JPS58106702A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS58106702A JPS58106702A JP56204211A JP20421181A JPS58106702A JP S58106702 A JPS58106702 A JP S58106702A JP 56204211 A JP56204211 A JP 56204211A JP 20421181 A JP20421181 A JP 20421181A JP S58106702 A JPS58106702 A JP S58106702A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は結晶粒径がきわめて微細で寿命が長く。
かつ温度特性の改善された容量値が得られる誘電体磁器
組成物に関する。
組成物に関する。
従来高ａｌ’４峯ｒｎ電体磁器組成物として、チタン酸
バリウムに７フターとしてチタン鍍ストロンチウム、錫
酸バリウム、錫酸カルシウム、ジルコン酸バリウム等を
添加し、そのキューリ一点を室温付近に移動させ用いて
いる。しかしながら、その結晶粒径は５μｍ以上で大き
く、積層コンデンサなどのように電界強度の大きい製品
には不適当である。すなわち、結晶粒径が大きい場合に
は結晶粒子１個あた°りにかかる電界強度は大きくなり
、そのため破壊電圧は低くなり、粒界に集まるボイドの
欠陥も増加し、寿命も短くなり、従って信頼性が低下す
るという欠点があった。
バリウムに７フターとしてチタン鍍ストロンチウム、錫
酸バリウム、錫酸カルシウム、ジルコン酸バリウム等を
添加し、そのキューリ一点を室温付近に移動させ用いて
いる。しかしながら、その結晶粒径は５μｍ以上で大き
く、積層コンデンサなどのように電界強度の大きい製品
には不適当である。すなわち、結晶粒径が大きい場合に
は結晶粒子１個あた°りにかかる電界強度は大きくなり
、そのため破壊電圧は低くなり、粒界に集まるボイドの
欠陥も増加し、寿命も短くなり、従って信頼性が低下す
るという欠点があった。
本発明者らは上記の従来の組成物の欠点を解決し、結晶
粒径が５μｍ未満のきわめて微細で寿命の艮い誘電体磁
器組成物を提供すべく検討した結果、前記シフターに代
えてチタン酸バリウムにセリウム、ジルコニウムおよび
カルシウムの酸化物？添加すると、得られた！１１′ｌ
ｌｃ体磁器組成物の結晶枚子が微細化することを見出し
１本発明に到達した。すなわち１本発明の基本的な要旨
とするところは、Ｂ ａ Ｏ２４，５〜５３．４ ｍｏ
ｔ％とＣｅＯ２１，０〜３、５ ｒｓｎｏｔ ％とＺｒ
Ｏ２０，１〜２．０ｍ０Ａ％とＣａ００．５〜１０．０
ｍｏｌ ’４とＴｉ０２４５．０〜６０．０ ｎＬＯ
ｔ％とからなることを特徴とする誘電体磁器組成物、に
ある。
粒径が５μｍ未満のきわめて微細で寿命の艮い誘電体磁
器組成物を提供すべく検討した結果、前記シフターに代
えてチタン酸バリウムにセリウム、ジルコニウムおよび
カルシウムの酸化物？添加すると、得られた！１１′ｌ
ｌｃ体磁器組成物の結晶枚子が微細化することを見出し
１本発明に到達した。すなわち１本発明の基本的な要旨
とするところは、Ｂ ａ Ｏ２４，５〜５３．４ ｍｏ
ｔ％とＣｅＯ２１，０〜３、５ ｒｓｎｏｔ ％とＺｒ
Ｏ２０，１〜２．０ｍ０Ａ％とＣａ００．５〜１０．０
ｍｏｌ ’４とＴｉ０２４５．０〜６０．０ ｎＬＯ
ｔ％とからなることを特徴とする誘電体磁器組成物、に
ある。
本発明の組成物は上記構成によって、実施例に示すよう
に、結晶粒径はきわめて微細であるので、槓ノーコンデ
ンサなどのように電界強度の大きい製品には最適である
。すなわち、結晶粒径が微細であるので結晶粒子１個あ
たりにかかる電界強度が小さくなり、それによって破壊
電圧が高くなり、寿命はのびて信頼性が向上する。また
、本発明の組成物は誘電率が高くかつ誘電正接が低く、
更に温度特性の改善された容量値が得られ十分実用的で
あることは１５Ｉ！施例が示す通りである。
に、結晶粒径はきわめて微細であるので、槓ノーコンデ
ンサなどのように電界強度の大きい製品には最適である
。すなわち、結晶粒径が微細であるので結晶粒子１個あ
たりにかかる電界強度が小さくなり、それによって破壊
電圧が高くなり、寿命はのびて信頼性が向上する。また
、本発明の組成物は誘電率が高くかつ誘電正接が低く、
更に温度特性の改善された容量値が得られ十分実用的で
あることは１５Ｉ！施例が示す通りである。
このように、本発明の組成物の結晶粒径が微細であるの
は、上記組成となるように配合された原料配合物を焼成
する際に液相が生じ、それによって焼結温度を低くし、
結晶の過度の成長を抑制するためである。
は、上記組成となるように配合された原料配合物を焼成
する際に液相が生じ、それによって焼結温度を低くし、
結晶の過度の成長を抑制するためである。
本発明の組成物の組成において、酸化バリウムの電が２
４．５ ｍｏｌ ４未満では巨大結晶が発生し索地溶涜
が起こり、 ５３．４ｔｘｏＬｑＡを越えると焼結１
癲となり、酸化セリウムの量が１． ＯｎｕｙＬ ４未
満では結晶の粒子径が大となり、３．５ ｙｒｏｔ ％
を越えると、キューリ一点が移動しすぎて実用性に乏し
くなり。
４．５ ｍｏｌ ４未満では巨大結晶が発生し索地溶涜
が起こり、 ５３．４ｔｘｏＬｑＡを越えると焼結１
癲となり、酸化セリウムの量が１． ＯｎｕｙＬ ４未
満では結晶の粒子径が大となり、３．５ ｙｒｏｔ ％
を越えると、キューリ一点が移動しすぎて実用性に乏し
くなり。
また酸化ジルコニウムの量が０．１ ｍｏｌ ４未満で
は誘電正接が大となり、２．０ ｎ５ｏＬ ％を越える
と巨大結晶が発生するａｒＲ化カシカルシウム器化を促
進するとともにシフターとしての効果も有するものであ
り、その量が０．５１１１６４４未満では添加効果なく
％ １０．Ｏｎｇｏｌ ％を越えると、結晶粒径が大き
くなり、酸化チタンの量が４５．ＯｍｏＬチ未満では焼
結１離となり、６０．０ｍ□ｔｑｂを越えると巨大結晶
が発生し、素地溶着が起こる。
は誘電正接が大となり、２．０ ｎ５ｏＬ ％を越える
と巨大結晶が発生するａｒＲ化カシカルシウム器化を促
進するとともにシフターとしての効果も有するものであ
り、その量が０．５１１１６４４未満では添加効果なく
％ １０．Ｏｎｇｏｌ ％を越えると、結晶粒径が大き
くなり、酸化チタンの量が４５．ＯｍｏＬチ未満では焼
結１離となり、６０．０ｍ□ｔｑｂを越えると巨大結晶
が発生し、素地溶着が起こる。
本発明はさらに、上記バリウム、セリウム、ジルコニウ
ム、カルシウムおよびチタンの酸化物よりなる主成分に
対し、マンガ／、クロム、鉄、ニッケルおよびコバルト
の酸化物からなる群の中から選ばれた少くとも１種を、
それぞれＭ ｎ Ｏ宜ｍ Ｃｒｔ Ｏａ ｅＦｅｄ、Ｎ
ｉＯおよびＣｏｏに換算して該生成分の０．０５〜０．
６重量僑添刺せしめた構成とすることができる。これら
添加剤はａ器の焼結性の向上および誘電正接ならびに容
量値の温度特性の改善の効果を有するものであり、その
添加量が０．０５重量−未満では添加効果なく、０．６
重量係を越えると誘電率が低下する。
ム、カルシウムおよびチタンの酸化物よりなる主成分に
対し、マンガ／、クロム、鉄、ニッケルおよびコバルト
の酸化物からなる群の中から選ばれた少くとも１種を、
それぞれＭ ｎ Ｏ宜ｍ Ｃｒｔ Ｏａ ｅＦｅｄ、Ｎ
ｉＯおよびＣｏｏに換算して該生成分の０．０５〜０．
６重量僑添刺せしめた構成とすることができる。これら
添加剤はａ器の焼結性の向上および誘電正接ならびに容
量値の温度特性の改善の効果を有するものであり、その
添加量が０．０５重量−未満では添加効果なく、０．６
重量係を越えると誘電率が低下する。
本発明の組成物は、伺えば、焼成後に本発明の組成物の
組成になるように秤取された原料を、ボールミルで湿式
混合・粉砕し、得られた混合・粉砕物を脱水嗜乾燥後、
所定の形状に加圧成形して焼成することにより得ること
ができる。この場合。
組成になるように秤取された原料を、ボールミルで湿式
混合・粉砕し、得られた混合・粉砕物を脱水嗜乾燥後、
所定の形状に加圧成形して焼成することにより得ること
ができる。この場合。
原料として使用するバリウム化合物はＢａＣＯ３。
ＢａＣｌＯ４、セリウム化合物はＣｅ０１． Ｃｅｔ（
Ｃｔ０４）ｓ ＠９ Ｈ，０％ジルコニウム化合物はＺ
ｒ０１，３ＺｒＯ１ｍＣｏ！＠６Ｈ，０、カルシウム化
合物はＣａ ＣＯＨＴ Ｃａ Ｏｓチタン化合物はＴｉ
０１．Ｔｉｎ（ＣｔＯａ）ｍ’ｌＯＨ＊ｏが好適であり
、かつ添加剤の原料としてはＭｎＣＯ５１Ｍｎ０＠ 、
Ｃ５０，、Ｃｒ ＯＨ、Ｆ’ ｓｏ、 Ｆｅ２Ｏ３＊
Ｎ １ＯｔＮｉＯ１，Ｃｏｄ、Ｃｏ、０＠が好ましい
。
Ｃｔ０４）ｓ ＠９ Ｈ，０％ジルコニウム化合物はＺ
ｒ０１，３ＺｒＯ１ｍＣｏ！＠６Ｈ，０、カルシウム化
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、かつ添加剤の原料としてはＭｎＣＯ５１Ｍｎ０＠ 、
Ｃ５０，、Ｃｒ ＯＨ、Ｆ’ ｓｏ、 Ｆｅ２Ｏ３＊
Ｎ １ＯｔＮｉＯ１，Ｃｏｄ、Ｃｏ、０＠が好ましい
。
次に１本発明を実施例によってさらに具体的に説明する
が、本発明はその要旨な越えない限り以下の実施例に限
定されるものではない。
が、本発明はその要旨な越えない限り以下の実施例に限
定されるものではない。
実施例１
原料としてそれぞれ試薬１級のＢｍＣＯｌ、、Ｃｅ０１
゜ＺｒＯＨ，ＣａＣ０１およびＴｉｅ、を焼成後に第１
表に示す主成分配合比になるよう秤取し、ボールミル中
で２０時時間式混合・粉砕し、脱水・乾燥後、成形圧力
Ｓ ｔｏｎ々−で直径１６−厚さ０．６−に加圧成形し
、成形物を第１表に示す焼成温度で１時間焼成し、試料
番号１〜６を得た。
゜ＺｒＯＨ，ＣａＣ０１およびＴｉｅ、を焼成後に第１
表に示す主成分配合比になるよう秤取し、ボールミル中
で２０時時間式混合・粉砕し、脱水・乾燥後、成形圧力
Ｓ ｔｏｎ々−で直径１６−厚さ０．６−に加圧成形し
、成形物を第１表に示す焼成温度で１時間焼成し、試料
番号１〜６を得た。
これらの試料の結晶粒径は光学顕微鏡により倍率４００
で観察し、ＩＮ電率、誘電正接および容量値の温度特性
は試料の両面に銀電極を焼き付け、ＹＨＰデジタルＬＣ
Ｒメータモデル４２７４Ａを使用し、測定温度２５°Ｃ
，測定電圧１．ＯＶｒｍｓ＊測定周波数１．０ＫＨｚに
よる測定により求めた。なお、温度特性は２５°Ｃにお
ける容量値を基準とした。試験条件および結果を第１表
に示す。
で観察し、ＩＮ電率、誘電正接および容量値の温度特性
は試料の両面に銀電極を焼き付け、ＹＨＰデジタルＬＣ
Ｒメータモデル４２７４Ａを使用し、測定温度２５°Ｃ
，測定電圧１．ＯＶｒｍｓ＊測定周波数１．０ＫＨｚに
よる測定により求めた。なお、温度特性は２５°Ｃにお
ける容量値を基準とした。試験条件および結果を第１表
に示す。
第１表
得られた試料はいずれも結晶粒径が３．０μｍ以下で、
かつ実用的な誘電率、誘電正接および温度特性を有する
誘電体磁器組成物であり、！Ｒ層コンデンサのごとき電
界ｇｉ度の大きい製品には最適である。
かつ実用的な誘電率、誘電正接および温度特性を有する
誘電体磁器組成物であり、！Ｒ層コンデンサのごとき電
界ｇｉ度の大きい製品には最適である。
実ｍｆｌ１２
原料としてそれぞれ試薬１級のＢａ（４０４ｅ Ｃｅ、
（Ｃ１０４）１ ・９Ｈ１０，３ＺｒＯ１ＩＣＯＨ・６
Ｈ１０，ＣａＯおよびＴ１倉（Ｃ１０４）ｌ・１０ Ｈ
，０を用い、これに添加剤マンガン、クロム、鉄、ニッ
ケルおよびコバルトの酸化物の原料としてそれぞれ試薬
１級のＭｎＣ０１。
（Ｃ１０４）１ ・９Ｈ１０，３ＺｒＯ１ＩＣＯＨ・６
Ｈ１０，ＣａＯおよびＴ１倉（Ｃ１０４）ｌ・１０ Ｈ
，０を用い、これに添加剤マンガン、クロム、鉄、ニッ
ケルおよびコバルトの酸化物の原料としてそれぞれ試薬
１級のＭｎＣ０１。
Ｃｒ１Ｏ，ｓ Ｆｅｄ、 ＮｉＯおよびＣｏｏを添加し
たはかは実施例１の場合に同様に処理して試料番号７〜
１３を得た。
たはかは実施例１の場合に同様に処理して試料番号７〜
１３を得た。
これらの試料の試験方法は実施例１と同一であり、試験
結果を第２表に示す。
結果を第２表に示す。
＃！２表
マンガン、クロム、鉄、ニッケルおよびコバルトの酸化
物の添加により、焼成温度および誘電正接な低下させる
とともに温度特性を改善させることができた。
物の添加により、焼成温度および誘電正接な低下させる
とともに温度特性を改善させることができた。
特許出願人 三菱鉱業セメント株式会社代 理 人
白 川 義 直手続補正書 昭和５７年５月１３日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 １、事件の表示 昭和５６年特許［８２０４２１１号 ２、発明の名称 誘電体磁器組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７、 補正の内容
白 川 義 直手続補正書 昭和５７年５月１３日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 １、事件の表示 昭和５６年特許［８２０４２１１号 ２、発明の名称 誘電体磁器組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７、 補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉｌ＋ バリウム、セリウム、ジルコニウム、カルシ
ウムおよびチタンの酸化物をそれぞれＢａｄ、ＣａＯ２
゜ＺｒＯ２，ＣａＯおよびＴｉ０１に換算して、 Ｂ
ａ０２４．５乃至５３．４ ｗｇｏＬ ％とＣｅ０１１
．０乃至３，５ｍｏｔ％とＺｒＯ。 ｏ、ｉ乃至２．０ａｏＬ＠とＣａＯＯ６５乃至ＩＱ、Ｏ
ｍｏＡ％とＴｉ０１４５．０乃至６０．０罵ｏＬ’４と
からなることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （２）バリウム、セリウム、ジルコニウム、カルシウム
およびチタンの酸化物をそれぞれＢａＯ，Ｃｅ０１゜Ｚ
ｒ０１．ＣａＯおよびＴｉ０１に換算して、Ｂａ０２４
．５乃至５３．４ ｙｍｏＬ ９ＧとＣｅ０．１．０乃
至３．５ａｏｔ％とＺｒ０２０．１乃至２． Ｏｗｔ
％とＣａ００．５乃至１０．０ ｗＬ ｑ４と’ｒｒｏ
、４ｓ、ｏ乃至６０．０講ｏＬｑ６とからなる主成分に
、マンガン、クロム、鉄、ニッケルｇよびコバルトの酸
化物からなる群の中から選ばれた少くともｌ橿を、それ
ぞれＭｎ０１．Ｃｒ１Ｏ１，Ｆｅｄ、Ｎ４０およびＣｏ
ｏに換算して、該主成分の０．０５乃至０．６直量饅添
加してなることを特徴とする＃電体磁器組成物０
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204211A JPS6022451B2 (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 誘電体磁器組成物 |
| US06/449,384 US4468472A (en) | 1981-12-17 | 1982-12-13 | Composition for ceramic dielectrics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204211A JPS6022451B2 (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106702A true JPS58106702A (ja) | 1983-06-25 |
| JPS6022451B2 JPS6022451B2 (ja) | 1985-06-01 |
Family
ID=16486669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56204211A Expired JPS6022451B2 (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4468472A (ja) |
| JP (1) | JPS6022451B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS60153604A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| US4829032A (en) * | 1986-01-16 | 1989-05-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US4780435A (en) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Tam, Ceramics, Inc. | Dielectric ceramic compositions with linear temperature coefficient characteristics and low dissipation factors |
| FR2640963B1 (ja) * | 1988-12-23 | 1991-03-01 | Europ Composants Electron | |
| USH987H (en) | 1989-06-12 | 1991-11-05 | Temperature stable ceramic dielectric compositions | |
| NL8902923A (nl) * | 1989-11-27 | 1991-06-17 | Philips Nv | Keramisch lichaam uit een dielektrisch materiaal op basis van bariumtitanaat. |
| US5202814A (en) * | 1990-03-13 | 1993-04-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreducing dielectric ceramic composition |
| US6034015A (en) * | 1997-05-14 | 2000-03-07 | Georgia Tech Research Corporation | Ceramic compositions for microwave wireless communication |
| US6535342B1 (en) * | 1999-12-09 | 2003-03-18 | International Business Machines Corporation | Apparatus, system and method for writing information onto magnetic media field of the invention |
Family Cites Families (7)
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|---|---|---|---|---|
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| US3764529A (en) * | 1972-02-17 | 1973-10-09 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing fine grain ceramic barium titanate |
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| JPS5732898B2 (ja) * | 1975-01-29 | 1982-07-14 | ||
| GB1515987A (en) * | 1975-06-18 | 1978-06-28 | Polska Akademia Nauk Centr Bad | Method and apparatus for synthetic fibre spinning |
| JPS55102292A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-05 | Nippon Electric Co | High frequency high output transistor amplifier |
| JPS5674917A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-20 | Tdk Electronics Co Ltd | Nonnlinear dielectric element |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP56204211A patent/JPS6022451B2/ja not_active Expired
-
1982
- 1982-12-13 US US06/449,384 patent/US4468472A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4468472A (en) | 1984-08-28 |
| JPS6022451B2 (ja) | 1985-06-01 |
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