JPH1164381A - コンタクトプローブおよびその製造方法と前記コンタクトプローブを備えたプローブ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンタクトプローブにおいて、高硬度が得ら
れるとともに折曲における靱性に優れ、屈曲部分の亀裂
等を抑制することを課題とする。 【解決手段】 複数のパターン配線３がフィルム２上に
形成されこれらのパターン配線の各先端が前記フィルム
から突出状態に配されてコンタクトピン３ａとされるコ
ンタクトプローブ１であって、少なくとも前記コンタク
トピンは、ニッケル−マンガン合金で形成されるととも
に、マンガン濃度が０．０５重量％以上に設定された高
マンガン合金層ＨＭと、該高マンガン合金層より低いマ
ンガン濃度に設定された低マンガン合金層ＬＭとを具備
してなり、その途中位置Ｖにて前記低マンガン合金層側
を外側にして折曲されている技術が採用される。なお、
低マンガン合金層は、焼鈍されていることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プローブピンやソ
ケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト
用ソケット等に組み込まれて半導体ＩＣチップや液晶デ
バイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコン
タクトプローブおよびその製造方法と前記コンタクトプ
ローブを備えたプローブ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の
半導体チップ又はＬＣＤ（液晶表示体）の各端子に接触
させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
用いられている。近年、ＩＣチップ等の高集積化および
微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ
化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化
が要望されている。しかしながら、コンタクトピンとし
て用いられていたタングステン針のコンタクトプローブ
では、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへ
の対応が困難になっていた。

【０００３】これに対して、例えば、特公平７−８２０
２７号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に
形成されこれらのパターン配線の各先端が前記樹脂フィ
ルムから突出状態に配されてコンタクトピンとされるコ
ンタクトプローブの技術が提案されている。この技術例
では、複数のパターン配線の先端部をコンタクトピンと
することによって、多ピン狭ピッチ化を図るとともに、
複雑な多数の部品を不要とするものである。

【０００４】上記のコンタクトプローブでは、テスト時
において、所望の接触圧を得るためにコンタクトピンの
押し付け量を増減させているが、大きな接触圧を得るた
めには大きな押し付け量が必要となる。しかしながら、
上記のコンタクトプローブは、パターン配線の先端部、
すなわちコンタクトピンがＮｉ（ニッケル）で形成され
ているため、硬度がＨｖ３００程度しか得られず、硬度
が低いために過度の接触圧が加わることによりコンタク
トピンが湾曲・変形してしまうため、押し付け量に限界
があり大きな接触圧が得られなかった。この結果、電気
的測定に十分な接触圧が得られず、接触不良を起こす原
因となっていた。

【０００５】この対策として、Ｎｉをメッキ処理で形成
する際に、サッカリン等の添加剤を投入する手段がある
が、この場合、常温でＨｖ３５０以上の硬度を維持する
ことが可能であるが、サッカリン等の添加剤にはＳ（硫
黄）が含まれているために高温加熱、例えば３００℃で
加熱すると、硬度がＨｖ２００以下にまで急激に低下し
てしまう不都合が生じる。このため、上記のコンタクト
プローブを、高温下に置くことがある場合、特に、バー
ンインテスト用チップキャリア等に用いることができな
かった。

【０００６】そこで、硬度を向上させしかも耐熱性も兼
ね備え、高温加熱後でも高硬度を安定して維持すること
ができるニッケル−マンガン（Ｎｉ−Ｍｎ）合金製のコ
ンタクトプローブが提案されている。

【０００７】ところで、Ａｌ（アルミニウム）合金等で
形成されるＩＣチップ等の各端子（パッド）は、その表
面が空気中で酸化して、薄いアルミニウムの表面酸化膜
で覆われた状態となっている。したがって、パッドの電
気的テストを行うには、アルミニウムの表面酸化膜を剥
離させ、内部のアルミニウムを露出させて、導電性確保
する必要がある。

【０００８】そこで、上記コンタクトプローブにおいて
は、コンタクトピンをパッドの表面に接触させつつ、オ
ーバードライブをかける（コンタクトピンがパッドに接
触してからさらに下方に向けて引き下げる）ことによ
り、コンタクトピンの先端でパッド表面のアルミニウム
の表面酸化膜を擦り取り、内部のアルミニウムを露出さ
せるようにしている。上述した作業は、スクラブ(scru
b)と呼ばれ、電気的テストを確実に行う上で重要とされ
る。

【０００９】上記コンタクトピンにおいて、スクラブ時
にパッドの下地が傷つくのを防止するためには、コンタ
クトピンのパッドに対する接触角を十分な大きさまで確
保することが必要とされる。その理由は、接触角が小さ
いと、表面のアルミニウムの排斥量が著しく大きくな
り、パッド下地にまで影響を及ぼすという理由からであ
る。

【００１０】この対策として、図３８に示すように、コ
ンタクトピン６００の途中位置Ｖにて折曲させたコンタ
クトプローブ６０１が提案されている。このコンタクト
プローブ６０１では、コンタクトピン６００の先端部と
基端部とで測定対象物（パッド）に対する角度を変える
ことができ、コンタクトピン６００の基端部のパッドに
対する角度、すなわち、フィルム６０２のパッドに対す
る角度を大きくすることなく、コンタクトピン６００の
先端部とパッドの角度（接触角）を大きくすることが可
能となる。すなわち、このコンタクトプローブ６０１で
は、スクラブ距離が過度に大きくなることがなく、か
つ、プローブ装置の高さを大きくすることなく、スクラ
ブ時にパッドの下地が傷つくことを防止することができ
るという利点がある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記折曲されたコンタ
クトピン６００を有するコンタクトプローブ６０１は、
上述したＮｉ−Ｍｎ合金製のコンタクトピンを採用した
場合に、図３８に示すように、該コンタクトピン６００
をその途中位置Ｖにて折曲して作製すると、屈曲部分の
外側に亀裂や破断等が生じる場合があった。また、折曲
時に亀裂等が生じていなくても、繰り返しの使用により
屈曲部分の外側に亀裂等が発生するおそれがあった。こ
の原因は、上記Ｎｉ−Ｍｎ合金製のコンタクトプローブ
において、硬度を向上させるためにＭｎを一定濃度以上
含有させなければならないが、この場合にコンタクトピ
ンにおける靱性が低下してしまい、折曲時に屈曲部分の
外側が最も伸ばされるために亀裂等が生じてしまうため
である。

【００１２】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、高硬度が得られるとともに折曲における靱性に優
れ、屈曲部分の亀裂等を抑制するコンタクトプローブお
よびその製造方法と前記コンタクトプローブを備えたプ
ローブ装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載のコンタクトプローブでは、複数のパターン配線
がフィルム上に形成されこれらのパターン配線の各先端
が前記フィルムから突出状態に配されてコンタクトピン
とされるコンタクトプローブであって、少なくとも前記
コンタクトピンは、ニッケル−マンガン合金で形成され
るとともに、マンガン濃度が０．０５重量％以上に設定
された高マンガン合金層と、該高マンガン合金層より低
いマンガン濃度に設定された低マンガン合金層とを具備
してなり、その途中位置にて前記低マンガン合金層側を
外側にして折曲されている技術が採用される。

【００１４】このコンタクトプローブでは、高マンガン
合金層がマンガン濃度０．０５重量％以上のＮｉ−Ｍｎ
合金であるので、常温および高温加熱後、すなわち５０
０℃で加熱した後でもＨｖ３５０以上の高硬度が得られ
る。さらに、高マンガン合金層より低いマンガン濃度の
Ｎｉ−Ｍｎ合金で形成されている低マンガン合金層側を
外側にして折曲されているので、高マンガン合金層単層
で形成された場合に比べて屈曲部分の外側の靱性が高く
なり、折曲時および繰り返しの使用においても屈曲部分
の外側の亀裂等の発生が抑制される。

【００１５】請求項２記載のコンタクトプローブでは、
請求項１記載のコンタクトプローブにおいて、前記高マ
ンガン合金層は、マンガン濃度が１．５重量％以下に設
定されている。

【００１６】このコンタクトプローブでは、Ｍｎ濃度が
１．５重量％を越えると、コンタクトピンの応力が増大
してしまい湾曲するおそれがあるとともに、非常に脆く
靱性が大幅に低下してしまう。したがって、上記範囲内
に高マンガン合金層のＭｎ濃度を設定することにより、
屈曲部分の内側に位置する高マンガン合金層自体にもコ
ンタクトプローブとして適度な靱性および硬度が与えら
れる。

【００１７】請求項３記載のコンタクトプローブでは、
請求項１または２記載のコンタクトプローブにおいて、
前記低マンガン合金層は、厚さ方向でマンガン濃度が前
記高マンガン合金層に向けて漸次高く設定されている技
術が採用される。

【００１８】このコンタクトプローブでは、低マンガン
合金層のＭｎ濃度が漸次高く設定されているので、低マ
ンガン合金層の厚さ方向においてＭｎ濃度が勾配し、高
マンガン合金層と低マンガン合金層とのＭｎ濃度の差を
徐々に少なくして、両層界面における硬度および靱性の
急峻な変化が緩和される。したがって、両層の熱膨張係
数の相違により発生するコンタクトピンの反りが大幅に
軽減される。

【００１９】請求項４記載のコンタクトプローブでは、
請求項１から３いずれかに記載のコンタクトプローブに
おいて、前記低マンガン合金層は、焼鈍されている技術
が採用される。

【００２０】このコンタクトプローブでは、低マンガン
合金層が焼鈍されているので、低マンガン合金層が軟化
され靱性がさらに向上する。

【００２１】請求項５記載のコンタクトプローブでは、
請求項１から４のいずれかに記載のコンタクトプローブ
において、前記フィルムには、金属フィルムが直接張り
付けられて設けられている技術が採用される。

