JPS5843575A - 電界効果型トランジスタ活性層の形成法 - Google Patents
電界効果型トランジスタ活性層の形成法Info
- Publication number
- JPS5843575A JPS5843575A JP56141176A JP14117681A JPS5843575A JP S5843575 A JPS5843575 A JP S5843575A JP 56141176 A JP56141176 A JP 56141176A JP 14117681 A JP14117681 A JP 14117681A JP S5843575 A JPS5843575 A JP S5843575A
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- JP
- Japan
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- atoms
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- 200kev
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発−は新規な構成を有す一電界効装置トランジスタ（
ＦＥＴ）活性層の形成法に関する。
ＦＥＴ）活性層の形成法に関する。
Ｇ、Ａ、あるいはそれと類縁の■−ｖ族化−物半導体を
利用し九ＦＥＴは、いちぢるしく高い周波１、−−６ したいわゆゐＦＥＴＩＣＫ関心が集ｔ−ｐている。
利用し九ＦＥＴは、いちぢるしく高い周波１、−−６ したいわゆゐＦＥＴＩＣＫ関心が集ｔ−ｐている。
かかるＦＥＴＩＣ“を製作するためＫは、通常中絶縁性
の基板結晶の表面からイオン注入によって選択的にドナ
ー原子を注入し、活性層を形成することが行なわれてい
る。現在かかる目的に最も多く用いられてａる原子はＳ
ｌであるが、８１門注入し産湯合にはｉ１原子の相蟲部
分がムＳ格子点に置Ｘ１′ 換してアクセプタとな）、−誓約な活性化率を低下せし
めることが避誇られず、を庭注入時に生じ九損傷をアニ
ールによりて充分回復することが困難であり１電子異動
度において気相あるいは液相−ビタキシ１＝法で製作し
た結晶と比較して一段に低いという欠点を有していえ。
の基板結晶の表面からイオン注入によって選択的にドナ
ー原子を注入し、活性層を形成することが行なわれてい
る。現在かかる目的に最も多く用いられてａる原子はＳ
ｌであるが、８１門注入し産湯合にはｉ１原子の相蟲部
分がムＳ格子点に置Ｘ１′ 換してアクセプタとな）、−誓約な活性化率を低下せし
めることが避誇られず、を庭注入時に生じ九損傷をアニ
ールによりて充分回復することが困難であり１電子異動
度において気相あるいは液相−ビタキシ１＝法で製作し
た結晶と比較して一段に低いという欠点を有していえ。
このような欠点は８１Ｋかえて注入原子をＧｔあるいは
Ｃなど他の■族原子−代えても同様に観察される。
Ｃなど他の■族原子−代えても同様に観察される。
本発明はＦＥＴ活性層形成の際のこのような欠点を除去
し、活性化率が高く、格子欠陥が少なく、従って電子易
動度が大きくしかもアニール温度の低い形成法を与える
ことを目的とする。−″ １本発明はＧ、ム畠ならびＫ
それと類縁の性質をｔつ■−ｖ族化合物およびそれらの
混晶において、１００℃以上に加熱した基板結晶の表面
から一種類の原子をＧｔとし他種類の原子をＳｔたはＳ
・として、両者の原子を加熱後の濃度ならびに原子分布
が、その主要部にお！て一致する如く注入を行ない、周
知の方法によって炉と−ザビームあるいは電子ビームに
、よるア、ニールを行なりて格子欠陥を箒復するととＫ
よって実現され為。
し、活性化率が高く、格子欠陥が少なく、従って電子易
動度が大きくしかもアニール温度の低い形成法を与える
ことを目的とする。−″ １本発明はＧ、ム畠ならびＫ
それと類縁の性質をｔつ■−ｖ族化合物およびそれらの
混晶において、１００℃以上に加熱した基板結晶の表面
から一種類の原子をＧｔとし他種類の原子をＳｔたはＳ
・として、両者の原子を加熱後の濃度ならびに原子分布
が、その主要部にお！て一致する如く注入を行ない、周
知の方法によって炉と−ザビームあるいは電子ビームに
、よるア、ニールを行なりて格子欠陥を箒復するととＫ
よって実現され為。
本発明の特徴ならびに生簀な利点を二層明らかＫするた
