JPS58157A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58157A JPS58157A JP56098557A JP9855781A JPS58157A JP S58157 A JPS58157 A JP S58157A JP 56098557 A JP56098557 A JP 56098557A JP 9855781 A JP9855781 A JP 9855781A JP S58157 A JPS58157 A JP S58157A
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- JP
- Japan
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- fuse
- wiring
- molybdenum
- semiconductor device
- cutting
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明舎工、半導体装置＊に＊＊雰囲気まπは空気中に
露出しπ４：ｖプデンまｋはタングステンの如き金属の
ヒユーズ配線に選択的に電＃ｌを流して加熱し、当該配
線ｖＩＩ化、昇華さ破てブーグラミンダを行うプログラ
ム・可能な読出し専用記憶装置（関する。
露出しπ４：ｖプデンまｋはタングステンの如き金属の
ヒユーズ配線に選択的に電＃ｌを流して加熱し、当該配
線ｖＩＩ化、昇華さ破てブーグラミンダを行うプログラ
ム・可能な読出し専用記憶装置（関する。
従来技術において、Ｍｏｌ記憶装置の冗長ピットメ４り
選定等にも応用されてい魯ブーグラム可能な貌出し専用
記憶装置（ＰｚＯ菖 ）のプーダラ１ンダは、 多結晶
シリコン（ボ菅シψフン）ヒユーズ配線が多用され℃い
も、ところが、ボψシ曽コ／ヒエーズは＠漸の遥穏でａ
杭が着しく減少す４ｇめに、切断に必賛とさｆＬ番電力
が大にならざるを得ない、しか４．どり１１皮の電流を
＃ｌ（ばよいかが確定的でなく、再狐性が墨く、ま＝ま
わりの部分が不要に、１１１熱ｓｆＬ番、また。ボ曹シ
ψフン１ニーズのかかる切断はそれのＩＩＩＩＫよって
なさｔＬるので、切断のときポシシψ１ン材料がまｂ
４） Ｋ飛散して他の部品に付着し、銀線の原因になる
ばかりでな（着しく信頼性を損う。
選定等にも応用されてい魯ブーグラム可能な貌出し専用
記憶装置（ＰｚＯ菖 ）のプーダラ１ンダは、 多結晶
シリコン（ボ菅シψフン）ヒユーズ配線が多用され℃い
も、ところが、ボψシ曽コ／ヒエーズは＠漸の遥穏でａ
杭が着しく減少す４ｇめに、切断に必賛とさｆＬ番電力
が大にならざるを得ない、しか４．どり１１皮の電流を
＃ｌ（ばよいかが確定的でなく、再狐性が墨く、ま＝ま
わりの部分が不要に、１１１熱ｓｆＬ番、また。ボ曹シ
ψフン１ニーズのかかる切断はそれのＩＩＩＩＫよって
なさｔＬるので、切断のときポシシψ１ン材料がまｂ
４） Ｋ飛散して他の部品に付着し、銀線の原因になる
ばかりでな（着しく信頼性を損う。
本脅明の目的は従来技Ｉｌにおいて経験さｔＬる前記の
欠点を解決するにあ雫、かか４目的を達成するについて
は、従来技術のｊＪＩＬ−ズ方式におけるポリシリクン
に代えて４１プデンｔπはタングステンの如き金属材料
のヒユーズ配線を用意し、このヒユーズ配線をＩｌ素１
１Ａ−気または空気中にさらし、ヒユーズ配線に選択＃
に電＃ｌを流して加熱し。
欠点を解決するにあ雫、かか４目的を達成するについて
は、従来技術のｊＪＩＬ−ズ方式におけるポリシリクン
に代えて４１プデンｔπはタングステンの如き金属材料
のヒユーズ配線を用意し、このヒユーズ配線をＩｌ素１
１Ａ−気または空気中にさらし、ヒユーズ配線に選択＃
に電＃ｌを流して加熱し。
そｔｔｔ−昇華ｓ−することによりプーダラミングｔな
すＰ鼠ＯＭＷｔＩｌな提供する。
すＰ鼠ＯＭＷｔＩｌな提供する。
以下、本発明の半導体装置の実施例を添付図画を参照し
て説明する。
て説明する。
本願の発明者は、従来リボサシリコンヒューズを用−・
心ＦＲＯＭ リプ−グラ１ンダにおいて、ボリシψゴン
ーノ溶ｊｌｌｋＫ大なる電力ｖＪｌ！する点を解決すべ
く実験を重ね１次の事実を確認した。すなわち、モリブ
デンは ｅ嵩雰囲気中または空気中でそれ（電＃ｌを流
すと発熱し、酸素と反応して麗・偽またはＭ・０．り如
