JPH1129529A - ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類 - Google Patents
ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類Info
- Publication number
- JPH1129529A JPH1129529A JP18130797A JP18130797A JPH1129529A JP H1129529 A JPH1129529 A JP H1129529A JP 18130797 A JP18130797 A JP 18130797A JP 18130797 A JP18130797 A JP 18130797A JP H1129529 A JPH1129529 A JP H1129529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- butyl ester
- acid
- butyl
- carboxylic acid
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Medicinal Preparation (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
は、シクロヘキサンカルホ゛ン酸t-フ゛チルエステル類;-OH、メチル、t-フ゛チル、メトキシ
またはトリフルオロメチル基を有するシクロヘキサンモノカルホ゛ン酸t-フ゛チルエステ
ル類;ヒト゛ロナフタレンカルホ゛ン酸t-フ゛チルエステル類;-OH基1個を有するヒ
ト゛ロナフタレンモノカルホ゛ン酸t-フ゛チルエステル類;シ゛シクロヘキシルカルホ゛ン酸t-フ゛
チルエステル類;-OH基1個を有するシ゛シクロヘキシルモノカルホ゛ン酸t-フ゛チルエ
ステル類;t-フ゛トキシカルホ゛ニル基を有するシ゛シクロヘキシルエーテル類および
シ゛シクロヘキシルケトン類;4,4'-(ヘキサフルオロイソフ゜ロヒ゜リテ゛ン)シ゛シクロヘキシルカ
ルホ゛ン酸t-フ゛チルエステル類;-OH基1個とt-フ゛トキシカルホ゛ニル基1個を
有するシ゛シクロヘキシルエーテル類およびシ゛シクロヘキシルケトン類;-OH基1個
を有する4,4'-(ヘキサフルオロイソフ゜ロヒ゜リテ゛ン)シ゛シクロヘキシルカルホ゛ン酸t
-フ゛チルエステル類である。 【効果】上記エステル類は、ArF、KrFエキシマレシ゛スト等で代表され
る、各種放射線を使用する化学増幅型レシ゛スト用の溶解抑
制剤として、また各種合成品の中間体として非常に有用
である。
Description
ボン酸t-ブチルエステル類に関し、さらに詳しくは、ア
ルゴンフルオライド(ArF)またはクリプトンフルオ
ライド(KrF)エキシマレジスト等で代表される、各
種放射線を使用する化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤
として有用であり、さらには各種合成品の中間体として
有用なヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類に関
する。
またはクリプトンフルオライド(KrF)エキシマレジ
スト用の溶解抑制剤としては、短波長紫外線領域にある
ArFまたはKrFレーザーに対する透過性(透明性)
に優れ、しかも現像時に画像部の耐エッチング性を向上
させるような化合物が求められている。
してベンゼン環含有の有機化合物が知られているが、短
波長紫外線領域にあるArFまたはKrFレーザーに対
する透過性が低い。特にArFレーザーに対する透過性
が低いため、ベンゼン環含有有機化合物は、ArFエキ
シマレジスト用の溶解抑制剤として使用することは困難
である。
えた溶解抑制剤の材料として、脂環式有機化合物が提案
されている。特にヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テルが望ましいが、ヒドロ芳香環に直接結合したカルボ
キシル基をt-ブチルエステル化するのは難しいため、こ
のような有機化合物の検討は殆どなされていない。特に
ヒドロ芳香環に複数のt-ブチルエステル基が結合した化
合物は、その合成が極めて困難になるため、検討されて
いない。
有用な新規なヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類、特にヒドロ芳香環に複数のt-ブチルエステル基が結
合した化合物の出現が望まれている。
F)またはクリプトンフルオライド(KrF)エキシマ
レジスト等の化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤とし
て、さらには各種合成品の中間体として有用なヒドロ芳
香族カルボン酸t-ブチルエステル類を提供することを目
的としている。
ブチルエステル類は、少なくとも1個のt-ブトキシカル
ボニル基を有するヒドロ芳香環を含む、下記一般式
[I]、[II]、[III]、[III]’、[IV]、[I
V]’、[V]、または[V]’で表わされる。
ル基、メトキシ基またはトリフルオロメチル基であり、
pは1〜4の整数である。]
整数であり、かつ、m+nは、1または2である。]
整数であり、かつ、m+nは、1〜4の整数である。]
またはヘキサフルオロイソプロピリデン基であり、mお
よびnは、それぞれ0〜4の整数であり、かつ、m+n
は、1〜4の整数である。]
またはヘキサフルオロイソプロピリデン基である。] 上記ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類として
は、下記の化合物が好ましい。 (1)前記一般式[I]において、n=2であるヒドロ
芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。 (2)前記一般式[II]において、Xがメトキシ基また
はトリフルオロメチル基であるヒドロ芳香族カルボン酸
