JPS58152018A - 半導体装置の保護被膜材料用組成物 - Google Patents
半導体装置の保護被膜材料用組成物Info
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- JPS58152018A JPS58152018A JP3565082A JP3565082A JPS58152018A JP S58152018 A JPS58152018 A JP S58152018A JP 3565082 A JP3565082 A JP 3565082A JP 3565082 A JP3565082 A JP 3565082A JP S58152018 A JPS58152018 A JP S58152018A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- coating material
- protective coating
- semiconductor device
- organic
- Prior art date
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- Pending
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高集積度を有する半導体装置の保護被膜材料用
組成物に関し、その目的は半導体素子外部からのα線入
射による誤動作（ソフトエラー）を引き起こさない半導
体装置の保護被膜材料用組成物を提供することにある。
組成物に関し、その目的は半導体素子外部からのα線入
射による誤動作（ソフトエラー）を引き起こさない半導
体装置の保護被膜材料用組成物を提供することにある。
高集積度を有する半導体メモリー素子にα線が入射する
と０→１，１→０の情報の逆転が起こりいわゆるソフト
エラーの原因となることが最近間らかになってきている
。このα線は素子を封止するセラミックケースあるいは
熱硬化性樹脂に含まれる無機光てん剤に含まれるウラン
。
と０→１，１→０の情報の逆転が起こりいわゆるソフト
エラーの原因となることが最近間らかになってきている
。このα線は素子を封止するセラミックケースあるいは
熱硬化性樹脂に含まれる無機光てん剤に含まれるウラン
。
トリウム等を主たる線源として放射されるものである。
このため、これらの材料を精製することによりウラン、
トリウム含量を減少させる試みが種々なされているが、
技術的に困難な問題であり、解決には至っていない。
トリウム含量を減少させる試みが種々なされているが、
技術的に困難な問題であり、解決には至っていない。
一方、半導体素子の回路設計を考慮することにより、ソ
フトエラーを防止することもできるが、チップ面積が増
大する等の欠点があ勺、４！殊な例を除いては実用化さ
れるには至っていない。
フトエラーを防止することもできるが、チップ面積が増
大する等の欠点があ勺、４！殊な例を除いては実用化さ
れるには至っていない。
ところで、一般に有機材料は無機材料に比べてα線源で
あるウラン、トリウム等の含有量が低いこと、またたと
え含有していたとしても構成素材の蒸留、再結晶、材料
〜の再沈等の精製操作により比較的容易にウラン、トリ
ウム等の含有量の低減が可能なこと、更に有機物はα線
を吸収する作用を有していること等が知られている。こ
のため封止層と半導体素子の間に有機層を形成し、この
有機層でのα線を吸収し、素子の誤動作を防止する試み
がなされておシ、実用化の段階に来ている。半導体メモ
リー素子は耐湿性を確保するためセラミック、熱硬化性
樹脂等で封止されるが、前者では封止温度は３５０乃至
４５０℃であシ、後者の場合も２００℃橿度で加熱する
ことにより硬化している。この九めα線吸収用の有機材
料はこれらの熱処理温度に十分耐えるだけの特性を有し
ていなければならず、この目的の有機材料としてはポリ
、イミド系樹脂が主として用いられている。然るに、半
導体メモリー素子にはパツシペーシヲンＪＩＩトして、
酸化シリコン、窒化シリコン等が用いられているが、一
般にポリイミド系樹脂はこれらパッシベーション被膜と
の接着性が非常に悪く接着性を確保するためにはシラン
系、金属の有機キレート等のカップリング剤の使用が不
可欠である。このように一般のポリイミド系樹脂を用い
る限り、カップリング剤層を形成する工程が不可欠であ
りプロセスが繁雑化するだけでなく。
