合物が好ましい。 (1)前記一般式[I]において、n=2であるヒドロ
芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。 (2)前記一般式[II]において、Xがメトキシ基また
はトリフルオロメチル基であるヒドロ芳香族カルボン酸
t-ブチルエステル類。 (3)前記一般式[III]において、n=2であるヒドロ
芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。 (4)前記一般式[IV]において、n=2であるヒドロ
芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。 (5)前記一般式[V]において、n=2であるヒドロ
芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
【0022】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係るヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類について具体的に説明す
る。
【0023】本発明に係るヒドロ芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類は、少なくとも1個のt-ブトキシカルボ
ニル基を有するヒドロ芳香環を含む、下記一般式
[I]、[II]、[III]、[III]’、[IV]、[I
V]’、[V]または[V]’で表わされる。
【0024】
【化17】
【0025】一般式[I]中、nは、2〜4の整数であ
る。上記一般式[I]で表わされるヒドロ芳香族カルボ
ン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、1,2-シ
クロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,3-シク
ロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,4-シクロ
ヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,2,4-シクロ
ヘキサントリカルボン酸t-ブチルエステル、1,2,4,5-シ
クロヘキサンテトラカルボン酸t-ブチルエステルなどが
挙げられる。
【0026】
【化18】
【0027】一般式[II]中、Xは、水酸基、メチル
基、t-ブチル基、メトキシ基またはトリフルオロメチル
基であり、pは1〜4の整数である。上記一般式[II]
で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類としては、具体的には、2-メチル-1- シクロヘキサン
カルボン酸t-ブチルエステル、3-メチル-1- シクロヘキ
サンカルボン酸t-ブチルエステル、4-メチル-1- シクロ
ヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、4-t-ブチル-1-
シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、4-メトキ
シ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、2-
トリフルオロメチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブ
チルエステル、4-トリフルオロメチル-1- シクロヘキサ
ンカルボン酸t-ブチルエステル、2-ヒドロキシ-1- シク
ロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、4-ヒドロキシ
-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステルなどが
挙げられる。
【0028】
【化19】
【0029】一般式[III]中、mおよびnは、それぞれ
0〜2の整数であり、かつ、m+nは、1または2であ
る。上記一般式[III]で表わされるヒドロ芳香族カルボ
ン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、1-デカ
ヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、2-デカ
ヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、2,7-デ
カヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,
4-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0030】
【化20】
【0031】上記一般式[III]’で表わされるヒドロ芳
香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的に
は、7-ヒドロキシ-2- デカヒドロナフタレンカルボン酸
t-ブチルエステル、5-ヒドロキシ-2- デカヒドロナフタ
レンカルボン酸t-ブチルエステル、6-ヒドロキシ-1- デ
カヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステルなどが
挙げられる。
【0032】
【化21】
【0033】一般式[IV]中、mおよびnは、それぞれ
0〜4の整数であり、かつ、m+nは、1〜4の整数で
ある。上記一般式[IV]で表わされるヒドロ芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、4-ジ
シクロヘキシルカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'- ジ
