JPS581483B2 - チタンサンバリウムケイハンドウタイジキ - Google Patents
チタンサンバリウムケイハンドウタイジキInfo
- Publication number
- JPS581483B2 JPS581483B2 JP49019232A JP1923274A JPS581483B2 JP S581483 B2 JPS581483 B2 JP S581483B2 JP 49019232 A JP49019232 A JP 49019232A JP 1923274 A JP1923274 A JP 1923274A JP S581483 B2 JPS581483 B2 JP S581483B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- voltage
- sample
- barium titanate
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、低抵抗にもかかわらず耐電圧の大きい特性
を有するチタン酸バリウム系半導体磁器に関するもので
ある。
を有するチタン酸バリウム系半導体磁器に関するもので
ある。
従来よりすでに知られているように、Ｂａ Ｔ ｉ ０
３に対し微量の稀土類元素、またはＮｂ，Ｂｉ，Ｓｂ，
Ｗ，Ｔｈ等の１種以上を添加すると、正の抵抗温度特性
を有する半導体磁器が得られる。
３に対し微量の稀土類元素、またはＮｂ，Ｂｉ，Ｓｂ，
Ｗ，Ｔｈ等の１種以上を添加すると、正の抵抗温度特性
を有する半導体磁器が得られる。
また、この半導体磁器の主成分であるＢ Ｂ Ｔ ｉ
０３のＢａの一部をｐｂで置換することにより、抵抗が
急激に上昇する温度（キュリ一点）を１２０℃よりも高
温側に移動させることができ、一方、ＢａＴｉＯａのＢ
ａの一部をＳｒで置換するか、Ｔｉの一部をＳｎで置換
することによりキュリ一点を１２０℃より低温側に移動
させることができる。
０３のＢａの一部をｐｂで置換することにより、抵抗が
急激に上昇する温度（キュリ一点）を１２０℃よりも高
温側に移動させることができ、一方、ＢａＴｉＯａのＢ
ａの一部をＳｒで置換するか、Ｔｉの一部をＳｎで置換
することによりキュリ一点を１２０℃より低温側に移動
させることができる。
さらに、上記した各チタン酸バリウム系半導体磁器にＭ
ｎを添加することにより、抵抗温度特性の抵抗上昇を急
激に変化させることができることは知られている。
ｎを添加することにより、抵抗温度特性の抵抗上昇を急
激に変化させることができることは知られている。
さらにまた、上記した各チタン酸バリウム系半導体磁器
にＳｉＯ２を添加することにより、抵抗の電圧依存性を
少なくすることができることは知られている。
にＳｉＯ２を添加することにより、抵抗の電圧依存性を
少なくすることができることは知られている。
このＳｉＯ２の最適添加量が０．１〜１．０重量％（０
．３８７６〜３．８７６モル％）の範囲であることは、
１９６３年６月発号のＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ
Ｓ ＯＮ ＣＯＭＰＯＮＥＮＴＰＡＲＴＳ， ”Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓａｎｄ Ａｐｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍ
−ｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｔｈｅ
ｒｍｉｓｔｏｒｓ”ｐｐ．５３−６７ に報告されてい
る。
．３８７６〜３．８７６モル％）の範囲であることは、
１９６３年６月発号のＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ
Ｓ ＯＮ ＣＯＭＰＯＮＥＮＴＰＡＲＴＳ， ”Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓａｎｄ Ａｐｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍ
−ｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｔｈｅ
ｒｍｉｓｔｏｒｓ”ｐｐ．５３−６７ に報告されてい
る。
上述したようなチタン酸バリウム系半導体磁器が持って
いる各種の特性のうち、動的な電圧−電流特性を利用し
て電流制限器が得られるが、たとえば１０Ａ，１ＫＷ以
上の電力を制限したい場合、上述した従来のいずれの組
成物からなる半導体磁器素子も耐電圧が低く実用上の使
用は不可能であった。
いる各種の特性のうち、動的な電圧−電流特性を利用し
て電流制限器が得られるが、たとえば１０Ａ，１ＫＷ以
上の電力を制限したい場合、上述した従来のいずれの組
成物からなる半導体磁器素子も耐電圧が低く実用上の使
用は不可能であった。
特に素子の比抵抗が１００Ω・ｃｍ以下の低抵抗になる
と、耐電圧、すなわち準静的に素子に印加される電圧を
昇圧させた場合に電流が最小値となる電圧値（以下ｖｉ
−ｍｉｎと称す）と、急激に素子に電圧を印加した場合
に素子が破壊しない最大電圧値（以下耐突入破壊電圧と
称す）の両方がきわめて悪く、低抵抗素子で制御できる
電力容量は制約されていた。
と、耐電圧、すなわち準静的に素子に印加される電圧を
昇圧させた場合に電流が最小値となる電圧値（以下ｖｉ
−ｍｉｎと称す）と、急激に素子に電圧を印加した場合
に素子が破壊しない最大電圧値（以下耐突入破壊電圧と
称す）の両方がきわめて悪く、低抵抗素子で制御できる
電力容量は制約されていた。
この発明は上述した欠点を除去したもので、耐電圧が大
きく信頼性の高いチタン酸バリウム系半導体磁器を提供
するものである。
きく信頼性の高いチタン酸バリウム系半導体磁器を提供
するものである。
すなわちこの発明は、チタン酸バリウム系磁器に、稀土
類元素、Ｎｂ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔｈからなる半導体化
剤の１種以上を微量含有し、マンガンをＭｎに換算して
０．０ ２ ５ 〜０．０ ４ ５重量％、二酸化硅素
をＳ ｉ ０２に換算して０．３８７６〜３．８７６モ
ル％をそれぞれ含有する主成分に、チタン酸カルシウム
を２〜２０重量％添加してなるチタン酸バリウム系半導
体磁器である。
類元素、Ｎｂ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔｈからなる半導体化
剤の１種以上を微量含有し、マンガンをＭｎに換算して
０．０ ２ ５ 〜０．０ ４ ５重量％、二酸化硅素
をＳ ｉ ０２に換算して０．３８７６〜３．８７６モ
ル％をそれぞれ含有する主成分に、チタン酸カルシウム
を２〜２０重量％添加してなるチタン酸バリウム系半導
体磁器である。
ここで、チタン酸バリウム系磁器とは、
Ｂａ Ｔ ｉ Ｏ３、またはＢａＴｉＯ３のＢａの一部
をＰｂ，Ｓｒで置換したもの、およびＢ ａ Ｔ ｉ
Ｏ３のＴｉの一部をＳｎで置換したものを意味する。
をＰｂ，Ｓｒで置換したもの、およびＢ ａ Ｔ ｉ
Ｏ３のＴｉの一部をＳｎで置換したものを意味する。
以下、この発明を実施例に従って詳述する。
実施例
原料として高純度のＢａＣ０３ ，ＳｒＣ０３，Ｐｂ３
０４ ，Ｔｉ０２，Ｙ２ （ＣＯ３ ）３ ，Ｃｅ２
Ｏ３，Ｓｂ２０３，Ｎｂ２０５，ＭｎＣＯ３，ＳｉＯ２
を準備した。
０４ ，Ｔｉ０２，Ｙ２ （ＣＯ３ ）３ ，Ｃｅ２
Ｏ３，Ｓｂ２０３，Ｎｂ２０５，ＭｎＣＯ３，ＳｉＯ２
を準備した。
まだＴ ｉ Ｏ２とＣ ａ ＣＯ３を等モル量混合し、
これを仮焼して得たＣａＴｉＯ３を原料として準備した
。
これを仮焼して得たＣａＴｉＯ３を原料として準備した
。
これら各原料を第１表に示しだ組成になるようにそれぞ
れ配合し、ポットミル中にめのう玉石とともに入れ、約
