JPS58197637A - 撮像管タ−ゲツト電極 - Google Patents
撮像管タ−ゲツト電極Info
- Publication number
- JPS58197637A JPS58197637A JP7824582A JP7824582A JPS58197637A JP S58197637 A JPS58197637 A JP S58197637A JP 7824582 A JP7824582 A JP 7824582A JP 7824582 A JP7824582 A JP 7824582A JP S58197637 A JPS58197637 A JP S58197637A
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- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- film
- image pickup
- photoconductive
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/233—Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セレンを生体とする非晶質光電導層等からな
る光導電膜を有する光電変換装置とくに、光導電型撮像
管ターゲット用の透明導電膜に関するものである。
る光導電膜を有する光電変換装置とくに、光導電型撮像
管ターゲット用の透明導電膜に関するものである。
第１図ならびに第２図に光導電型撮像管ならびに光導電
型撮像管ターゲットの構造をしている。
型撮像管ターゲットの構造をしている。
図において、１は透光性ガラス基板、２は透明導電膜（
信号電極の役目をする）、３は光導電体層、６は色分解
フィルタ、７は透光性ガラス薄板、４は走査電子ビーム
、５はカソードである。第２図（ａ）は通常の撮像管タ
ーゲット、Φ）は単管撮像管ターゲットである。このよ
うな撮像管は、動作時、透明導電膜２がカソード５に対
して正にバイアスはれており、光導電体層３には、透明
導電膜２側に正、走査電子ビーム４側に負になるように
電界が印加されている。
信号電極の役目をする）、３は光導電体層、６は色分解
フィルタ、７は透光性ガラス薄板、４は走査電子ビーム
、５はカソードである。第２図（ａ）は通常の撮像管タ
ーゲット、Φ）は単管撮像管ターゲットである。このよ
うな撮像管は、動作時、透明導電膜２がカソード５に対
して正にバイアスはれており、光導電体層３には、透明
導電膜２側に正、走査電子ビーム４側に負になるように
電界が印加されている。
例えば、セレンを主体とする非晶質光導電体をはじめと
して一般に、光導電型撮像管では、光導電ターゲットを
、透明導電膜側から正孔注入、ならびに電子ビーム走査
側からの電子注入を阻止した、いわゆる阻止型構造にす
ると、暗電流が抑制されて高感度で、かつ焼付、残像の
少ない良好な画像が得られることが知られている。通常
、ｐ型の電気伝導を示す光導電体を用いた阻止型撮像管
ターゲット、例えば、透明導電膜とセレンを主体とする
ｐ型光導電体層の間に形成される整流性接触を逆バイア
スにして用いる阻止型撮像管ターゲット（％公告昭５Ｏ
−２７３２６）では、電子ビーム走査側から電子の注入
を抑制するのは比較的容易であるが、信号電極から正孔
の注入を抑制するのは困難で、特に高感度で、信号電極
と光導電体との界面近傍に強い電場がかかるような膜構
造になると容易ではなく、従来から種々の方法が柳案さ
れている。例えば、透明導電膜の表面を研麿する方法（
％願昭４８−２８０２２ ）や信号電極と非晶質光導電
体層との中間に材質の異なる薄層物質を介在せしめる方
