JPS5811113B2 - 電子回路装置 - Google Patents
電子回路装置Info
- Publication number
- JPS5811113B2 JPS5811113B2 JP52114296A JP11429677A JPS5811113B2 JP S5811113 B2 JPS5811113 B2 JP S5811113B2 JP 52114296 A JP52114296 A JP 52114296A JP 11429677 A JP11429677 A JP 11429677A JP S5811113 B2 JPS5811113 B2 JP S5811113B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- resin film
- substrate
- insulating resin
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多数の電子部品を高密度こ実装した薄型電子
回路装置に関する。
回路装置に関する。
従来から電子部品を高密度に実装しようとする技術とし
ていわゆるハイブリッドＩＣ技術が用いられているが、
この技術は基板がセラミック材料でコストが高く、また
ＬＳＩ等はワイヤボンディングによる接続が必要で、特
に複雑な回路では多層配線が必要であるが、この場合の
コストは非常に高いものとなっていた。
ていわゆるハイブリッドＩＣ技術が用いられているが、
この技術は基板がセラミック材料でコストが高く、また
ＬＳＩ等はワイヤボンディングによる接続が必要で、特
に複雑な回路では多層配線が必要であるが、この場合の
コストは非常に高いものとなっていた。
一方上記の作業性の悪いワイヤボンディングを用いない
方法として、基板をポリイミド等の樹脂フィルムとし、
ビームリードにＬＳＩの電極を接合するミニモツド法も
実用化されている。
方法として、基板をポリイミド等の樹脂フィルムとし、
ビームリードにＬＳＩの電極を接合するミニモツド法も
実用化されている。
しかしミニモツド法ではビームリードの形成された部分
に配線層を形成できないことから高密度化に限度がある
こと、強度の面からかなり厚いポリイミドフィルムが必
要で、コストが高いこと等の欠点があった。
に配線層を形成できないことから高密度化に限度がある
こと、強度の面からかなり厚いポリイミドフィルムが必
要で、コストが高いこと等の欠点があった。
本出願人は既に、非常に薄いフィルムを用いて多数の素
子を高密度に相互配線するために好適な方法を特願昭５
０−９２７７３号をはじめ数件の明細書において提案し
た。
子を高密度に相互配線するために好適な方法を特願昭５
０−９２７７３号をはじめ数件の明細書において提案し
た。
例えば上記特願昭５０−９２７７３号明細書には絶縁樹
脂フィルムに必要な貫通孔を設け、素子を絶縁樹脂フィ
ルムの一生面側から、その電極と上記貫通孔が一致する
ように接着し、他の主面側に配線層を設けると同時に上
記貫通孔を用いて素子の電極と配線とを接続した装置が
記されている。
脂フィルムに必要な貫通孔を設け、素子を絶縁樹脂フィ
ルムの一生面側から、その電極と上記貫通孔が一致する
ように接着し、他の主面側に配線層を設けると同時に上
記貫通孔を用いて素子の電極と配線とを接続した装置が
記されている。
この装置の特徴的な製造方法は特願昭５１−３０１５９
号明細書等に、さらに配線層を多層化した装置は特願昭
５２−７４７８号明細書に述べである。
号明細書等に、さらに配線層を多層化した装置は特願昭
５２−７４７８号明細書に述べである。
ここで提案された装置ではいずれもフィルム基板が従来
の％〜也と非常に薄いため、他のパッケージに収める時
などの取扱いを考慮したものが特願昭５２−２５６０３
号明細書に記載した装置で、これはフィルム基板に補強
のための支持体例えば枠体等を設置したものである。
の％〜也と非常に薄いため、他のパッケージに収める時
などの取扱いを考慮したものが特願昭５２−２５６０３
号明細書に記載した装置で、これはフィルム基板に補強
のための支持体例えば枠体等を設置したものである。
本発明は上記のような研究成果を踏まえた上で、フィル
ム基板を補強する金属製の支持体の一部を配線として用