２０時間湿式粉砕、混合したのち脱水して、１１５０℃
で約２時間仮焼した。
れ配合し、ポットミル中にめのう玉石とともに入れ、約
２０時間湿式粉砕、混合したのち脱水して、１１５０℃
で約２時間仮焼した。
仮焼済みの原料をバインダーである酢酸ビニル樹脂約３
重量％とともにポットミルでめのう玉石を用いて約２０
時間粉砕、混合した。
重量％とともにポットミルでめのう玉石を用いて約２０
時間粉砕、混合した。
次いで乾燥させたのち５０〜２００メッシュの粉末に整
粒し、オイルプレスにより庄力約８００Ｋｇ／ｃｍ２で
直径約１７ｍ，肉厚約３ｍの円板に成形した。
粒し、オイルプレスにより庄力約８００Ｋｇ／ｃｍ２で
直径約１７ｍ，肉厚約３ｍの円板に成形した。
この成形物をアルミナ質の匣に並べ、トンネル型焼成炉
を用いて１３２０℃で約１時間維持して焼結した。
を用いて１３２０℃で約１時間維持して焼結した。
このようにして得られた半導体磁器の各試料の両面にオ
ーム性接触の電極を形成して測定試料としだ。
ーム性接触の電極を形成して測定試料としだ。
第１表の各試料について、常温（２５℃）における比抵
抗、抵抗温度特性より得たキュリ一点、焼成した半導体
磁器の自然平面の観察で得た結晶粒子の乎均粒径、常温
（２５℃）において厚み２．５ｍｍの試料に交流電圧を
準静的に印加したときのｖｉ−ｍｉｎ、試料に交流電圧
を１０秒間印加したときの耐突入破壊電圧の測定結果を
示した。
抗、抵抗温度特性より得たキュリ一点、焼成した半導体
磁器の自然平面の観察で得た結晶粒子の乎均粒径、常温
（２５℃）において厚み２．５ｍｍの試料に交流電圧を
準静的に印加したときのｖｉ−ｍｉｎ、試料に交流電圧
を１０秒間印加したときの耐突入破壊電圧の測定結果を
示した。
その測定結果を第２表に示した。
なお、第１表、第２表中※印を付した試料のものは、こ
の発明範囲外のものであり、それ以外はすべて発明範囲
内のものである。
の発明範囲外のものであり、それ以外はすべて発明範囲
内のものである。
試料番号１〜５は半導体化剤としてＹを０．４モル％、
鉱化剤としてＳｉＯ２を２．０モル％を添加した公知の
チタン酸バリウム系半導体にＣａＴｉＯ３を０〜３０重
量％添加したものである。
鉱化剤としてＳｉＯ２を２．０モル％を添加した公知の
チタン酸バリウム系半導体にＣａＴｉＯ３を０〜３０重
量％添加したものである。
試料番号６〜９は試料番号１の組成物にＭｎを０．００
５重量％〜０．０３重量％添加したものである。
５重量％〜０．０３重量％添加したものである。
試料番号１０〜３７は稀士類としてＹを０．４〜０．８
モル％、Ｍｎを０．０ ２ 〜０．０ ４ ５重量％、
ＳｉＯ２を２モル％含む組成物にＣａＴｉＯ３を０〜３
０重量％添加したときの結果を示した。
モル％、Ｍｎを０．０ ２ 〜０．０ ４ ５重量％、
ＳｉＯ２を２モル％含む組成物にＣａＴｉＯ３を０〜３
０重量％添加したときの結果を示した。
試料番号３８〜４３は半導体化剤の種類を変えた場合で
あり、試料番号４４〜５１はキュリ一点を移動させる目
的でＢａの一部をＳ ｒ，Ｐ ｂで置換したものである
。
あり、試料番号４４〜５１はキュリ一点を移動させる目
的でＢａの一部をＳ ｒ，Ｐ ｂで置換したものである
。
以上の実施例から明らかなように、 Ｍｎを０．０ ２
５〜０．０ ４ ５重量％、Ｓｉ０２を０．３ ８
７ ６〜３．８７６モル％をそれぞれ含有する主成分に
、Ｃａ Ｔ ｉ Ｏ３を２〜２０重量％添加してなるチ
タン酸バリウム系半導体磁器によれば、結晶粒径を７μ
以下にすることができ、比抵抗を下げるとともに、ｖｉ
−ｍｉｎ、耐突入破壊電圧を飛躍的に向上させることが
できる。
５〜０．０ ４ ５重量％、Ｓｉ０２を０．３ ８
７ ６〜３．８７６モル％をそれぞれ含有する主成分に
、Ｃａ Ｔ ｉ Ｏ３を２〜２０重量％添加してなるチ
タン酸バリウム系半導体磁器によれば、結晶粒径を７μ
以下にすることができ、比抵抗を下げるとともに、ｖｉ