t-ブチルエステル類。 (3)前記一般式[III]において、n=2であるヒドロ
芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。 (4)前記一般式[IV]において、n=2であるヒドロ
芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。 (5)前記一般式[V]において、n=2であるヒドロ
芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
カルボン酸t-ブチルエステル類について具体的に説明す
る。
チルエステル類は、少なくとも1個のt-ブトキシカルボ
ニル基を有するヒドロ芳香環を含む、下記一般式
[I]、[II]、[III]、[III]’、[IV]、[I
V]’、[V]または[V]’で表わされる。
る。上記一般式[I]で表わされるヒドロ芳香族カルボ
ン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、1,2-シ
クロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,3-シク
ロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,4-シクロ
ヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,2,4-シクロ
ヘキサントリカルボン酸t-ブチルエステル、1,2,4,5-シ
クロヘキサンテトラカルボン酸t-ブチルエステルなどが
挙げられる。
基、t-ブチル基、メトキシ基またはトリフルオロメチル
基であり、pは1〜4の整数である。上記一般式[II]
で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類としては、具体的には、2-メチル-1- シクロヘキサン
カルボン酸t-ブチルエステル、3-メチル-1- シクロヘキ
サンカルボン酸t-ブチルエステル、4-メチル-1- シクロ
ヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、4-t-ブチル-1-
シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、4-メトキ
シ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、2-
トリフルオロメチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブ
チルエステル、4-トリフルオロメチル-1- シクロヘキサ
ンカルボン酸t-ブチルエステル、2-ヒドロキシ-1- シク
ロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、4-ヒドロキシ
-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステルなどが
挙げられる。
0〜2の整数であり、かつ、m+nは、1または2であ
る。上記一般式[III]で表わされるヒドロ芳香族カルボ
ン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、1-デカ
ヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、2-デカ
ヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、2,7-デ
カヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,
4-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的に
は、7-ヒドロキシ-2- デカヒドロナフタレンカルボン酸
t-ブチルエステル、5-ヒドロキシ-2- デカヒドロナフタ
レンカルボン酸t-ブチルエステル、6-ヒドロキシ-1- デ
カヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステルなどが
挙げられる。
0〜4の整数であり、かつ、m+nは、1〜4の整数で
ある。上記一般式[IV]で表わされるヒドロ芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、4-ジ
シクロヘキシルカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'- ジ
シクロヘキシルジカルボン酸t-ブチルエステル、3,3',4
- ジシクロヘキシルトリカルボン酸t-ブチルエステル、
3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチル
エステルなどが挙げられる。
香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的に
は、4'- ヒドロキシ-4- ジシクロヘキシルカルボン酸t-
ブチルエステルなどが挙げられる。
ニル基、またはヘキサフルオロイソプロピリデン基(−
(F3C)C(CF3)−基)である。mおよびnは、そ
れぞれ0〜4の整数であり、かつ、m+nは、1〜4の
整数である。
族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的に
は、4-(t-ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエー
テル、4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキ
シルエーテル、3,4,4'-(トリ-t- ブトキシカルボニル)
ジシクロヘキシルエーテル、3,3',4,4'-(テトラ-t- ブ
トキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル、4,4'-