シクロヘキシルジカルボン酸t-ブチルエステル、3,3',4
- ジシクロヘキシルトリカルボン酸t-ブチルエステル、
3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチル
エステルなどが挙げられる。
【0034】
【化22】
【0035】上記一般式[IV]’で表わされるヒドロ芳
香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的に
は、4'- ヒドロキシ-4- ジシクロヘキシルカルボン酸t-
ブチルエステルなどが挙げられる。
【0036】
【化23】
【0037】一般式[V]中、Yは、酸素原子、カルボ
ニル基、またはヘキサフルオロイソプロピリデン基(−
(F3C)C(CF3)−基)である。mおよびnは、そ
れぞれ0〜4の整数であり、かつ、m+nは、1〜4の
整数である。
【0038】上記一般式[V]で表わされるヒドロ芳香
族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的に
は、4-(t-ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエー
テル、4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキ
シルエーテル、3,4,4'-(トリ-t- ブトキシカルボニル)
ジシクロヘキシルエーテル、3,3',4,4'-(テトラ-t- ブ
トキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル、4,4'-
(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1- ジシクロヘキ
シルカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオ
ロイソプロピリデン)-1,1'-ジシクロヘキシルジカルボ
ン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロ
ピリデン)-1,1',2-ジシクロヘキシルトリカルボン酸t-
ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン)-1,1',2,2'- ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-
ブチルエステル、4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジ
シクロヘキシルケトン、3,3',4,4'-(テトラ-t- ブトキ
シカルボニル)ジシクロヘキシルケトンなどが挙げられ
る。
【0039】
【化24】
【0040】一般式[V]’におけるYは、上記一般式
[V]のYと同じである。上記一般式[V]’で表わさ
れるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類として
は、具体的には、4-ヒドロキシ-4'-t-ブトキシカルボニ
ルジシクロヘキシルエーテルなどが挙げられる。
【0041】ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類の合成法 上記一般式[I]、[II]、[III]、[III]’、[I
V]、[IV]’、[V]および[V]’で表わされるヒ
ドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、たとえば
目的とするヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類
に対応する芳香族カルボン酸ブチルエステル類の芳香核
に、貴金属触媒または貴金属担持触媒または貴金属錯体
触媒の存在下で、水素添加することにより合成すること
ができる。
【0042】上記一般式[I]で表わされるヒドロ芳香
族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[Ia]で表わ
される。
【0043】
【化25】
【0044】式[Ia]中、nは、2〜4の整数であ
る。上記式[Ia]で表わされる芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類としては、具体的には、1,2-ベンゼンジ
カルボン酸t-ブチルエステル(=フタル酸ジ-t- ブチル
エステル)、1,3-ベンゼンジカルボン酸t-ブチルエステ
ル(=イソフタル酸ジ-t- ブチルエステル)、1,4-ベン
ゼンジカルボン酸t-ブチルエステル(=テレフタル酸ジ
-t- ブチルエステル)、1,2,4-ベンゼントリカルボン酸
t-ブチルエステル(=トリメリット酸トリt-ブチルエス
テル)、1,2,4,5-ベンゼンテトラカルボン酸t-ブチルエ
ステル(=ピロメリット酸テトラ-t- ブチルエステル)
などが挙げられる。
【0045】上記一般式[II]で表わされるヒドロ芳香
族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IIa]で表わ
される。
【0046】
【化26】
【0047】式[IIa]中、Xは、水酸基、メチル基、
t-ブチル基、メトキシ基またはトリフルオロメチル基で
あり、pは1〜4の整数である。上記式[IIa]で表わ
される芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、
具体的には、o-トルイル酸t-ブチルエステル、m-トルイ
ル酸t-ブチルエステル、p-トルイル酸t-ブチルエステ
ル、4-t-ブチル安息香酸t-ブチルエステル、4-メトキシ
安息香酸t-ブチルエステル、2-メトキシ安息香酸t-ブチ