−ｍｉｎ、耐突入破壊電圧を飛躍的に向上させることが
できる。
第１図はこの発明にかゝる半導体磁器の抵抗一温度特性
を示したもので、ＣａＴｉＯ３の添加効果が明白に現わ
れている。
を示したもので、ＣａＴｉＯ３の添加効果が明白に現わ
れている。
第２図はｖｉ−ｍｉｎ−比抵抗特性を示したもので、厚
み２． ５ ｍｍの試料に交流電圧を印加して準静的に
昇圧したとき、電流が極小値となるときの電圧値ｖｉ−
ｍｉ ｎ（ ｖ／ｍｍ ）を測定した。
み２． ５ ｍｍの試料に交流電圧を印加して準静的に
昇圧したとき、電流が極小値となるときの電圧値ｖｉ−
ｍｉ ｎ（ ｖ／ｍｍ ）を測定した。
図中の番号は試料番号であり、領域（ａ）はこの発明範
囲外のもの、領域（ｂ）はこの発明範囲内のものである
。
囲外のもの、領域（ｂ）はこの発明範囲内のものである
。
同一比抵抗でｖｉ−ｍｉｎ値を比較して明らかなように
、領域（ｂ）は領域（ａ）よりもｖｉ−ｍｉｎは高く、
耐電圧にすぐれている。
、領域（ｂ）は領域（ａ）よりもｖｉ−ｍｉｎは高く、
耐電圧にすぐれている。
なお、第２図において、この発明範囲内の領域（ｂ）内
に発明範囲外の試料番号１０〜１６のものが含まれてい
るが、次のような理由によりこの発明範囲内に含まれな
い。
に発明範囲外の試料番号１０〜１６のものが含まれてい
るが、次のような理由によりこの発明範囲内に含まれな
い。
つまり、試料番号１０〜１６のものはＭｎが０．０２重
量％でＣａＴｉＯ３量を１重量％から３０重量％の範囲
で変化させたものであるが、ＣａＴｉＯ３量を変化させ
ることによってｖｉ−ｍｉｎの変化が大きく、その変化
幅も大きく、安定した特性のものが得られておらず、こ
の発明範囲から除外することとした。
量％でＣａＴｉＯ３量を１重量％から３０重量％の範囲
で変化させたものであるが、ＣａＴｉＯ３量を変化させ
ることによってｖｉ−ｍｉｎの変化が大きく、その変化
幅も大きく、安定した特性のものが得られておらず、こ
の発明範囲から除外することとした。
一方、この発明範囲内のもの、たとえば試料番号２２〜
２４のものは、ｖｉ−ｍｉｎの値がほぼ一定レベルにあ
り、変化幅が小さく、しかも試料番号１０〜１６のもの
にくらべて概ねｖｉ−ｍｉｎ値の高いものが得られてい
る。
２４のものは、ｖｉ−ｍｉｎの値がほぼ一定レベルにあ
り、変化幅が小さく、しかも試料番号１０〜１６のもの
にくらべて概ねｖｉ−ｍｉｎ値の高いものが得られてい
る。
まだ異なる観点からみだ場合、つまり同じような比抵抗
のものを比較した場合、試料番号１０〜１６、特に試料
番号１１〜１５のものは、ｖｉ −ｍｉｎ値が低いとい
う現象がみられる。
のものを比較した場合、試料番号１０〜１６、特に試料
番号１１〜１５のものは、ｖｉ −ｍｉｎ値が低いとい
う現象がみられる。
たとえば、試料番号１４とこの発明範囲内の試料番号２
３のものを比較して明らかなように、試料番号ｌ４のｖ
ｉ−ｍｉｎは１２０ｖ／ｍｍであるが、試料番号２３の
ｖｉ−ｍｉｎは１７０ｖ／ｍｍであり、この発明範囲内
のものにすぐれた特性のものが得られている。
３のものを比較して明らかなように、試料番号ｌ４のｖ
ｉ−ｍｉｎは１２０ｖ／ｍｍであるが、試料番号２３の
ｖｉ−ｍｉｎは１７０ｖ／ｍｍであり、この発明範囲内
のものにすぐれた特性のものが得られている。
したがって、後述する限定理由において明らかにされる
が、Ｍｎ量は０．０ ２ ５〜０．０ ４ ５重量％の
範囲に限定される。
が、Ｍｎ量は０．０ ２ ５〜０．０ ４ ５重量％の
範囲に限定される。
第３図は耐突入破壊電圧−比抵抗特性を示したもので、
厚み２．５ｍｍの試料に交流電圧を急激に約１０秒間印
加して、破壊しない最大の電圧値、すなわち耐突入破壊
電圧値を測定した。
厚み２．５ｍｍの試料に交流電圧を急激に約１０秒間印
加して、破壊しない最大の電圧値、すなわち耐突入破壊
電圧値を測定した。
静的に印加電圧を上昇させた場合と同じく、この発明範
囲内の領域（ｂ）のものは急激に電圧を印加しても耐電