め以下本発明の一実施例について説明する。
め以下本発明の一実施例について説明する。
１１１図１６示す如く、１０ｊＨ”のＣｒｌｌＩｌ度を
有すゐ牛絶縁性のＧ、Ａ、基板結゛晶（１）の表面よ如
チャネリング効果を避けうる方向（飴から１６０℃附近
に加熱した状態で１０”ｊの表面濃度のＧＡおよびＳｔ
原子をそれぞれ２００に・マおよび２００ Ｋ＠Ｖの、
加速電圧で注入を行ない、周知の方法によ）表面に窒化
シリコン保護膜を耐着せしめて、水素杼流“ 中で７０
０℃、２ｏ乃至３０分間の熱処理Ｋｌアニールを行なう
と、表面の＃ｔばｚｏｏｏＸの厚さの部分がＮｌｌｌ導
電をもつ活性層を形成しＧ・およびＳ・原子はそれぞれ
ｔ１埋第２図１１，１２の曲線に示す如く分布をもつ。
有すゐ牛絶縁性のＧ、Ａ、基板結゛晶（１）の表面よ如
チャネリング効果を避けうる方向（飴から１６０℃附近
に加熱した状態で１０”ｊの表面濃度のＧＡおよびＳｔ
原子をそれぞれ２００に・マおよび２００ Ｋ＠Ｖの、
加速電圧で注入を行ない、周知の方法によ）表面に窒化
シリコン保護膜を耐着せしめて、水素杼流“ 中で７０
０℃、２ｏ乃至３０分間の熱処理Ｋｌアニールを行なう
と、表面の＃ｔばｚｏｏｏＸの厚さの部分がＮｌｌｌ導
電をもつ活性層を形成しＧ・およびＳ・原子はそれぞれ
ｔ１埋第２図１１，１２の曲線に示す如く分布をもつ。
かかる方法の特徴の第１はＧ・あるいはＳ・を単独悴上
記実、施例と同量あるいは２倍量注入、した場合と比較
してよシ高い活性化率を実現しりる点にある。すなわち
、８１ｔｉ？’！とんど全量がＧａ 格子点に置換して
ドナーとして働らき；またＳ・原子の活性比率も高くな
る。また注入の一生成される格子欠陥の量が減少するた
め電子の易動度は増大し、アニール−、ｌ！する温度は
低下するための結晶表面の変質等−１［・・よる好１１
．＜ない効果も少ない。
記実、施例と同量あるいは２倍量注入、した場合と比較
してよシ高い活性化率を実現しりる点にある。すなわち
、８１ｔｉ？’！とんど全量がＧａ 格子点に置換して
ドナーとして働らき；またＳ・原子の活性比率も高くな
る。また注入の一生成される格子欠陥の量が減少するた
め電子の易動度は増大し、アニール−、ｌ！する温度は
低下するための結晶表面の変質等−１［・・よる好１１
．＜ない効果も少ない。
なお、上記の実−例において、Ｓ・のかわ）Ｋ８を注入
原子としてもはソ同様の効果が得られた。
原子としてもはソ同様の効果が得られた。
九ソし、この場合は両種類の原子の分布をほぼ一致せし
めるため、後者に１１５に＠Ｖの加圧電圧が必要である
。
めるため、後者に１１５に＠Ｖの加圧電圧が必要である
。
なお、注λにあたって畔、基板結晶を一００℃単式によ
って説明される。
って説明される。
？・−Ｇｏ、＋ｎ ＋ Ｇｌｏ−７ｙ、 、＋１）点
Ｋｌｌ換したＧ・、Ｓ＝−子で息シード、ナーとして働
の如くムＳ格子点千置換されアタセプタとなり、。
Ｋｌｌ換したＧ・、Ｓ＝−子で息シード、ナーとして働
の如くムＳ格子点千置換されアタセプタとなり、。
活性層形成の上に好ましからせる効、呆ｔ、ｔ７ｂｔ。
両者を共注入した時Ｏ効−は（１）＋−を変形し、Ｇ・
＋ｇ＠−＋Ｑ・ｏ、 ＋ Ｓ・ム、＋２ｉ°°°°°°
（４）の形となプ両種の原子は固有の格子Ｊ！！−置轡
され子欠陥の含有量線大巾に低下する。
＋ｇ＠−＋Ｑ・ｏ、 ＋ Ｓ・ム、＋２ｉ°°°°°°
（４）の形となプ両種の原子は固有の格子Ｊ！！−置轡
され子欠陥の含有量線大巾に低下する。
このような共享入の効果を顕著に、するへめＫは、両１
１ｊヤ、原子の分声プロフィルを可能なかぎｂ 一致こ
の千？な竺性層、の、！牢法は単Ｖｃｑａム−１９みて
えｇＩｎＰ、あるい、はそれむ？−晶さとえばＧ、ＡＡ
Ａｌ２４ζゝへ □ −１４・ 図
面０簡単な竺竺、２、 で、１１１’基板結晶、２ ｔｌ−ｑ原Ｑ入方向を示し
、８２図は本！ｉ＠の一実施例における原子分布の一例
の説１１図で、ｌｌｔ？・かＧ・の分布、１２ひ＋８・
の傘布を示九寮１ １’、ｌ ｔ）、２ ０３ ％ａｙｔｒ＝ｔｙ＞’ｔｌｌｌＬｃｐｔｎ）蓼Ｚ父
１ｊヤ、原子の分声プロフィルを可能なかぎｂ 一致こ
の千？な竺性層、の、！牢法は単Ｖｃｑａム−１９みて
えｇＩｎＰ、あるい、はそれむ？−晶さとえばＧ、ＡＡ
Ａｌ２４ζゝへ □ −１４・ 図
面０簡単な竺竺、２、 で、１１１’基板結晶、２ ｔｌ−ｑ原Ｑ入方向を示し
、８２図は本！ｉ＠の一実施例における原子分布の一例
の説１１図で、ｌｌｔ？・かＧ・の分布、１２ひ＋８・
の傘布を示九寮１ １’、ｌ ｔ）、２ ０３ ％ａｙｔｒ＝ｔｙ＞’ｔｌｌｌＬｃｐｔｎ）蓼Ｚ父
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガリ□ウム砒素（ａｍＡｍ）ならびＩＩｃ七れと類縁の
性状を有する■−ｖ族化番物−導体ならびｋそれ−）１ らの混晶において、半絶縁性め単艙蟲基板上に表面１゛
イオシ桂入によって電界効果−トラ゛９ジス１ （ＰＥ
Ｔ）活性層を形成するー、二種類の原子をＧｔとし他種
類の原子をＳまたはａｇとし、−着の濃度ならびに分布
が熱Ｊ６１１後においてｉの主要部が一致する如く注入
を行ない、周知の方法によ如、炉、レーずビームあるい
は電子ビームによ〉アニ」ルを行なうこと誓轡徹とす石
電界効果霞トランジスｊ活性層の形成法。 、 ′
□
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141176A JPS5843575A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 電界効果型トランジスタ活性層の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141176A JPS5843575A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 電界効果型トランジスタ活性層の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843575A true JPS5843575A (ja) | 1983-03-14 |
Family
ID=15285905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56141176A Pending JPS5843575A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 電界効果型トランジスタ活性層の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843575A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0586901A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-06 | Hitachi Ltd | ガスタービン |
| US10669941B2 (en) | 2015-12-24 | 2020-06-02 | Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. | Gas turbine cooling system, gas turbine facility including the same, and control device and control method of gas turbine cooling system |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP56141176A patent/JPS5843575A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0586901A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-06 | Hitachi Ltd | ガスタービン |
| US10669941B2 (en) | 2015-12-24 | 2020-06-02 | Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. | Gas turbine cooling system, gas turbine facility including the same, and control device and control method of gas turbine cooling system |
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