あるウラン、トリウム等の含有量が低いこと、またたと
え含有していたとしても構成素材の蒸留、再結晶、材料
〜の再沈等の精製操作により比較的容易にウラン、トリ
ウム等の含有量の低減が可能なこと、更に有機物はα線
を吸収する作用を有していること等が知られている。こ
のため封止層と半導体素子の間に有機層を形成し、この
有機層でのα線を吸収し、素子の誤動作を防止する試み
がなされておシ、実用化の段階に来ている。半導体メモ
リー素子は耐湿性を確保するためセラミック、熱硬化性
樹脂等で封止されるが、前者では封止温度は３５０乃至
４５０℃であシ、後者の場合も２００℃橿度で加熱する
ことにより硬化している。この九めα線吸収用の有機材
料はこれらの熱処理温度に十分耐えるだけの特性を有し
ていなければならず、この目的の有機材料としてはポリ
、イミド系樹脂が主として用いられている。然るに、半
導体メモリー素子にはパツシペーシヲンＪＩＩトして、
酸化シリコン、窒化シリコン等が用いられているが、一
般にポリイミド系樹脂はこれらパッシベーション被膜と
の接着性が非常に悪く接着性を確保するためにはシラン
系、金属の有機キレート等のカップリング剤の使用が不
可欠である。このように一般のポリイミド系樹脂を用い
る限り、カップリング剤層を形成する工程が不可欠であ
りプロセスが繁雑化するだけでなく。
カップリング剤として金属の有機キレート化合物を用い
ると前述のように無機物中に含まれるα線源の除去が非
常に困難であるため、新友なα線源となる危険性がある
。またシラン系カップリング剤の公憤温度は３００〜３
５０℃であり、前記セラミック封止温度に耐えることが
できない。
ると前述のように無機物中に含まれるα線源の除去が非
常に困難であるため、新友なα線源となる危険性がある
。またシラン系カップリング剤の公憤温度は３００〜３
５０℃であり、前記セラミック封止温度に耐えることが
できない。
これらの点に謹み、パッシベーション膜との接着性にす
ぐれ、かつ封止時の熱処理温度に耐えるだけの耐熱性を
有する半導体装置の保護被膜材料用組成物を見出し１本
発明を完成した。
ぐれ、かつ封止時の熱処理温度に耐えるだけの耐熱性を
有する半導体装置の保護被膜材料用組成物を見出し１本
発明を完成した。
本発明は、ジアミノシロキサン、ケイ素を含まない有機
シアきンおよび有機四塩基酸二無水物を反応させて得ら
れ、０，１乃至２０モル慢の式（１）で表わされる反覆
単位と８０乃至９９．９モル−０式（２）で表わされる
反覆単位からなるポリアミド酸を含有し、半導体メモリ
ー素子、それを封止する無機物質を含む封止層および前
記メモリー素子と封止層の間に配置され要保護被膜材料
の層を主なる構成要素とする半導体装置の保護被膜材料
用組成物に関する。
シアきンおよび有機四塩基酸二無水物を反応させて得ら
れ、０，１乃至２０モル慢の式（１）で表わされる反覆
単位と８０乃至９９．９モル−０式（２）で表わされる
反覆単位からなるポリアミド酸を含有し、半導体メモリ
ー素子、それを封止する無機物質を含む封止層および前
記メモリー素子と封止層の間に配置され要保護被膜材料
の層を主なる構成要素とする半導体装置の保護被膜材料
用組成物に関する。
但し、上式においてＲは２価の炭化水素基。
Ｒ′は１価の炭化水素基、Ｒ”ＦｉＪ価の有機基、Ｒ″
はケイ素を含まない有機ジアミンの残基である２価の有
機基であシ、これらは同一で４相異してもよ（、ｎは１
以上の整数である。
はケイ素を含まない有機ジアミンの残基である２価の有
機基であシ、これらは同一で４相異してもよ（、ｎは１
以上の整数である。
上記の式（１）で表わされる反覆単位と劇２）で表わさ
れる反覆単位とからなるポリアミド酸の製造法の一例は
特公昭４３−２７４３９号公報に一述べられている。即
ち、ケイ素を含まない有機ジアミン、ジアミノシロキサ
ンおよび有機四塩基酸二無水物を溶媒中で反応させれば
ポリアミド酸が形成される。これを１５０℃乃至３５０
℃またはそれ以上の温度で加熱して脱水；閉環すれば、
下記の式（３）及び（４）で表わされる反覆単位からな
るポリイミド−シリコーン共重合体が得られる。
れる反覆単位とからなるポリアミド酸の製造法の一例は
特公昭４３−２７４３９号公報に一述べられている。即
ち、ケイ素を含まない有機ジアミン、ジアミノシロキサ
ンおよび有機四塩基酸二無水物を溶媒中で反応させれば
ポリアミド酸が形成される。これを１５０℃乃至３５０
℃またはそれ以上の温度で加熱して脱水；閉環すれば、
下記の式（３）及び（４）で表わされる反覆単位からな