ルエステル、2-トリフルオロメチル安息香酸t-ブチルエ
ステル、4-トリフルオロメチル安息香酸t-ブチルエステ
ル、2-ヒドロキシ安息香酸t-ブチルエステル、4-ヒドロ
キシ安息香酸t-ブチルエステルなどが挙げられる。
【0048】上記一般式[III]で表わされるヒドロ芳香
族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IIIa]で表わ
される。
【0049】
【化27】
【0050】式[IIIa]中、mおよびnは、それぞれ0
〜2の整数であり、かつ、m+nは、1または2であ
る。上記式[IIIa]で表わされる芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類としては、具体的には、α- ナフトエ酸
t-ブチルエステル、β- ナフトエ酸t-ブチルエステル、
2,6-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,4-ナ
フタレンジカルボン酸t-ブチルエステルなどが挙げられ
る。
【0051】上記一般式[III]’で表わされるヒドロ芳
香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カ
ルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IIIa]’で
表わされる。
【0052】
【化28】
【0053】上記式[IIIa]’で表わされる芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、5-ヒ
ドロキシ-1- ナフトエ酸t-ブチルエステル、6-ヒドロキ
シ-2- ナフトエ酸t-ブチルエステル、4-ヒドロキシ-1-
ナフトエ酸t-ブチルエステルなどが挙げられる。
【0054】上記一般式[IV]で表わされるヒドロ芳香
族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IVa]で表わ
される。
【0055】
【化29】
【0056】式[IVa]中、mおよびnは、それぞれ0
〜4の整数であり、かつm+nは、1〜4の整数であ
る。上記式[IVa]で表わされる芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類としては、具体的には、4-ビフェニルカ
ルボン酸t-ブチルエステル、4,4'- ビフェニルジカルボ
ン酸t-ブチルエステル、3,3',4- ビフェニルトリカルボ
ン酸t-ブチルエステル、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカ
ルボン酸t-ブチルエステルなどが挙げられる。
【0057】上記一般式[IV]’で表わされるヒドロ芳
香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カ
ルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IVa]’で
表わされる。
【0058】
【化30】
【0059】上記式[IVa]’で表わされる芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、4'-
ヒドロキシ-4- ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
【0060】上記一般式[V]で表わされるヒドロ芳香
族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[Va]で表わ
される。
【0061】
【化31】
【0062】式[Va]中、Yは、酸素原子、カルボニ
ル基、またはヘキサフルオロイソプロピリデン基であ
る。mおよびnは、それぞれ0〜4の整数であり、か
つ、m+nは、1〜4の整数である。
【0063】上記式[Va]で表わされる芳香族カルボ
ン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、4-(t-
ブトキシカルボニル)ジフェニルエーテル、4,4'-(ジ-t
- ブトキシカルボニル)ジフェニルエーテル、3,4,4'-
(トリ-t- ブトキシカルボニル)ジフェニルエーテル、
3,3',4,4'-(テトラ-t- ブトキシカルボニル)ジフェニ
ルエーテル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)
-1- ジフェニルカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘ
キサフルオロイソプロピリデン)-1,1'-ジフェニルジカ
ルボン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソ
プロピリデン)-1,1',2-ジフェニルトリカルボン酸t-ブ
チルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン)-1,1',2,2'- ジフェニルテトラカルボン酸t-ブチル
エステル、4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ベンゾフ
ェノン、3,3',4,4'-(テトラ-t- ブトキシカルボニル)
ベンゾフェノン、などが挙げられる。
【0064】上記一般式[V]’で表わされるヒドロ芳
香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カ
ルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[Va]’で
表わされる。
【0065】
【化32】
【0066】式[Va]’におけるYは、上記式[V