【００２２】このコンタクトプローブでは、前記フィル
ムが、例えば水分を吸収して伸張し易い樹脂フィルム等
であっても、該フィルムには、金属フィルムが直接張り
付けられて設けられているため、該金属フィルムによっ
て前記フィルムの伸びが抑制される。すなわち、各コン
タクトピンの間隔にずれが生じ難くなり、先端部が測定
対象物に正確かつ高精度に当接させられる。したがっ
て、測定対象物であるＩＣチップやＬＣＤ等の端子以外
の場所に、高硬度のＮｉ−Ｍｎ合金で形成された先端部
が当接することによって生じる損傷等を防ぐことができ
る。さらに、該金属フィルムは、グラウンドとして用い
ることができ、それにより、コンタクトプローブの先端
近くまでインピーダンスマッチングをとる設計が可能と
なり、高周波域でのテストを行う場合にも反射雑音によ
る悪影響を防ぐことができる。すなわち、プローバーと
呼ばれるテスターからの伝送線路の途中で基板配線側と
コンタクトピンとの間の特性インピーダンスが合わない
と反射雑音が生じ、その場合、特性インピーダンスの異
なる伝送線路が長ければ長いほど大きな反射雑音が生じ
るという問題がある。反射雑音は信号歪となり、高周波
になると誤動作の原因になり易い。本コンタクトプロー
ブでは、前記金属フィルムをグラウンドとして用いるこ
とにより、コンタクトピン先の近くまで基板配線側との
特性インピーダンスのずれを最小限に抑えることがで
き、反射雑音による誤動作を抑えることができる。

【００２３】請求項６記載のコンタクトプローブでは、
請求項５記載のコンタクトプローブにおいて、前記金属
フィルムには、第二のフィルムが直接張り付けられて設
けられている技術が採用される。

【００２４】このコンタクトプローブでは、前記金属フ
ィルムに第二のフィルムが直接張り付けられて設けられ
ているため、配線用基板が金属フィルムの上方に配され
る場合には、配線用基板の基板側パターン配線や他の配
線が金属フィルムと直接接触しないのでショートを防ぐ
ことができる。また、樹脂フィルムの上に金属フィルム
が張り付けられて設けられているだけでは、金属フィル
ムが露出しているため、大気中で酸化が進行してしまう
が、本発明では、第二のフィルムが金属フィルムを被覆
してその酸化を防止する。

【００２５】請求項７記載のプローブ装置では、請求項
１から６のいずれかに記載のコンタクトプローブと、前
記フィルム上に配されて該フィルムから前記コンタクト
ピンよりも短く突出する強弾性フィルムと、該強弾性フ
ィルムと前記コンタクトプローブとを支持する支持部材
とを備えている技術が採用される。

【００２６】このプローブ装置では、前記強弾性フィル
ムが設けられ、該強弾性フィルムがコンタクトピンの先
端側を上方から押さえるため、ピン先端が上方に湾曲し
たものが存在しても、Ｎｉ−Ｍｎ合金で形成された各ピ
ンに均一な接触圧が得られる。すなわち、測定対象物に
先端部を確実に当接させることができるところから、接
触不良による測定ミスをさらに低減することができる。

【００２７】請求項８記載のプローブ装置では、請求項
７記載のプローブ装置において、前記フィルムは、前記
強弾性フィルムが前記コンタクトピンを押圧するときに
緩衝材となるように前記強弾性フィルムよりも先端側に
長く形成されている技術が採用される。

【００２８】このプローブ装置では、前記フィルムが前
記強弾性フィルムよりも先端側に長く形成されて該強弾
性フィルムがコンタクトピンを押圧するときに緩衝材と
なるため、繰り返し使用しても、強弾性フィルムとの摩
擦によりコンタクトピンが歪んで湾曲すること等がな
く、測定対象物に対して安定した接触を保つことができ
る。したがって、高硬度のＮｉ−Ｍｎ合金で形成された
先端部の接触圧が、長期に亙って均一に得られる。

【００２９】請求項９記載のコンタクトプローブの製造
方法では、フィルム上に複数のパターン配線を形成しこ
れらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突出状
態に配してコンタクトピンとするコンタクトプローブの
製造方法であって、基板層の上に前記コンタクトピンの
材質に被着または結合する材質の第１の金属層を形成す
る第１の金属層形成工程と、前記第１の金属層の上にマ
スクを施してマスクされていない部分に、前記コンタク
トピンに供される第２の金属層をメッキ処理によりニッ
ケル−マンガン合金で形成するメッキ処理工程と、前記
マスクを取り除いた第２の金属層の上に前記コンタクト
ピンに供される部分以外をカバーする前記フィルムを被
着するフィルム被着工程と、前記フィルムと第２の金属
層とからなる部分と、前記基板層と第１の金属層とから
なる部分とを分離する分離工程と、前記コンタクトピン
を、その途中位置で折曲させるコンタクトピン折曲工程
とを備えてなり、前記メッキ処理工程は、マンガン濃度
が０．０５重量％以上に設定された高マンガン合金層を
形成する高硬度層形成工程と、前記高マンガン合金層よ
り低いマンガン濃度に設定された低マンガン合金層を形
成する高靱性層形成工程とを備え、前記コンタクトピン
折曲工程は、前記低マンガン合金層側を外側にして折曲
させる技術が採用される。

【００３０】このコンタクトプローブの製造方法では、
高硬度層形成工程および高靱性層形成工程によって高マ
ンガン合金層および低マンガン合金層の二層構造が形成
され、コンタクトピン折曲工程で高マンガン合金層より
靱性が高い低マンガン合金層側を外側にして折曲させる
ので、折曲時に最も伸ばされる屈曲部分の外側が高靱性
層となることから、折曲による応力が緩和されるととも
に亀裂等の発生が抑制される。

【００３１】請求項１０記載のコンタクトプローブの製
造方法では、請求項９記載のコンタクトプローブの製造
方法において、前記高靱性層形成工程は、前記低マンガ
ン合金層をその厚さ方向でマンガン濃度が前記高マンガ
ン合金層に向けて漸次高くなるように形成する技術が採
用される。

【００３２】このコンタクトプローブの製造方法では、
高靱性層形成工程において、低マンガン合金層の厚さ方
向でそのマンガン濃度が高マンガン合金層に向けて漸次
高く形成されるので、低マンガン合金層の厚さ方向にお
いてＭｎ濃度が勾配し、高マンガン合金層と低マンガン
合金層とのＭｎ濃度の差が徐々に小さくされる。すなわ
ち、両層界面におけるＭｎ濃度の急峻な変化が緩和さ
れ、上記界面におけるメッキ時の応力集中が抑制され
る。したがって、上記界面における応力によって生じる
コンタクトピンの湾曲等を抑制することができる。

【００３３】請求項１１記載のコンタクトプローブの製
造方法では、請求項９または１０記載のコンタクトプロ
ーブの製造方法において、前記高靱性層形成工程の後
に、前記低マンガン合金層を焼鈍する焼鈍工程を備えて
いる技術が採用される。

【００３４】このコンタクトプローブの製造方法では、
焼鈍工程で低マンガン合金層を焼鈍するので、低マンガ
ン合金層が軟化され靱性がさらに向上する。

【００３５】請求項１２記載のコンタクトプローブの製
造方法では、請求項１１記載のコンタクトプローブの製
造方法において、前記焼鈍工程は、前記高マンガン合金
層が焼鈍される温度および時間より低い加熱温度および
短い加熱時間で行う技術が採用される。

【００３６】このコンタクトプローブの製造方法では、
焼鈍工程において高マンガン合金層が焼鈍される温度お
よび時間より低い加熱温度および短い加熱時間で低マン
ガン合金層が焼鈍されるので、低マンガン合金層のみが
焼きなましされ、高マンガン合金層は焼きなましされな
い。すなわち、高マンガン合金層の硬度が維持されたま
ま低マンガン合金層のみが軟化されて靱性がさらに向上
する。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るコンタクトプ
ローブの第１実施形態を図１から図６を参照しながら説
明する。これらの図にあって、符号１はコンタクトプロ
ーブ、２は樹脂フィルム、３はパターン配線を示してい
る。

【００３８】本実施形態のコンタクトプローブ１は、図
１および図２に示すように、ポリイミド樹脂フィルム２
の片面に金属で形成されるパターン配線３を有する構造
となっており、前記樹脂フィルム２の中央開口部Ｋに、
前記樹脂フィルム２の端部（すなわち、中央開口部Ｋの
各辺）から前記パターン配線３の先端部が突出してコン
タクトピン３ａとされている。また、パターン配線３の
後端部には、テスター側のコンタクトピンが接触される
接触端子３ｂが形成されている。

【００３９】前記パターン配線３は、Ｎｉ−Ｍｎ合金
（第２の金属層）で形成され、また前記コンタクトピン
３ａには、表面にＡｕが皮膜されて構成されている。前
記パターン配線３およびコンタクトピン３ａは、樹脂フ
ィルム２側に配されＭｎ濃度が０．０５重量％から１．
５重量％の範囲内に設定された高マンガン合金層ＨＭ
と、該高マンガン合金層ＨＭより低いＭｎ濃度に設定さ
れた低マンガン合金層ＬＭとから構成される２層構造を
有する。また、低マンガン合金層ＬＭは、厚さ方向でＭ
ｎ濃度が高マンガン合金層ＨＭに向けて漸次高く設定さ
れている。さらに、コンタクトピン３ａは、低マンガン
合金層ＬＭのみが焼鈍される加熱温度および加熱時間で
焼きなましされている。

【００４０】前記コンタクトピン３ａは、図２に示すよ
うに、その先端から所定長さの途中位置Ｖにて樹脂フィ
ルム２側に向けて、すなわち低マンガン合金層ＬＭ側を
外側にして折曲されている。

【００４１】次に、図３を参照して、前記コンタクトプ
ローブ１の作製工程について工程順に説明する。

【００４２】〔ベースメタル層形成工程（第１の金属層
形成工程）〕まず、図３の（ａ）に示すように、ステン
レス製の支持金属板５の上に、Ｃｕ（銅）メッキにより
ベースメタル層（第１の金属層）６を形成する。

