JPS58190812A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPS58190812A JPS58190812A JP7010982A JP7010982A JPS58190812A JP S58190812 A JPS58190812 A JP S58190812A JP 7010982 A JP7010982 A JP 7010982A JP 7010982 A JP7010982 A JP 7010982A JP S58190812 A JPS58190812 A JP S58190812A
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- JP
- Japan
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- drum
- gas
- silane
- photosensitive layer
- glow discharge
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- Pending
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
大発明は、均一々感光層膜厚を有する電子写真感光体の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
アモルファスシリコン等を感光１−とした電子写真感光
体が広く利用されているが、従来この褌の感光体を製造
した際には感光５層の膜厚の均一性が十分ではなく、又
、感光層の表面に凹凸の発生が認められ、これらは重子
写真法でコピー画像を得ようとした場合、諸々の問題点
を引起しコピー品質を損ねる原因となっていた。例えば
、潜像重荷の帯電ムラを発生させたり或いは現ｒ蒙時の
トナーの付着ムラなどを起し、その結果、斑へのあるコ
ピー画像の形成を招いた。
体が広く利用されているが、従来この褌の感光体を製造
した際には感光５層の膜厚の均一性が十分ではなく、又
、感光層の表面に凹凸の発生が認められ、これらは重子
写真法でコピー画像を得ようとした場合、諸々の問題点
を引起しコピー品質を損ねる原因となっていた。例えば
、潜像重荷の帯電ムラを発生させたり或いは現ｒ蒙時の
トナーの付着ムラなどを起し、その結果、斑へのあるコ
ピー画像の形成を招いた。
特開昭５６−４１５１号叫に開示されている電子写真感
光体製造装置によれば、シラン含有ガスはドラム状基体
を内装した反応管内部をトから下へ、つ１１′ｌドラム
表面に沿って流れグロー散布、により分解されてドラム
状基体上に堆積］〜、感光１−が形成される。
光体製造装置によれば、シラン含有ガスはドラム状基体
を内装した反応管内部をトから下へ、つ１１′ｌドラム
表面に沿って流れグロー散布、により分解されてドラム
状基体上に堆積］〜、感光１−が形成される。
しかし々から、このようにガス流方向とドラム表面が平
行に位置していると、ガス流方向に膜厚の分布を生じ、
感光１４表面に凹凸が生じやすく、堆積の効率も十分で
はない。
行に位置していると、ガス流方向に膜厚の分布を生じ、
感光１４表面に凹凸が生じやすく、堆積の効率も十分で
はない。
又、感光層表面の平滑化をはかるためには感光Ｉ−表面
研磨や研削等の面倒な処理を施さ力ければならないばか
りか、かえって感光１ｍ表面をキズつける結果となった
。
研磨や研削等の面倒な処理を施さ力ければならないばか
りか、かえって感光１ｍ表面をキズつける結果となった
。
本発明は以上述べたような問題点に鑑み、感光１−の膜
厚の均一性が高く、表面凹凸がほとんど々く、そして研
磨や研削等の処理を必要としない電子写真感光体の製造
方法を提供することを目的とし、本発明者らはガスの流
れ方向に着目して鋭意検討を重ねた結果、シラン含有ガ
スにダロー放電を施してドラム状導電性基体表面上妊感
光ｌ１ｉｌを形成する電子写真感光体の製造方法におい
て、前記ガスが骸基体表面上に対して垂直的な流れを有
することによって前記目的が達成され本発明を完成した
、 次に、本発明の方法を図によって詳細に説明を行う。
厚の均一性が高く、表面凹凸がほとんど々く、そして研
磨や研削等の処理を必要としない電子写真感光体の製造
方法を提供することを目的とし、本発明者らはガスの流
れ方向に着目して鋭意検討を重ねた結果、シラン含有ガ
スにダロー放電を施してドラム状導電性基体表面上妊感
光ｌ１ｉｌを形成する電子写真感光体の製造方法におい
て、前記ガスが骸基体表面上に対して垂直的な流れを有
することによって前記目的が達成され本発明を完成した
、 次に、本発明の方法を図によって詳細に説明を行う。
第１図は、本発明の方法の実施に際して使用される装置
の概略断ｎ図であわ、製造方法の概要を示すと、反応ガ
スはゼンペＩ〜３から減圧器４〜６により減圧されて供