a]’のYと同じである。上記式[Va]’で表わされ
る芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体
的には、4-ヒドロキシ-4'-t- ブトキシカルボニルフェ
ニルエーテルなどが挙げられる。
【0067】この合成法で用いられる水素化金属触媒と
しては、貴金属触媒、貴金属担持触媒および貴金属錯体
触媒が好ましい。特に貴金属担持触媒が触媒の価格、回
収等の点から工業的に好ましい。
【0068】貴金属触媒、貴金属担持触媒および貴金属
錯体触媒の貴金属触媒成分としては、具体的には、ロジ
ウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、パラジウム(P
d)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金
(Pt)、金(Au)、銀(Ag)が挙げられる。
【0069】また、貴金属担持触媒に用いられる担体と
しては、具体的には、カーボン、アルミナ、シリカなど
が挙げられる。この合成法においては、ロジウムカーボ
ン、パラジウムカーボン、ルテニウムカーボン、ロジウ
ムアルミナ、パラジウムアルミナ、ルテニウムアルミナ
等の貴金属担持触媒が好ましく用いられる。
【0070】貴金属触媒および貴金属担持触媒は、芳香
族カルボン酸t-ブチルエステル類の使用量100重量部
に対して、0.1〜50重量部、好ましくは1〜20重
量部の量で用いられる。
【0071】また、この合成法においては、反応温度で
融解する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類を原料と
する場合、溶媒を用いる必要はないが、反応温度で融解
しない芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類を原料とし
て用いる場合、その芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類を溶解することができる溶媒が用いられる。
【0072】このような溶媒としては、具体的には、テ
トラヒドロフラン(THF)、ジオキソラン、ジオキサ
ン等のエーテル類;メタノール、イソプロピルアルコー
ル、ブタノール等のアルコール類;エチレングリコール
等の多価アルコール類;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエ
ステル類などが挙げられる。これらの溶媒は、原料の溶
解性や反応性に合わせ、適宜用いれば良いが、反応性の
特に悪いものには、tーブタノールが、反応速度を高める
ため好ましく使用される。
【0073】上記のような溶媒は、芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類使用量の0〜50倍、好ましくは0〜
10倍の量で用いられる。上記芳香族カルボン酸t-ブチ
ルエステル類の芳香核に水素添加する反応条件について
は、反応温度は、室温〜200℃、好ましくは50〜1
50℃であり、反応圧力は、常圧〜100kg/c
2 、好ましくは30〜70kg/cm2 、より好まし
くは50kg/cm2 程度であり、反応時間は、反応温
度と反応圧力により異なるが、数十分〜数十時間、好ま
しくは数十分〜数時間である。
【0074】上記の一般式[Ia]、[IIa]、[III
a]、[IIIa]’、[IVa]、[IVa]’、[Va]または
[Va]’で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テル類の芳香核に、上記のような反応条件で、貴金属触
媒、貴金属担持触媒または貴金属錯体触媒の存在下で水
素添加することにより、本発明に係るヒドロ芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類が生成する。この反応収率
は、水添前の物質によって異なるが、50〜100%で
ある。
【0075】上記水素添加後、触媒の除去、溶媒の除去
ないし生成物の濃縮の工程を経て、得られた本発明に係
るヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類をそのま
ま製品とすることができる。
【0076】また、上記工程を経た後、さらに溶媒を添
加して再結晶するか、あるいは蒸留することにより、ヒ
ドロ芳香族カルボン酸エステル類を精製し、この精製品
を製品とすることもできる。
【0077】この製品性状は、結晶、または塊状固体、
アメ状固体あるいは液状である。
【0078】
【発明の効果】本発明に係るヒドロ芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類製品は、アルゴンフルオライド(Ar
F)またはクリプトンフルオライド(KrF)エキシマ
レジスト等の化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤として
非常に有用である。さらには、ArF、KrF以外の、
電子線、X線、紫外線等の各種放射線レジスト用の溶解
抑制剤としても有用である。
【0079】また、このヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチ
ルエステル類は、酸によりt-ブチルエステル基を容易に
脱離させることができるので、ヒドロ芳香族カルボン酸
類を用いる各種合成品の中間体、たとえば医農薬品、機
能性色素、機能性材料、ポリエステル、ポリイミド、ポ
リアミド等の樹脂、各種添加剤の中間体として有用であ
る。
【0080】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【0081】
【実施例1】 [2,7-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエス
テルの製造]原料として2,6-ナフタレンジカルボン酸t-
ブチルエステル25g、溶媒としてテトラヒドロフラン
200gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウムカー
ボン2g(50%ウェット品)を、撹拌付き500ml
容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度10
0℃、水素圧力20kg/cm2 Gの条件下で、4時間
半、撹拌した。
【0082】反応終了後、得られた反応混合物を常温ま
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる2,7-デカヒド
ロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル25.2g
を白色塊状固体として得た。この2,7-デカヒドロナフタ
レンジカルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体
クロマトグラフィー(HPLC、RI検出器)で測定し
た結果、96.8%であった。
【0083】
【化33】
【0084】なお上記2,7-デカヒドロナフタレンジカル
ボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NMR、マス
スペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以
下にその測定データを示す。 (1)H1-NMR(60MHz)
【0085】
【表1】
【0086】(2)マススペクトル(DI法) 分子イオンピーク(m/e):338 フラグメントピーク :283、227、208 (3)赤外線吸収スペクトル C=O :1720cm-1 C−O−C :1160cm-1
【0087】
【実施例2】 [3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチ
ルエステルの製造]原料として3,3',4,4'-ビフェニルテ
トラカルボン酸t-ブチルエステル30g、溶媒としてテ
トラヒドロフラン200gおよび貴金属担持触媒として
5%ロジウムカーボン3g(50%ウェット品)を、撹
拌付き500ml容量のステンレス製オートクレーブに
仕込み、温度100℃、水素圧力30kg/cm2 Gの
条件下で、30分間、撹拌した。
【0088】反応終了後、得られた反応混合物を常温ま
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる3,3',4,4'-ジ
シクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステル3
0.1gを白色塊状として得た。
【0089】この3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカ
ルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマト
グラフィー(HPLC、RI検出器)で測定した結果、
95.1%であった。
【0090】
【化34】
【0091】なお上記3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテト
ラカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NM
R、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行な
った。以下にその測定データを示す。 (1)H1-NMR(60MHz)
【0092】
【表2】
【0093】(2)マススペクトル(DI法) 分子イオンピーク(m/e):566(微弱) フラグメントピーク :334、307 (3)赤外線吸収スペクトル C=O :1710cm-1 C−O−C :1160cm-1
【0094】
【実施例3】 [1,3-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステルの
製造]原料としてイソフタル酸ジt-ブチルエステル20
g、溶媒としてテトラヒドロフラン200gおよび貴金
属担持触媒として5%ロジウムカーボン2g(50%ウ
ェット品)を、撹拌付き500ml容量のステンレス製
オートクレーブに仕込み、温度100℃、水素圧力50
kg/cm2 Gの条件下で、20分間、撹拌した。
【0095】反応終了後、得られた反応混合物を常温ま
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる1,3-シクロヘ
キサンジカルボン酸t-ブチルエステル20.1gを無色
透明液体として得た。
【0096】この1,3-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブ
チルエステルの純度は、高速液体クロマトグラフィー
(HPLC、RI検出器)で測定した結果、96.7%
であった。
【0097】
【化35】
【0098】なお上記1,3-シクロヘキサンジカルボン酸
t-ブチルエステルの同定は、H1 −NMR、マススペク
トル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以下にそ
の測定データを示す。 (1)H1-NMR(60MHz)
【0099】
【表3】
【0100】(2)マススペクトル(DI法) 分子イオンピーク(m/e):検出不能 フラグメントピーク :211、173、155 (3)赤外線吸収スペクトル C=O :1730cm-1 C−O−C :1160cm-1
【0101】
【実施例4】 [2-トリフルオロメチルシクロヘキサンカルボン酸t-ブ