【００４３】〔パターン形成工程〕このベースメタル層
６の上にフォトレジスト層７を形成した後、図３の
（ｂ）に示すように、写真製版技術により、フォトレジ
スト層７に所定のパターンのフォトマスク８を施して露
光し、図３の（ｃ）に示すように、フォトレジスト層７
を現像して前記パターン配線３となる部分を除去して残
存するフォトレジスト層（マスク）７に開口部７ａを形
成する。

【００４４】なお、本実施形態においては、フォトレジ
スト層７をネガ型フォトレジストによって形成している
が、ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部７ａ
を形成しても構わない。また、本実施形態においては、
前記フォトレジスト層７が、本願請求項にいう「マス
ク」に相当する。但し、本願請求項の「マスク」とは、
本実施形態のフォトレジスト層７のように、フォトマス
ク８を用いた露光・現像工程を経て開口部７ａが形成さ
れるものに限定されるわけではない。例えば、メッキ処
理される箇所に予め孔が形成された（すなわち、予め、
図３の（ｃ）の符号７で示す状態に形成されている）フ
ィルム等でもよい。本願発明において、このようなフィ
ルム等を「マスク」として用いる場合には、本実施形態
におけるパターン形成工程は不要である。

【００４５】〔メッキ処理工程〕そして、図３の（ｄ）
に示すように、前記開口部７ａに前記パターン配線３と
なるＮｉ−Ｍｎ合金層（第２の金属層）Ｎを「高靱性層
形成工程」および「高硬度層形成工程」に分けて電解メ
ッキ処理により形成する。

【００４６】＜高靱性層形成工程＞まず、マンガン濃度
が低く高靱性層となる低マンガン合金層ＬＭをベースメ
タル層６の上にメッキ形成する。このとき、Ｍｎを含有
させるためにメッキ液の組成の例として、スルファミン
酸Ｎｉ浴にスルファミン酸Ｍｎを添加したものを用い、
メッキ液中のＭｎ量およびメッキする際の電流密度を制
御して、次にメッキ形成する高マンガン合金層ＨＭより
低いＭｎ濃度に設定する。本実施形態では、電流密度を
漸次高くして厚さ方向にＭｎ濃度が漸次高く勾配した低
マンガン合金層ＬＭとした。

【００４７】＜高硬度層形成工程＞さらに、低マンガン
合金層ＬＭ上にＭｎ濃度が０．０５重量％から１．５重
量％の範囲内の高硬度層である高マンガン合金層ＨＭを
メッキ形成して積層する。このとき、メッキ液中のＭｎ
量およびメッキする際の電流密度を制御して、低マンガ
ン合金層ＬＭより高いＭｎ濃度に設定する。なお、低マ
ンガン合金層ＬＭおよび高マンガン合金層ＨＭの厚さ
は、それぞれのＭｎ濃度、折曲させる位置および角度等
によって適宜設定されるが、例えば、厚さ数十μｍの高
マンガン合金層ＨＭに対して、低マンガン合金層ＬＭの
厚さは数μｍから十数μｍ程度の範囲内に設定される。

【００４８】上記メッキ処理の後、図３の（ｅ）に示す
ように、フォトレジスト層７を除去する。

【００４９】〔焼鈍工程〕この状態で、支持金属板５の
上のベースメタル層６に形成された低マンガン合金層Ｌ
Ｍおよび高マンガン合金層ＨＭを加熱炉に入れ、所定の
加熱温度および加熱時間で焼きなましを行う。このと
き、高マンガン合金層ＨＭが焼きなましされる温度およ
び時間より低い加熱温度および短い加熱時間で焼鈍を行
う。

【００５０】〔フィルム被着工程〕次に、図３の（ｆ）
に示すように、前記Ｎｉ−Ｍｎ合金層Ｎの上であって、
図に示した前記パターン配線３の先端部、すなわちコン
タクトピン３ａとなる部分以外に、前記樹脂フィルム２
を接着剤２ａにより接着する。この樹脂フィルム２は、
ポリイミド樹脂ＰＩに金属フィルム（銅箔）５００が一
体に設けられた二層テープである。このフィルム被着工
程の前までに、二層テープのうちの金属フィルム５００
に、写真製版技術を用いた銅エッチングを施して、グラ
ウンド面を形成しておき、このフィルム被着工程では、
二層テープのうちのポリイミド樹脂ＰＩを接着剤２ａを
介して前記Ｎｉ−Ｍｎ合金層Ｎに被着させる。なお、金
属フィルム５００は、銅箔に加えて、Ｎｉ、Ｎｉ合金等
でもよい。

【００５１】〔分離工程〕そして、図３の（ｇ）に示す
ように、樹脂フィルム２とパターン配線３とベースメタ
ル層６とからなる部分を、支持金属板５から分離させた
後、Ｃｕエッチを経て、樹脂フィルム２にパターン配線
３のみを接着させた状態とする。

【００５２】〔金コーティング工程〕そして、露出状態
のパターン配線３に、図３の（ｈ）に示すように、Ａｕ
メッキを施し、表面にＡｕ層ＡＵを形成する。このと
き、樹脂フィルム２から突出状態とされた前記コンタク
トピン３ａでは、全周に亙る表面全体にＡｕ層ＡＵが形
成される。

【００５３】〔コンタクトピン折曲工程〕上記工程後、
精密金型を用いて前記低マンガン合金層ＬＭ側が外側に
なるように前記コンタクトピン３ａを一括して折り曲
げ、図２に示すように、所定の角度を有するコンタクト
ピン３ａを形成する。

【００５４】〔コンタクトピン研磨工程〕コンタクトピ
ン３ａを折曲した結果、コンタクトピン３ａの長さ（高
さ）に不揃いが生じる場合には、研磨により均一化を図
る。研磨方法としては、コンタクトピン３ａを固定した
状態で、該コンタクトピン３ａの折曲された先端部にサ
ンドペーパーを当接させ、その状態でサンドペーパーを
回転させることにより行う。

【００５５】以上の工程により、図１および図２に示す
ような、樹脂フィルム２にパターン配線３を接着させた
コンタクトプローブ１が作製される。

【００５６】このコンタクトプローブ１の製造方法で
は、高硬度層形成工程および高靱性層形成工程によって
高マンガン合金層ＨＭおよび低マンガン合金層ＬＭの二
層構造が形成され、コンタクトピン折曲工程で高マンガ
ン合金層ＨＭより靱性が高い低マンガン合金層ＬＭ側を
外側にして折曲させるので、折曲時に最も伸ばされる屈
曲部分の外側が高靱性層となることから、折曲による応
力が緩和されるとともに亀裂等の発生が抑制される。

【００５７】また、コンタクトピン３ａは、Ｍｎ濃度が
１．５重量％を越えると、コンタクトピン３ａの応力が
増大してしまい湾曲するおそれがあるとともに、非常に
脆く靱性が低下してしまうため、上記範囲内に高マンガ
ン合金層ＨＭのＭｎ濃度を設定することにより、低マン
ガン合金層ＬＭのみで靱性を維持するだけでなく、高マ
ンガン合金層ＨＭ自体にもコンタクトプローブとして適
度な靱性および硬度が与えられる。

【００５８】さらに、高靱性層形成工程において、低マ
ンガン合金層ＬＭの厚さ方向でそのマンガン濃度が高マ
ンガン合金層ＨＭに向けて漸次高く形成されるので、低
マンガン合金層ＬＭの厚さ方向においてＭｎ濃度が勾配
し、高マンガン合金層ＨＭと低マンガン合金層ＬＭとの
Ｍｎ濃度の差が徐々に小さくされる。すなわち、両層界
面におけるＭｎ濃度の急峻な変化が緩和され、上記界面
におけるメッキ時の応力集中が抑制される。したがっ
て、上記界面における応力によって生じるコンタクトピ
ン３ａの湾曲等を抑制することができる。

【００５９】また、先にメッキ形成される低マンガン合
金層ＬＭが高マンガン合金層ＨＭに比べてマンガン濃度
が低く応力緩和層となるため、電着初期に発生する応力
が低マンガン合金層ＬＭによって軽減される。したがっ
て、皮膜の成長過程に応力が持ち越されて発生するＮｉ
−Ｍｎ合金層Ｎ全体の湾曲、ベースメタル層６との剥離
およびベースメタル層６の破れ等が抑制される効果もあ
る。

【００６０】さらに、焼鈍工程において、高マンガン合
金層ＨＭが焼鈍される温度および時間より低い加熱温度
および短い加熱時間で低マンガン合金層ＬＭが焼鈍され
るので、低マンガン合金層ＬＭのみが焼きなましされ、
高マンガン合金層ＨＭは焼きなましされない。すなわ
ち、高マンガン合金層ＨＭの硬度が維持されたまま低マ
ンガン合金層ＬＭのみが軟化されて靱性がさらに向上す
る。

【００６１】次に、前記コンタクトプローブ１を、バー
ンインテスト等に用いるプローブ装置、いわゆるチップ
キャリアに適用した場合の一例を、図４から図６を参照
して説明する。これらの図において、符号１０はプロー
ブ装置、１１はフレーム本体、１２は位置決め板、１３
は上板、１４はクランパ、１５は下板を示している。な
お、本発明に係るコンタクトプローブは、全体が柔軟で
曲げやすいためプローブ装置に組み込む際にフレキシブ
ル基板として機能する。

【００６２】プローブ装置１０は、図４および図５に示
すように、フレーム本体１１と、フレーム本体の内側に
固定され中央に開口部が形成された位置決め板１２と、
コンタクトプローブ１と、該コンタクトプローブ１を上
から押さえて支持する上板（支持部材）１３と、該上板
１３を上から付勢してフレーム本体１１に固定するクラ
ンパ１４とを備えている。また、フレーム本体１１の下
部には、ＩＣチップＩを載置して保持する下板１５がボ
ルト１５ａによって取り付けられている。

