JPS58129643U - 半導体光結合装置 - Google Patents

半導体光結合装置

Info

Publication number
JPS58129643U
JPS58129643U JP19957282U JP19957282U JPS58129643U JP S58129643 U JPS58129643 U JP S58129643U JP 19957282 U JP19957282 U JP 19957282U JP 19957282 U JP19957282 U JP 19957282U JP S58129643 U JPS58129643 U JP S58129643U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating
coupling device
optical coupling
semiconductor
semiconductor optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19957282U
Other languages
English (en)
Inventor
義博 戸所
数村　勝
俊夫 松田
仁雄 岩佐
寺本　「巌」
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP19957282U priority Critical patent/JPS58129643U/ja
Publication of JPS58129643U publication Critical patent/JPS58129643U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は光結合装置の従来例の説明図である。 第２図は本出願人が提案した改良前の半導体光結合装置
の断面図である。第３図はこの考案の一実施例である半
導体光結合装置の平面図であり、第４図はその断面図で
ある。 １２・・・・・・半絶縁性基板、１３・・・・・・ｎ型
ＧａＡｓ層、１４・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ層、１５・
・・・・・分離用溝、１６゜１７、　１８．　１９・・
・・・・金属電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁性または半絶縁性の基板の上に形成された半導体層
    が、前記半導体層の表面から前記基板に達する深さに達
    する絶縁分離領域で分断され、前記絶縁分離領域を介し
    て互いに対向した前記半導体層の一方を発光部、他方を
    受光部とし、前記絶縁分離領域を主たる元媒体となした
    ことを特徴とする半導体光結合装置。
JP19957282U 1982-12-28 1982-12-28 半導体光結合装置 Pending JPS58129643U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19957282U JPS58129643U (ja) 1982-12-28 1982-12-28 半導体光結合装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19957282U JPS58129643U (ja) 1982-12-28 1982-12-28 半導体光結合装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58129643U true JPS58129643U (ja) 1983-09-02

Family

ID=30112131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19957282U Pending JPS58129643U (ja) 1982-12-28 1982-12-28 半導体光結合装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58129643U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58129643U (ja) 半導体光結合装置
JPS58129655U (ja) 半導体光結合装置
JPS5936263U (ja) 半導体装置
JPS61151365U (ja)
JPS59128756U (ja) 半導体レ−ザ装置
JPS5931253U (ja) フオトカプラ−
JPS5946239U (ja) ガラス板
JPS5967951U (ja) ＧａＡｓ単結晶の電極構造
JPS58155857U (ja) 半導体レ−ザ
JPS58164255U (ja) 発光受光素子
JPS59151460U (ja) 発光受光素子
JPS6066050U (ja) メサ型半導体装置
JPS6139966U (ja) 半導体複合装置
JPS6013762U (ja) 半導体レ−ザ
JPS59195762U (ja) ヒ−トシンク
JPS5851455U (ja) 発光ダイオ−ド
JPS5941387U (ja) 発光素子の電極取出構造
JPS6134733U (ja) 半導体ウエハ
JPS60125747U (ja) コンデンサ
JPS6099551U (ja) 半導体装置
JPS60103860U (ja) 半導体レ−ザ装置
JPS588962U (ja) 薄膜トランジスタ
JPS5933244U (ja) 光半導体装置
JPS60125750U (ja) 半導体スイツチング素子
JPS59117148U (ja) 半導体装置