法（特願昭５０−１１９６３３ ）等があるが、いずれ
も、暗電流阻止力、歩留り等の点でまた不充分であった
。
して一般に、光導電型撮像管では、光導電ターゲットを
、透明導電膜側から正孔注入、ならびに電子ビーム走査
側からの電子注入を阻止した、いわゆる阻止型構造にす
ると、暗電流が抑制されて高感度で、かつ焼付、残像の
少ない良好な画像が得られることが知られている。通常
、ｐ型の電気伝導を示す光導電体を用いた阻止型撮像管
ターゲット、例えば、透明導電膜とセレンを主体とする
ｐ型光導電体層の間に形成される整流性接触を逆バイア
スにして用いる阻止型撮像管ターゲット（％公告昭５Ｏ
−２７３２６）では、電子ビーム走査側から電子の注入
を抑制するのは比較的容易であるが、信号電極から正孔
の注入を抑制するのは困難で、特に高感度で、信号電極
と光導電体との界面近傍に強い電場がかかるような膜構
造になると容易ではなく、従来から種々の方法が柳案さ
れている。例えば、透明導電膜の表面を研麿する方法（
％願昭４８−２８０２２ ）や信号電極と非晶質光導電
体層との中間に材質の異なる薄層物質を介在せしめる方
法（特願昭５０−１１９６３３ ）等があるが、いずれ
も、暗電流阻止力、歩留り等の点でまた不充分であった
。
本発明の目的は、上記の欠点をなくシ、上記セレンを主
体とする光導電体層との間に逆耐電圧の高い優れた整流
性接合をなし、暗電流、残像、焼付の少ないｍ倫管ター
ゲット用透明導電膜を提供することにある。
体とする光導電体層との間に逆耐電圧の高い優れた整流
性接合をなし、暗電流、残像、焼付の少ないｍ倫管ター
ゲット用透明導電膜を提供することにある。
本発明は上記の目的含運成するために、透明導電膜に従
来のＣＶＤ法で作成し九ｓｎｏ、ネサ膜に変えて、高周
波スパッタリング法で作成したＩｎ、０．−３ｎＯ，膜
（以下ＩＴＯ膜と略す）を用いる。以下図面にそって説
明する。第３図に高周波スパッタ装置の基本的構成図を
示す。図においてｌｔ高周波スパッタ電極、９は基板ホ
ルダー、１０はＩｎ、Ｏ，ｆ：主成分とする酸化物ター
ゲット、１１は基板、１２はシャッタ、１３．１４はタ
ーゲットならびに基板水冷のための治具である。透明導
電膜形成に際しては、あらかじめ槽内金５×１０−＠Ｔ
Ｏｒｒ 以下に排気したのち、圧力が１．０×１０−’
〜５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒになる様ニアルコンカ
スを導入して、スパッタ蒸着する。その際、膜形成速度
はｔｏＯ人／分以下（通常２人／分以上）とし、基板は
水冷して１５０Ｃ（通常常温〜１５０ｃｌ用いる）とす
る。アルゴンガス圧が５Ｘ１０−”’ｌ’ｏｒｒ以上に
なると、膜の抵抗値が大きく々す、また、Ｉ Ｘ １０
” Ｔｏｒｒ以下になると、放電が不安定にかつて、膜
厚、膜抵抗等の再現性か乏しくなる。嘔らに、膜形成速
度を１００人／分以上にすると、酸化物焼結体ターゲッ
トから、微粒子が飛散して、基板上に付着し、粒状の面
欠陥≠１激する。基板温度管上げると、容易に低抵抗の
膜カニ得られやすくなるが、結晶化が進行して、透明導
電膜表面が凸凹になりやすいので、基板温度は１５０Ｃ
以下が望筐しい。さらに、上記透明導電膜形成に際して
、本スノくツタリング前に、あら力為しめシャッタを用
いて、ターゲット表面を少なくとも１５００Å以上予備
スノ（ツタリングして削り取ることが望ましい。以上に
より形成される透明導電膜は、大気中に長時間放置して
も特性変化がほとんどなく安定であった。
来のＣＶＤ法で作成し九ｓｎｏ、ネサ膜に変えて、高周
波スパッタリング法で作成したＩｎ、０．−３ｎＯ，膜
（以下ＩＴＯ膜と略す）を用いる。以下図面にそって説
明する。第３図に高周波スパッタ装置の基本的構成図を