い、非常に薄いフィルム基板を使用しながら十分な強度
を有し、さらに容易こ多層化配線が形成されて電子部品
を高密度に実装した電子回路装置である。
ム基板を補強する金属製の支持体の一部を配線として用
い、非常に薄いフィルム基板を使用しながら十分な強度
を有し、さらに容易こ多層化配線が形成されて電子部品
を高密度に実装した電子回路装置である。
以下に本発明の一実施例を図面とともに説明する。
第１図は完成した状態の電子回路装置、第２図には金属
等からなる支持体を示す。
等からなる支持体を示す。
１はポリアミドフィルム等の絶縁樹脂フィルム、２は絶
縁樹脂フィルム１の一面に設けられた金属の支持体、３
゜４．５は電子部品で第１図では絶縁樹脂フィルム１の
裏面側から装着されており３はＬＳＩ等の半導体素子、
４はチップ抵抗、５はチップコンデンサである。
縁樹脂フィルム１の一面に設けられた金属の支持体、３
゜４．５は電子部品で第１図では絶縁樹脂フィルム１の
裏面側から装着されており３はＬＳＩ等の半導体素子、
４はチップ抵抗、５はチップコンデンサである。
６は絶縁樹脂フィルム１の表面側に形成された配線パタ
ーンで、絶縁樹脂フィルム１の要所に設けた貫通孔γこ
より配線パターン６と支持体２の一部、半導体素子３の
電極等が接続されている。
ーンで、絶縁樹脂フィルム１の要所に設けた貫通孔γこ
より配線パターン６と支持体２の一部、半導体素子３の
電極等が接続されている。
なお第３図は第１図の要部を破断した拡大斜視図、第４
図は第３図中のＶ−Ｖ線による断面図である。
図は第３図中のＶ−Ｖ線による断面図である。
これらの図面を参照しながら本装置の製造の手順に沿っ
てさらに詳しく説明する。
てさらに詳しく説明する。
絶縁樹脂フィルムは耐熱性かつ可撓性を有する材料がよ
く、従来の約１／１０〜１／２の厚さにあたる１０μ〜
５０μのポリイミドフィルムが適当である。
く、従来の約１／１０〜１／２の厚さにあたる１０μ〜
５０μのポリイミドフィルムが適当である。
この絶縁樹脂フィルム１の一方の面にＦＢＰ樹脂やエポ
キシ樹脂等からなる接着層８を設け、ニッケルステンレ
スまたはコバール等で第２図のように形成した約１５０
μ厚の支持体２を約３００℃で熱圧着により接着する。
キシ樹脂等からなる接着層８を設け、ニッケルステンレ
スまたはコバール等で第２図のように形成した約１５０
μ厚の支持体２を約３００℃で熱圧着により接着する。
このとき支持体２こ比べ絶縁樹脂フィルム１の膨張係数
が犬であるため、接着後に常温に戻った際絶縁樹脂フィ
ルムが収縮しいわゆる「たわみのない」表面が得られる
。
が犬であるため、接着後に常温に戻った際絶縁樹脂フィ
ルムが収縮しいわゆる「たわみのない」表面が得られる
。
これは以後の製作にとって極めて重要である。
次に要所を選択的にケミカルエツチング、プラズマエツ
チングして絶縁樹脂フィルム１および接着層８にテーパ
を有する貫通孔７を形成する。
チングして絶縁樹脂フィルム１および接着層８にテーパ
を有する貫通孔７を形成する。
そして半導体素子３、チップ抵抗４等を接着層８側から
熱圧着する。
熱圧着する。
このとき基板である絶縁樹脂フィルム１は透明であるた
め、貫通孔７と半導体素子３の電極等の位置合せが非常
に容易で作業性も向上している。
め、貫通孔７と半導体素子３の電極等の位置合せが非常
に容易で作業性も向上している。
なお支持体２の厚さは５０μ〜２５０μ程度にすること
ができ厚さが大である方が強度的にもよいことはいうま
でもないが、上記実施例のように支持体２と半導体素子
３等の電子部品が同一の接着層８側にある場合は、支持
体２の厚さが電子部品の厚さ以下である方が作業上望ま
しい。
ができ厚さが大である方が強度的にもよいことはいうま
でもないが、上記実施例のように支持体２と半導体素子
３等の電子部品が同一の接着層８側にある場合は、支持
体２の厚さが電子部品の厚さ以下である方が作業上望ま
しい。
さらに絶縁樹脂フィルム１の、支持体２等のない表面の
全面にわたってＣｒ、Ｃｕを連続蒸着し、場合によって
はメッキ処理を施してもよい。
全面にわたってＣｒ、Ｃｕを連続蒸着し、場合によって
はメッキ処理を施してもよい。
この時上記で設けた貫通孔７を介して半導体素子３の電
極、チップ抵抗４の端子、一部の支持体２と蒸着層とが