【００６３】コンタクトプローブ１の中央開口部Ｋおよ
びコンタクトピン３ａは、ＩＣチップＩの形状およびＩ
ＣチップＩ上のコンタクトパッドの配置に対応して形成
され、中央開口部Ｋからコンタクトピン３ａとＩＣチッ
プＩのコンタクトパッドとの接触状態を監視できるよう
になっている。なお、前記中央開口部Ｋの隅部に切込み
を形成して、組み込み時に容易にコンタクトプローブ１
が変形できるようにしても構わない。

【００６４】また、コンタクトプローブ１の接触端子３
ｂは、コンタクトピン３ａのピッチに比べて広く設定さ
れ、狭ピッチであるＩＣチップＩのコンタクトパッドと
該コンタクトパッドに比べて広いピッチのテスター側コ
ンタクトピンとの整合が容易に取れるようになってい
る。

【００６５】なお、ＩＣチップＩの４辺全てにはコンタ
クトパッドが形成されておらず、一部の辺に配されてい
る場合には、少なくとも前記一部の辺に対応する中央開
口部Ｋの辺にのみコンタクトピン３ａを設ければよい
が、ＩＣチップＩを安定して保持するためには、対向す
る２辺にコンタクトピン３ａを形成してＩＣチップＩの
対向する両辺を押さえることが好ましい。

【００６６】上記プローブ装置１０にＩＣチップＩを取
り付ける手順について説明する。 〔仮組立工程〕まず、位置決め板１２をフレーム本体１
１の取付部上に載置し、この上にコンタクトプローブ１
を中央開口部Ｋとフレーム本体１１の開口部とを合わせ
て配置する。そして、中央開口部Ｋ上に同様に開口部を
合わせて上板１３を載置し、その上からフレーム本体１
１にクランパ１４を係止させる。該クランパ１４は、中
央に屈曲部を有する一種の板バネであるため、上記係止
状態で上板１３を押さえて固定する機能を有する。

【００６７】上記組立状態では、中央に開口が設けら
れ、この部分にＩＣチップＩが取り付けられるので、取
り付けられたＩＣチップＩが開口上方から観察可能とさ
れている。また、上板１３とクランパ１４とは平面上略
長方形に形成され、図５に示すように、コンタクトプロ
ーブ１の接触端子３ｂが、それぞれの長辺側から外側に
出るように組立される。

【００６８】上板１３の下面は、開口近傍が所定の傾斜
角で傾斜状態とされ、図６に示すように、コンタクトプ
ローブ１のコンタクトピン３ａを所定角度で下向きに傾
斜させる。ＩＣチップＩは、配線側を上向きにして下板
１５上に載置され、この状態で下板１５がフレーム本体
１１に下方から仮止め状態とされる。このとき、コンタ
クトプローブ１のコンタクトピン３ａ先端と下板１５上
面との距離がＩＣチップＩの厚さより所定量小さく設定
されているので、ＩＣチップＩはコンタクトピン３ａと
下板１５とによって挟持される。

【００６９】〔位置合わせ工程〕さらに、開口上方から
コンタクトピン３ａの先端に対するＩＣチップＩのコン
タクトパッドの位置を観察しながら、位置決め板１２を
動かしたりＩＣチップＩを針状治具等で動かすことによ
って調整し、対応するコンタクトピン３ａ先端とコンタ
クトパッドとが一致し接触するように微調整設定する。

【００７０】なお、ＩＣチップＩのダイシング精度が高
く、その外形とコンタクトパッドの位置が相対的に安定
しているときには、位置決め板１２とコンタクトプロー
ブ１との位置関係を予め調整しておいてから固定的に組
み立てておくことにより、上記微調整をせずにコンタク
トピン３ａとコンタクトパッドとを一致させることが可
能となる。これによって、ＩＣチップＩの位置合わせ工
程が不要となり、ＩＣチップＩの取り付け作業が効率的
にかつ容易に行うことができる。

【００７１】〔本固定工程〕前記位置合わせ工程後、フ
レーム本体１１に下板１５を本格的に固定する。このと
き、傾斜状態のコンタクトピン３ａに、いわゆるオーバ
ードライブがかかり、所定の押圧力でコンタクトピン３
ａ先端とコンタクトパッドとが接触して確実に電気的に
結合される。この状態は、ＩＣチップＩが、いわゆるマ
ルチチップモジュール等に実装された状態に酷似してお
り、ほぼ実装状態とされたＩＣチップＩの動作状態を高
信頼性をもってテストすることができる。

【００７２】このプローブ装置１０は、約１インチ角
（約２．５ｃｍ角）の小さなチップキャリアであり、ダ
イナミックバーンインテスト等の高温加熱を伴う信頼性
試験に好適なものである。

【００７３】上記プローブ装置１０では、コンタクトプ
ローブ１のコンタクトピン３ａが、マンガン濃度０．０
５重量％以上のＮｉ−Ｍｎ合金である高マンガン合金層
ＨＭを備えているので、常温および高温加熱後、すなわ
ち５００℃で加熱した後でもＨｖ３５０以上の高硬度が
得られる。また、コンタクトピン３ａが、高マンガン合
金層ＨＭより低いマンガン濃度の低マンガン合金層ＬＭ
を備え、低マンガン合金層ＬＭを外側にして折曲されて
いるので、高マンガン合金層ＨＭ単層で形成された場合
に比べて屈曲部分外側の靱性が高くなり、繰り返しの使
用にも十分な耐久性を備えることができる。

【００７４】さらに、上述したように、コンタクトピン
３ａは、低マンガン合金層ＬＭのＭｎ濃度が漸次高く設
定されているので、高マンガン合金層ＨＭと低マンガン
合金層ＬＭとのＭｎ濃度の差を徐々に少なくして、両層
界面における硬度および靱性の急峻な変化が緩和され
る。したがって、両層の熱膨張係数の相違により発生す
るコンタクトピン３ａの反りが大幅に軽減される。

【００７５】なお、上記の第１実施形態においては、コ
ンタクトプローブ１をチップキャリアであるプローブ装
置１０に適用したが、他の測定用治具等に採用しても構
わない。

【００７６】次に、第２実施形態として、本発明に係る
コンタクトプローブ１６をＩＣ用プローブとして採用
し、メカニカルパーツ６０に組み込んでプローブ装置
（プローブカード）７０にする構成について、図７から
図９を参照して説明する。

【００７７】図７および図８は、コンタクトプローブ１
６をＩＣ用プローブとして所定形状に切り出したものを
示す図であり、図９は、図８のＣ−Ｃ線断面図である。
第１実施形態のコンタクトプローブ１では、高マンガン
合金層ＨＭを樹脂フィルム２側に形成したが、第２実施
形態のコンタクトプローブ１６では、樹脂フィルム２に
対して反対側に高マンガン合金層ＨＭを形成している。
この場合、第２実施形態のコンタクトピン３ａは、低マ
ンガン合金層ＬＭが外側になるように折曲され、第１実
施形態におけるコンタクトプローブ１とは逆に、コンタ
クトピン３ａの先端が樹脂フィルム２に対して反対側に
向くように屈曲される。

【００７８】また、図８に示すように、コンタクトプロ
ーブ１６の樹脂フィルム２には、コンタクトプローブ１
６を位置合わせおよび固定するための位置合わせ孔２ｂ
および孔２ｃが設けられ、また、パターン配線３から得
られた信号を引き出し用配線である接触端子３ｂを介し
てプリント基板２０（図１０参照）に伝えるための窓２
ｄが設けられている。

【００７９】前記メカニカルパーツ６０は、図１０に示
すように、マウンティングベース３０と、トップクラン
プ４０と、ボトムクランプ５０とからなっている。ま
ず、プリント基板２０の上にトップクランプ４０を取付
け、次に、コンタクトプローブ１６を取り付けたマウン
ティングベース３０をトップクランプ４０にボルト穴４
１にボルト４２を螺合させて取り付ける（図１１参
照）。そして、ボトムクランプ５０でコンタクトプロー
ブ１６を押さえ込むことにより、パターン配線３を一定
の傾斜状態に保つとともに、下方に折曲されたコンタク
トピン３ａの先端部を所定角度に設定し、該コンタクト
ピン３ａをＩＣチップに押しつける。

【００８０】図１１は、組立終了後のプローブ装置７０
を示している。図１２は、図１１のＥ−Ｅ線断面図であ
る。図１２に示すように、パターン配線３の先端、すな
わちコンタクトピン３ａは、マウンティングベース３０
によりＩＣチップＩに接触している。

【００８１】前記マウンティングベース３０には、コン
タクトプローブ１６の位置を調整するための位置決めピ
ン３１が設けられており、この位置決めピン３１をコン
タクトプローブ１６の前記位置合わせ穴２ｂに挿入する
ことにより、パターン配線３とＩＣチップＩとを正確に
位置合わせすることができるようになっている。コンタ
クトプローブ１６に設けられた窓２ｄの部分のパターン
配線３に、ボトムクランプ５０の弾性体５１を押しつけ
て、前記接触端子３ｂをプリント基板２０の電極２１に
接触させ、パターン配線３から得られた信号を電極２１
を通して外部に伝えることができるようになっている。

【００８２】上記のように構成されたプローブ装置７０
を用いて、ＩＣチップＩのプローブテスト等を行う場合
は、プローブ装置７０をプローバに挿着するとともにテ
スターに電気的に接続し、所定の電気信号をパターン配
線３のコンタクトピン３ａからウェーハ上のＩＣチップ
Ｉに送ることによって、該ＩＣチップＩからの出力信号
がコンタクトピン３ａからテスターに伝送され、ＩＣチ
ップＩの電気的特性が測定される。

【００８３】このコンタクトプローブ１６およびこれを
組み込んだプローブ装置７０では、第１実施形態と同様
に、コンタクトピン３ａが、マンガン濃度が０．０５〜
１．５重量％の範囲内のＮｉ−Ｍｎ合金である高マンガ
ン合金層ＨＭと、高マンガン合金層ＨＭより低くかつ濃
度勾配を有するマンガン濃度の低マンガン合金層ＬＭと
を備え、低マンガン合金層ＬＭ側を外側にして折曲され
ているので、屈曲部分の優れた靱性とコンタクトピン３
ａ全体としての高い硬度（Ｈｖ３５０以上）が得られ
る。

