JPH1131107A

JPH1131107A - メモリのバックアップ方法

Info

Publication number: JPH1131107A
Application number: JP9185112A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Takahashi; 健一高橋
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1997-07-10
Filing date: 1997-07-10
Publication date: 1999-02-02

Abstract

(57)【要約】【課題】メモリに事後書き込みしたデータをバックア
ップして動作制御に繰り返し用いるのに、これが破壊さ
れても、別途信頼性よく保持したデータによって容易に
修復できるようにすることを目的とする。【解決手段】ランダムアクセス可能な第１のメモリ３
０１に書き込まれたデータ、および第２のメモリ３００
に書き込まれた制御プログラムに従った動作制御で、第
１のメモリ３０１に書き込まれたバックアップの必要な
バックアップ対象データを、所定のタイミングで、第２
のメモリ３００の制御プログラムを書き込んでいる第１
の記憶ブロックＢ〜Ｐとは別の電気的書き込み機能を持
った第２の記憶ブロックＡに記憶し、必要に応じてこれ
を第１のメモリ３０１に書き込んで動作制御に利用でき
るようにすることにより、上記の目的を達成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、メモリのバックア
ップ方法に関するものであり、メモリを用いて動作制御
する、複写機やレーザプリンタなど各種の機器で、特
に、必要に応じて事後書き込みされ、しかも、バックア
ップが必要なデータを用いる機器に利用される。

【０００２】

【従来の技術】例えば、複写機では、ユーザーによって
常時使用する用紙サイズ、複写倍率、用紙カセットの位
置などが、標準と異なる場合がある。これに対処するの
に、ユーザー側の使用頻度の高い、あるいは決まり切っ
た使用条件を優先したデータをサービスマンがメモリに
手入力し、これをバックアップすることにより電源オフ
によっても消去されず、繰り返し実行されるようにして
いる。いわゆるユーザーチョイスデータである。また、
事後書き込みしてバックアップの必要なものとしては、
複写枚数のトータルカウンタデータなどもある。

【０００３】従来、一般には、バックアップ電源を持っ
たＳＲＡＭ、あるいは不揮発性であるＥＥＰＲＯＭを用
いることにより、前記のようなバックアップを行ってい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のよ
うなバックアップ方法ではまだ問題がある。ＳＲＡＭあ
るいはＥＥＰＲＯＭのいずれを用いても、制御プログラ
ムを実行する上での頻繁なアクセス時に生じ勝ちなノイ
ズで記憶内容が破壊され、あるいは消去される確率が高
い。また、ＳＲＡＭはバックアップ電源の破壊によって
も同じことが生じるし、バックアップ電源が必要な分だ
けコスト高になる。

【０００５】ＳＲＡＭやＥＥＰＲＯＭの書き込み内容が
一旦破壊され、あるいは、消去されると、サービスマン
が必要データを再度手入力して修復するようにしてい
る。複写機ではこの作業のために、ＳＲＡＭやＥＥＰＲ
ＯＭは制御回路を構成する電子回路基板に対し着脱でき
るようにしているが手間である。

【０００６】一方、特開昭６２−１８４４７７は、電源
投入時に不揮発性メモリのユーザー対応の事後書き込み
データをチェックし、それが不適正な場合にＲＡＭを初
期設定データに戻す初期値化を行うとともに、異常を表
示にて警告する技術を開示している。

【０００７】これによると、不揮発性メモリのデータが
不適正なまま制御動作が進行して機器が損傷するような
事態は回避できる。しかし、機器の動作や出力物が無駄
になることがあるので、警告があると直ちに機器を停止
させる必要がある。また、ユーザー対応データはバック
アップされないので、機器の停止とサービスマンによる
データの再入力がなければ修復できない。しかも、不揮
発性メモリは制御プログラムを実行する上で頻繁にアク
セスされることになり、ノイズによって記憶内容が破壊
されやすいことに変わりはない。