接続される。
極、チップ抵抗４の端子、一部の支持体２と蒸着層とが
接続される。
次にフォトエツチングにより配線パターン６を形成する
。
。
ここでは貫通孔７を介して絶縁樹脂フィルム１の表裏を
接続するのに蒸着法を用いたが、半田や導電性ペースト
、無電界メッキ等でもよい。
接続するのに蒸着法を用いたが、半田や導電性ペースト
、無電界メッキ等でもよい。
上記で明らかなように配線パターン６となるべき蒸着層
の形成時に電極等はもちろん配線となる一部の支持体２
にも同時に接続され、容易に多層配線構造を得ることが
できる。
の形成時に電極等はもちろん配線となる一部の支持体２
にも同時に接続され、容易に多層配線構造を得ることが
できる。
なお本実施例ではＬＳＩ等の半導体素子３の電極にバン
プ状電極等の特殊な形状を必要とせず、半導体素子３を
そのまま用いることができ、貫通孔７の大きさも５０μ
平方で十分であり、従来に比べて電極とその接続に要す
る面積を著しく小さくすることが可能となった。
プ状電極等の特殊な形状を必要とせず、半導体素子３を
そのまま用いることができ、貫通孔７の大きさも５０μ
平方で十分であり、従来に比べて電極とその接続に要す
る面積を著しく小さくすることが可能となった。
上記で支持体２は、第２図のような最外周が枠となった
形状に形成しておけば厚さが少し薄いものでも強度を保
つことができ以上の製造工程での取扱いが容易となる。
形状に形成しておけば厚さが少し薄いものでも強度を保
つことができ以上の製造工程での取扱いが容易となる。
そして工程の最後に上記枠の適当な所で切断すれば第１
図のような装置が得られる。
図のような装置が得られる。
第１図からも明らかなように支持体２の一部は絶縁樹脂
フィルム１より外方へ突出し、また配線パターン６と接
続されていることから、この装置の引出端子として用い
ることができ非常に便利である。
フィルム１より外方へ突出し、また配線パターン６と接
続されていることから、この装置の引出端子として用い
ることができ非常に便利である。
なお電子部品側にンリコンゴム等の被覆膜を形成すれば
耐湿性も十分となる。
耐湿性も十分となる。
上記実施例では、支持体２が製造時の補強枠であること
はもちろん、その一部を配線として用いているため、特
に半導体素子３が多数ある場合に不可欠な多層配線が可
能で、容易に高密度の実装が実現できる。
はもちろん、その一部を配線として用いているため、特
に半導体素子３が多数ある場合に不可欠な多層配線が可
能で、容易に高密度の実装が実現できる。
またその多層配線構造も、絶縁樹脂フィルム１の一方の
面に蒸着層を形成するとき、貫通孔７を介して互いの接
続が同時に行なわれるため、従来のように何度もマスク
を替えたり蒸着やエツチングを繰り返すこともなく、極
めて簡単にかつ正確こ形成できる。
面に蒸着層を形成するとき、貫通孔７を介して互いの接
続が同時に行なわれるため、従来のように何度もマスク
を替えたり蒸着やエツチングを繰り返すこともなく、極
めて簡単にかつ正確こ形成できる。
そして上記支持体２は枠から切り離した後も絶縁樹脂フ
ィルム１の一面に複雑な形状で接着されているため、第
１図の状態の装置でも十分な強度があり、従来のように
取扱い時に曲がったり破れたりすることもない。
ィルム１の一面に複雑な形状で接着されているため、第
１図の状態の装置でも十分な強度があり、従来のように
取扱い時に曲がったり破れたりすることもない。
また支持体２の一部がこの装置の引出端子となっている
ことも大変実用的である。
ことも大変実用的である。
なお、上記実施例では支持体２が絶縁樹脂フィルム１の
一方の面にのみ形成した場合を述べたが以下のようにし
てこの支持体２を両面に設けることも可能である。
一方の面にのみ形成した場合を述べたが以下のようにし
てこの支持体２を両面に設けることも可能である。
絶縁樹脂フィルム１の両面にＦＥＰ樹脂等の接着層を設
けておく。
けておく。
裏面には第２図のようなニッケル等の支持体２を接着す
る。
る。
一方表面には全面に薄い銅箔を圧着し、エツチングによ
り上面支持体を形成する。
り上面支持体を形成する。
次にプラズマエツチングを行なって上面支持体のない部
分の上面側の接着層を除去する。
分の上面側の接着層を除去する。
貫通孔７の形成以後の工程は上記の実施例と同様である