るポリイミド−シリコーン共重合体が得られる。
（Ｒ，Ｂ：、 ｗ、 ｖ′、 ｎは上記に同じ）本発明
においては、上記の式（１）で表わされる反覆単位は０
．１乃至２０モル慢１式（２）で表わされる反覆単位は
８０乃至９９．９モル憾の範囲とされるが、ジアミノシ
ロキサンを０．１乃至２０モルチ、ケイ素を含まない有
機ジアミンを８０乃至９９．９モル嘔の範囲で反応させ
てこの範囲に調整される。
においては、上記の式（１）で表わされる反覆単位は０
．１乃至２０モル慢１式（２）で表わされる反覆単位は
８０乃至９９．９モル憾の範囲とされるが、ジアミノシ
ロキサンを０．１乃至２０モルチ、ケイ素を含まない有
機ジアミンを８０乃至９９．９モル嘔の範囲で反応させ
てこの範囲に調整される。
本発明で単、量体化合物として用いられるケイ素を含ま
ない有機ジアミンとしては例えば、４４′−ジアミノジ
フェニルエーテル、４４′−ジアミノジフェニルメタン
、４４′−ジアミノジフェニルスルホン、４．４’−ジ
アミノジフェニルサルファイド、ベンジジン、メタフェ
ニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、１．５−ナ
フタレンジアミン、スローナフタレンジアミンなどがあ
り、これらは１種又は２種以上が用いられる。
ない有機ジアミンとしては例えば、４４′−ジアミノジ
フェニルエーテル、４４′−ジアミノジフェニルメタン
、４４′−ジアミノジフェニルスルホン、４．４’−ジ
アミノジフェニルサルファイド、ベンジジン、メタフェ
ニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、１．５−ナ
フタレンジアミン、スローナフタレンジアミンなどがあ
り、これらは１種又は２種以上が用いられる。
またジアミノシロキサンとしては一般式（Ｒ，Ｒ’およ
びｎは前記に同じ） で示される化合物が用いられ９例えば ＣＨｓ Ｃル Ｃ５Ｈｓ Ｃ５Ｈｓ １ Ｃ＠）ｂ Ｃ５Ｈｓ ＣＨＩ ＣＨ３ などがあシ、これらは１種又は２種以上が用いられる。
びｎは前記に同じ） で示される化合物が用いられ９例えば ＣＨｓ Ｃル Ｃ５Ｈｓ Ｃ５Ｈｓ １ Ｃ＠）ｂ Ｃ５Ｈｓ ＣＨＩ ＣＨ３ などがあシ、これらは１種又は２種以上が用いられる。
また有機四塩基酸二無水物としては例えば。
ピロメリット酸二無水物、＆３．’４４’−ジフェニル
テトラカルボン醗二無水物、Ｌ＆’４４’−ベンゾフェ
ノンテトラカルポン酸二無水物、シクロペンタンテトラ
カルボン酸二無水物、１．λ〜６−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、λ亀６．７−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物。
テトラカルボン醗二無水物、Ｌ＆’４４’−ベンゾフェ
ノンテトラカルポン酸二無水物、シクロペンタンテトラ
カルボン酸二無水物、１．λ〜６−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、λ亀６．７−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物。
ス亀へ６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物。
Ｌ４５．８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、＆
４９．１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、 ｔ
４／−スルホニルシフタル酸二無水物などがあり、これ
らは１種又は２種以上が用いられる。
４９．１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、 ｔ
４／−スルホニルシフタル酸二無水物などがあり、これ
らは１種又は２種以上が用いられる。
前記単量体化合物よりポリアミド酸を製造するに際して
は不活性の溶媒が使用されるが、特に好ましいものとし
ては生成するポリアミド酸を溶解するものである。例え
ば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルア
セトアミド。
は不活性の溶媒が使用されるが、特に好ましいものとし
ては生成するポリアミド酸を溶解するものである。例え