【０００８】本発明の目的は、メモリに事後書き込みし
たデータをバックアップして動作制御に繰り返し用いる
のに、これが破壊されても、別途信頼性よく保持したデ
ータによって容易に修復できるメモリのバックアップ方
法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記のような目的を達成
するため請求項１の発明は、ランダムアクセス可能な第
１のメモリと、電気的書き換えが少なくとも特定のブロ
ック単位でできる第２のメモリとを用い、制御プログラ
ムを第２のメモリに書き込んでおき、第１のメモリに書
き込まれたデータ、および第２のメモリに書き込まれた
制御プログラムに従った動作制御において、第１のメモ
リに書き込まれたバックアップの必要なバックアップ対
象データを、所定のタイミングで、第２のメモリの制御
プログラムを書き込んでいる第１の記憶ブロックとは別
の電気的書き換え機能を持った第２の記憶ブロックに書
き込み、必要に応じてこれを第１のメモリに書き込んで
動作制御に利用できるようにして、メモリのバックアッ
プを行うことを特徴とするものである。

【００１０】このような構成では、第１のメモリのラン
ダンムアクセス性によって、事後書き込みしたデータを
第２のメモリに書き込まれた制御プログラムに従い利用
して動作制御でき、その事後書き込みしたデータのバッ
クアップの必要なものについては所定のタイミングで、
第２のメモリの第２の記憶ブロックにもその電気的書き
換え特性によって書き込んで、それを頻繁なアクセスな
く信頼性高く保持しておいて、必要に応じそれを第１の
メモリに書き込んで動作制御に利用できるようにするの
で、第１のメモリに書き込んだバックアップの必要なデ
ータが、第１のメモリの揮発性でバックアップ電源がな
いことによって消去され、あるいは不揮発性でも動作制
御上の頻繁なアクセスによって破壊や消去されることが
あっても、第２のメモリの第２の記憶ブロックに書き込
んで信頼性高く保持しているバックアップ対象データに
よって容易に修復することができる。また、第２のメモ
リの第１の記憶ブロックに書き込んだ制御プログラム
は、第１の記憶ブロックと第２の記憶ブロックとの第２
のメモリ独自の独立性によって破壊されることはないの
で、第１の記憶ブロックに不変な基本の制御プログラム
を書き込んで動作制御を行っても信頼性は損なわれず、
信頼性確保のためのＲＯＭなど他のメモリは不要であ
る。

【００１１】請求項２の発明は、制御プログラムによる
初期設定時に、第２のメモリの第２の記憶ブロックに書
き込んだバックアップ対象データを第１のメモリに書き
込み動作制御に利用できるようするので、第１のメモリ
が揮発性でバックアップ電源がなくても、動作制御が開
始する初期設定時に修復して動作制御に影響がないよう
にするので、第１メモリに揮発性でバックアップ電源の
ないものを適用しても、第２のメモリの第２の記憶ブロ
ックへのアクセス頻度はあまり高くならず、第２のメモ
リの第２の記憶ブロックによるデータ保持の信頼性は低
下しない。

【００１２】請求項３の発明は、第１のメモリをバック
アップ電源によりバックアップし、制御プログラムによ
る初期設定時に、第２のメモリの第２の記憶ブロックに
書き込んだバックアップ対象データと、第１のメモリに
書き込んだバックアップ対象データとを比較し、一致し
ていなければ第２のメモリの第２の記憶ブロックの書き
込みデータを第１のメモリに書き込んで動作制御に利用
できるようにするので、第１のメモリに書き込んだバッ
クアップ対象データをバックアップ電源によりバックア
ップしておき、第２のメモリの第２の記憶ブロックのバ
ックアップ対象データと、第１のメモリのバックアップ
対象データとが一致しない、つまり、第１のメモリに書
き込まれたバックアップ対象データが破壊され、あるい
は消去されたときだけ、第２のメモリの第２の記憶ブロ
ックの書き込み内容により修復すればよく、動作制御が
簡略化するし、第２のメモリの第２の記憶ブロックへの
アクセス回数が大幅に低減して書き込み内容の保持の信
頼性がさらに向上する。