【００８４】次に、図１３乃至図１８を参照して、第３
実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形
態においてＩＣプローブ用の所定形状に切り出したコン
タクトプローブ１６を、それに代えてＬＣＤ用プローブ
の所定形状に切り出して使用するものである。ＬＣＤ用
プローブに切り出されたコンタクトプローブは、図１３
乃至図１５に符号２００で示され、２０１は樹脂フィル
ムである。

【００８５】図１６に示すように、ＬＣＤ用プローブ装
置（プローブ装置）１００は、コンタクトプローブ挟持
体（支持部材）１１０を額縁状フレーム１２０に固定し
てなる構造を有しており、このコンタクトプローブ挟持
体１１０から突出したコンタクトピン３ａの先端がＬＣ
Ｄ（液晶表示体）９０の端子（図示せず）に接触するよ
うになっている。

【００８６】図１５に示すように、コンタクトプローブ
挟持体１１０は、トップクランプ１１１とボトムクラン
プ１１５とを備えている。トップクランプ１１１は、コ
ンタクトピン３ａの先端を押さえる第一突起１１２、Ｔ
ＡＢＩＣ（基板側パターン配線を有する配線用基板）３
００側の端子３０１を押さえる第二突起１１３およびリ
ードを押さえる第三突起１１４を有している。ボトムク
ランプ１１５は、傾斜板１１６、取付板１１７および底
板１１８から構成されている。

【００８７】コンタクトプローブ２００を傾斜板１１６
の上に載置し、さらにＴＡＢＩＣ３００の端子３０１が
コンタクトプローブ２００の樹脂フィルム２０１，２０
１間に位置するように載置する。その後、トップクラン
プ１１１を第一突起１１２が樹脂フィルム２０１の上で
かつ第二突起１１３が端子３０１に接触するように乗せ
ボルトにより組み立てる。

【００８８】図１７に示すように、コンタクトプローブ
２００を組み込み、ボルト１３０によりトップクランプ
１１１とボトムクランプ１１５を組み合わせることによ
り、コンタクトプローブ挟持体１１０が作製される。

【００８９】上記コンタクトプローブ挟持体１１０は、
図１８に示すように、ボルト１３１により固定されてＬ
ＣＤ用プローブ装置１００に組み立てられる。ＬＣＤ用
プローブ装置１００を用いてＬＣＤ９０の電気的テスト
を行うには、ＬＣＤ用プローブ装置１００のコンタクト
ピン３ａの先端をＬＣＤ９０の端子（図示せず）に接触
させた状態で、コンタクトピン３ａから得られた信号を
ＴＡＢＩＣ３００を通して外部に取り出すことにより行
われる。

【００９０】上記ＬＣＤ用プローブ装置１００では、Ｌ
ＣＤ９０の端子に当接させるコンタクトピン３ａが、第
１実施形態および第２実施形態と同様のマンガン濃度に
設定された高マンガン合金層ＨＭと低マンガン合金層Ｌ
Ｍとを備え、低マンガン合金層ＬＭ側を外側にして折曲
されているので、屈曲部分の優れた靱性とコンタクトピ
ン３ａ全体としての高い硬度（Ｈｖ３５０以上）が得ら
れる。

【００９１】次に、図１９乃至図２１を参照して、第４
実施形態について説明する。図１９に示すように、上記
第３実施形態において説明したコンタクトプローブ２０
０におけるコンタクトピン３ａは、その先端が正常な先
端Ｓの他に、メッキ時の応力が若干残留しているときや
他の要因によって、上方に湾曲した先端Ｓ１や下方に湾
曲した先端Ｓ２が生じる場合がある。

【００９２】この場合、図２０に示すように、上記樹脂
フィルム２０１を第一突起１１２および傾斜板１１６で
挟持してコンタクトピン３ａをＬＣＤ９０の端子に押し
つけても、正常な先端Ｓおよび下方に湾曲した先端Ｓ２
は、ＬＣＤ９０の端子に接触するが、上方に湾曲した先
端Ｓ１は、仮に接触したとしても十分な接触圧が得られ
ないことがあった。このことから、コンタクトピン３ａ
のＬＣＤ９０に対する接触不良が発生し、正確な電気テ
ストが行えないという問題があった。

【００９３】そこで、第４実施形態では、図２１に示す
ように、コンタクトピン３ａの上方に湾曲した先端Ｓ１
と下方に湾曲した先端Ｓ２とを正常な先端Ｓと整列させ
るため、樹脂フィルム２０１の上部に有機または無機材
料からなる強弾性フィルム４００を、コンタクトピン３
ａの先端部が樹脂フィルム２０１から突出する側に、コ
ンタクトピン３ａよりも短く突出するように重ね合わ
せ、その状態でコンタクトプローブ２００および強弾性
フィルム４００を、トップクランプ１１１の第一突起１
１２とボトムクランプ１１５の傾斜板１１６とで挟持し
てなるコンタクトプローブ挟持体（支持部材）１１０を
採用した。強弾性フィルム４００は、有機材料であれ
ば、ポリエチレンテレフタレート等からなり、無機材料
であれば、セラミックス、特にアルミナ製フィルムから
なることが好ましい。

【００９４】そして、このコンタクトプローブ挟持体１
１０を額縁フレーム１２０に固定し、コンタクトピン３
ａをＬＣＤ９０の端子に押し当てると、強弾性フィルム
４００がコンタクトピン３ａを上方から押さえ、前記上
方に湾曲した先端Ｓ１であってもＬＣＤ９０の端子に確
実に接触する。これにより、各コンタクトピン３ａの先
端に均一な接触圧が得られる。

【００９５】すなわち、ＬＣＤ９０の端子にコンタクト
ピン３ａ先端を確実に当接させることができるところか
ら、接触不良による測定ミスをなくすことができる。さ
らに、強弾性フィルム４００からのコンタクトピン３ａ
の突出量を変化させることにより、コンタクトピン３ａ
を押しつけたときにコンタクトピン３ａを上から押さえ
るタイミングを変えることが可能となり、所望の押し付
け量で所望の接触圧を得ることができる。

【００９６】次に、図２２および図２３を参照して、第
５実施形態について説明する。図２２に示すように、上
記第３実施形態において説明した、コンタクトプローブ
２００の樹脂フィルム２０１は、例えばポリイミド樹脂
からなっているため、水分を吸収して伸びが生じ、コン
タクトピン３ａ，３ａ間の間隔ｔが変化することがあっ
た。そのため、コンタクトピン３ａがＬＣＤ９０の端子
の所定位置に接触することが不可能となり、正確な電気
テストを行うことができないという問題があった。

【００９７】そこで、第５実施形態では、図２３に示す
ように、前記樹脂フィルム２０１の上に金属フィルム５
００を張り付け、湿度が変化してもコンタクトピン３
ａ，３ａ間の間隔ｔの変化を少なくし、これにより、コ
ンタクトピン３ａをＬＣＤ９０の端子の所定位置に確実
に接触させることとした。

【００９８】すなわち、各コンタクトピン３ａの位置ず
れが生じ難くなり、先端がＬＣＤ９０の端子に正確かつ
高精度に当接させられる。したがって、ＬＣＤ９０の端
子以外の場所に、高硬度のＮｉ−Ｍｎ合金で形成された
コンタクトピン３ａが当接することによって生じる損傷
等を防ぐことができる。なお、金属フィルム５００は、
Ｎｉ、Ｎｉ合金、ＣｕまたはＣｕ合金のうちいずれかの
ものが好ましい。

【００９９】さらに、該金属フィルム５００は、グラウ
ンドとして用いることができ、それにより、プローブ装
置１００の先端近くまでインピーダンスマッチングをと
る設計が可能となり、高周波域でのテストを行う場合に
も反射雑音による悪影響を防ぐことができるという作用
効果を得ることができる。

【０１００】次に、図２４を参照して、第６実施形態に
ついて説明する。すなわち、上記第５実施形態のよう
に、樹脂フィルム２０１の上に金属フィルム５００を張
り付けると共に、上記第３実施形態のように強弾性フィ
ルム４００を使用したものであり、これにより、コンタ
クトピン３ａ先端の湾曲によらず均一な接触圧が得られ
ると共に、コンタクトピン３ａ，３ａ間の間隔ｔの変化
を最小限に抑えて電気テストを正確に行えるものであ
る。

【０１０１】次に、図２５および図２６を参照して、第
７実施形態について説明する。図２５に示すように、樹
脂フィルム２０１の上に張り付けられた金属フィルム５
００の上にさらに第二の樹脂フィルム２０２を張り付け
る構成を採用し、図２６に示すように、この第二の樹脂
フィルム２０２の上に強弾性フィルム４００を設けたも
のである。

【０１０２】ここで、上記第６実施形態と異なり、第二
の樹脂フィルム２０２を設けたのは、後端部の金属フィ
ルム５００の上方に配されたＴＡＢＩＣ３００の端子が
金属フィルム５００と直接接触することで生じるショー
トを防ぐという理由によるものである。また、樹脂フィ
ルム２０１の上に金属フィルム５００が張り付けられて
設けられているだけでは、大気中で露出状態の金属フィ
ルム５００の酸化が進行してしまうため、第二の樹脂フ
ィルム２０２で金属フィルム５００を被覆することによ
ってその酸化を防止するためでもある。

【０１０３】次に、図２７および図２８を参照して、第
８実施形態について説明する。上記第４、第６および第
７実施形態では、使用中は、強弾性フィルム４００がコ
ンタクトピン３ａに押圧接触しており、繰り返しの使用
により強弾性フィルム４００とコンタクトピン３ａの摩
擦が繰り返され、これによる歪みが蓄積されると、コン
タクトピン３ａが左右に曲がり、接触点がずれることが
あった。

