JPS582045A - 配線方法 - Google Patents
配線方法Info
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- JPS582045A JPS582045A JP10081181A JP10081181A JPS582045A JP S582045 A JPS582045 A JP S582045A JP 10081181 A JP10081181 A JP 10081181A JP 10081181 A JP10081181 A JP 10081181A JP S582045 A JPS582045 A JP S582045A
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- metal
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
“ 不発明は來積回路の多ノー配線方沃ｖｃ関し、持
にＡｌ との′−気的接触ｔ４る方法に関する。
にＡｌ との′−気的接触ｔ４る方法に関する。
Ａ１は、Ａｕに次ぐ！電導体であり、砿細〃ロエ性もよ
く、責価であるために、半導体や集積回路などの配線金
属として用いられる。Ａｔは菟気中の水分や水を用いた
処理などにより表面に数十ｎｍのアルミナ層が生じ、ア
ルミナは不導体のため、貧４ｔただ接触させただけでは
媛触抵抗が大きく、金属を擦り付けΦなり欠きψトｔな
りしてアルミナ層を破るようにし、ｉいと、嫉触砥に／
Ｌを小さくすることはできない。貞積１ｇｌ路において
は、接触部分が１００μｍ角以上と大きいときは、Ｏｒ
、Ｔｉ、Ｍ。
く、責価であるために、半導体や集積回路などの配線金
属として用いられる。Ａｔは菟気中の水分や水を用いた
処理などにより表面に数十ｎｍのアルミナ層が生じ、ア
ルミナは不導体のため、貧４ｔただ接触させただけでは
媛触抵抗が大きく、金属を擦り付けΦなり欠きψトｔな
りしてアルミナ層を破るようにし、ｉいと、嫉触砥に／
Ｌを小さくすることはできない。貞積１ｇｌ路において
は、接触部分が１００μｍ角以上と大きいときは、Ｏｒ
、Ｔｉ、Ｍ。
などの高融点金属ｋＡ層した後人ｔ、Ｐｔなとの低抵抗
金属を４続して蒸着すれば、接触抵抗すよ小さくて問題
はなかった。しかし、接触部分が畝μｍ角と小さくなる
と、接触抵抗が大きくなり、まったく導通しないことも
生じた。
金属を４続して蒸着すれば、接触抵抗すよ小さくて問題
はなかった。しかし、接触部分が畝μｍ角と小さくなる
と、接触抵抗が大きくなり、まったく導通しないことも
生じた。
不発明の目的は、媛触面棟が小さくてもＡＩ との良好
な電気的接触を得ることができる配一方法を提供するこ
とにある。
な電気的接触を得ることができる配一方法を提供するこ
とにある。
本発明によルば、基板上にＡＩ配線を形成し、前記ＡＩ
配線上の所定の義賊に従するように高一点金ＪＩ４に下
端とした金属配線を形成した後、７１１１熱することを
待機とした配線方法が得られる。
配線上の所定の義賊に従するように高一点金ＪＩ４に下
端とした金属配線を形成した後、７１１１熱することを
待機とした配線方法が得られる。
以Ｆ、本発明についての実施例を図面を用いて総明する
。
。
第１凶（ａ） 、 ｌｂＪは、本発明の一実施例ｔａ明
するための図である。第１図（ａ）の１５に粕は基板上
にホトレジストを用いｉζリフトオフ法にＬり厚さ約１
、ＬｌμＩｎ ＯＡ ｌ パターン１を形成し、 ｍ
１−ｔｂ＞ｏ ｘ −５にホトレジストリフトオフ法に
よりＴｉ約α１μｍ％ＡＩ約ＯＪμ＋ｎ、Ｐｔ約０．１
μｉｎ ｔｍ４１ｇして電子統脇着機により蒸麺し°
Ｃ金属パターン２を形成し、この基板τ菫−芥曲気中で
２５０〜４５０℃に畝分閾以上保持することによりＡＩ
、４：Ｕ′４気的接触ａ−１４ゐことができ、り。
するための図である。第１図（ａ）の１５に粕は基板上
にホトレジストを用いｉζリフトオフ法にＬり厚さ約１
、ＬｌμＩｎ ＯＡ ｌ パターン１を形成し、 ｍ
１−ｔｂ＞ｏ ｘ −５にホトレジストリフトオフ法に
よりＴｉ約α１μｍ％ＡＩ約ＯＪμ＋ｎ、Ｐｔ約０．１
μｉｎ ｔｍ４１ｇして電子統脇着機により蒸麺し°
Ｃ金属パターン２を形成し、この基板τ菫−芥曲気中で
２５０〜４５０℃に畝分閾以上保持することによりＡＩ
、４：Ｕ′４気的接触ａ−１４ゐことができ、り。
嫁御パターン２にシいＣ１’Ｉ’ｉ／よ一融点金Ｍ、Ａ
ｌは＊ａｍ＊ａ４、ＰｔｔｉＡ１表面の酸化ｔ−ぐｆｃ
ｄ）のものである。そして、ム鳳パターンｌと全組パタ
ーン２の−Ｍ婦分は４μｍ角である。
ｌは＊ａｍ＊ａ４、ＰｔｔｉＡ１表面の酸化ｔ−ぐｆｃ
ｄ）のものである。そして、ム鳳パターンｌと全組パタ
ーン２の−Ｍ婦分は４μｍ角である。
ル成し／ＣＣ構機パターン２０両４４Ｏ）’ ｔｌ、ド
にＰｔ癲を当てて−り疋し瓦パ、ド１−孤仇から、一定
保ＮＺ一度の１−一τ第２図に示す。挾鷹抵仇は保持一
度が＾くなるＶＣつれて小さくなり、３５０℃で厳小に