。
。
この後者の実施例では上記第１図の実施例よりさらに次
のような効果がある。
のような効果がある。
後者では上面支持体を特こ長い距離の配線または装置の
外周に近い引出端子付近の配線に用いる。
外周に近い引出端子付近の配線に用いる。
フィルム裏面の電値部品との接続は貫通孔と蒸着による
配線パターンであるから、この配線パターンを電子部品
付近の細かな相互配線に用いる。
配線パターンであるから、この配線パターンを電子部品
付近の細かな相互配線に用いる。
このことにより、第１図の実施例では蒸着およびフォト
エツチングをフィルム全面にわたって一度に行なうこと
から、時として配線パターンにショート等の不良が起こ
ることもあったが後者の実施例では部分ごとにフォトエ
ツチングしてゆくことも可能で、微細な配線パターンを
出すことができ、より高密度な装置となる。
エツチングをフィルム全面にわたって一度に行なうこと
から、時として配線パターンにショート等の不良が起こ
ることもあったが後者の実施例では部分ごとにフォトエ
ツチングしてゆくことも可能で、微細な配線パターンを
出すことができ、より高密度な装置となる。
即ち、第１図の実施例では従来より高密度実装が量産的
に可能であるという特徴を有し、後者の実施例ではさら
に高密度に実装した装置が得られることに特徴がある。
に可能であるという特徴を有し、後者の実施例ではさら
に高密度に実装した装置が得られることに特徴がある。
以上のように本発明は絶縁樹脂フィルム基板の少なくと
も一生面に選択的こ設置された前記基板を補強する金属
製の支持体と、前記支持体と重ならないように前記基板
の前記−主面に固定されたＬＳＩ等の電子部品と、前記
基板の他の主面に選択的に形成された配線層とからなり
、前記電子部品の端子と前記配線層とが前記基板こ設け
られた貫通孔を介して接続されるとともに、前記支持体
の一部に前記電子部品の端子または配線層が接続され前
記支持体が電気的配線の一部なものであり、非常に薄い
基板を用いてコストを引き下げ、一方十分な強度を保障
し、さらこ多層配線構造を容易に形成することができ、
電子部品を高密度に実装することが可能な電子回路装置
を提供するものである。
も一生面に選択的こ設置された前記基板を補強する金属
製の支持体と、前記支持体と重ならないように前記基板
の前記−主面に固定されたＬＳＩ等の電子部品と、前記
基板の他の主面に選択的に形成された配線層とからなり
、前記電子部品の端子と前記配線層とが前記基板こ設け
られた貫通孔を介して接続されるとともに、前記支持体
の一部に前記電子部品の端子または配線層が接続され前
記支持体が電気的配線の一部なものであり、非常に薄い
基板を用いてコストを引き下げ、一方十分な強度を保障
し、さらこ多層配線構造を容易に形成することができ、
電子部品を高密度に実装することが可能な電子回路装置
を提供するものである。
第１図は本発明の電子回路装置の一実施例を示す斜視図
、第２図は上記実施例に用いる支持体の斜視図、第３図
は要部破断拡大斜視図、第４図は第３図Ｖ−Ｖ線による
断面図である。 １・・・・・・絶縁樹脂フィルム、２・・・・・・支持
体、３・・・・・・半導体素子、６・・・・・・配線パ
ターン、７・・・・・・貫通孔。
、第２図は上記実施例に用いる支持体の斜視図、第３図
は要部破断拡大斜視図、第４図は第３図Ｖ−Ｖ線による
断面図である。 １・・・・・・絶縁樹脂フィルム、２・・・・・・支持
体、３・・・・・・半導体素子、６・・・・・・配線パ
ターン、７・・・・・・貫通孔。
Claims (1)
- １ 絶縁樹脂フィルム基板の少なくとも一生面に選択的
に設置された前記基板を補強する金属製の支持体と、前
記支持体と重ならないように前記基板の前記−主面に固
定されたＬＳＩ等の電子部品と、前記基板の他の主面に
選択的に形成された配線層とからなり、前記電子部品の
端子と前記配線層とが前記基板に設けられた貫通孔を介
して接続されるとともに、前記支持体の一部に前記電子
部品の端子または配線層が接続され前記支持体が電気的
配線の一部をなすことを特徴とする電子回路装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52114296A JPS5811113B2 (ja) | 1977-09-21 | 1977-09-21 | 電子回路装置 |