給され質量流量調節器１０〜１２により流量を調節され
、導入管１４をとおって反応部１５内のパイレックス製
ガス供給管１６に入る。ガス供給管は円筒形状で内側面
に多数の穴がありここからガスが流出するようにしであ
る。この円筒の内側に支持体となるアルミニウムドラム
１７が設置されドラムは支持台１８により軸を中心とし
て１０ ｒｐｍ程度で回転できる。ドラム内面にはヒー
ターが設置されドラム表面温度が調節される。反応部内
で流出ガスは高周波コイル２１によってエネルギーを供
給され分解して活性な状態に々リドラム上に堆積する。
の概略断ｎ図であわ、製造方法の概要を示すと、反応ガ
スはゼンペＩ〜３から減圧器４〜６により減圧されて供
給され質量流量調節器１０〜１２により流量を調節され
、導入管１４をとおって反応部１５内のパイレックス製
ガス供給管１６に入る。ガス供給管は円筒形状で内側面
に多数の穴がありここからガスが流出するようにしであ
る。この円筒の内側に支持体となるアルミニウムドラム
１７が設置されドラムは支持台１８により軸を中心とし
て１０ ｒｐｍ程度で回転できる。ドラム内面にはヒー
ターが設置されドラム表面温度が調節される。反応部内
で流出ガスは高周波コイル２１によってエネルギーを供
給され分解して活性な状態に々リドラム上に堆積する。
未反応のガスは排気１１９゜２０をとおり排気される。
なお、図中、７．８．９は・セルノ、１３は止め弁であ
る。
る。
以上の弱明よシ明らかなように反応ガスの流れ方向がド
ラム表面上に対し７て垂直的であるため、膜厚の均一性
が高く表面凹凸のほとんどない感光１−が得られ、又、
堆積効率も良い。
ラム表面上に対し７て垂直的であるため、膜厚の均一性
が高く表面凹凸のほとんどない感光１−が得られ、又、
堆積効率も良い。
以下、実施例によシ本発明の効果を明らかにする。
実施例
第１図に示したような電子写真感光体製造装置ヲ用いて
、次の作製条件によりアモルファスシリコンの感光層を
ドラム状支持体上に形成した。
、次の作製条件によりアモルファスシリコンの感光層を
ドラム状支持体上に形成した。
作製条件
高周波電力５００Ｗ １３．５６Ｍ）（。
ガ ス シランガス（アルゴンベース１０％
１ガス圧力０．５ ’ｒｏｒｒ ガス流量３００ｓｅｃｍ ドラム表面温度 ２５０℃ 放電時間５時間 この条件で作製した感光層膜の膜厚分布を第２図に示す
。横軸はドラムの軸方向の位置（ドラム上端部基準）を
示す７．膜厚の分布は小さく±１μ常程度（約±５％）
の範囲におさまった。
１ガス圧力０．５ ’ｒｏｒｒ ガス流量３００ｓｅｃｍ ドラム表面温度 ２５０℃ 放電時間５時間 この条件で作製した感光層膜の膜厚分布を第２図に示す
。横軸はドラムの軸方向の位置（ドラム上端部基準）を
示す７．膜厚の分布は小さく±１μ常程度（約±５％）
の範囲におさまった。
第１図は、本発明の方法の実施に際して使用される装置
の概略断面図であシ、＃！２図は実施例の結果を示すグ
ラフである。 １〜３・・・Ｉンペ １４・・・導入管１５・・
・反応部 １６・・・ガス供給管１７・・・ド
ラム １８・・・支持台２１・・・高周波コイ
ル ＝ ５−
の概略断面図であシ、＃！２図は実施例の結果を示すグ
ラフである。 １〜３・・・Ｉンペ １４・・・導入管１５・・
・反応部 １６・・・ガス供給管１７・・・ド
ラム １８・・・支持台２１・・・高周波コイ
ル ＝ ５−
Claims (1)
- １、 シラン含有ガスにダロー放電を施してトラム状導
電性基体表面」二に感光層を形成する電子写真感光体の
製造方法において、前記ガスが該基体表面上に対１〜て
垂直的な流れを有することを特徴とする電子写真感光体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010982A JPS58190812A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010982A JPS58190812A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190812A true JPS58190812A (ja) | 1983-11-07 |
Family
ID=13422040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7010982A Pending JPS58190812A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58190812A (ja) |
-
1982
- 1982-04-26 JP JP7010982A patent/JPS58190812A/ja active Pending
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