【００１３】

【発明の効果】このように、請求項１の発明によれば、
メモリに事後書き込みしたデータをバックアップして動
作制御に繰り返し用いるのに、これが破壊されても、別
途信頼性よく保持したデータによって容易に修復できる
し、バックアップ電源特に必要としないので、その分だ
けコストを低減することができる。

【００１４】請求項２の発明によれば、第２のメモリの
第２の記憶ブロックによるデータ保持の信頼性を低下さ
せずに、第１メモリに揮発性でバックアップ電源のない
ものを適用することができる。

【００１５】請求項３の発明によれば、動作制御が簡略
化し、第２のメモリの第２の記憶ブロック書き込み内容
の保持の信頼性がさらに向上する。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の代表的な一実施の
形態につき、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１７】本実施の形態は複写機の場合で、図１にそ
の全体構成例を示している。この例では、機体１は給紙
ユニット21の上に載置され、機体１の上には自動原稿搬
送装置51が設けられている。機体１内のほぼ中央部には
感光ドラム２が設けられている。感光ドラム２は矢印方
向に回転駆動される。このとき、感光ドラム２はイレー
サランプ３と、帯電チャージャ４とによって表面を一様
に帯電され、その表面に露光光学系５によってプラテン
ガラス６上にある原稿の像が露光され静電潜像を形成す
る。感光ドラム２上の静電潜像は現像器７、８の何れか
によって現像されて顕像となる。感光ドラム２上の顕像
は転写チャージャ９と対向する転写部にて給送されてく
る転写シート上に転写チャージャ９によって転写され
る。

【００１８】転写シートは、機体１に備える手差し給紙
口22から手差しされる転写シート、あるいは給紙ユニッ
ト21に装着されている各給紙カセット23〜25の何れかか
ら給紙されて、搬送ローラ35〜42によって前記転写部に
向け搬送される。転写後の転写シートは感光ドラム１か
ら分離されて後、吸引式搬送ベルト10によって定着器11
に送り付けられ定着処理される。定着後転写シートは機
体１外の排紙トレー12に排出される。

【００１９】手差し給紙口22には手差しテーブル26が設
けられ、手差し給紙される転写シートをガイドできるよ
うにしている。各給紙カセット23〜25は、給紙ユニット
２１の各給紙口27〜29に着脱できるように装着され、給
紙ローラ30〜32の選択的な駆動によって、それら給紙カ
セット23〜25内の転写シートの中の所定のものを給紙す
ることができる。

【００２０】転写部に向け搬送される転写シートは停止
状態で待機しているタイミングローラ45に送り付けられ
て先端の整合によりスキュー矯正されるとともに、タイ
ミングローラ45の駆動開始時期によって転写部への搬送
タイミングを調整され、感光ドラム２上に形成されてい
る顕像の先端と転写シートの先端とが一致するようにな
っている。

【００２１】自動原稿搬送装置51は、プラテンガラス６
上に開いたり閉じたりできるように設けられている。自
動原稿搬送装置51は機体１と電気的に接続され、かつ所
定位置に閉じられたことが図示しないスイッチによって
検出されると、機体１と自動原稿搬送装置51との制御は
互いに関連付けられ、機体１の動作モードが自動原稿搬
送モードに切換られる。

【００２２】自動原稿搬送モードは、自動原稿搬送装置
51に設けられているスタートキー５２が操作されること
により、機体１が待機状態のまま自動原稿搬送装置５１
が動作を開始し、原稿送り出し部55の原稿トレー53にセ
ットされた原稿を次の搬送部56のプラテンガラス６とそ
の上の搬送ベルト57との間に送り出し、搬送ベルト57に
よってプラテンガラス６上の所定の露光位置にまで搬送
して停止させる。このとき自動原稿搬送装置51から機体
１にスタート信号が発せられ複写動作がスタートする。