示す。図においてｌｔ高周波スパッタ電極、９は基板ホ
ルダー、１０はＩｎ、Ｏ，ｆ：主成分とする酸化物ター
ゲット、１１は基板、１２はシャッタ、１３．１４はタ
ーゲットならびに基板水冷のための治具である。透明導
電膜形成に際しては、あらかじめ槽内金５×１０−＠Ｔ
Ｏｒｒ 以下に排気したのち、圧力が１．０×１０−’
〜５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒになる様ニアルコンカ
スを導入して、スパッタ蒸着する。その際、膜形成速度
はｔｏＯ人／分以下（通常２人／分以上）とし、基板は
水冷して１５０Ｃ（通常常温〜１５０ｃｌ用いる）とす
る。アルゴンガス圧が５Ｘ１０−”’ｌ’ｏｒｒ以上に
なると、膜の抵抗値が大きく々す、また、Ｉ Ｘ １０
” Ｔｏｒｒ以下になると、放電が不安定にかつて、膜
厚、膜抵抗等の再現性か乏しくなる。嘔らに、膜形成速
度を１００人／分以上にすると、酸化物焼結体ターゲッ
トから、微粒子が飛散して、基板上に付着し、粒状の面
欠陥≠１激する。基板温度管上げると、容易に低抵抗の
膜カニ得られやすくなるが、結晶化が進行して、透明導
電膜表面が凸凹になりやすいので、基板温度は１５０Ｃ
以下が望筐しい。さらに、上記透明導電膜形成に際して
、本スノくツタリング前に、あら力為しめシャッタを用
いて、ターゲット表面を少なくとも１５００Å以上予備
スノ（ツタリングして削り取ることが望ましい。以上に
より形成される透明導電膜は、大気中に長時間放置して
も特性変化がほとんどなく安定であった。
本発明になるＩＴＯＩＩＩは従来の５ｕｏｔ膜に比べて
膜面の凹凸が約１７２０〜１１５０に減少し、極めて平
担であった。
膜面の凹凸が約１７２０〜１１５０に減少し、極めて平
担であった。
Ｅ−２ガラス基板上に、本発明のＩＴＯ膜を形成し、そ
の上に、それぞれ膜厚１μｍのヒ素ｔ１０％含有するセ
レン系非晶質層と、膜厚０．１μｍの金電極薄層を、順
次積層し、ＩＴＯ膜と全薄層を電極ににして、サンドウ
ィッチ型光導電セル特性を調べたところ、良好な光電変
換特性ならびに整流性接合特性を得た。第４図に本発明
によるＩＴＯ膜と従来法による透明導電膜を用いたサン
ドラッチセルにおける整流性接合の逆耐圧特性を示す。
の上に、それぞれ膜厚１μｍのヒ素ｔ１０％含有するセ
レン系非晶質層と、膜厚０．１μｍの金電極薄層を、順
次積層し、ＩＴＯ膜と全薄層を電極ににして、サンドウ
ィッチ型光導電セル特性を調べたところ、良好な光電変
換特性ならびに整流性接合特性を得た。第４図に本発明
によるＩＴＯ膜と従来法による透明導電膜を用いたサン
ドラッチセルにおける整流性接合の逆耐圧特性を示す。
さらにまた、透光性のＥ−２ガラス基板、もしくは有機
色分解フィルタを内蔵した透光性ガラス基板上に本発明
による透明導電膜を形成し、その上にセレンを主体とす
る光導電層、（例えば特公告昭５２−３００９１．％願
昭５０−４５１９８に開示される如き光導電層）を積層
して撮像管を製作したところ、暗電流、残像、焼付の少
ない良好な撮像管特性が得られた。
色分解フィルタを内蔵した透光性ガラス基板上に本発明
による透明導電膜を形成し、その上にセレンを主体とす
る光導電層、（例えば特公告昭５２−３００９１．％願
昭５０−４５１９８に開示される如き光導電層）を積層
して撮像管を製作したところ、暗電流、残像、焼付の少
ない良好な撮像管特性が得られた。
ま九本発明のＩ〒０膜透明導電膜は第５図に示すように
膜厚と透過率特性で膜厚１０００〜１６００人と２３０
０〜２９００人に透過率の第１ピークと第２ピークを示
す。しかし、これはガラス基板と透明導電膜の２層の場
合であって、この上に、セレンを主体とする光導電膜を