【０１０４】そこで、第８実施形態では、図２７に示す
ように、前記樹脂フィルム２０１を従来よりも幅広なフ
ィルム２０１ａとするとともに、コンタクトピン３ａの
金属フィルム５００からの突出長さをＸ１、幅広樹脂フ
ィルム２０１ａの金属フィルム５００からの突出長さを
Ｘ２とすると、Ｘ１＞Ｘ２とする構成を採用した。そし
て、図２８に示すように、前記強弾性フィルム４００を
幅広樹脂フィルム２０１ａよりも短く突出するように重
ねて使用すると、強弾性フィルム４００は、柔らかい幅
広樹脂フィルム２０１ａに接触し、コンタクトピン３ａ
とは直接接触しないため、コンタクトピン３ａが左右に
曲がることが防止できる。

【０１０５】さらに、上記第８実施形態におけるＬＣＤ
用プローブ装置１００では、幅広樹脂フィルム２０１ａ
が強弾性フィルム４００よりも先端側に長く形成されて
強弾性フィルム４００がコンタクトピン３ａを押圧する
ときに緩衝材となるため、繰り返し使用しても、強弾性
フィルム４００との摩擦によりコンタクトピン３ａが歪
んで湾曲すること等がなく、ＬＣＤ９０の端子に対して
安定した接触を保つことができる。

【０１０６】次に、図２９および図３０を参照して、第
９実施形態について説明する。金属フィルム５００の上
に第二の樹脂フィルム２０２を張り付け、コンタクトピ
ン３ａの金属フィルム５００からの突出長さをＸ１、幅
広樹脂フィルム２０１ａの金属フィルム５００からの突
出長さをＸ２とすると、Ｘ１＞Ｘ２の関係になるように
構成する。そして、図３０に示すように、第二の樹脂フ
ィルム２０２の上に設ける強弾性フィルム４００は、幅
広樹脂フィルム２０１ａよりも短く突出するように重ね
て配されている。

【０１０７】上記第９実施形態におけるＬＣＤ用プロー
ブ装置１００では、第３〜８実施形態におけるそれぞれ
の作用効果、すなわちコンタクトピン３ａの高硬度化お
よび屈曲部分の靱性向上、接触圧の均一化、位置ずれの
抑制、接触圧の安定化および金属フィルムによるショー
ト防止等の作用効果が得られる。

【０１０８】なお、第３〜第９実施形態におけるコンタ
クトプローブを、チップキャリアやＩＣプローブ用のプ
ローブ装置に採用しても構わない。この場合、組み込ま
れる各プローブ装置に対応して、コンタクトプローブの
形状、配線、コンタクトピンのピッチや配置、折曲の角
度等が設定される。

【０１０９】次に、図３１から図３４を参照して、第１
０実施形態について説明する。第１０実施形態と第１実
施形態との異なる点は、第１実施形態におけるプローブ
装置１０ではＩＣチップＩがコンタクトプローブ１の下
方に位置されているのに対し、第１０実施形態における
プローブ装置７００では、ＩＣチップＩはコンタクトプ
ローブ７０１の上方に位置される点である。

【０１１０】すなわち、プローブ装置７００は、図３１
から図３３に示すように、フレーム本体７１１と、フレ
ーム本体７１１の内側に固定され中央に矩形状の開口部
と該開口部周囲に上方に傾斜する傾斜面が形成された位
置決め板７１２と、該位置決め板７１２上に配されるコ
ンタクトプローブ７０１と、該コンタクトプローブ７０
１を上から押さえて支持する上板（支持部材）７１３
と、該上板７１３を上から付勢してフレーム本体７１１
に固定するクランパ７１４とを備えている。上記プロー
ブ装置７００では、ＩＣチップＩはコンタクトプローブ
７０１の上方、すなわち上方に折曲されたコンタクトピ
ン３ａの先端と上板７１３との間に挟持状態に配される
こととなる。

【０１１１】また、第１実施形態におけるコンタクトプ
ローブ１のパターン配線３およびコンタクトピン３ａ
は、樹脂フィルム２側に高マンガン合金層ＨＭが配され
て構成されているのに対し、第１０実施形態におけるコ
ンタクトプローブ７０１のパターン配線３およびコンタ
クトピン３ａは、樹脂フィルム２側に低マンガン合金層
ＬＭが配されて構成されている点が異なっている。

【０１１２】すなわち、コンタクトプローブ７０１の製
造工程におけるメッキ処理工程で、まず、マンガン濃度
が高く高硬度層となる高マンガン合金層ＨＭをベースメ
タル層の上にメッキ形成した後、続いて高マンガン合金
層ＨＭより低いＭｎ濃度を有する高靱性層となる低マン
ガン合金層ＬＭを形成している。なお、第１実施形態と
同様に、コンタクトプローブ７０１における低マンガン
合金層ＬＭは、厚さ方向でＭｎ濃度が高マンガン合金層
ＨＭに向けて漸次高く設定されている。

【０１１３】また、前記コンタクトピン３ａは、図３３
および図３４に示すように、その先端から所定長さの途
中位置Ｖにて樹脂フィルム２側と反対側（ＩＣチップＩ
側）に向けて、すなわち低マンガン合金層ＬＭ側を外側
にして折曲されている。

【０１１４】なお、上記各実施形態では、それぞれ次の
ように設定される。 （１）上記各実施形態のコンタクトピン３ａの先端部
は、図３５に示すように、ＩＣチップＩのパッドＰ（測
定対象物）に接触したときにその接触面Ｐａとの角度α
が６０゜以上９０゜未満となるように構成され、該コン
タクトピン３ａの基端部は、前記接触面Ｐａとの角度β
が０゜以上３０゜以下となるように構成されている。

【０１１５】前記コンタクトピン３ａの作製に際して
は、マスクに微細なパターンを所望の形状通りに形成す
ることが困難であることから、図７に示すように、該パ
ターンの端部に相当する、コンタクトピン３ａの先端部
は、凸曲面となる。そのため、コンタクトピン３ａは、
パッドＰに対して、前記凸曲面の下側でほぼ点接触し、
よって、接触時の局部的針圧が大となることから、ほぼ
平面でパッドに接触する従来のタングステン針に比べ
て、パッドＰの下地まで削り易い傾向にあった。

【０１１６】そこで、上記各実施形態では、前述したよ
うに、コンタクトピン３ａを、図３５に示すように、そ
の途中位置Ｖにて折曲し、コンタクトピン３ａの先端部
と基端部とで接触面Ｐａに対する角度α，βを変えてい
る。これにより、前記角度β、すなわち、樹脂フィルム
２の接触面Ｐａに対する角度を大きくすることなく、前
記角度α（接触角）を大きく設定することが可能とな
り、このことから、スクラブ距離が過度に大きくなるこ
とがなく、かつ、プローブ装置の高さを大きくすること
なく、スクラブ時にパッドＰの下地が傷つくのを防止す
ることができる。

【０１１７】特に、前記角度αが６０゜以上確保されて
いるため、パッドＰの下地まで傷つけることがない。一
方、この角度αを９０゜未満としたのは、９０゜もしく
はそれ以上であると、スクラブ時にパッドＰの皮膜が良
好に擦り取れず、十分な導電性が確保されないことか
ら、テスト時に接触不良を起こすからである。

【０１１８】また、前記角度βが３０゜以下とされてい
るため、スクラブ距離が過度に長くなることがなく、ス
クラブ時にコンタクトピン３ａ先端がパッドＰからはみ
出ることもない。一方、この角度βを０゜以上としたの
は、それに満たない場合、スクラブ時に十分なオーバー
ドライブ量（図３５における矢印Ｚ）がとれないためで
ある。なお、前記スクラブ距離については、オーバード
ライブ時に、コンタクトピン３ａが撓んだり、あるい
は、該コンタクトピン３ａの先端部が接触面Ｐａとの摩
擦により引っかかったりすることにより、計算値よりも
若干小さくなることが分かっている。

【０１１９】（２）各実施形態では、コンタクトピン３
ａを図３５に示すように折曲することでその先端部に、
折曲されていないコンタクトピンに比べて、接触面Ｐａ
に対する平行度の高い面３ｃが形成される。従来より、
コンタクトピンとパッドとの位置合わせを行うに際して
は、特に第２実施形態では、コンタクトピンに向けて下
方から光を照射し、コンタクトピンに当たって反射して
くる光を検知することにより、コンタクトピンの位置を
認識する方法が用いられるが、上述したように、光が照
射される方向に対して、より垂直度の高い面３ｃが形成
されるため、十分な量の光が反射し、位置検出が容易で
ある。

【０１２０】（３）各実施形態では、コンタクトピン３
ａの途中位置Ｖから先端部までの長さＬが２．０ｍｍ以
下とされているため、オーバードライブ時に、その長さ
Ｌの部分の撓み量を少なく抑えることができ、これによ
り、パッドＰに対する接触針圧をほぼ一定とすること
で、良好なスクラブが行われる。さらに、この長さＬが
０．１ｍｍ以上とされているため、スクラブ時に削り取
られた皮膜やその他ゴミ等が、コンタクトピン３ａの途
中位置Ｖの内面側に付着等することがない。

【０１２１】（４）各実施形態では、コンタクトピン３
ａの折曲された先端部に研磨が施されるため、折曲によ
り仮にコンタクトピン３ａの長さ（高さ）に不揃いが生
じたとしても、研磨により均一化され、コンタクトピン
３ａの先端部の平坦度（プラナリティー）が向上すると
共に接触抵抗を少なくすることができる。

【０１２２】（５）各実施形態のプローブ装置では、樹
脂フィルム２の先端側を支持する当接面（例えば、図１
２におけるマウンティングベース３０の下面）の傾斜角
が、前記角度βに等しく設定されているため、樹脂フィ
ルム２の先端から該樹脂フィルム２の面に沿って突出す
るコンタクトピン３ａの基端部は、前記接触面Ｐａとの
角度を前記βの値に安定して保つことができる。これに
より、プローブ装置を接触面Ｐａに対して垂直に下降さ
せるだけで、スクラブ時に前記角度αおよびβを前記所
定の値にすることができる。