(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1- ジシクロヘキ
シルカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオ
ロイソプロピリデン)-1,1'-ジシクロヘキシルジカルボ
ン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロ
ピリデン)-1,1',2-ジシクロヘキシルトリカルボン酸t-
ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン)-1,1',2,2'- ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-
ブチルエステル、4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジ
シクロヘキシルケトン、3,3',4,4'-(テトラ-t- ブトキ
シカルボニル)ジシクロヘキシルケトンなどが挙げられ
る。
[V]のYと同じである。上記一般式[V]’で表わさ
れるヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類として
は、具体的には、4-ヒドロキシ-4'-t-ブトキシカルボニ
ルジシクロヘキシルエーテルなどが挙げられる。
類の合成法 上記一般式[I]、[II]、[III]、[III]’、[I
V]、[IV]’、[V]および[V]’で表わされるヒ
ドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類は、たとえば
目的とするヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類
に対応する芳香族カルボン酸ブチルエステル類の芳香核
に、貴金属触媒または貴金属担持触媒または貴金属錯体
触媒の存在下で、水素添加することにより合成すること
ができる。
族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[Ia]で表わ
される。
る。上記式[Ia]で表わされる芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類としては、具体的には、1,2-ベンゼンジ
カルボン酸t-ブチルエステル(=フタル酸ジ-t- ブチル
エステル)、1,3-ベンゼンジカルボン酸t-ブチルエステ
ル(=イソフタル酸ジ-t- ブチルエステル)、1,4-ベン
ゼンジカルボン酸t-ブチルエステル(=テレフタル酸ジ
-t- ブチルエステル)、1,2,4-ベンゼントリカルボン酸
t-ブチルエステル(=トリメリット酸トリt-ブチルエス
テル)、1,2,4,5-ベンゼンテトラカルボン酸t-ブチルエ
ステル(=ピロメリット酸テトラ-t- ブチルエステル)
などが挙げられる。
族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IIa]で表わ
される。
t-ブチル基、メトキシ基またはトリフルオロメチル基で
あり、pは1〜4の整数である。上記式[IIa]で表わ
される芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、
具体的には、o-トルイル酸t-ブチルエステル、m-トルイ
ル酸t-ブチルエステル、p-トルイル酸t-ブチルエステ
ル、4-t-ブチル安息香酸t-ブチルエステル、4-メトキシ
安息香酸t-ブチルエステル、2-メトキシ安息香酸t-ブチ
ルエステル、2-トリフルオロメチル安息香酸t-ブチルエ
ステル、4-トリフルオロメチル安息香酸t-ブチルエステ
ル、2-ヒドロキシ安息香酸t-ブチルエステル、4-ヒドロ
キシ安息香酸t-ブチルエステルなどが挙げられる。
族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IIIa]で表わ
される。
〜2の整数であり、かつ、m+nは、1または2であ
る。上記式[IIIa]で表わされる芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類としては、具体的には、α- ナフトエ酸
t-ブチルエステル、β- ナフトエ酸t-ブチルエステル、
2,6-ナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,4-ナ
フタレンジカルボン酸t-ブチルエステルなどが挙げられ
る。
香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カ
ルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IIIa]’で
表わされる。
ボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、5-ヒ
ドロキシ-1- ナフトエ酸t-ブチルエステル、6-ヒドロキ
シ-2- ナフトエ酸t-ブチルエステル、4-ヒドロキシ-1-
ナフトエ酸t-ブチルエステルなどが挙げられる。
族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IVa]で表わ
される。
〜4の整数であり、かつm+nは、1〜4の整数であ
る。上記式[IVa]で表わされる芳香族カルボン酸t-ブ
チルエステル類としては、具体的には、4-ビフェニルカ
ルボン酸t-ブチルエステル、4,4'- ビフェニルジカルボ
ン酸t-ブチルエステル、3,3',4- ビフェニルトリカルボ
ン酸t-ブチルエステル、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカ
ルボン酸t-ブチルエステルなどが挙げられる。
香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カ
ルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[IVa]’で
表わされる。
ボン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、4'-
ヒドロキシ-4- ビフェニルカルボン酸t-ブチルエステル
などが挙げられる。
族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[Va]で表わ
される。
ル基、またはヘキサフルオロイソプロピリデン基であ
る。mおよびnは、それぞれ0〜4の整数であり、か
つ、m+nは、1〜4の整数である。
ン酸t-ブチルエステル類としては、具体的には、4-(t-
ブトキシカルボニル)ジフェニルエーテル、4,4'-(ジ-t
- ブトキシカルボニル)ジフェニルエーテル、3,4,4'-
(トリ-t- ブトキシカルボニル)ジフェニルエーテル、
3,3',4,4'-(テトラ-t- ブトキシカルボニル)ジフェニ
ルエーテル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)
-1- ジフェニルカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘ
キサフルオロイソプロピリデン)-1,1'-ジフェニルジカ
ルボン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソ
プロピリデン)-1,1',2-ジフェニルトリカルボン酸t-ブ
チルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン)-1,1',2,2'- ジフェニルテトラカルボン酸t-ブチル
エステル、4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ベンゾフ
ェノン、3,3',4,4'-(テトラ-t- ブトキシカルボニル)
ベンゾフェノン、などが挙げられる。
香族カルボン酸t-ブチルエステル類に対応する芳香族カ
ルボン酸t-ブチルエステル類は、下記の式[Va]’で
表わされる。
a]’のYと同じである。上記式[Va]’で表わされ
る芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類としては、具体
的には、4-ヒドロキシ-4'-t- ブトキシカルボニルフェ
ニルエーテルなどが挙げられる。
しては、貴金属触媒、貴金属担持触媒および貴金属錯体
触媒が好ましい。特に貴金属担持触媒が触媒の価格、回
収等の点から工業的に好ましい。
錯体触媒の貴金属触媒成分としては、具体的には、ロジ
ウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、パラジウム(P
d)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金
(Pt)、金(Au)、銀(Ag)が挙げられる。
しては、具体的には、カーボン、アルミナ、シリカなど
が挙げられる。この合成法においては、ロジウムカーボ
ン、パラジウムカーボン、ルテニウムカーボン、ロジウ
ムアルミナ、パラジウムアルミナ、ルテニウムアルミナ
等の貴金属担持触媒が好ましく用いられる。
族カルボン酸t-ブチルエステル類の使用量100重量部
に対して、0.1〜50重量部、好ましくは1〜20重
量部の量で用いられる。
融解する芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類を原料と
する場合、溶媒を用いる必要はないが、反応温度で融解
しない芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類を原料とし
て用いる場合、その芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類を溶解することができる溶媒が用いられる。
トラヒドロフラン(THF)、ジオキソラン、ジオキサ
ン等のエーテル類;メタノール、イソプロピルアルコー
ル、ブタノール等のアルコール類;エチレングリコール
等の多価アルコール類;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエ
ステル類などが挙げられる。これらの溶媒は、原料の溶
解性や反応性に合わせ、適宜用いれば良いが、反応性の
特に悪いものには、tーブタノールが、反応速度を高める
ため好ましく使用される。
ブチルエステル類使用量の0〜50倍、好ましくは0〜
10倍の量で用いられる。上記芳香族カルボン酸t-ブチ
ルエステル類の芳香核に水素添加する反応条件について
は、反応温度は、室温〜200℃、好ましくは50〜1
50℃であり、反応圧力は、常圧〜100kg/c
m2 、好ましくは30〜70kg/cm2 、より好まし
くは50kg/cm2 程度であり、反応時間は、反応温
度と反応圧力により異なるが、数十分〜数十時間、好ま
しくは数十分〜数時間である。
a]、[IIIa]’、[IVa]、[IVa]’、[Va]または
[Va]’で表わされる芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テル類の芳香核に、上記のような反応条件で、貴金属触
媒、貴金属担持触媒または貴金属錯体触媒の存在下で水
素添加することにより、本発明に係るヒドロ芳香族カル
ボン酸t-ブチルエステル類が生成する。この反応収率
は、水添前の物質によって異なるが、50〜100%で
ある。
ないし生成物の濃縮の工程を経て、得られた本発明に係
るヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類をそのま
ま製品とすることができる。
加して再結晶するか、あるいは蒸留することにより、ヒ
ドロ芳香族カルボン酸エステル類を精製し、この精製品
を製品とすることもできる。
アメ状固体あるいは液状である。
ブチルエステル類製品は、アルゴンフルオライド(Ar