ば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルア
セトアミド。
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキサイド、ヘキサメチルホス
ホルアミド、テトラメチレンスルホンなどの１種若しく
は２種以上が用いられる。
ムアミド、ジメチルスルホキサイド、ヘキサメチルホス
ホルアミド、テトラメチレンスルホンなどの１種若しく
は２種以上が用いられる。
ポリアミド酸の合成は、ケイ素を含まない有機ジアミン
、ジアミノシロキサンおよび有機四塩基酸二無水物を精
製された不活性溶媒にできるだけよく溶解し、この系を
約８０℃以下特に室温付近ないしそれ以下の温度に保ち
ながら攪拌する。これによって反応は速やかに進行し。
、ジアミノシロキサンおよび有機四塩基酸二無水物を精
製された不活性溶媒にできるだけよく溶解し、この系を
約８０℃以下特に室温付近ないしそれ以下の温度に保ち
ながら攪拌する。これによって反応は速やかに進行し。
かつ反応系の粘度は次第に上昇し、ポリアミド酸が生成
する。反ろに用いた不活性溶媒を含む組成物を、そのま
ま保護被膜材料用組成物として用いることができる。
する。反ろに用いた不活性溶媒を含む組成物を、そのま
ま保護被膜材料用組成物として用いることができる。
前記単量体化合物よシボリアミド酸を製造するに際して
、最喪の耐熱性を得るためには、ケイ素を含まない有機
ジアミンとジアミノシロキサンの総量に対して等モルの
有機四塩基酸二無水物を用いることが好ましい。
、最喪の耐熱性を得るためには、ケイ素を含まない有機
ジアミンとジアミノシロキサンの総量に対して等モルの
有機四塩基酸二無水物を用いることが好ましい。
本発明になる半導体装置の保護被膜材料用組成物のウラ
ン及びトリウムの総含量は１ ｐｐｂ以下が好ましく、
よシ好ましくは０．２ｐｐｂ以下とされる。これは０．
２乃至１ｐｐｂを境にして保護被膜材料から放射される
α線の素子の誤動作に対する影響が急激に減少するから
である。得られた被膜材料のウラン、トリウムの総含量
が０．２乃至ｉ ｐｐｂを越える場合には、前記単量体
化合物あるいは溶媒を精製することによりウラン、トリ
ウムの総含量を減少させることができる。
ン及びトリウムの総含量は１ ｐｐｂ以下が好ましく、
よシ好ましくは０．２ｐｐｂ以下とされる。これは０．
２乃至１ｐｐｂを境にして保護被膜材料から放射される
α線の素子の誤動作に対する影響が急激に減少するから
である。得られた被膜材料のウラン、トリウムの総含量
が０．２乃至ｉ ｐｐｂを越える場合には、前記単量体
化合物あるいは溶媒を精製することによりウラン、トリ
ウムの総含量を減少させることができる。
単量体化合物の精製は、単量体化合物を適当な溶媒に加
熱溶解し、ろ過した後ろ液を冷却して単量体化合物を析
出させるいわゆる再結晶法で行なわれ１条件等に特に制
限はない。溶媒の精製は蒸留によって行なうことができ
る。
熱溶解し、ろ過した後ろ液を冷却して単量体化合物を析
出させるいわゆる再結晶法で行なわれ１条件等に特に制
限はない。溶媒の精製は蒸留によって行なうことができ
る。
本発明におけるポリアミド酸において、上記の式（１１
で表わされる反覆単位の全共重合体に占める割合は０．
１乃至２０モル慢である。これは上記反覆単位の割合が
０．１モル係未満であると半導体素子との接着性が悪く
、接着性を確保するためにはカップリング剤を使用する
ことが必要となり本発明の目的を満足しないからである
。
で表わされる反覆単位の全共重合体に占める割合は０．
１乃至２０モル慢である。これは上記反覆単位の割合が
０．１モル係未満であると半導体素子との接着性が悪く
、接着性を確保するためにはカップリング剤を使用する
ことが必要となり本発明の目的を満足しないからである
。
１＋、上記反覆単位の含有量の増大に伴い、共重合体の
耐熱性は低下し、２０モル慢を超えるとその重量減少開
始温度は３５０℃以下となり。
耐熱性は低下し、２０モル慢を超えるとその重量減少開
始温度は３５０℃以下となり。
封止層封止時に加えられる熱処理に耐えることができな
い。
い。
本発明になる保護被膜材料用組成物は塗装され、脱水、
閉環してポリイミド−シリコーン共重合体とされるが、
その厚さは、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは
４０μｍ以上の厚さで好ましいα線じゃへい効果を示す
。