き酸化物に変化して急激に昇華する。
心ＦＲＯＭ リプ−グラ１ンダにおいて、ボリシψゴン
ーノ溶ｊｌｌｋＫ大なる電力ｖＪｌ！する点を解決すべ
く実験を重ね１次の事実を確認した。すなわち、モリブ
デンは ｅ嵩雰囲気中または空気中でそれ（電＃ｌを流
すと発熱し、酸素と反応して麗・偽またはＭ・０．り如
き酸化物に変化して急激に昇華する。
ところで、モリブデン＃ｌ）昇華に必要な電力舎１１セ
□プデンの膜厚が５００λ、巾が２．５μ−の場合。
□プデンの膜厚が５００λ、巾が２．５μ−の場合。
５０１１Ｗ （ＩＯＶ、 ５ ｍＡ ） ＊ １＠ ｓ
ｔｌ のパルス電流で足りることが確ｇされｇ、この
電力はポリシリコンヒユーズの場合に要求される電力の
約半分である。
ｔｌ のパルス電流で足りることが確ｇされｇ、この
電力はポリシリコンヒユーズの場合に要求される電力の
約半分である。
他方、モリブデンの抵抗は、それｔ−３００℃の基板上
（Ｓ着しに直稜にお−・℃は約ｌＸｌ０ ０口である０
通常のモリブデンの使用（例えば配線）の場合には、熱
処履して抵抗ｖＩ Ｘ １０ ’ ΩｃｌｌｌＩ度にす
るのであるが１本発明においては、モリブデンの蒸着真
後にお−・ては抵抗が前述の如く大であるのでそれｖ８
用して４菅ゾデンを昇華させるのである。
（Ｓ着しに直稜にお−・℃は約ｌＸｌ０ ０口である０
通常のモリブデンの使用（例えば配線）の場合には、熱
処履して抵抗ｖＩ Ｘ １０ ’ ΩｃｌｌｌＩ度にす
るのであるが１本発明においては、モリブデンの蒸着真
後にお−・ては抵抗が前述の如く大であるのでそれｖ８
用して４菅ゾデンを昇華させるのである。
添付したｌＩ［は本発明にかかるＰ凰０蓋構威１） −
例が平面図で示され、同＠Ｉにおいて、ｌは選択トラン
ジスタ、２．ｒ、１．２＃はアルミニウム配線で、２１
はは接地線である。ビット纏ま′ｒ：はワード線で
あるアル１ニウ＾配曽ｔとｆとは斜線な付したモリブデ
ンにニーズ配線３で接続されている。
例が平面図で示され、同＠Ｉにおいて、ｌは選択トラン
ジスタ、２．ｒ、１．２＃はアルミニウム配線で、２１
はは接地線である。ビット纏ま′ｒ：はワード線で
あるアル１ニウ＾配曽ｔとｆとは斜線な付したモリブデ
ンにニーズ配線３で接続されている。
モリブデンとニーズ配線３は、スパッタＷ７ダまたは化
学気相成長（ＣＹＤ ）法で形成しうるが１本実施例の
場合は前述しに如く蒸着によって形成した 。
学気相成長（ＣＹＤ ）法で形成しうるが１本実施例の
場合は前述しに如く蒸着によって形成した 。
モリブデンヒユーズ配線は３ｏｏ〜ｓｏｏ ｈの膜厚に
、まに図示の巾Ｗは２１＃鋤、兼さＬは１０７１鵬に。
、まに図示の巾Ｗは２１＃鋤、兼さＬは１０７１鵬に。
−・いかえると、抵抗をもた（ゐためＫｍ＜、薄くかつ
長く形成ＬＫＩＩ ここで、モψプデンヒ具−ズ配！１３に前記した５０
ｍＷ ｇ） 、＜ルス電＊Ｉ １・ｓｉｔで選択的に流
したところ、モリブデンが加熱されると熱抵抗が増加し
、また昇華が始まるとその膜厚が薄くなり、抵抗が増大
し、それの切断が加速的に早められることが観察され友
、その結果、ポリシリフンヒユーズの場合に比べ約１／
２の電力で足りるのである。
長く形成ＬＫＩＩ ここで、モψプデンヒ具−ズ配！１３に前記した５０
ｍＷ ｇ） 、＜ルス電＊Ｉ １・ｓｉｔで選択的に流
したところ、モリブデンが加熱されると熱抵抗が増加し
、また昇華が始まるとその膜厚が薄くなり、抵抗が増大
し、それの切断が加速的に早められることが観察され友
、その結果、ポリシリフンヒユーズの場合に比べ約１／
２の電力で足りるのである。
モリブデンヒユーズ配線３が昇華することによってアル
ミニウム配線τと１とり間の接続が切断されて図示のＦ
ＲＯＭ のプルグラミングがなされる。
ミニウム配線τと１とり間の接続が切断されて図示のＦ
ＲＯＭ のプルグラミングがなされる。
モリブデンは完全に昇華するから、切断されたところと
そのまわりは艙と同じくきれいに保にれ。
そのまわりは艙と同じくきれいに保にれ。
ポリシリコンヒユーズの溶融切断のときに見られる切断
材料の飛散による短絡の危険と信頼性の低下の如き問題
は発生することがない。
材料の飛散による短絡の危険と信頼性の低下の如き問題
は発生することがない。
図示の実施例の場合には、プルグラミングが上述の如く
終了しに後に電気特性などを点検し、しかる後（保護膜
を被着する。既に保護膜が被着されて−・たときには、