F)またはクリプトンフルオライド(KrF)エキシマ
レジスト等の化学増幅型レジスト用の溶解抑制剤として
非常に有用である。さらには、ArF、KrF以外の、
電子線、X線、紫外線等の各種放射線レジスト用の溶解
抑制剤としても有用である。
ルエステル類は、酸によりt-ブチルエステル基を容易に
脱離させることができるので、ヒドロ芳香族カルボン酸
類を用いる各種合成品の中間体、たとえば医農薬品、機
能性色素、機能性材料、ポリエステル、ポリイミド、ポ
リアミド等の樹脂、各種添加剤の中間体として有用であ
る。
発明は、これら実施例に限定されるものではない。
テルの製造]原料として2,6-ナフタレンジカルボン酸t-
ブチルエステル25g、溶媒としてテトラヒドロフラン
200gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウムカー
ボン2g(50%ウェット品)を、撹拌付き500ml
容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度10
0℃、水素圧力20kg/cm2 Gの条件下で、4時間
半、撹拌した。
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる2,7-デカヒド
ロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステル25.2g
を白色塊状固体として得た。この2,7-デカヒドロナフタ
レンジカルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体
クロマトグラフィー(HPLC、RI検出器)で測定し
た結果、96.8%であった。
ボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NMR、マス
スペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以
下にその測定データを示す。 (1)H1-NMR(60MHz)
ルエステルの製造]原料として3,3',4,4'-ビフェニルテ
トラカルボン酸t-ブチルエステル30g、溶媒としてテ
トラヒドロフラン200gおよび貴金属担持触媒として
5%ロジウムカーボン3g(50%ウェット品)を、撹
拌付き500ml容量のステンレス製オートクレーブに
仕込み、温度100℃、水素圧力30kg/cm2 Gの
条件下で、30分間、撹拌した。
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる3,3',4,4'-ジ
シクロヘキシルテトラカルボン酸t-ブチルエステル3
0.1gを白色塊状として得た。
ルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマト
グラフィー(HPLC、RI検出器)で測定した結果、
95.1%であった。
ラカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NM
R、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行な
った。以下にその測定データを示す。 (1)H1-NMR(60MHz)
製造]原料としてイソフタル酸ジt-ブチルエステル20
g、溶媒としてテトラヒドロフラン200gおよび貴金
属担持触媒として5%ロジウムカーボン2g(50%ウ
ェット品)を、撹拌付き500ml容量のステンレス製
オートクレーブに仕込み、温度100℃、水素圧力50
kg/cm2 Gの条件下で、20分間、撹拌した。
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる1,3-シクロヘ
キサンジカルボン酸t-ブチルエステル20.1gを無色
透明液体として得た。
チルエステルの純度は、高速液体クロマトグラフィー
(HPLC、RI検出器)で測定した結果、96.7%
であった。
t-ブチルエステルの同定は、H1 −NMR、マススペク
トル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。以下にそ
の測定データを示す。 (1)H1-NMR(60MHz)
チルエステルの製造]原料として2-トリフルオロメチル
安息香酸t-ブチルエステル20g、溶媒としてt-ブタノ
ール200gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウム
カーボン4g(50%ウェット品)を、撹拌付き500
ml容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度
100℃、水素圧力100kg/cm2 Gの条件下で、
30分間、撹拌した。
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる2-トリフルオ
ロメチルシクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル2
0.1gを無色透明液体として得た。
カルボン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマ
トグラフィー(HPLC、RI検出器)で測定した結
果、99.9%であった。
サンカルボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NM
R、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行な
った。以下にその測定データを示す。 (1)H1-NMR(60MHz)
ステルの製造]原料として4-メトキシ安息香酸t-ブチル
エステル20g、溶媒としてテトラヒドロフラン200
gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウムカーボン2
g(50%ウェット品)を、撹拌付き500ml容量の