【０１２３】なお、本発明は、次のような実施形態をも
含むものである。 （１）低マンガン合金層ＬＭのＭｎ濃度を勾配させて形
成したが、高マンガン合金層ＨＭより低いＭｎ濃度であ
れば、勾配濃度に設定しなくても構わない。例えば、低
マンガン合金層ＬＭのＭｎ濃度を一定のものとしてもよ
い。しかしながら、前述したように、低マンガン合金層
ＬＭのＭｎ濃度を勾配させることによって、高マンガン
合金層ＨＭとの界面における応力集中、硬度および靱性
の急峻な変化を緩和できる利点がある。

【０１２４】（２）低マンガン合金層ＬＭを樹脂フィル
ム側かその反対側のいずれか一方に形成したが、高マン
ガン合金層を挟んで両側に低マンガン合金層を形成した
３層構造としても構わない。この場合、どちらの低マン
ガン合金層側を外側にして折曲してもよく、プローブ装
置へ組み込む際の自由度が向上する。

【０１２５】

【実施例】上記各実施形態におけるコンタクトプローブ
のパターン配線およびコンタクトピンを形成する電解メ
ッキ工程において、そのメッキ条件は、以下の試験結果
に基づいて求めた。

【０１２６】ＭｎをＮｉに含有させるためのメッキ液
は、スルファミン酸Ｎｉ浴にスルファミン酸Ｍｎを添加
したものであり、Ｎｉメッキ膜中に含有されるＭｎ量
は、メッキ液中のＭｎ量およびメッキする際の電流密度
に左右されるため、高マンガン合金層ＨＭについては以
下の条件でメッキ処理を施した。 Ｍｎ量：２０〜３５ｇ／ｌ 電流密度：１〜１０Ａ／ｄｍ²

【０１２７】高マンガン合金層ＨＭのメッキ条件を、上
記範囲内に設定した理由は、Ｍｎ量が２０ｇ／ｌ未満お
よび電流密度１Ａ／ｄｍ²未満では、皮膜中のＭｎ濃度
が少なく所望の硬度を得ることができず、３５ｇ／ｌお
よび１０Ａ／ｄｍ²を越えるとＭｎ濃度が増大し、メッ
キ皮膜の応力増大および皮膜自身が非常に脆くなるため
である。

【０１２８】なお、スルファミン酸に限らず硫酸Ｎｉ浴
をベースにしたものでメッキ処理を施しても構わない
が、スルファミン酸Ｎｉ浴によるメッキ処理では、硫酸
Ｎｉ浴に比べて応力が低減されるという効果がある。以
下の表１に、Ｍｎ量を一定（３０ｇ／ｌ）とした場合に
おいて、電流密度を変えた際のＭｎ濃度および熱処理前
後の硬度の実験結果を示す。また、Ｍｎ濃度と硬度との
関係を図３６に示す。

【０１２９】

【表１】

【０１３０】また、第１実施形態におけるコンタクトプ
ローブの高靱性層形成工程では、電着初期から電流密度
を漸次上げ、低マンガン合金層ＬＭの電着終期には３Ａ
／ｄｍ²となるように設定し、図３７に示すように、Ｍ
ｎの勾配濃度を有する低マンガン合金層ＬＭを形成し
た。さらに、高硬度層形成工程では、高靱性層形成工程
に引き続いて３Ａ／ｄｍ²一定の電流密度により、Ｍｎ
濃度が０．４重量％の高マンガン合金層ＨＭを形成し
た。

【０１３１】なお、コンタクトピンを高マンガン合金層
のみ及び低マンガン合金層のみの単一濃度で構成した場
合と、高マンガン合金層（高硬度層）と低マンガン合金
層（高靱性層）の二層構造で構成した場合における靱性
についての比較データを表２に示す。なお、表２は、試
作されたコンタクトピンの９０度曲げ試験を行ったもの
であり、コンタクトピンを９０度曲げた後、元に戻す作
業を１サイクルとして、ピンが破断するのに要したサイ
クル数を示したものである。表２からも分かるように、
低マンガン合金層は、高マンガン合金層に比べて優れた
靱性を備え、二層構造を採用したものは、低マンガン合
金層単層のものと同様の高靱性を有している。

【０１３２】

【表２】

【０１３３】さらに、焼鈍工程の条件としては、加熱温
度が４００〜７００℃、加熱時間が１〜５時間の範囲内
とすることにより、焼鈍しない低マンガン合金層ＬＭの
伸び率が約２〜３％程度であったのに対し、上記条件で
焼鈍した低マンガン合金層ＬＭの伸び率が約５％以上と
なった。ここで、加熱温度を４００℃以上にしたのは、
４００℃未満では、低マンガン合金層ＬＭを焼鈍できな
いためであり、また７００℃以下にしたのは、７００℃
を越えると高マンガン合金層ＨＭも同時に焼鈍され、硬
度が低下してしまうためである。なお、表３は、加熱時
間を２時間に固定して焼鈍の熱処理条件を変えたときの
伸び率を測定した試験の結果、すなわち電流密度、Ｍｎ
濃度、硬度、伸びおよび加熱温度との関係を示したもの
である。

【０１３４】

【表３】

【０１３５】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。 （１）請求項１記載のコンタクトプローブによれば、高
マンガン合金層がマンガン濃度０．０５重量％以上のＮ
ｉ−Ｍｎ合金であるので、常温および高温加熱後でもＨ
ｖ３５０以上の高硬度を得ることができるとともに、コ
ンタクトピンが高マンガン合金層より低いマンガン濃度
の低マンガン合金層側を外側にして折曲されているの
で、高マンガン合金層単層で形成された場合に比べて屈
曲部分の外側の靱性を高くすることができる。したがっ
て、コンタクトピン全体として、高耐熱性および高硬度
を備えるとともに、屈曲部分外側に亀裂等が生じ難く、
長期に亙る繰り返し使用にも十分耐え得る高い信頼性を
有することができる。

【０１３６】（２）請求項２記載のコンタクトプローブ
によれば、高マンガン合金層のＭｎ濃度を１．５重量％
以下に設定することにより、屈曲部分の内側に位置する
高マンガン合金層自体にもコンタクトプローブとして適
度な靱性および硬度を与えることができる。

【０１３７】（３）請求項３記載のコンタクトプローブ
によれば、低マンガン合金層のＭｎ濃度が漸次高く設定
されているので、高マンガン合金層との界面における硬
度および靱性の急峻な変化を緩和することができる。し
たがって、両層の熱膨張係数の相違により発生するコン
タクトピンの反りを大幅に軽減することができ、測定時
の温度変化による反りを抑制して安定した接触圧等を維
持することができる。

【０１３８】（４）請求項４記載のコンタクトプローブ
によれば、低マンガン合金層が焼鈍されているので、低
マンガン合金層が軟化され靱性がさらに向上されている
ことにより、屈曲部分外側に亀裂等がより生じ難く、さ
らに高い信頼性を有することができる。

【０１３９】（５）請求項５記載のコンタクトプローブ
によれば、前記フィルムが、例えば水分を吸収して伸張
し易い樹脂フィルム等であっても、該フィルムには、金
属フィルムが直接張り付けられて設けられているため、
該金属フィルムによって前記フィルムの伸びが抑制さ
れ、各コンタクトピンの間隔にずれが生じ難くなり、コ
ンタクトピンを測定対象物に正確かつ高精度に当接させ
ることができる。したがって、測定対象物であるＩＣチ
ップやＬＣＤ等の端子以外の場所に、高硬度のＮｉ−Ｍ
ｎ合金で形成されたコンタクトピンが当接することによ
って生じる損傷等を防ぐことができる。さらに、本コン
タクトプローブでは、前記金属フィルムをグラウンドと
して用いることにより、コンタクトピン先の近くまで基
板配線側との特性インピーダンスのずれを最小限に抑え
ることができ、反射雑音による誤動作を抑えることがで
きる。

【０１４０】（６）請求項６記載のコンタクトプローブ
によれば、前記金属フィルムに第二のフィルムが直接張
り付けられて設けられているため、金属フィルムの上方
に配された前記配線用基板の基板側パターン配線や他の
配線が金属フィルムと直接接触しないのでショートを防
ぐことができる。また、第二のフィルムが金属フィルム
を被覆してその酸化を防止することができる。

【０１４１】（７）請求項７記載のプローブ装置によれ
ば、強弾性フィルムがコンタクトピンの先端側を上方か
ら押さえるため、ピン先端が上方に湾曲したものが存在
しても、高硬度のＮｉ−Ｍｎ合金で形成された各ピンに
均一な接触圧が得られる。すなわち、測定対象物にコン
タクトピンを確実に当接させることができるところか
ら、接触不良による測定ミスをなくすことができる。

【０１４２】（８）請求項８記載のプローブ装置によれ
ば、前記フィルムが前記強弾性フィルムよりも先端側に
長く形成されて該強弾性フィルムがコンタクトピンを押
圧するときに緩衝材となるため、強弾性フィルムとの摩
擦によりコンタクトピンが歪んで湾曲すること等がな
く、測定対象物に対して安定した接触を保つことができ
る。したがって、高硬度のＮｉ−Ｍｎ合金で形成された
先端部の接触圧が、長期に亙って均一に得られる。

【０１４３】（９）請求項９記載のコンタクトプローブ
の製造方法では、高硬度層形成工程および高靱性層形成
工程によって高マンガン合金層および低マンガン合金層
の二層構造が形成され、コンタクトピン折曲工程で高マ
ンガン合金層より靱性が高い低マンガン合金層側を外側
にして折曲させるので、折曲時に最も伸ばされる屈曲部
分の外側が高靱性層となることから、折曲による応力を
緩和することができるとともに亀裂等の発生を抑制する
ことができる。したがって、屈曲部分の亀裂や破断等に
よる折曲不良が大幅に減少し、製造歩留まりが向上する
とともに、折曲時の応力が緩和されるので、折曲ばらつ
きが少なくなり、高精度の成形が可能となる。