もうけてガラス基板、透明導電膜、光導電膜の３層にし
た場合は層間での多重反射を考慮すると分光透過率（光
導電腹内に入射して来る光の量）は反転して逆になる。
膜厚と透過率特性で膜厚１０００〜１６００人と２３０
０〜２９００人に透過率の第１ピークと第２ピークを示
す。しかし、これはガラス基板と透明導電膜の２層の場
合であって、この上に、セレンを主体とする光導電膜を
もうけてガラス基板、透明導電膜、光導電膜の３層にし
た場合は層間での多重反射を考慮すると分光透過率（光
導電腹内に入射して来る光の量）は反転して逆になる。
従って可視光域での光の利用率は第５図の透過率曲卿に
おける谷の領域、すなわち３００〜１０００人ならびに
１６００〜２３００人が最４１高く、透明導電膜の膜は
この範囲が望ましいことになる。本発明による透明導電
膜は上記膜厚の範囲でそれぞれ前者は１００〜２５０Ω
１０．後者は４０〜７０Ω１０であり、撮像管ターゲッ
ト用電極として充分満足した値を有している。
おける谷の領域、すなわち３００〜１０００人ならびに
１６００〜２３００人が最４１高く、透明導電膜の膜は
この範囲が望ましいことになる。本発明による透明導電
膜は上記膜厚の範囲でそれぞれ前者は１００〜２５０Ω
１０．後者は４０〜７０Ω１０であり、撮像管ターゲッ
ト用電極として充分満足した値を有している。
本発明を実施例を用いて以下に説明する。
実施例１
２７３吋Ｅ−２ガラス基板上に本発明ＩＴＯ透明導電膜
２を作成した。透明導電膜の作成条件は第３図に示す通
常の二極の高周波スパッタリング装置を用いた。試料ガ
ラス基板１０を基板ホルダーにセットし、水冷パイプ１
２に水を流しガラス基板を冷却する。装置内の真空度を
５． ＯＸ １０−”ＴＯｒｒ以下とした。ターゲット
１４にＩｎｔｏ、 −３ｎＯｔ（９５：９重量％）系焼
結体を用い、アルゴンガスを導入し、ガス圧１． ＯＸ
１０−” ’ｆｏｒｒ中でスパッター蒸着を行った。
２を作成した。透明導電膜の作成条件は第３図に示す通
常の二極の高周波スパッタリング装置を用いた。試料ガ
ラス基板１０を基板ホルダーにセットし、水冷パイプ１
２に水を流しガラス基板を冷却する。装置内の真空度を
５． ＯＸ １０−”ＴＯｒｒ以下とした。ターゲット
１４にＩｎｔｏ、 −３ｎＯｔ（９５：９重量％）系焼
結体を用い、アルゴンガスを導入し、ガス圧１． ＯＸ
１０−” ’ｆｏｒｒ中でスパッター蒸着を行った。
スノ（ワタリ／グツくワーは１００Ｗａｔｔ（０，５５
Ｗａｔｔ／ｉ ）、電極間隔は５０■とじた。予備スノ
（ツｐｆ６０〜９０分行った後、本スパッタ約３０分で
膜厚６００人の透明導電膜ｔ−得た。その時の基板温度
は４０′Ｃである。得られた透明導電膜の分光透過率は
可視光領域で８５〜９５％で、表面抵抗は１６５Ω１０
（比抵抗１．０Ｘ１０−”Ω・ｃｒｎ）で、経時変化の
ない安定した膜である。次に、作成した透明導電膜２上
にセレンを生体とする光導電膜３を波着形成し友。光導
電膜の膜厚方向の組成分布を第６図に示す。光導電膜は
８ｅ、Ｔｅ、Ａｌ１１８ｅ、、 材料をそれぞれ別々
のポートから同時蒸着することにより得た。最後に走査
電子ビームのランデ７７層として膜厚１０００人のＳ
ｂｅｓ、 ｆ １０− ” ’ｌ’ｏｒｒのアルゴン中
で蒸着積層した。
Ｗａｔｔ／ｉ ）、電極間隔は５０■とじた。予備スノ
（ツｐｆ６０〜９０分行った後、本スパッタ約３０分で
膜厚６００人の透明導電膜ｔ−得た。その時の基板温度
は４０′Ｃである。得られた透明導電膜の分光透過率は
可視光領域で８５〜９５％で、表面抵抗は１６５Ω１０
（比抵抗１．０Ｘ１０−”Ω・ｃｒｎ）で、経時変化の
ない安定した膜である。次に、作成した透明導電膜２上
にセレンを生体とする光導電膜３を波着形成し友。光導