ステンレス製オートクレーブに仕込み、温度100℃、
水素圧力50kg/cm2 Gの条件下で、2時間、撹拌
した。
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる4-メトキシ-1
- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル19.7
gを無色透明液体として得た。
ン酸t-ブチルエステルの純度は、高速液体クロマトグラ
フィー(HPLC、RI検出器)で測定した結果、8
8.3%であった。
ルボン酸t-ブチルエステルの同定は、H1 −NMR、マ
ススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行なった。
以下にその測定データを示す。 (1)H1-NMR(60MHz)
エーテルの製造]原料として4,4'-(ジ-t-ブトキシカル
ボニル)ジフェニルエーテル20g、溶媒としてt-ブタ
ノール200gおよび貴金属担持触媒として5%ロジウ
ムカーボン4g(50%ウェット品)を、撹拌付き50
0ml容量のステンレス製オートクレーブに仕込み、温
度70℃、水素圧力50kg/cm2 Gの条件下で、2
0分間、撹拌した。
で冷却してオートクレーブから取り出し、触媒を濾別し
た後、溶媒を留去して、下式で表わされる4,4'-(ジ-t-
ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル19.
7gを無色透明液体として得た。
シクロヘキシルエーテルの純度は、高速液体クロマトグ
ラフィー(HPLC、RI検出器)で測定した結果、6
4.0%であった。
ル)ジシクロヘキシルエーテルの同定は、H1 −NM
R、マススペクトル、赤外線吸収スペクトルにより行な
った。以下にその測定データを示す。 (1)H1-NMR(60MHz)
Claims (14)
- 【請求項1】少なくとも1個のt-ブトキシカルボニル基
を有するヒドロ芳香環を含む、下記一般式[I]、[I
I]、[III]、[III]’、[IV]、[IV]’、[V]、
または[V]’で表わされるヒドロ芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類; 【化1】 [式中、nは、2〜4の整数である]、 【化2】 [式中、Xは、水酸基、メチル基、t-ブチル基、メトキ
シ基またはトリフルオロメチル基であり、pは、1〜4
の整数である]、 【化3】 [式中、mおよびnは、それぞれ0〜2の整数であり、
かつ、m+nは、1または2である]、 【化4】 【化5】 [式中、mおよびnは、それぞれ0〜4の整数であり、
かつ、m+nは、1〜4の整数である]、 【化6】 【化7】 [式中、Yは、酸素原子、カルボニル基、またはヘキサ
フルオロイソプロピリデン基であり、mおよびnは、そ
れぞれ0〜4の整数であり、かつ、m+nは、1〜4の
整数である]、 【化8】 [式中、Yは、酸素原子、カルボニル基、またはヘキサ
フルオロイソプロピリデン基である]。 - 【請求項2】前記一般式[I]において、n=2である
請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テル類。 - 【請求項3】前記一般式[II]において、Xがメトキシ
基またはトリフルオロメチル基である請求項1に記載の
ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。 - 【請求項4】前記一般式[III]において、n=2である
請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テル類。 - 【請求項5】前記一般式[IV]において、n=2である
請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テル類。 - 【請求項6】前記一般式[V]において、n=2である
請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエス
テル類。 - 【請求項7】前記一般式[I]で表わされる化合物が、
1,2-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,
3-シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,4-
シクロヘキサンジカルボン酸t-ブチルエステル、1,2,4-
シクロヘキサントリカルボン酸t-ブチルエステル、また
は1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸t-ブチルエ
ステルであることを特徴する請求項1に記載のヒドロ芳
香族カルボン酸t-ブチルエステル類。 - 【請求項8】前記一般式[II]で表わされる化合物が、
2-メチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステ
ル、3-メチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエ
ステル、4-メチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチ
ルエステル、4-t-ブチル-1-シクロヘキサンカルボン酸t
-ブチルエステル、4-メトキシ-1- シクロヘキサンカル
ボン酸t-ブチルエステル、2-トリフルオロメチル-1- シ
クロヘキサンカルボン酸t-ブチルエステル、4-トリフル
オロメチル-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブチルエス
テル、2-ヒドロキシ-1- シクロヘキサンカルボン酸t-ブ
チルエステル、または4-ヒドロキシ-1- シクロヘキサン
カルボン酸t-ブチルエステルであることを特徴とする請
求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステ
ル類。 - 【請求項9】前記一般式[III]で表わされる化合物が、
1-デカヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、
2-デカヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル、
2,7-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブチルエステ
ル、または1,4-デカヒドロナフタレンジカルボン酸t-ブ
チルエステルであることを特徴とする請求項1に記載の
ヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。 - 【請求項10】前記一般式[III]’で表わされる化合物
が、7-ヒドロキシ-2- デカヒドロナフタレンカルボン酸
t-ブチルエステル、5-ヒドロキシ-2- デカヒドロナフタ
レンカルボン酸t-ブチルエステル、または6-ヒドロキシ
-1- デカヒドロナフタレンカルボン酸t-ブチルエステル
であることを特徴とする請求項1に記載のヒドロ芳香族
カルボン酸t-ブチルエステル類。 - 【請求項11】前記一般式[IV]で表わされる化合物
が、4-ジシクロヘキシルカルボン酸t-ブチルエステル、
4,4'- ジシクロヘキシルジカルボン酸t-ブチルエステ
ル、3,3',4- ジシクロヘキシルトリカルボン酸t-ブチル
エステル、または3,3',4,4'-ジシクロヘキシルテトラカ
ルボン酸t-ブチルエステルであることを特徴とする請求
項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル
類。 - 【請求項12】前記一般式[IV]’で表わされる化合物
が、4'- ヒドロキシ-4- ジシクロヘキシルテトラカルボ
ン酸t-ブチルエステルであることを特徴とする請求項1
に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。 - 【請求項13】前記一般式[V]で表わされる化合物
が、4-(t-ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルエー
テル、4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジシクロヘキ
シルエーテル、3,4,4'-(トリ-t- ブトキシカルボニル)
ジシクロヘキシルエーテル、3,3',4,4'-(テトラ-t- ブ
トキシカルボニル)ジシクロヘキシルエーテル、4,4'-
(ヘキサフルオロイソプロピリデン)-1- ジシクロヘキ
シルカルボン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオ
ロイソプロピリデン)-1,1'-ジシクロヘキシルジカルボ
ン酸t-ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロ
ピリデン)-1,1',2-ジシクロヘキシルトリカルボン酸t-
ブチルエステル、4,4'-(ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン)-1,1',2,2'- ジシクロヘキシルテトラカルボン酸t-
ブチルエステル、4,4'-(ジ-t- ブトキシカルボニル)ジ
シクロヘキシルケトン、または3,3',4,4'-(ジ-t- ブト
キシカルボニル)ジシクロヘキシルケトンであることを
特徴とする請求項1に記載のヒドロ芳香族カルボン酸t-
ブチルエステル類。 - 【請求項14】前記一般式[V]’で表わされる化合物
が、4-ヒドロキシ-4'-t-ブトキシカルボニルジシクロヘ
キシルエーテルであることを特徴とする請求項1に記載
のヒドロ芳香族カルボン酸t-ブチルエステル類。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18130797A JP3808178B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18130797A JP3808178B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1129529A true JPH1129529A (ja) | 1999-02-02 |
| JP3808178B2 JP3808178B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=16098396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18130797A Expired - Fee Related JP3808178B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3808178B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6541662B2 (en) * | 2000-12-26 | 2003-04-01 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for producing a hydrogenation product of an aromatic carboxylic acid |
| WO2015013184A1 (en) | 2013-07-22 | 2015-01-29 | Takasago International Corp.(USA) | Derivatives of 2,2,6-trimethylcyclohexane-carboxylate |
| US20180118660A1 (en) * | 2016-11-03 | 2018-05-03 | Exxonmobil Research And Engineering Company | General purpose plasticizers based on naphthalic acid diesters |