閉環してポリイミド−シリコーン共重合体とされるが、
その厚さは、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは
４０μｍ以上の厚さで好ましいα線じゃへい効果を示す
。
封止層は、セラミックパッケージ、金属性キャン等の金
属パッケージ、エポキシ樹脂モールド等の樹脂パッケー
ジなどにより構成される。
属パッケージ、エポキシ樹脂モールド等の樹脂パッケー
ジなどにより構成される。
本発明になる保護被膜材料用組成物は、高度に渠積化さ
れた半導体メモリー素子においてより効果的な作用を示
す。具体的には、）（イポーラ型の場合ＩＫビット以上
、ＭＩＳ型の場合１６にビット以上の集積度を有する半
導体メモリー素子に対し有効である。
れた半導体メモリー素子においてより効果的な作用を示
す。具体的には、）（イポーラ型の場合ＩＫビット以上
、ＭＩＳ型の場合１６にビット以上の集積度を有する半
導体メモリー素子に対し有効である。
以下に実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例１
溶媒として、ｎ−ブタノールを用いて再結晶した４４′
−ジアミノジフェニルエーテル９．（１，Ｍ圧蒸留によ
って精製し九１．３−ビス（アミノグロピル）−テトラ
メチルジシロキサン１．２Ｐ、ｍ氷酢酸を用いて再結晶
した無水ピロメリット酸１Ｏ０９？を減圧蒸留によって
精製し九Ｎ−メチルー２−ピロリドン１１９．６ｉ中で
反応させ、樹脂分１４．５重量％、粘度１２５ポアズの
ポリアミド酸溶液を得九（式（１）で表わされる反覆単
位＃ｉ１０モル慢。
−ジアミノジフェニルエーテル９．（１，Ｍ圧蒸留によ
って精製し九１．３−ビス（アミノグロピル）−テトラ
メチルジシロキサン１．２Ｐ、ｍ氷酢酸を用いて再結晶
した無水ピロメリット酸１Ｏ０９？を減圧蒸留によって
精製し九Ｎ−メチルー２−ピロリドン１１９．６ｉ中で
反応させ、樹脂分１４．５重量％、粘度１２５ポアズの
ポリアミド酸溶液を得九（式（１）で表わされる反覆単
位＃ｉ１０モル慢。
式（２）で表わされる反覆単位は９０モル９６１゜この
ポリアミド酸溶液から溶媒を除去しウラン、トリウムの
含量を放射化分析によって調べたところ。
ポリアミド酸溶液から溶媒を除去しウラン、トリウムの
含量を放射化分析によって調べたところ。
各々検出限界の０．０２ｐｌ）ｂ以下、及びｏ、ｏｓｐ
ｐｂ以下であった。
ｐｂ以下であった。
次にこのポリアミド酸溶液を集積度１６にビットのＭＯ
８型ＲＡＭの表面に塗布し、１００’Ｃで２時間、２０
０℃で１時間、３５０℃で１時間熱処理を行ない、約４
０μｍの厚みを有するポリイミド−シリコーン共重合体
からなる保護被膜層を形成した。
８型ＲＡＭの表面に塗布し、１００’Ｃで２時間、２０
０℃で１時間、３５０℃で１時間熱処理を行ない、約４
０μｍの厚みを有するポリイミド−シリコーン共重合体
からなる保護被膜層を形成した。
この後、セラミックパッケージに金−錫系シール材を用
いてメタルキャップを約３８０℃”Ｃ’Ｍ着させて封止
した。
いてメタルキャップを約３８０℃”Ｃ’Ｍ着させて封止
した。
この半導体装置のソフトエラー率は３０フイツトでめっ
た。
た。
次に、セラミックパッケージを施していない裸の素子を
１２０℃、２２気圧の水蒸気中に２０時間放置したのち
、セロテープはく峻試験を行なったが、保＾被膜層と半
導体素子とのはく離は観測されず高度の接着性を保持し
ていることがゎかっ九。
１２０℃、２２気圧の水蒸気中に２０時間放置したのち
、セロテープはく峻試験を行なったが、保＾被膜層と半
導体素子とのはく離は観測されず高度の接着性を保持し
ていることがゎかっ九。
従来例
実施例１と同様な方法で精製した４４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル１０． Ｏｆと無水ピロメリット酸１０
．９）とを蒸留精製したＮ−メチル−２−ピロリドン１
１８．４）中で反応させ、樹脂分濃度１４．７重量％、
粘度１３５ポアズのポリアミド酸溶液を得た。
ェニルエーテル１０． Ｏｆと無水ピロメリット酸１０
．９）とを蒸留精製したＮ−メチル−２−ピロリドン１
１８．４）中で反応させ、樹脂分濃度１４．７重量％、
粘度１３５ポアズのポリアミド酸溶液を得た。
次にその表面にエチルアセトアセテートアルミニウムジ
イソプロピレートの１１［１％トルエン溶液が塗布され
、３５０℃での１時間加熱の操作により約２０ ＯＡの