電膜の膜厚方向の組成分布を第６図に示す。光導電膜は
８ｅ、Ｔｅ、Ａｌ１１８ｅ、、 材料をそれぞれ別々
のポートから同時蒸着することにより得た。最後に走査
電子ビームのランデ７７層として膜厚１０００人のＳ
ｂｅｓ、 ｆ １０− ” ’ｌ’ｏｒｒのアルゴン中
で蒸着積層した。
実施例２
第２図の（切に示したように、ガラス基板１上に色分解
カラーフィルタ６を形成し、その上にガラス薄板７を接
着した後、このガラス薄板上に本発明透明導電膜２を作
成した。透明導電膜作成条件は第３図に示す通常の高周
波スパッタリング装置を用いた。上記試料基板を基板ホ
ルダーに取り付ける。ターゲットにＩ”＊Ｏｓ Ｓｎ
Ｑ、（９５：５重量％）の焼結体、大きさ６イ／チφ、
不活性ガスはＡｒ１００％、Ａｒガス圧１． ＯＸ １
０− ” Ｔｏｒｒ。
カラーフィルタ６を形成し、その上にガラス薄板７を接
着した後、このガラス薄板上に本発明透明導電膜２を作
成した。透明導電膜作成条件は第３図に示す通常の高周
波スパッタリング装置を用いた。上記試料基板を基板ホ
ルダーに取り付ける。ターゲットにＩ”＊Ｏｓ Ｓｎ
Ｑ、（９５：５重量％）の焼結体、大きさ６イ／チφ、
不活性ガスはＡｒ１００％、Ａｒガス圧１． ＯＸ １
０− ” Ｔｏｒｒ。
スパッタリングパワー１５０ Ｗａｔｔ （０，８３Ｗ
ａｔ ｔ 。
ａｔ ｔ 。
／ｃｍ” ）、電極間隔５０■、基板ホルダー全水冷
し基板を下面より冷却、スパッタ時間は予備スパッタ３
０〜６０分、本スパッタ２０分で膜厚５００人である。
し基板を下面より冷却、スパッタ時間は予備スパッタ３
０〜６０分、本スパッタ２０分で膜厚５００人である。
その時の基板温度は約７５ｔＺ’である。
得られた透明導電膜の透過率は可視光領域で８５〜９５
％を示す。表面抵抗は約２００Ω１０（比抵抗１．０Ｘ
１０’″ＳΩ・ω）である。抵抗値の経時変化のない安
定した膜である。膜の表面状態（凹凸）は従来のＣＶ
Ｄ Ｓ ｎ Ｏｘ膜に比べて１／２０〜１１５０である
。そのあと透明導電膜２上に実施例２と同じ方法５ｅｔ
−主体とする光導電膜３を波着形成した。
％を示す。表面抵抗は約２００Ω１０（比抵抗１．０Ｘ
１０’″ＳΩ・ω）である。抵抗値の経時変化のない安
定した膜である。膜の表面状態（凹凸）は従来のＣＶ
Ｄ Ｓ ｎ Ｏｘ膜に比べて１／２０〜１１５０である
。そのあと透明導電膜２上に実施例２と同じ方法５ｅｔ
−主体とする光導電膜３を波着形成した。
表１に実施例２による撮像管ターゲットにおける画面欠
陥発生率と１０００時間使用後の暗電流を示す。
陥発生率と１０００時間使用後の暗電流を示す。
表１ｉ！ｊ面欠陥発生率と１００θ時間便用後の暗電流
本発明による透明導電膜をセレンを主体とする撮儂ター
ゲット用電極に用いれば、効果が極めて大きいことがゎ
がる。なお、本発明による透明導電膜とセレンを主体と
する光導電層の間に、従来から知られているｎ−半導体
薄層、たとえばＣｅＱ。
ゲット用電極に用いれば、効果が極めて大きいことがゎ
がる。なお、本発明による透明導電膜とセレンを主体と
する光導電層の間に、従来から知られているｎ−半導体
薄層、たとえばＣｅＱ。
（友とえば特願昭５０−１１９６３３等に開示式れてい
るｎ型半導体薄層）を導入すれば、効果はさらに大とな
る。
るｎ型半導体薄層）を導入すれば、効果はさらに大とな
る。
本発明による透明導電膜は、以上に説明した撮像管ター
ゲット用電極として有用であるのみならず、へ然のこと
ながら液晶表示素子、電子写真、太陽電池等の種々光電
変換素子などにも適用できることは云うまでもない。
ゲット用電極として有用であるのみならず、へ然のこと
ながら液晶表示素子、電子写真、太陽電池等の種々光電
変換素子などにも適用できることは云うまでもない。
第１図は撮像管の概略断面図、第２図は面板構体の断面
図、第３図は不発明に使用したスパッタリンク装置の概
略図、第４図は従来の透明導電膜と本発明の透明導電膜
のＶ−Ｉ％性を比較する図、第５図は不発明透明導電膜
の膜厚と透過率の関係を示す図、第６図は本発明に用い
た光導電膜の膜厚方向組成分布図を示す。 １・・・面板、２・・・透明導電膜、３・・・光導電膜
、６・・・色分解フィルタ、７・・・透光性ガラス薄板
、８・・・高周波スパッタ電極、９・・・基板ホルダー
、１０・・・り′″ｆＪ １ 区 第 ２ 匡
図、第３図は不発明に使用したスパッタリンク装置の概
略図、第４図は従来の透明導電膜と本発明の透明導電膜
のＶ−Ｉ％性を比較する図、第５図は不発明透明導電膜
の膜厚と透過率の関係を示す図、第６図は本発明に用い
た光導電膜の膜厚方向組成分布図を示す。 １・・・面板、２・・・透明導電膜、３・・・光導電膜
、６・・・色分解フィルタ、７・・・透光性ガラス薄板
、８・・・高周波スパッタ電極、９・・・基板ホルダー
、１０・・・り′″ｆＪ １ 区 第 ２ 匡
Claims (1)
- １、透光性ガラス基板と、該ガラス基板上に形成された
透明導電膜と、該透明導電膜上に形成されたセレンを主
体とする非晶質光導電膜とを少くとも有する撮像管ター
ゲットにおいて、上記透明導電膜が、酸化第２錫を５〜
１５％含有する酸化インジウム焼結体ターゲラトラ用い
て、圧力Ｉ Ｘ １０”” 〜５ Ｘ １０−”ｌ”ｏ
ｒｒのアルゴンカス雰囲気中における高周波スパッタリ
ング法で形成されたものであることを特徴とする撮像管
ターゲット電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7824582A JPS58197637A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 撮像管タ−ゲツト電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7824582A JPS58197637A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 撮像管タ−ゲツト電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197637A true JPS58197637A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13656620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7824582A Pending JPS58197637A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 撮像管タ−ゲツト電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197637A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013122987A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP7824582A patent/JPS58197637A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013122987A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
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