【０１４４】（１０）請求項１０記載のコンタクトプロ
ーブの製造方法では、高靱性層形成工程において、低マ
ンガン合金層の厚さ方向でそのマンガン濃度が高マンガ
ン合金層に向けて漸次高く形成されるので、高マンガン
合金層と低マンガン合金層とのＭｎ濃度の差が徐々に小
さくされる。したがって、両層界面におけるＭｎ濃度の
急峻な変化が緩和され、上記界面におけるメッキ時の応
力集中を抑制することができ、上記界面における応力に
よって生じるコンタクトピンの湾曲等を抑制することが
できる。

【０１４５】（１１）請求項１１記載のコンタクトプロ
ーブの製造方法では、焼鈍工程で低マンガン合金層を焼
鈍するので、低マンガン合金層が軟化され靱性をさらに
向上させることができる。

【０１４６】（１２）請求項１２記載のコンタクトプロ
ーブの製造方法では、焼鈍工程において、高マンガン合
金層が焼鈍される温度および時間より低い加熱温度およ
び短い加熱時間で低マンガン合金層が焼鈍されるので、
高マンガン合金層の硬度を維持したまま、低マンガン合
金層のみを選択的に軟化させて靱性をさらに向上させる
ことができる。したがって、コンタクトピン全体として
の硬度を維持するとともに、さらに靱性を高めてより信
頼性の高いコンタクトプローブを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態を示す拡大模式図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ線断面図である。

【図３】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態における製造方法を工程順に示す要部断面図であ
る。

【図４】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の分解斜
視図である。

【図５】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の外観斜
視図である。

【図６】 図５の要部が拡大されたＢ−Ｂ線断面図であ
る。

【図７】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実施
形態を示す要部斜視図である。

【図８】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実施
形態を示す平面図である。

【図９】 図８のＣ−Ｃ線断面図である。

【図１０】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実
施形態を組み込んだプローブ装置の一例を示す分解斜視
図である。

【図１１】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実
施形態を組み込んだプローブ装置の一例を示す要部斜視
図である。

【図１２】 図１１のＥ−Ｅ線断面図である。

【図１３】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
におけるコンタクトプローブを示す斜視図である。

【図１４】 図１３のＦ−Ｆ線断面図である。

【図１５】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体を示す分解斜視図で
ある。

【図１６】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
を示す斜視図である。

【図１７】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体を示す斜視図であ
る。

【図１８】 図１６のＸ−Ｘ線断面図である。

【図１９】 本発明に係るプローブ装置の第４実施形態
に関してコンタクトプローブの従来の欠点を示す側面図
である。

【図２０】 本発明に係るプローブ装置の第４実施形態
に関してプローブ装置の従来の欠点を示す側面図であ
る。

【図２１】 本発明に係るプローブ装置の第５実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図２２】 本発明に係るコンタクトプローブの第５実
施形態に関して図１３のＤ方向矢視図である。

【図２３】 本発明に係るコンタクトプローブの第５実
施形態を示す側面図である。

【図２４】 本発明に係るプローブ装置の第６実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図２５】 本発明に係るプローブ装置の第７実施形態
におけるコンタクトプローブを示す側面図である。

【図２６】 本発明に係るプローブ装置の第７実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図２７】 本発明に係るプローブ装置の第８実施形態
におけるコンタクトプローブを示す側面図である。

【図２８】 本発明に係るプローブ装置の第８実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図２９】 本発明に係るプローブ装置の第９実施形態
におけるコンタクトプローブを示す側面図である。

【図３０】 本発明に係るプローブ装置の第９実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図３１】 本発明に係るコンタクトプローブの第１０
実施形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の分
解斜視図である。

【図３２】 本発明に係るコンタクトプローブの第１０
実施形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の外
観斜視図である。

【図３３】 図３２の要部が拡大されたＧ−Ｇ線断面図
である。

【図３４】 本発明に係るコンタクトプローブの第１０
実施形態におけるコンタクトピンの拡大断面図である。

【図３５】 本発明に係るコンタクトプローブの第１０
実施形態におけるコンタクトピンの拡大側面図である。

【図３６】 本発明に係るコンタクトプローブの先端部
におけるＭｎ濃度と硬度との関係を示すグラフである。

【図３７】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方
法におけるＮｉ−Ｍｎ合金層の厚さとＭｎ濃度との関係
を概略的に示すグラフである。

【図３８】 本発明に係るコンタクトプローブの従来例
を示す要部を拡大した断面図である。

【符号の説明】

１，１６，７０１ コンタクトプローブ ２ 樹脂フィルム ３ パターン配線 ３ａ コンタクトピン １０，７００ プローブ装置 １３，７１３ 上板 ９０ ＬＣＤ（測定対象物） １００ プローブ装置 １１０ コンタクトプローブ挟持体（支持部材） ２００ コンタクトプローブ ２０１ 樹脂フィルム ２０１ａ 樹脂フィルム（幅広樹脂フィルム） ２０２ 第二の樹脂フィルム ３００ ＴＡＢＩＣ（配線用基板） ３０１ 端子 ４００ 強弾性フィルム ５００ 金属フィルム ＡＵ Ａｕ層 Ｉ ＩＣチップ（測定対象物） Ｎ Ｎｉ−Ｍｎ合金層 ＬＭ 低マンガン合金層 ＨＭ 高マンガン合金層 ＰＩ ポリイミド樹脂 Ｖ 途中位置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 秀昭 兵庫県三田市テクノパーク十二番の六 三 菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 石井 利昇 兵庫県三田市テクノパーク十二番の六 三 菱マテリアル株式会社三田工場内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
   されこれらのパターン配線の各先端が前記フィルムから
   突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタクト
   プローブであって、 少なくとも前記コンタクトピンは、ニッケル−マンガン
   合金で形成されるとともに、マンガン濃度が０．０５重
   量％以上に設定された高マンガン合金層と、該高マンガ
   ン合金層より低いマンガン濃度に設定された低マンガン
   合金層とを具備してなり、その途中位置にて前記低マン
   ガン合金層側を外側にして折曲されていることを特徴と
   するコンタクトプローブ。
2. 【請求項２】 請求項１記載のコンタクトプローブにお
   いて、 前記高マンガン合金層は、マンガン濃度が１．５重量％
   以下に設定されていることを特徴とするコンタクトプロ
   ーブ。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載のコンタクトプロ
   ーブにおいて、 前記低マンガン合金層は、厚さ方向でマンガン濃度が前
   記高マンガン合金層に向けて漸次高く設定されているこ
   とを特徴とするコンタクトプローブ。
4. 【請求項４】 請求項１から３いずれかに記載のコンタ
   クトプローブにおいて、 前記低マンガン合金層は、焼鈍されていることを特徴と
   するコンタクトプローブ。
5. 【請求項５】 請求項１から４いずれかに記載のコンタ
   クトプローブにおいて、 前記フィルムには、金属フィルムが直接張り付けられて
   設けられていることを特徴とするコンタクトプローブ。
6. 【請求項６】 請求項５記載のコンタクトプローブにお
   いて、 前記金属フィルムには、第二のフィルムが直接張り付け
   られて設けられていることを特徴とするコンタクトプロ
   ーブ。
7. 【請求項７】 請求項１から６のいずれかに記載のコン
   タクトプローブと、 前記フィルム上に配されて該フィルムから前記コンタク
   トピンよりも短く突出する強弾性フィルムと、 該強弾性フィルムと前記コンタクトプローブとを支持す
   る支持部材とを備えていることを特徴とするプローブ装
   置。
8. 【請求項８】 請求項７記載のプローブ装置において、 前記フィルムは、前記強弾性フィルムが前記コンタクト
   ピンを押圧するときに緩衝材となるように前記強弾性フ
   ィルムよりも先端側に長く形成されていることを特徴と
   するプローブ装置。
9. 【請求項９】 フィルム上に複数のパターン配線を形成
   しこれらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突
   出状態に配してコンタクトピンとするコンタクトプロー
   ブの製造方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結
   合する材質の第１の金属層を形成する第１の金属層形成
   工程と、 前記第１の金属層の上にマスクを施してマスクされてい
   ない部分に、前記コンタクトピンに供される第２の金属
   層をメッキ処理によりニッケル−マンガン合金で形成す
   るメッキ処理工程と、 前記マスクを取り除いた第２の金属層の上に前記コンタ
   クトピンに供される部分以外をカバーする前記フィルム
   を被着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと第２の金属層とからなる部分と、前記基
   板層と第１の金属層とからなる部分とを分離する分離工
   程と、 前記コンタクトピンを、その途中位置で折曲させるコン
   タクトピン折曲工程とを備えてなり、 前記メッキ処理工程は、マンガン濃度が０．０５重量％
   以上に設定された高マンガン合金層を形成する高硬度層
   形成工程と、前記高マンガン合金層より低いマンガン濃
   度に設定された低マンガン合金層を形成する高靱性層形
   成工程とを備え、 前記コンタクトピン折曲工程は、前記低マンガン合金層
   側を外側にして折曲させることを特徴とするコンタクト
   プローブの製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項９記載のコンタクトプローブの
    製造方法において、 前記高靱性層形成工程は、前記低マンガン合金層をその
    厚さ方向でマンガン濃度が前記高マンガン合金層に向け
    て漸次高くなるように形成することを特徴とするコンタ
    クトプローブの製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項９または１０記載のコンタクト
    プローブの製造方法において、 前記高靱性層形成工程の後に、前記低マンガン合金層を
    焼鈍する焼鈍工程を備えていることを特徴とするコンタ
    クトプローブの製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載のコンタクトプローブ
    の製造方法において、 前記焼鈍工程は、前記高マンガン合金層が焼鈍される温
    度および時間より低い加熱温度および短い加熱時間で行
    うことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。