厚さのカップリング剤層が形成された実施例１と同様の
メモリー素子に前記ポリアミド酸溶液を塗布し、実施例
１と同じ条件で熱処理を行ない、４５μｍの厚みを有す
るポリイミドからなる保護被膜層を形成した。
イソプロピレートの１１［１％トルエン溶液が塗布され
、３５０℃での１時間加熱の操作により約２０ ＯＡの
厚さのカップリング剤層が形成された実施例１と同様の
メモリー素子に前記ポリアミド酸溶液を塗布し、実施例
１と同じ条件で熱処理を行ない、４５μｍの厚みを有す
るポリイミドからなる保護被膜層を形成した。
この後実ｍ例１と同様な方法で封止し、半導体装置ノソ
フトエラー率を測定したところ、２５゜フィツトであっ
た。このときのカップリング剤層のウラン含量は０．３
ｐｐｂであ凱ポリイミド膜のそれは０．０２ ｐｐｂ
以下でめった。
フトエラー率を測定したところ、２５゜フィツトであっ
た。このときのカップリング剤層のウラン含量は０．３
ｐｐｂであ凱ポリイミド膜のそれは０．０２ ｐｐｂ
以下でめった。
実験例１
比較例１において、カップリング剤層を形成せずに同様
な方法で、ポリイミド膜を形成した。これを１２０℃、
２２気圧の水蒸気中に１時間放置し、セロテープはく離
試験を行なったところ、ポリイミド膜は素子からはく離
してしまっ九。
な方法で、ポリイミド膜を形成した。これを１２０℃、
２２気圧の水蒸気中に１時間放置し、セロテープはく離
試験を行なったところ、ポリイミド膜は素子からはく離
してしまっ九。
実験例２
実施例１で用いたポリアミド酸溶液の合成と同じ配合で
、未精製材料を用いて反応させ、樹脂分濃度１４．７重
量俤、粘度１５ポアズのポリアミド酸溶液を得た。
、未精製材料を用いて反応させ、樹脂分濃度１４．７重
量俤、粘度１５ポアズのポリアミド酸溶液を得た。
次にこのポリアミド酸溶液を実施例１と同じメモリー素
子に塗布し、１００℃で１時間、２００℃で１時間熱処
理したのち、もう一度量布して同条件で熱処理し、これ
を更にもう一度繰り返した後３５０℃で熱処理して３５
μｍの膜厚のポリイミド−シリコーン共重合体からなる
被膜層を形成した。
子に塗布し、１００℃で１時間、２００℃で１時間熱処
理したのち、もう一度量布して同条件で熱処理し、これ
を更にもう一度繰り返した後３５０℃で熱処理して３５
μｍの膜厚のポリイミド−シリコーン共重合体からなる
被膜層を形成した。
この後、実施例１と同じ封止を行ない、ソフトエラー率
を測定したところ９００フイツトであった。このときの
ポリイミド−シリコーン共重合体中のウラン含量は０．
２ｐＩ）ｂ、）リウム含量はα１ｐｐｂであった。
を測定したところ９００フイツトであった。このときの
ポリイミド−シリコーン共重合体中のウラン含量は０．
２ｐＩ）ｂ、）リウム含量はα１ｐｐｂであった。
またセラミックパッケージで封正し九だけの半導体装置
のソフトエラー率は６．５ Ｘ １０’フイツトであっ
た。
のソフトエラー率は６．５ Ｘ １０’フイツトであっ
た。
実施例２
実施例１と同様な方法で精製した４４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル９．８）、１．３−ビス（アミノグロビ
ル）−テトラメチルジシロキサン０．２５？２無水ピロ
メリット酸１０．９ｐをｆｆ１ｌＩＮ−メチル−２−ピ
ロリドン１１９？中で反応させ、樹脂分１４．５重量係
、粘度１５ｏポアズのポリアミド酸溶液を得た（式（１
１で表わされる反覆単位は２モル優１式（２）で表わさ
れる反覆単位は９８モル％）。
ェニルエーテル９．８）、１．３−ビス（アミノグロビ
ル）−テトラメチルジシロキサン０．２５？２無水ピロ
メリット酸１０．９ｐをｆｆ１ｌＩＮ−メチル−２−ピ
ロリドン１１９？中で反応させ、樹脂分１４．５重量係
、粘度１５ｏポアズのポリアミド酸溶液を得た（式（１
１で表わされる反覆単位は２モル優１式（２）で表わさ
れる反覆単位は９８モル％）。
このポリアミド酸溶液を実施例１で用いたと同様のメモ
リー素子に塗布、硬化し、５Ｑ／ｊｍのポリイミド−シ
リコーン共重合体被膜を形成した。これを低融点ガラス
を融着材とするセラミックパッケージを用い約４５０℃
で封止した。
リー素子に塗布、硬化し、５Ｑ／ｊｍのポリイミド−シ
リコーン共重合体被膜を形成した。これを低融点ガラス
を融着材とするセラミックパッケージを用い約４５０℃
で封止した。
この半導体装置のソフトエラー率は２５フイツトであっ
た。なお、上記共重合体のウラン含量は０．０２ ｐｐ