なり、これ以上＾く／ぼると、また大きくなる。
にＰｔ癲を当てて−り疋し瓦パ、ド１−孤仇から、一定
保ＮＺ一度の１−一τ第２図に示す。挾鷹抵仇は保持一
度が＾くなるＶＣつれて小さくなり、３５０℃で厳小に
なり、これ以上＾く／ぼると、また大きくなる。
ｍｗｔが４００℃以上で抵抗が大さくなるのは人１ と
Ｔｉが共晶反応するためと考えらｆＬる。よって熱処理
のＬ−１，持温度は２５０〜４５０℃の範囲が適当であ
る。そ゛して、３５０℃で１０分間保持したものの接触
抵抗は１．３２±０．５７ｉＩ（９５％分布限界）であ
る。
Ｔｉが共晶反応するためと考えらｆＬる。よって熱処理
のＬ−１，持温度は２５０〜４５０℃の範囲が適当であ
る。そ゛して、３５０℃で１０分間保持したものの接触
抵抗は１．３２±０．５７ｉＩ（９５％分布限界）であ
る。
また、４００℃でピークＶＣなり３００℃間が３〜４分
になるような山伏に加熱しても、３．５２±１．７４Ｍ
になる。
になるような山伏に加熱しても、３．５２±１．７４Ｍ
になる。
このよ５を本発明により、Ａ１ との接触−分が数μｍ
角と小さくても接触抵抗、ユ認Ωと小さく、熱感Ｊｌ！
ｊ＃は数百Ｍであったことからも、本発明のＡＪ果は・
Ａらかである。 。
角と小さくても接触抵抗、ユ認Ωと小さく、熱感Ｊｌ！
ｊ＃は数百Ｍであったことからも、本発明のＡＪ果は・
Ａらかである。 。
実施−では、高融点貧属としＣ’ｌ’ ｉ 倉用いたが
凶のＯｒ、＋ｍＯ，Ｔａなどを用いてもムい。 。
凶のＯｒ、＋ｍＯ，Ｔａなどを用いてもムい。 。
ａ４１凶ｗｉ Ａ ｌ とのｍｍ的接触を得るための本
発明の＾施例ｔ’ｄ明Ｉる九めの図でめり。ｌは杷縁譲
叔上のム亀パターン、２＋１Ｔ＞／ｈｌ／Ｐ＠ ｏ積層
！ｉｌ ＠ ｌ）−らｔｌる貧旙パターン。漠２図は熱
処理の保持一度と接触抵抗の関係を示す図であ机オ １
ａ１′ （（２） ″ （ｂ）
発明の＾施例ｔ’ｄ明Ｉる九めの図でめり。ｌは杷縁譲
叔上のム亀パターン、２＋１Ｔ＞／ｈｌ／Ｐ＠ ｏ積層
！ｉｌ ＠ ｌ）−らｔｌる貧旙パターン。漠２図は熱
処理の保持一度と接触抵抗の関係を示す図であ机オ １
ａ１′ （（２） ″ （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上にＡＩ 配４ＩＩＮを形成し、前記Ａ１ 配
線上の所疋の領域に巌するように一融点金ｓｌを下地と
した＊属配縁を形成した後、加熱することを特徴とする
配線方法。 ２．１ＩＩＩｌ融点金属としてＬＪ を用い、２５０〜
４５０℃で加熱すること＊Ｗｔ徴とする待奸−求の範囲
第１項に記載の配線方法。 ・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081181A JPS582045A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 配線方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081181A JPS582045A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 配線方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582045A true JPS582045A (ja) | 1983-01-07 |
Family
ID=14283739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10081181A Pending JPS582045A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 配線方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582045A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245510A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | 株式会社 宮園製作所 | 素地瓦の磨き装置 |
| JPS6159010U (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP10081181A patent/JPS582045A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245510A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | 株式会社 宮園製作所 | 素地瓦の磨き装置 |
| JPS6159010U (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 |
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