切断場所すなわち昇華せしめられるべきそリプデフヒユ
ーズ配線が存在するところを空気にさらすために保ｍＭ
の窓開きをなし。
終了しに後に電気特性などを点検し、しかる後（保護膜
を被着する。既に保護膜が被着されて−・たときには、
切断場所すなわち昇華せしめられるべきそリプデフヒユ
ーズ配線が存在するところを空気にさらすために保ｍＭ
の窓開きをなし。
前記した操作を終えた後に１例えば保護膜を溶融して１
１１＆ふさぐ。
１１＆ふさぐ。
かくして１本発明の半導体装置においては、モリブデン
のＬユーズ配線に選択的に電ａを流し。
のＬユーズ配線に選択的に電ａを流し。
モリブデンの自己発熱による酸化と昇華によってモリブ
デンヒユーズ配線を切断することによりＰＩＯＭ ｙ）
プルグラミングをなすのであり、従来りポリシリコンヒ
ユーズ方式に比べ、消費電力は約半分に節減されること
から周辺回路素子の電流容量等に対する要求が緩和され
て畳込み不ｊＬも減少し、更には、モリブデンは昇華し
て消滅するから。
デンヒユーズ配線を切断することによりＰＩＯＭ ｙ）
プルグラミングをなすのであり、従来りポリシリコンヒ
ユーズ方式に比べ、消費電力は約半分に節減されること
から周辺回路素子の電流容量等に対する要求が緩和され
て畳込み不ｊＬも減少し、更には、モリブデンは昇華し
て消滅するから。
モリブデンしニーズ配膳の切断場所とそのまわりにモリ
ブデン材料が飛散って、 ＊ｔａを低下し短絡の危険を
招来するというようなことがな（・、かくして、本発明
にかかる半導体装置においては、そ−〕信頼性が高めら
ｔＬるだけでなく、それの製造における歩ｉｆ ＩＪが
改善さｔＬ番４１Ｆ）である。
ブデン材料が飛散って、 ＊ｔａを低下し短絡の危険を
招来するというようなことがな（・、かくして、本発明
にかかる半導体装置においては、そ−〕信頼性が高めら
ｔＬるだけでなく、それの製造における歩ｉｆ ＩＪが
改善さｔＬ番４１Ｆ）である。
なお、以上の本Ｊ［の説明（おいてはモリブデンを例に
とりｇが１本発明の適用範囲は本漬の初めの部分に述べ
た如くその場合に限定される−のでなく、タングステン
の如きその他の金属材料な用（・る場合（−適用あるも
のである。
とりｇが１本発明の適用範囲は本漬の初めの部分に述べ
た如くその場合に限定される−のでなく、タングステン
の如きその他の金属材料な用（・る場合（−適用あるも
のである。
添付１） ｗＪｉｉｉは本発明の一夷１例の平面図であ
る。 ｌ・−・選択トランジスタ、 ２ 、 ｒ 、 ｒ 、 ｒ＝−フルｚ ！？Ａｆｆｉ
Ｍ。 ３・・・モリブデンヒユーズ配線 特許出原人 富士通株式金社 代理人弁理士 雛岡宏四部
る。 ｌ・−・選択トランジスタ、 ２ 、 ｒ 、 ｒ 、 ｒ＝−フルｚ ！？Ａｆｆｉ
Ｍ。 ３・・・モリブデンヒユーズ配線 特許出原人 富士通株式金社 代理人弁理士 雛岡宏四部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ビン）−まｋはワード纏である配−関のヒユーズ配線の
切断によりプログラム可能な記憶装置にお（・て、該ヒ
ユーズ配線はセリプデンま＝はタングステンの如き金属
材料で形威し、鋏配線を酸素雰囲気または空気にさもし
、該配線に選択的に電ｆＩＬを流し腋配Ｉｓ＆自己発熱
で加電し、酸化し昇華させ【切断しプーダラ１ングをな
しｇことを特徴とする半導体装置争
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098557A JPS58157A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098557A JPS58157A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157A true JPS58157A (ja) | 1983-01-05 |
| JPH0328069B2 JPH0328069B2 (ja) | 1991-04-17 |
Family