チルエステルの製造]原料として2-トリフルオロメチル
安息香酸t-ブチルエステル20g、溶媒としてt-ブタノ
ール200gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウム
カーボン4g(50%ウェット品)を、撹拌付き500
ml容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度
100℃、水素圧力100kg/cm2 Gの条件下で、
30分間、撹拌した。
【0102】反応終了後、得られた反応混合物を常温ま
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる2-トリフルオ
ロメチルシクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル2
0.1gを無色透明液体として得た。
【0103】この2-トリフルオロメチルシクロヘキサン
カルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマ
トグラフィー(HPLC、RI検出器)で測定した結
果、99.9%であった。
【0104】
【化36】
【0105】なお上記2-トリフルオロメチルシクロヘキ
サンカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NM
R、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行な
った。以下にその測定データを示す。 (1)H1-NMR(60MHz)
【0106】
【表4】
【0107】(2)マススペクトル(DI法) 分子イオンピーク(m/e):検出不能 フラグメントピーク :224、209、179 (3)赤外線吸収スペクトル C=O :1730cm-1 C−O−C :1140cm-1
【0108】
【実施例5】 [4-メトキシ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエ
ステルの製造]原料として4-メトキシ安息香酸t-ブチル
エステル20g、溶媒としてテトラヒドロフラン200
gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウムカーボン2
g(50%ウェット品)を、撹拌付き500ml容量の
ステンレス製オートクレーブに仕込み、温度100℃、
水素圧力50kg/cm2 Gの条件下で、2時間、撹拌
した。
【0109】反応終了後、得られた反応混合物を常温ま
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる4-メトキシ-1
- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル19.7
gを無色透明液体として得た。
【0110】この4-メトキシ-1- シクロヘキサンカルボ
ン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマトグラ
フィー(HPLC、RI検出器)で測定した結果、8
8.3%であった。
【0111】
【化37】
【0112】なお上記4-メトキシ-1- シクロヘキサンカ
ルボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NMR、マ
ススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。
以下にその測定データを示す。 (1)H1-NMR(60MHz)
【0113】
【表5】
【0114】(2)マススペクトル(DI法) 分子イオンピーク(m/e):検出不能 フラグメントピーク :159、141、126 (3)赤外線吸収スペクトル C=O :1730cm-1 C−O−C :1150cm-1
【0115】
【実施例6】 [4,4'-(ジ-t-ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシル
エーテルの製造]原料として4,4'-(ジ-t-ブトキシカル
ボニル)ジフェニルエーテル20g、溶媒としてt-ブタ
ノール200gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウ
ムカーボン4g(50%ウェット品)を、撹拌付き50
0ml容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温
度70℃、水素圧力50kg/cm2 Gの条件下で、2
0分間、撹拌した。
【0116】反応終了後、得られた反応混合物を常温ま
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる4,4'-(ジ-t-
ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル19.
7gを無色透明液体として得た。
【0117】この4,4'-(ジ-t-ブトキシカルボニル)ジ
シクロヘキシルエーテルの純度は、高速液体クロマトグ
ラフィー(HPLC、RI検出器)で測定した結果、6
4.0%であった。
【0118】
【化38】
【0119】なお上記4,4'-(ジ-t-ブトキシカルボニ
ル)ジシクロヘキシルエーテルの同定は、H1 −NM
R、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行な
った。以下にその測定データを示す。 (1)H1-NMR(60MHz)
【0120】
【表6】
【0121】(2)マススペクトル(DI法) 分子イオンピーク(m/e):検出不能 フラグメントピーク :326、309、270 (3)赤外線吸収スペクトル C=O :1730cm-1 C−O−C :1150cm-1