【００２３】前記露光位置の原稿に対する最終の露光操
作が終了すると、機体１から自動原稿搬送装置51にその
旨の信号が発せられ、自動原稿搬送装置51は搬送ベルト
57によって原稿を排紙トレイ54上に排出する。

【００２４】露光光学系５は、ミラースキャン方式のも
のであり、投影レンズ61の光軸方向の移動により複写倍
率を変更することができる。なお照明光源62と第１ミラ
ー63とを有する第１のスライダ64はV/m (V: 感光ドラム
の周速、m:複写倍率) の速度でスキャン動作するのに対
し、第２、第３のミラー65、66を有する第２のスライダ
67がV/2mの速度で移動されてスキャン中の各倍率に応じ
た光路長を一定に保っている。

【００２５】機体１は複写に際して転写シートを選択す
るモードとして、転写シートのサイズを自動的に選択す
る用紙自動選択モード（APS モード）と、オペレータが
転写シートのサイズを設定するマニュアルモードとを有
している。

【００２６】APS モードは、複写倍率を固定し露光に供
される原稿のサイズとその固定倍率とから、最適な転写
シートサイズを判別して対応する給紙口を自動的に選択
し、選択された給紙口から転写シートを給紙する。

【００２７】マニュアルモードは、複写倍率、転写シー
トサイズを任意に選択して複写動作を行う。

【００２８】前記APS モードでの原稿のサイズ検出等の
ために、自動原稿搬送装置51の搬送部56の原稿挿入口の
近傍には、挿入される原稿のサイズや向きにかかわりな
く、原稿を検出することができるように配置されて原稿
の搬送方向のサイズすなわち原稿長さを検出する原稿長
さセンサ72と、挿入される原稿の幅によって検知、非検
知の２状態をとる原稿幅センサ73とが設けられ、この２
つのセンサ72、73からの検出信号を機体１側で受けるこ
とによって原稿のサイズ、向きを識別するようになって
いる。

【００２９】さらに給紙ユニット21には前記各モードに
て自動選択され、またはマニュアル選択されたサイズの
転写シートを複写に供するために、各給紙口27〜29にセ
ットされた給紙カセット23〜25内の転写シートの有無を
検出するセンサ75〜77、またセットされている給紙カセ
ット23〜25に収容されている転写シートの残量を検出す
るセンサ78〜80、さらに収容されている転写シートのサ
イズを検出するセンサ81〜83が設けられている。また各
給紙口27〜29にセットされた給紙カセット23〜25から給
紙があった場合これを検出する給紙センサ84〜86も設け
られている。一方機体１の手差し給紙口22には転写シー
トが手差しされたことを検出する手差しセンサ87、また
手差し転写シートが給紙されたことを検出する手差し給
紙センサ88が設けられている。また前記各給紙口27〜29
および手差し給紙口22から給紙された転写シートがタイ
ミングローラ45の直前に達したことを検出するセンサ89
も設けられ、このセンサ89による転写シートの検出によ
って前記タイミングローラ45をオンするタイミングを図
るようにしている。

【００３０】なお機体１内には複写機構を駆動するメイ
ンモータ91が設けられ、給紙ユニット21には単独の給紙
モータ92が設けられている。

【００３１】機体１には、図２に示すような操作パネル
101 が設けられている。図２において102 はコピースタ
ートのためのプリントキー、103 〜112 は１〜０までを
置数するテンキー、113 はコピー枚数等のクリア、コピ
ー動作の停止等に利用するクリア・ストップキー、114
はAPS モード、AMS モード、マニュアルの各モードを選
択するモード選択キー、115 、116 は複写倍率のアップ
キー、およびダウンキーである。