| US05/882,152 US4246595A (en) | 1977-03-08 | 1978-02-28 | Electronics circuit device and method of making the same |
| GB8586/78A GB1588377A (en) | 1977-03-08 | 1978-03-03 | Electronic circuit devices and methods of making the same |
| CA298,234A CA1108305A (en) | 1977-03-08 | 1978-03-06 | Electronic circuit device and method of making the same |
| DE2810054A DE2810054C2 (de) | 1977-03-08 | 1978-03-08 | Elektronische Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
| US06/168,418 US4356374A (en) | 1977-03-08 | 1980-07-10 | Electronics circuit device and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52114296A JPS5811113B2 (ja) | 1977-09-21 | 1977-09-21 | 電子回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5448074A JPS5448074A (en) | 1979-04-16 |
| JPS5811113B2 true JPS5811113B2 (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=14634304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52114296A Expired JPS5811113B2 (ja) | 1977-03-08 | 1977-09-21 | 電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811113B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55145390A (en) * | 1979-04-27 | 1980-11-12 | Fujitsu Ltd | Method of fabricating printed board unit |
| JPS55145393A (en) * | 1979-04-30 | 1980-11-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Method of mounting electronic component |
| JPS57145354A (en) * | 1980-11-21 | 1982-09-08 | Gao Ges Automation Org | Carrier element for ic module |
| JPH0134360Y2 (ja) * | 1981-06-04 | 1989-10-19 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5331630B2 (ja) * | 1972-11-22 | 1978-09-04 | ||
| JPS5159867U (ja) * | 1974-11-06 | 1976-05-11 |
-
1977
- 1977-09-21 JP JP52114296A patent/JPS5811113B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5448074A (en) | 1979-04-16 |
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