ｂ以下、 ト１７ ウＡ含量ｕ ０．０５ ｐｐｂＲ下
であった。
た。なお、上記共重合体のウラン含量は０．０２ ｐｐ
ｂ以下、 ト１７ ウＡ含量ｕ ０．０５ ｐｐｂＲ下
であった。
実施例３
実施例１と同様な方法で、精製し九４４′−ジアミノジ
フェニルエーテル５．Ｏｆ、 １．３−ヒｘ （７ミノ
プロビル）−テトラメチルジシロキサン０．６？、無水
ピロメリット酸１０．９）をＮ−メチル−２−ピロリド
ン６６？中で反応させ、樹脂分２０．２重量％、粘度６
０ポアズのポリアミド酸溶液を得た。
フェニルエーテル５．Ｏｆ、 １．３−ヒｘ （７ミノ
プロビル）−テトラメチルジシロキサン０．６？、無水
ピロメリット酸１０．９）をＮ−メチル−２−ピロリド
ン６６？中で反応させ、樹脂分２０．２重量％、粘度６
０ポアズのポリアミド酸溶液を得た。
これを集積度ＩＫビットのバイポーラ型メモリー素子に
塗布し、１００℃で２時間、２００℃で１時間熱処理し
た後、再度塗布し、１００℃で２時間、２００℃で１時
間、３５０℃で１時間熱処理し、３５μｍの膜厚のポリ
イミド−シリコーン共重合体の被膜を有するメモリー素
子を得た。
塗布し、１００℃で２時間、２００℃で１時間熱処理し
た後、再度塗布し、１００℃で２時間、２００℃で１時
間、３５０℃で１時間熱処理し、３５μｍの膜厚のポリ
イミド−シリコーン共重合体の被膜を有するメモリー素
子を得た。
このメモリー素子をフェノール硬化型エポキシ系成型材
料で封止し、ソフトエラー率を測定したところ３０フイ
ツトであった。
料で封止し、ソフトエラー率を測定したところ３０フイ
ツトであった。
本発明になる半導体装置の保繰被膜材料用組成物は、カ
ップリング剤を併用せず罠製造でき、これによって得ら
れる保護被膜は封止層から放射されるα線をしやへいし
、半導体メモリー素子の誤動作を防止する上で大きな効
果をもち、素子の信頼性を大幅に向上させるものである
。
ップリング剤を併用せず罠製造でき、これによって得ら
れる保護被膜は封止層から放射されるα線をしやへいし
、半導体メモリー素子の誤動作を防止する上で大きな効
果をもち、素子の信頼性を大幅に向上させるものである
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ジアミノシロキサン、ケイ素を含まない有機ジア
ミンおよび有機四塩基酸二無水物を反応させて得られ、
０．１乃至２０モル嗟の式（１）で表わされる反覆単位
と８０乃至９９．９モルチの式（２）で表わされる反覆
単位からなるポリアミド酸を含有し半導体メモリー素子
、それを封止する無機物質を含む封止層および前記メモ
リー素子と封止層の間に配置された保護被膜材料の層を
主なる構成要素とする半導体装置の保護被膜材料用組成
物。 但し、上式において几は２価の炭化水素基。 Ｒ′は１価の炭化水素基、πは４ｍｉの有機基。 π′はケイ素を含まない有機ジアミンの残基である２価
の有機基であり、これらは同一でも相異してもよ＜＋”
は１以上の整数である。 ２ 溶媒又は単量体化合物を精製してウラン及びトリウ
ムの総含量をｏ、ｚｐｐｂ以下とした特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置の保護被膜材料用組成物。 ＆ 半導体メモリー素子がＩＫビット以上の集積度を有
するバイポーラ減半導体素子である特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の半導体装置の保護被膜材料用組成物
。 本 半導体メモリー素子が１６にビット以上の集積度を
有するＭＩ８ｍ半導体素子である特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の半導体装置の保護被膜材料用組成物。 ＆ 封止層が熱硬化性樹脂である特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の半導体装置の保護被膜材料用組成物。 ＆ 封止層がセラミックである特許請求の範囲第１項又