【００３２】以上の各キー１０２〜１１６、機体１およ
び給紙ユニット21内の入出力は、図３に示すようにCPU2
00、およびこれにアドレスバス、データバス、コントロ
ールバスによって接続されたフラッシュメモリ３００、
ＳＲＡＭ３０１、およびＰＩＯ３０３を中心とする制御
回路201 を構成している。ＣＰＵ２００には表示装置２
０２も接続され、複写機の動作制御のための制御プログ
ラムはフラッシュメモリ３００に書き込まれ、ＳＲＡＭ
３０１にはランダムアクセス性を利用してその時々に設
定され、また入力される各種データのほか、前記トータ
ルカウンタデータ、ユーザーチョイスデータ等の事後的
に書き込まれてしかもバックアップの必要なデータも書
き込まれ、バックアップバッテリー３０２によってバッ
クアップされている。バックアップバッテリー３０２は
二次電池であるのが好適である。

【００３３】入出力負荷の制御は図３に矢印で示したよ
うにＣＰＵ２００のダイレクトポート、あるいはＰＩＯ
３０３を通して行われる。

【００３４】フラッシュメモリ３００は電気的書き換え
が少なくとも特定の記憶ブロック単位でできるものの一
例であり、本実施の形態では６４ＫＢｙｔｅの記憶ブロ
ック単位で消去でき、８Ｍｂｉｔのフラッシュメモリの
ものであって、その構成を図７に模式的に示してある。
アドレスＦ００００〜ＦＦＦＦＦのＡ記憶ブロックは、
ＳＲＡＭ３０１のバックアップエリアとして使用してお
り、電気的書き換えができ、上記のようなバックアップ
対象データであるトータルカウンタデータやユーザーチ
ョイスデータなどがＳＲＡＭ３０１に書き込まれると、
これを所定のタイミングで書き込み保持しておく。アド
レス０００００〜ＥＦＦＦＦのＢ〜Ｐまでの記憶ブロッ
クは制御用プログラムが書き込まれる。このＢ〜Ｐまで
の記憶ブロックは電気的書き換えができてもよいが、デ
ータ保持の安定性の要求が強い場合は電気的書き込みが
できない領域としておくのが好適である。

【００３５】ここに、本実施の形態のＳＲＡＭ３０１
は、本発明の第１のメモリの一例であり、フラッシュメ
モリ３００は本発明の第２のメモリの一例である。そし
て、フラッシュメモリ３００のＡ記憶ブロックは本発明
の第２の記憶ブロックの一例であり、Ｂ〜Ｐまでの記憶
ブロックは本発明の第１の記憶ブロックの一例である。

【００３６】これらに限られることはなく、本発明のひ
つような機能を満足する限りどのように形成され、ある
いは構成されたものでもよい。

【００３７】本実施の形態では、ＳＲＡＭ３０１に書き
込まれたデータ、およびフラッシュメモリ３００のＢ〜
Ｐまでの記憶ブロックに書き込まれた制御プログラムに
従った動作制御において、ＳＲＡＭ３０１に書き込まれ
たバックアップの必要なバックアップ対象データを、所
定のタイミングで、フラッシュメモリ３００のＡ記憶ブ
ロックに書き込み、必要に応じてこれをＳＲＡＭ３０１
に書き込んで動作制御に利用できるようにする。

【００３８】これにより、ＳＲＡＭ３０１のランダンム
アクセス性によって、事後書き込みしたデータをフラッ
シュメモリ３００のＢ〜Ｐまでの記憶ブロックに書き込
まれた制御プログラムに従い利用して動作制御でき、そ
の事後書き込みしたデータのバックアップの必要なもの
については所定のタイミングで、フラッシュメモリ３０
０のＢ〜Ｐまでの記憶ブロックにもその電気的書き換え
特性によって書き込んで、それを頻繁なアクセスなく信
頼性高く保持しておいて、必要に応じそれをＳＲＡＭ３
０１に書き込んで動作制御に利用できるようにすること
ができる。