圧特性はすぐれている。
囲内の領域（ｂ）のものは急激に電圧を印加しても耐電
圧特性はすぐれている。
なお、第２図に関する説明において明らかにされている
ように、試料番号１１〜１５のものは発明範囲内から除
外されることはもちろんである。
ように、試料番号１１〜１５のものは発明範囲内から除
外されることはもちろんである。
以上のように、Ｍ ｎ，ＳｉＯ２を含むチタン酸バリウ
ム系半導体磁器原料にＣ ａＴ ｉ Ｏ３を添加すると
、キュリ一点を大きく移動させずに耐電圧を高くするこ
とができる。
ム系半導体磁器原料にＣ ａＴ ｉ Ｏ３を添加すると
、キュリ一点を大きく移動させずに耐電圧を高くするこ
とができる。
このことからこの発明におけるＣａＴｉＯ３は従来より
キュリ一点を移動させる目的で添加している同じペロブ
スカイト構造を持つＰｂＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３，Ｂａ
ＳｎＯ３などとは区別されるべきものである。
キュリ一点を移動させる目的で添加している同じペロブ
スカイト構造を持つＰｂＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３，Ｂａ
ＳｎＯ３などとは区別されるべきものである。
ここで、この発明にかかるチタン酸バリウム系半導体磁
器について、組成範囲を限定したのは次のような理由に
よる。
器について、組成範囲を限定したのは次のような理由に
よる。
つまり、Ｍｎ量を０．０ ２ ５ 〜０．０ ４ ５重
量％としたのは、Ｍｎが０．Ｏ２５重量％未満になれば
、ＳｉＯ２ ，ＣａＴｉＯ３との共存状態でＣａＴ ｉ
Ｏ３を変化させたとき、ｖｉ−ｍｉｎの変化幅が大き
くなり、安定した特性を有するチタン酸バリウム系半導
体磁器が得られなくなるからである。
量％としたのは、Ｍｎが０．Ｏ２５重量％未満になれば
、ＳｉＯ２ ，ＣａＴｉＯ３との共存状態でＣａＴ ｉ
Ｏ３を変化させたとき、ｖｉ−ｍｉｎの変化幅が大き
くなり、安定した特性を有するチタン酸バリウム系半導
体磁器が得られなくなるからである。
一方、Ｍｎが０．０４５重量％を越えると常温の比抵抗
が上昇し、１０５Ω・ｃｍ以上になるからである。
が上昇し、１０５Ω・ｃｍ以上になるからである。
また、ＳｉＯ２量を０．３ ８ ７ ６〜３．８７６モ
ル％としたのは、０．３ ８ ７ ６モル％未満では比
抵抗が増大し、一方、３．８ ７ ６モル％を越えると
キュリ一温度以上での抵抗の増加率が低下し、これによ
り耐電圧を意味するｖｉ−ｍｉｎが著しく低下するから
である。
ル％としたのは、０．３ ８ ７ ６モル％未満では比
抵抗が増大し、一方、３．８ ７ ６モル％を越えると
キュリ一温度以上での抵抗の増加率が低下し、これによ
り耐電圧を意味するｖｉ−ｍｉｎが著しく低下するから
である。
ＣＢＴｉＯ３の添加量を２〜２０重量％に限定したのは
、ＣａＴｉＯ３が２重量％未満では耐電圧を高める目的
が十分に達成されないためであり、まだ２０重量％をこ
えると半導体化しにくくなるためである。
、ＣａＴｉＯ３が２重量％未満では耐電圧を高める目的
が十分に達成されないためであり、まだ２０重量％をこ
えると半導体化しにくくなるためである。
上述したようにこの発明によるチタン酸バリウム系士導
体磁器は、低抵抗でしかも耐電圧にすぐれたものであり
、大電流制御用のスイッチング素子として広い用途を有
し、工業的価値の大きなものである。
体磁器は、低抵抗でしかも耐電圧にすぐれたものであり
、大電流制御用のスイッチング素子として広い用途を有
し、工業的価値の大きなものである。
第１図は抵抗一温度特性図、第２図はｖｉ −ｍｉｎ一
比抵抗特性図、第３図は耐突入破壊電圧−比抵抗特性図
である。
比抵抗特性図、第３図は耐突入破壊電圧−比抵抗特性図
である。
Claims (1)
- １ ＢａＴｉＯ３、 まだはＢａＴｉ０３のＢａの一部
をＰｂ，Ｓｒで置換したもの、およびＢａＴｉＯ３のＴ