-
1997
- 1997-07-07 JP JP18130797A patent/JP3808178B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6541662B2 (en) * | 2000-12-26 | 2003-04-01 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for producing a hydrogenation product of an aromatic carboxylic acid |
| WO2015013184A1 (en) | 2013-07-22 | 2015-01-29 | Takasago International Corp.(USA) | Derivatives of 2,2,6-trimethylcyclohexane-carboxylate |
| US20180118660A1 (en) * | 2016-11-03 | 2018-05-03 | Exxonmobil Research And Engineering Company | General purpose plasticizers based on naphthalic acid diesters |
| US10570084B2 (en) * | 2016-11-03 | 2020-02-25 | Exxonmobil Research And Engineering Company | General purpose plasticizers based on naphthalic acid diesters |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3808178B2 (ja) | 2006-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07178339A (ja) | アルデヒド及びその誘導体の合成用の触媒 | |
| JP3808178B2 (ja) | ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類 | |
| US4885409A (en) | Process for the hydrogenation of bis-phenols | |
| JPS6272629A (ja) | 芳香族ハロゲン化合物の二量化法 | |
| JPS5967281A (ja) | 3−メチルフラボン−8−カルボン酸誘導体及びその製造法 | |
| JPH1129528A (ja) | ヒドロ芳香族カルボン酸t‐ブチルエステル類の製造方法 | |
| JPH08325196A (ja) | 脂環式ポリカルボン酸及びその酸無水物の製造方法 | |
| JPH08325201A (ja) | 脂環式ポリカルボン酸エステルの製造方法 | |
| JP4094144B2 (ja) | ヒドロ芳香族オキシアルカンカルボン酸エステルの製造方法 | |
| US5955635A (en) | Process for the preparation of 4-(6'-methoxy-2'-naphthyl) butan-2-one | |
| JP3608354B2 (ja) | ジシクロヘキシル−2,3,3’,4’−テトラカルボン酸化合物 | |
| WO2002050010A1 (en) | Process for producing phthalaldehyde | |
| JP3111042B2 (ja) | 2−または4−置換−シクロヘキサンカルボン酸類のエピメリ化 | |
| US5777170A (en) | Process for the preparation of a naphthylbutanone | |
| JP2941143B2 (ja) | テトラリン誘導体の製造方法 | |
| JPH11263752A (ja) | ヒドロ芳香族オキシ酢酸t―ブチルエステル | |
| EP1043304B1 (en) | Method for producing (hydroxyalkyl)alicyclic carboxylic acids and intermediates therefor | |
| JP3191333B2 (ja) | 3,4−ジヒドロクマリンの製造方法 | |
| JPH0782211A (ja) | 脂環式カルボン酸の製造方法 | |
| JP2903233B2 (ja) | 高純度のジフェニルジカルボン酸ジメチルの製造方法 | |
| JP2003286227A (ja) | 芳香族置換アルキルエステルの製造方法 | |
| JP2003292590A (ja) | ヒドロキシメチルシクロヘキサンカルボン酸類を原料とするコポリエステル | |
| JP5008796B2 (ja) | 芳香族カルボン酸の製造方法 | |
| JPH04182452A (ja) | 脂肪族ジカルボン酸モノエステルの製造方法 | |
| JPH0610164B2 (ja) | イソプレニル安息香酸エステル誘導体及びその製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060215 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060214 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20060406 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060510 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20060517 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |