JPS583971A - 蒸着方法 - Google Patents
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- JPS583971A JPS583971A JP57062664A JP6266482A JPS583971A JP S583971 A JPS583971 A JP S583971A JP 57062664 A JP57062664 A JP 57062664A JP 6266482 A JP6266482 A JP 6266482A JP S583971 A JPS583971 A JP S583971A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒸着、をらに詳しくいえば、ボートなしの点状
ソースから非常に反応性の高い金属全蒸着さぜる方法に
関するものである。
ソースから非常に反応性の高い金属全蒸着さぜる方法に
関するものである。
チタン、クロムなとの反応性の高い金属は、半、導Ｋ装
置に使用されることが多く、蒸着法によって付着させる
ことができる。蒸着法は米国特許第３４９９７８５号、
第３８６０４４４号、第４０６１８００号および１９７
７年３月発行のＩＢＭＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌ
ｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ第１９巻第７号の６８５
２０〜３８５３画に記載されている。
置に使用されることが多く、蒸着法によって付着させる
ことができる。蒸着法は米国特許第３４９９７８５号、
第３８６０４４４号、第４０６１８００号および１９７
７年３月発行のＩＢＭＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌ
ｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ第１９巻第７号の６８５
２０〜３８５３画に記載されている。
これらの方法は、タンタル、タングステン−モリブデン
、窒出ホウ素−石墨、またはＴｉＢ２−Ａｔ２０３のる
つぼ若しくはボート葡１吏田している。これらのるつぼ
は、クロムやチタンなど反応１生の高いある種の金属と
反応する。タングステン製るつぼは、タングステンの痕
跡を言むフィルムｔもたらすだけでなく、１．２回の操
作でなくなってしまう。
、窒出ホウ素−石墨、またはＴｉＢ２−Ａｔ２０３のる
つぼ若しくはボート葡１吏田している。これらのるつぼ
は、クロムやチタンなど反応１生の高いある種の金属と
反応する。タングステン製るつぼは、タングステンの痕
跡を言むフィルムｔもたらすだけでなく、１．２回の操
作でなくなってしまう。
１９７６年３月発行のＩ Ｂ Ｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ 第１８
巻第１０号の６４１３頁に記載されているもう１つの方
法は蒸発されるべき材料の棒を使用し、その材料を電子
線でυ日熱して棒の頂部に蒸着用の溶融プールを作るも
のであった。この方法は、帯電レベルの問題があるので
一般には適当でなかった。蒸着のために電子線でｊＪＯ
熱すると、反射した電子が付着膜に詮１れてしまう。そ
のために膜のエネルギレベルないし帯電レベルが高まり
、記１怠装置用の膜には望ましくないことになる。帯ｍ
レベルは、通常のコンピュータ操作中に記厖装置にエラ
ー？生じさせる。
ｌＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ 第１８
巻第１０号の６４１３頁に記載されているもう１つの方
法は蒸発されるべき材料の棒を使用し、その材料を電子
線でυ日熱して棒の頂部に蒸着用の溶融プールを作るも
のであった。この方法は、帯電レベルの問題があるので
一般には適当でなかった。蒸着のために電子線でｊＪＯ
熱すると、反射した電子が付着膜に詮１れてしまう。そ
のために膜のエネルギレベルないし帯電レベルが高まり
、記１怠装置用の膜には望ましくないことになる。帯ｍ
レベルは、通常のコンピュータ操作中に記厖装置にエラ
ー？生じさせる。
本発明に従ってコーティング基板？ある物質で蒸着する
方法には、七の安値製の線または棒の末端で蒸発ざぜる
ことがバ捷れている。棒の末端？誘導または照射によっ
て加熱し、そこに基板［４」のコーティング・ソースと
して使用できる溶融した凸形ミニスカスを形成させる。
方法には、七の安値製の線または棒の末端で蒸発ざぜる
ことがバ捷れている。棒の末端？誘導または照射によっ
て加熱し、そこに基板［４」のコーティング・ソースと
して使用できる溶融した凸形ミニスカスを形成させる。
嵌としては、クロム、チタン、アルミニウム、金、銀、
銅などがある。
銅などがある。
不発明の′特徴〒明らかにするため、添付の図面に則し
て有利な実施列について詳しく説明する。
て有利な実施列について詳しく説明する。
第１図に示すように、金属棒（＠）１２の頂部（末端）
１３が加熱手段１４によってυ■熱されるように、丙り
殴購１０によ、って金属棒１２が垂直方向に送られる。
１３が加熱手段１４によってυ■熱されるように、丙り
殴購１０によ、って金属棒１２が垂直方向に送られる。
υｌ熱手段１４の平面１図を第２図に示すが、第２図に
おいて抵抗コイル１５が金属棒１２の頂部１３葡敗り囲
んでいる。抵抗コイル１５と金属棒１２の側面図を第３
図に示す。抵抗コイル１５は、第４図に示すように環状
リング部分１９が金属棒１２の頂部１３ｋｌ（Ｓｊｒ囲
んでいる（３〕 フィラメント抵抗条片１７の杉にすることもできる。
おいて抵抗コイル１５が金属棒１２の頂部１３葡敗り囲
んでいる。抵抗コイル１５と金属棒１２の側面図を第３
図に示す。抵抗コイル１５は、第４図に示すように環状
リング部分１９が金属棒１２の頂部１３ｋｌ（Ｓｊｒ囲
んでいる（３〕 フィラメント抵抗条片１７の杉にすることもできる。
抵抗加熱コイルによるυ１熱に加えて、第５図および第
６図に示すように、頂部ｒ誘導によってｔＪ日熱するた
めの無線周波数（ＲＦ ）コイル２５紫１吏用すること
ができる。Ｒｌｉ’コイル２５は銅および最高ＲＦ周彼
奴で被覆された銀から出来ている。
６図に示すように、頂部ｒ誘導によってｔＪ日熱するた
めの無線周波数（ＲＦ ）コイル２５紫１吏用すること
ができる。Ｒｌｉ’コイル２５は銅および最高ＲＦ周彼
奴で被覆された銀から出来ている。
コネクタ２８お」＝び３０によって、コイル２５がＲＦ
発生器（図示「ず）に結合されている。コネクタ２８お
よび３０は誘導コイル２５にハンダ付けした連続する鋼
管とすることができる。
発生器（図示「ず）に結合されている。コネクタ２８お
よび３０は誘導コイル２５にハンダ付けした連続する鋼
管とすることができる。
金ｊ萬棒１２は、金、銀、銅、タンタル、モリブデンな
どの金・１４も１吏用できるが、できればクロム、チタ
ンまたはアルミニウムがよい。
どの金・１４も１吏用できるが、できればクロム、チタ
ンまたはアルミニウムがよい。
半導体ウェハなどの１川下部片１６ｒ球形プラットホー
ム１８上に百＜、球形プラットホーム１８はモータ２０
で回転し、結合器２２によってそれから分離することが
できる。
ム１８上に百＜、球形プラットホーム１８はモータ２０
で回転し、結合器２２によってそれから分離することが
できる。
金属棒１２とｖＩＪＩ部片１６ｔ１該υロエ部片１６が
金属棒１２の頂部１３と向き合い、蒸発にょっ（４つ て形成される円錐形蒸気雲２４内に入るように、密閉し
た真空室２３中に配置する。室内の圧力は１０”−’
ｍｍＨｇ （Ｔｏ ｒ ｒ ） 〜１０−８ｍｍＨｇ
の範囲とし、クロムおよびチタンに対する有利な範囲
ば１０− ｍｍＨｇ 〜１０ ｍｍＨｇ とする
。
金属棒１２の頂部１３と向き合い、蒸発にょっ（４つ て形成される円錐形蒸気雲２４内に入るように、密閉し
た真空室２３中に配置する。室内の圧力は１０”−’
ｍｍＨｇ （Ｔｏ ｒ ｒ ） 〜１０−８ｍｍＨｇ
の範囲とし、クロムおよびチタンに対する有利な範囲
ば１０− ｍｍＨｇ 〜１０ ｍｍＨｇ とする
。
金属を溶かして溶融した球形ミニスカスを形成させるた
め、誘導ヒータ１４τ付勢して金属棒１２の頂部１３？
ｒ：誘導によってυ１熱する。頂部１６が酌は始めると
、エネルギが最低になるように球形になって棒状に留捷
る。溶けた塊紫増大させずに充分な熱？加えて頂部１３
の溶融した球体から蒸発が起こるようにする。ＩＪｎ熱
材中に金属棒１２を送り込む速度ｆ Ａ９ｅすることに
よって、一定の熱源で球体からの蒸発速度と球体の寸法
を両方とも附１１両することができる。
め、誘導ヒータ１４τ付勢して金属棒１２の頂部１３？
ｒ：誘導によってυ１熱する。頂部１６が酌は始めると
、エネルギが最低になるように球形になって棒状に留捷
る。溶けた塊紫増大させずに充分な熱？加えて頂部１３
の溶融した球体から蒸発が起こるようにする。ＩＪｎ熱
材中に金属棒１２を送り込む速度ｆ Ａ９ｅすることに
よって、一定の熱源で球体からの蒸発速度と球体の寸法
を両方とも附１１両することができる。
水冷シールド（図示せず）？使用することにょ９、抵抗
加熱によって発生Ｔる外来性放射熱を最小限に抑えるこ
とができる。金属棒１２の頂部１３の周りに水冷式放物
面鏡（図示せず）を追加すると、放射熱は溶融球体上に
集束する。
加熱によって発生Ｔる外来性放射熱を最小限に抑えるこ
とができる。金属棒１２の頂部１３の周りに水冷式放物
面鏡（図示せず）を追加すると、放射熱は溶融球体上に
集束する。
実施列１
単巻ＲＦコイルｆ５ ＫＷ２ Ｄ Ｏ〜４００ ＫＨｚ
ｆ７）ＲＦ ｇ ４陽源で励起して、クロム俸（直径１
．９１礪〕ｔυ口熱した。次に真空室ｆ１０−７ｍｍＨ
ｇの圧力に減王した。ウェハｉ５５．８８／ｍ離した距
離に置き、クロム忙毎秒１０Ｘの速度でウェハ上に蒸着
させた。大きな全国粒子の放出、すなわちクロム・ソー
スからのスピッティングはなかった。
ｆ７）ＲＦ ｇ ４陽源で励起して、クロム俸（直径１
．９１礪〕ｔυ口熱した。次に真空室ｆ１０−７ｍｍＨ
ｇの圧力に減王した。ウェハｉ５５．８８／ｍ離した距
離に置き、クロム忙毎秒１０Ｘの速度でウェハ上に蒸着
させた。大きな全国粒子の放出、すなわちクロム・ソー
スからのスピッティングはなかった。
実施例２
直径０．６４（１）のチタン俸で、実姉列１に記したプ
ロセス全防用した。５５．８８歯の距離で毎秒１〜２Ｘ
の蒸発速度が得られた。
ロセス全防用した。５５．８８歯の距離で毎秒１〜２Ｘ
の蒸発速度が得られた。
実施しｌ１３
直径０６４確のアルミニウム俸で、実施列１に記したプ
ロセスを使用した。５５８８側の距離で毎秒５〜６Ｘの
蒸発速度が得られた。
ロセスを使用した。５５８８側の距離で毎秒５〜６Ｘの
蒸発速度が得られた。
（６）
実施１列４
直径１．５２ｃｍのチタノ俸を用いて、抵抗粂片ヒータ
によるプロセスで、４０６ｃｍの距離で毎秒０５Ｘの蒸
発速度が得られた。
によるプロセスで、４０６ｃｍの距離で毎秒０５Ｘの蒸
発速度が得られた。
本発明による蒸着法は、先行技術による蒸着法に比べて
多数の利点てもっている。１つの利点は、りつぼ若しく
はボートｉ団用した場合によくあるような付漕金属の汚
染がないことである。電子線蒸着法に勝るもう１つの利
点は、敗乱市子が加工部片上に集積することによる帯辺
レベルの問題がないことである。その上、ａ’）殴購が
長時間の間必要なだけ金属棒ｒ送るので密閉した室をこ
じ開けてボー１− ｔたはフィラメント〒交換する必要
はない。
多数の利点てもっている。１つの利点は、りつぼ若しく
はボートｉ団用した場合によくあるような付漕金属の汚
染がないことである。電子線蒸着法に勝るもう１つの利
点は、敗乱市子が加工部片上に集積することによる帯辺
レベルの問題がないことである。その上、ａ’）殴購が
長時間の間必要なだけ金属棒ｒ送るので密閉した室をこ
じ開けてボー１− ｔたはフィラメント〒交換する必要
はない。
不発明の有利な実姉シリについて説明してきたが、当然
のことながら本発明の原■に基づいて数多くの変更？加
えることができる。
のことながら本発明の原■に基づいて数多くの変更？加
えることができる。
第１図は本発明に基づく蒸着法に開用する装置（７）
の概略図である。
第２図は第１図の加熱手段としての加熱コイルおよび金
属棒の平面図である。 第６図は第２図のυ［１熱コイルおよび金属棒の側面断
面図である。 第４図は第１図のｊＪＤ熱手段としての抵抗υ１熱帯片
および金属棒の平１酊図である。 第５図は第１図の加熱手段としての誘導ＲＦ’加熱コイ
ルおよび金属棒のゝＴＩ−面図である。 第６図は第５図に示した誘導ＲＦ加熱コイルの断面図で
ある。 １２・・・・金属棒、１４・・・・７Ｊ（］熱手段、１
６・・・・加工部片、１８・・・・球形プラットフォー
ム、２０・・・・モータ。 出願人イノタープ）ｅプフレ・ビジネス・マシーンズ・
コ１ｆレーショ／（８） ロ ３７７−
属棒の平面図である。 第６図は第２図のυ［１熱コイルおよび金属棒の側面断
面図である。 第４図は第１図のｊＪＤ熱手段としての抵抗υ１熱帯片
および金属棒の平１酊図である。 第５図は第１図の加熱手段としての誘導ＲＦ’加熱コイ
ルおよび金属棒のゝＴＩ−面図である。 第６図は第５図に示した誘導ＲＦ加熱コイルの断面図で
ある。 １２・・・・金属棒、１４・・・・７Ｊ（］熱手段、１
６・・・・加工部片、１８・・・・球形プラットフォー
ム、２０・・・・モータ。 出願人イノタープ）ｅプフレ・ビジネス・マシーンズ・
コ１ｆレーショ／（８） ロ ３７７−
Claims (1)
- 支持なしで立っている金属塊の頂部に対ｒｆ１′Ｔさせ
て加工部片？真孕室内に＃さ、電子衝撃なしに上記金属
塊の頂部をυ■熱して、上記υロエ部片のコーティング
・ソースとして使用できる溶融した球形ミニスカスｔ−
ｔこに形成すること’ｘｌ？ｊ徴とする蒸着方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US278932 | 1981-06-30 | ||
| US06/278,932 US4390571A (en) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | Boatless point source evaporation method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583971A true JPS583971A (ja) | 1983-01-10 |
| JPS6037869B2 JPS6037869B2 (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=23067001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57062664A Expired JPS6037869B2 (ja) | 1981-06-30 | 1982-04-16 | 蒸着方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4390571A (ja) |
| EP (1) | EP0068087B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6037869B2 (ja) |
| DE (1) | DE3273808D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362803A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-19 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 強磁性金属粉末の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4508612A (en) * | 1984-03-07 | 1985-04-02 | International Business Machines Corporation | Shield for improved magnetron sputter deposition into surface recesses |
| DE3530106A1 (de) * | 1985-08-23 | 1987-02-26 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Aufdampfgut zum aufdampfen anorganischer verbindungen mittels einer photonen-erzeugenden strahlungsheizquelle in kontinuierlich betriebenen vakuumbedampfungsanlagen |
| JP2005091345A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蒸着型蛍光体シートの製造方法および装置並びに蒸着型蛍光体シート |
| CN103993266B (zh) * | 2014-04-17 | 2016-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 真空蒸镀设备 |
| JP6488928B2 (ja) * | 2015-07-15 | 2019-03-27 | アイシン精機株式会社 | 蒸着装置 |
| JP2021505776A (ja) | 2017-12-06 | 2021-02-18 | アリゾナ・シン・フィルム・リサーチ・エルエルシー | 金属およびセラミック材料の付着のための付加製造のためのシステムおよび方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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