ID=14222986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56098557A Granted JPS58157A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58157A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160268A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-07-04 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 金属ヒューズリンクを用いた書込み可能なｍｏｓメモリ及びその製造方法 |
| US4826785A (en) * | 1987-01-27 | 1989-05-02 | Inmos Corporation | Metallic fuse with optically absorptive layer |
| US4875971A (en) * | 1987-04-05 | 1989-10-24 | Elron Electronic Industries, Ltd. | Fabrication of customized integrated circuits |
| US4924287A (en) * | 1985-01-20 | 1990-05-08 | Avner Pdahtzur | Personalizable CMOS gate array device and technique |
| JP2012178587A (ja) * | 2005-08-31 | 2012-09-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ランダム・アクセス電気的プログラム可能なｅヒューズｒｏｍ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139958A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Fuse type non-volatile memory |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56098557A patent/JPS58157A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139958A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Fuse type non-volatile memory |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4924287A (en) * | 1985-01-20 | 1990-05-08 | Avner Pdahtzur | Personalizable CMOS gate array device and technique |
| JPS63160268A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-07-04 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 金属ヒューズリンクを用いた書込み可能なｍｏｓメモリ及びその製造方法 |
| US4826785A (en) * | 1987-01-27 | 1989-05-02 | Inmos Corporation | Metallic fuse with optically absorptive layer |
| US4875971A (en) * | 1987-04-05 | 1989-10-24 | Elron Electronic Industries, Ltd. | Fabrication of customized integrated circuits |
| JP2012178587A (ja) * | 2005-08-31 | 2012-09-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ランダム・アクセス電気的プログラム可能なｅヒューズｒｏｍ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0328069B2 (ja) | 1991-04-17 |
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