【００３９】この結果、ＳＲＡＭ３０１に書き込んだバ
ックアップの必要なデータが、バックアップバッテリ３
０２による不揮発性でも動作制御上の頻繁なアクセスに
よって破壊や消去されることがあっても、フラッシュメ
モリ３００のＡ記憶ブロックに書き込んで信頼性高く保
持しているバックアップ対象データによって容易に修復
することができる。また、フラッシュメモリ３００のＢ
〜Ｐまでの記憶ブロックに書き込んだ制御プログラム
は、Ａ記憶ブロックとＢ〜Ｐまでの記憶ブロックとのフ
ラッシュメモリ３００独自の独立性によって破壊される
ことはないので、Ｂ〜Ｐまでの記憶ブロックに不変な基
本の制御プログラムを書き込んで動作制御を行っても信
頼性は損なわれず、信頼性確保のためのＲＯＭなど他の
メモリは不要である。

【００４０】また、制御プログラムによる初期設定時
に、フラッシュメモリ３００のＡ記憶ブロックに書き込
んだバックアップ対象データと、ＳＲＡＭ３０１に書き
込んだバックアップ対象データとを比較し、一致してい
なければフラッシュメモリ３００のＡ記憶ブロックの書
き込みデータをＳＲＡＭ３０１に書き込んで動作制御に
利用できるようにする。これにより、ＳＲＡＭ３０１に
書き込んだバックアップ対象データをバックアップバッ
テリ３０２によりバックアップしておき、フラッシュメ
モリ３００のＡ記憶ブロックのバックアップ対象データ
と、ＳＲＡＭ３０１のバックアップ対象データとが一致
しない、つまり、ＳＲＡＭ３０１に書き込んだバックア
ップ対象データが破壊され、あるいは消去されたときだ
け、フラッシュメモリ３００のＡ記憶ブロックの書き込
み内容により修復すればよくなる。

【００４１】従って、動作制御が簡略化するし、フラッ
シュメモリ３００のＡ記憶ブロックへのアクセス回数が
大幅に低減して書き込み内容の保持の信頼性がさらに向
上する。

【００４２】以下制御回路201 による具体的な制御の一
実施例について、図４〜図７を参照して説明する。

【００４３】図４はCPU200の制御のメインルーチンのフ
ローチャートを示している。機体１に電源が投入される
と、ステップ＃１の初期設定が行われる。ステップ＃２
では電源立ち上がり後、所定時間リセットを掛けた後、
システムリセットが解除される。ステップ＃３では、Ｃ
ＰＵ２００内部のＲＡＭのクリア、および標準複写モー
ドのための初期設定が行われる。

【００４４】ステップ＃４では、フラッシュメモリ３０
０のＡ記憶ブロック内のデータと、ＳＲＡＭ３０１内の
バックアップ対象データとの内容の比較を行う。ステッ
プ＃４でそれぞれの比較データが一致していればそのま
まステップ＃６へ進む。一致していないとステップ＃５
で書き込み動作１を行って、フラッシュメモリ３００の
Ａ記憶ブロックの内容をＳＲＡＭ３０１に書き込んで
後、ステップ＃６に進む。

【００４５】ステップ＃６ではＣＰＵ２００の内部タイ
マがスタートされる。このタイマにより以下の制御に要
する１ルーチンの時間が管理される。

【００４６】ステップ＃７では、操作パネル、各種セン
サの入力を受付け、これを処理する。ステップ＃８で
は、前記機体１におけるコピー開始から終了までの一連
の複写動作の処理を行う。ステップ＃９では、制御信
号、表示信号を処理し、必要な情報を操作パネル等に表
示する。ステップ＃１０では、メインスイッチがオフか
どうかを判定し、オフでなければそのままステップ＃１
１に進む。オフであるとステップ＃１２に進む。