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも1個のt-ブトキシカルボニル基
    を有するヒドロ芳香環を含む、下記一般式[I]、[I
    I]、[III]、[III]’、[IV]、[IV]’、[V]、
    または[V]’で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-
    ブチルエステル類; 【化1】 [式中、nは、2〜4の整数である]、 【化2】 [式中、Xは、水酸基、メチル基、t-ブチル基、メトキ
    シ基またはトリフルオロメチル基であり、pは、1〜4
    の整数である]、 【化3】 [式中、mおよびnは、それぞれ0〜2の整数であり、
    かつ、m+nは、1または2である]、 【化4】 【化5】 [式中、mおよびnは、それぞれ0〜4の整数であり、
    かつ、m+nは、1〜4の整数である]、 【化6】 【化7】 [式中、Yは、酸素原子、カルボニル基、またはヘキサ
    フルオロイソプロピリデン基であり、mおよびnは、そ
    れぞれ0〜4の整数であり、かつ、m+nは、1〜4の
    整数である]、 【化8】 [式中、Yは、酸素原子、カルボニル基、またはヘキサ
    フルオロイソプロピリデン基である]。
  2. 【請求項2】前記一般式[I]において、n=2である
    請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
    テル類。
  3. 【請求項3】前記一般式[II]において、Xがメトキシ
    基またはトリフルオロメチル基である請求項1に記載の
    ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
  4. 【請求項4】前記一般式[III]において、n=2である
    請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
    テル類。
  5. 【請求項5】前記一般式[IV]において、n=2である
    請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
    テル類。
  6. 【請求項6】前記一般式[V]において、n=2である
    請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
    テル類。
  7. 【請求項7】前記一般式[I]で表わされる化合物が、
    1,2-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,
    3-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,4-
    シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,2,4-
    シクロヘキサントリカルボン酸t-ブチルエステル、また
    は1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸t-ブチルエ
    ステルであることを特徴する請求項1に記載のヒドロ芳
    香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
  8. 【請求項8】前記一般式[II]で表わされる化合物が、
    2-メチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステ
    ル、3-メチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエ
    ステル、4-メチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチ
    ルエステル、4-t-ブチル-1-シクロヘキサンカルボン酸t
    -ブチルエステル、4-メトキシ-1- シクロヘキサンカル
    ボン酸t-ブチルエステル、2-トリフルオロメチル-1- シ
    クロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、4-トリフル
    オロメチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエス
    テル、2-ヒドロキシ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブ
    チルエステル、または4-ヒドロキシ-1- シクロヘキサン
    カルボン酸t-ブチルエステルであることを特徴とする請
    求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステ
    ル類。
  9. 【請求項9】前記一般式[III]で表わされる化合物が、
    1-デカヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、
    2-デカヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、
    2,7-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステ
    ル、または1,4-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブ
    チルエステルであることを特徴とする請求項1に記載の
    ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
  10. 【請求項10】前記一般式[III]’で表わされる化合物
    が、7-ヒドロキシ-2- デカヒドロナフタレンカルボン酸
    t-ブチルエステル、5-ヒドロキシ-2- デカヒドロナフタ
    レンカルボン酸t-ブチルエステル、または6-ヒドロキシ
    -1- デカヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル
    であることを特徴とする請求項1に記載のヒドロ芳香族
    カルボン酸t-ブチルエステル類。
  11. 【請求項11】前記一般式[IV]で表わされる化合物
    が、4-ジシクロヘキシルカルボン酸t-ブチルエステル、
    4,4'- ジシクロヘキシルジカルボン酸t-ブチルエステ
    ル、3,3',4- ジシクロヘキシルトリカルボン酸t-ブチル
    エステル、または3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカ
    ルボン酸t-ブチルエステルであることを特徴とする請求
    項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
    類。
  12. 【請求項12】前記一般式[IV]’で表わされる化合物
    が、4'- ヒドロキシ-4- ジシクロヘキシルテトラカルボ
    ン酸t-ブチルエステルであることを特徴とする請求項1
    に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
  13. 【請求項13】前記一般式[V]で表わされる化合物
    が、4-(t-ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエー
    テル、4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキ
    シルエーテル、3,4,4'-(トリ-t- ブトキシカルボニル)
    ジシクロヘキシルエーテル、3,3',4,4'-(テトラ-t- ブ
    トキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル、4,4'-
    (ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1- ジシクロヘキ
    シルカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオ
    ロイソプロピリデン)-1,1'-ジシクロヘキシルジカルボ
    ン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロ
    ピリデン)-1,1',2-ジシクロヘキシルトリカルボン酸t-
    ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデ
    ン)-1,1',2,2'- ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-
    ブチルエステル、4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジ
    シクロヘキシルケトン、または3,3',4,4'-(ジ-t- ブト
    キシカルボニル)ジシクロヘキシルケトンであることを
    特徴とする請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-
    ブチルエステル類。
  14. 【請求項14】前記一般式[V]’で表わされる化合物
    が、4-ヒドロキシ-4'-t-ブトキシカルボニルジシクロヘ
    キシルエーテルであることを特徴とする請求項1に記載
    のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
JP18130797A 1997-07-07 1997-07-07 ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類 Expired - Fee Related JP3808178B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18130797A JP3808178B2 (ja) 1997-07-07 1997-07-07 ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18130797A JP3808178B2 (ja) 1997-07-07 1997-07-07 ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1129529A true JPH1129529A (ja) 1999-02-02
JP3808178B2 JP3808178B2 (ja) 2006-08-09