ｉの一部をＳｎで置換したものからなるチタン酸バリウ
ム系磁器に、稀士類元素Ｎｂ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔｈか
らなる半導体化剤の１種以上を微量含有し、マンガンを
Ｍｎに換算して０．０ ２ ５〜０．０４５重量％、二
酸化硅素をＳｉ０２に換算して０．３８７６〜３．８７
６モル％をそれぞれ含有する主成分に、チタン酸カルシ
ウムを２〜２０重量％添加してなるチタン酸バリウム系
半導体磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49019232A JPS581483B2 (ja) | 1974-02-18 | 1974-02-18 | チタンサンバリウムケイハンドウタイジキ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49019232A JPS581483B2 (ja) | 1974-02-18 | 1974-02-18 | チタンサンバリウムケイハンドウタイジキ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50112795A JPS50112795A (ja) | 1975-09-04 |
| JPS581483B2 true JPS581483B2 (ja) | 1983-01-11 |
Family
ID=11993624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49019232A Expired JPS581483B2 (ja) | 1974-02-18 | 1974-02-18 | チタンサンバリウムケイハンドウタイジキ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581483B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1000912A3 (en) * | 1998-11-11 | 2000-07-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and device using the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5410110B2 (ja) * | 1974-03-20 | 1979-05-01 | ||
| JPS5220291A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-16 | Tdk Corp | Semiconductor porcelain composition |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5119599B2 (ja) * | 1971-12-02 | 1976-06-18 |
-
1974
- 1974-02-18 JP JP49019232A patent/JPS581483B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1000912A3 (en) * | 1998-11-11 | 2000-07-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and device using the same |
| US6362521B1 (en) | 1998-11-11 | 2002-03-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50112795A (ja) | 1975-09-04 |
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