【００４７】ステップ＃１１では、前記内部タイマの終
了を判定し、終了すると再びステップ＃６に戻り、以後
ステップ＃６〜ステップ＃１１を繰返し実行する。

【００４８】ステップ＃１２では、メインスイッチがオ
フされたことに伴う書き込み動作２を行って、ＳＲＡＭ
３０１に書き込まれているバックアップ対象データをフ
ラッシュメモリ３００のＡ記憶ブロックに書き込み、ス
テップ＃１３に進む。ステップ＃１３ではシステムダウ
ンを図り制御を終了する。これにより、複写機が一旦立
ち上げられてバックアップ対象データの書き込みがどの
時点で変わっても、メインスイッチオフ時にはフラッシ
ュメモリ３００のＡ記憶ブロックに格納され以降バック
アップされる。もっとも、ＳＲＡＭ３０１に新たなバッ
クアップ対象データが書き込まれる都度フラッシュメモ
リ３００のＡ記憶ブロックに並行して書き込むようにす
るなど、本発明が成立するかぎり各種のタイミングにて
書き込めるのは勿論である。

【００４９】ステップ＃５の書き込み動作１は、図５に
示すようにステップ＃５１でフラッシュメモリ３００の
Ａ記憶ブロックを読み出し、そのデータをステップ＃５
２でＳＲＡＭ３０１に書き込み、動作制御に利用される
ようにしてリターンする。

【００５０】ステップ＃１２の書き込み動作２は、図６
に示すように、ステップ＃１０でのベリファイの結果が
不一致かどうかをステップ＃１２１で判定し、不一致で
あるときだけ実行され、ステップ＃１２２でフラッシュ
メモリ３００のＡ記憶ブロックを消去した後、このＡ記
憶ブロックにステップ＃１２３でＳＲＡＭ３０１のバッ
クアップ対象データを書き込み、リターンする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の代表的な一実施の形態を示す複写機の
全体構成の概略構成図である。

【図２】図１の複写機の操作パネルの一部正面図であ
る。

【図３】図１の複写機の制御回路のブロック図である。

【図４】図３の制御回路による制御のメインルーチンの
フローチャートである。

【図５】図４の書き込み動作１のサブルーチンのフロー
チャートである。

【図６】図４の書き込み動作２のサブルーチンのフロー
チャートである。

【図７】図１のフラッシュメモリの記憶ブロックの利用
状態を示す模式図である。

【符号の説明】

２００ＣＰＵ３００フラッシュメモリ３０１ＳＲＡＭ３０２バックアップバッテリＡ、Ｂ〜Ｐ記憶ブロック

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ランダムアクセス可能な第１のメモリ
と、電気的書き換えが少なくとも特定の記憶ブロック単
位でできる第２のメモリとを用い、制御プログラムを第
２のメモリに書き込んでおき、第１のメモリに書き込ま
れたデータ、および第２のメモリに書き込まれた制御プ
ログラムに従った動作制御において、第１のメモリに書
き込まれたバックアップの必要なバックアップ対象デー
タを、所定のタイミングで、第２のメモリの制御プログ
ラムを書き込んでいる第１の記憶ブロックとは別の電気
的書き込み機能を持った第２の記憶ブロックに記憶し、
必要に応じてこれを第１のメモリに書き込んで動作制御
に利用できるようにして、メモリのバックアップを行う
ことを特徴とするメモリのバックアップ方法。
【請求項２】制御プログラムによる初期設定時に、第
２のメモリの第２の記憶ブロックに書き込んだバックア
ップ対象データを第１のメモリに書き込んで動作制御に
利用できるようにする請求項１に記載のメモリのバック
アップ方法。
【請求項３】第１のメモリはバックアップ電源により
バックアップし、制御プログラムによる初期設定時に、
第２のメモリの第２の記憶ブロックに書き込んだバック
アップ対象データと、第１のメモリに書き込んだバック
アップ対象データとを比較し、一致していなければ第２
のメモリの第２の記憶ブロックの書き込みデータを第１
のメモリに書き込んで動作制御に利用できるようにする
請求項１に記載のメモリのバックアップ方法。