は第２項記載の半導体装置の保護被膜材料用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3565082A JPS58152018A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 半導体装置の保護被膜材料用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3565082A JPS58152018A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 半導体装置の保護被膜材料用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58152018A true JPS58152018A (ja) | 1983-09-09 |
Family
ID=12447745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3565082A Pending JPS58152018A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 半導体装置の保護被膜材料用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58152018A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60166325A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐熱性樹脂の製造方法 |
| JPS6164730A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐熱性樹脂の製造方法 |
| JPS61118424A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-06-05 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | 可溶性シリコ−ン−イミドコポリマ− |
| JPS61118425A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-06-05 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | ジグライム可溶性シロキサン−イミド共重合体の製造方法 |
| JPS62230826A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Nippon Steel Chem Co Ltd | シリコン変性ポリイミドの製造法 |
| JPS63205322A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリアミドイミドシリコン重合体の製造法 |
| US4871833A (en) * | 1986-05-03 | 1989-10-03 | Hoechst Aktiengesellschaft | Polyamic acids, polyimides prepared from these and process for producing high-temperature resistant layers |
| JPH03168214A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52109873A (en) * | 1976-01-26 | 1977-09-14 | Gen Electric | Copolymerization liquid for cover and covering semiconductor element |
| JPS5555555A (en) * | 1978-09-18 | 1980-04-23 | Gen Electric | Semiconductor coating polymer |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP3565082A patent/JPS58152018A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52109873A (en) * | 1976-01-26 | 1977-09-14 | Gen Electric | Copolymerization liquid for cover and covering semiconductor element |
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