Family

ID=16098396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18130797A Expired - Fee Related JP3808178B2 (ja) 1997-07-07 1997-07-07 ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3808178B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6541662B2 (en) * 2000-12-26 2003-04-01 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Process for producing a hydrogenation product of an aromatic carboxylic acid
WO2015013184A1 (en) 2013-07-22 2015-01-29 Takasago International Corp.(USA) Derivatives of 2,2,6-trimethylcyclohexane-carboxylate
US20180118660A1 (en) * 2016-11-03 2018-05-03 Exxonmobil Research And Engineering Company General purpose plasticizers based on naphthalic acid diesters

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6541662B2 (en) * 2000-12-26 2003-04-01 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Process for producing a hydrogenation product of an aromatic carboxylic acid
WO2015013184A1 (en) 2013-07-22 2015-01-29 Takasago International Corp.(USA) Derivatives of 2,2,6-trimethylcyclohexane-carboxylate
US20180118660A1 (en) * 2016-11-03 2018-05-03 Exxonmobil Research And Engineering Company General purpose plasticizers based on naphthalic acid diesters
US10570084B2 (en) * 2016-11-03 2020-02-25 Exxonmobil Research And Engineering Company General purpose plasticizers based on naphthalic acid diesters

Also Published As

Publication number Publication date
JP3808178B2 (ja) 2006-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07178339A (ja) アルデヒド及びその誘導体の合成用の触媒
JP3808178B2 (ja) ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類
US4885409A (en) Process for the hydrogenation of bis-phenols
JPS6272629A (ja) 芳香族ハロゲン化合物の二量化法
JPS5967281A (ja) 3−メチルフラボン−8−カルボン酸誘導体及びその製造法
JPH1129528A (ja) ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類の製造方法
JPH08325196A (ja) 脂環式ポリカルボン酸及びその酸無水物の製造方法
JPH08325201A (ja) 脂環式ポリカルボン酸エステルの製造方法
JP4094144B2 (ja) ヒドロ芳香族オキシアルカンカルボン酸エステルの製造方法
US5955635A (en) Process for the preparation of 4-(6'-methoxy-2'-naphthyl) butan-2-one
JP3608354B2 (ja) ジシクロヘキシル−2,3,3’,4’−テトラカルボン酸化合物
WO2002050010A1 (en) Process for producing phthalaldehyde
JP3111042B2 (ja) 2−または4−置換−シクロヘキサンカルボン酸類のエピメリ化
US5777170A (en) Process for the preparation of a naphthylbutanone
JP2941143B2 (ja) テトラリン誘導体の製造方法
JPH11263752A (ja) ヒドロ芳香族オキシ酢酸t―ブチルエステル
EP1043304B1 (en) Method for producing (hydroxyalkyl)alicyclic carboxylic acids and intermediates therefor
JP3191333B2 (ja) 3,4−ジヒドロクマリンの製造方法
JPH0782211A (ja) 脂環式カルボン酸の製造方法
JP2903233B2 (ja) 高純度のジフェニルジカルボン酸ジメチルの製造方法
JP2003286227A (ja) 芳香族置換アルキルエステルの製造方法
JP2003292590A (ja) ヒドロキシメチルシクロヘキサンカルボン酸類を原料とするコポリエステル
JP5008796B2 (ja) 芳香族カルボン酸の製造方法
JPH04182452A (ja) 脂肪族ジカルボン酸モノエステルの製造方法
JPH0610164B2 (ja) イソプレニル安息香酸エステル誘導体及びその製法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20060215

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A977 Report on retrieval

Effective date: 20060214

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A521 Written amendment

Effective date: 20060406

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060510

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Effective date: 20060517

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 4

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 6

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees