JPS5845625A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5845625A JPS5845625A JP56142698A JP14269881A JPS5845625A JP S5845625 A JPS5845625 A JP S5845625A JP 56142698 A JP56142698 A JP 56142698A JP 14269881 A JP14269881 A JP 14269881A JP S5845625 A JPS5845625 A JP S5845625A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- thickness
- recording medium
- magnetic recording
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性層が春着薄膜である磁気記録媒体の製
造方法に関し、抗磁力の制御を幅方向に均一化するとと
もに長手方向にも均一化する技術の提供を目的とするも
のである。
造方法に関し、抗磁力の制御を幅方向に均一化するとと
もに長手方向にも均一化する技術の提供を目的とするも
のである。
更に具体的には、真空雰囲気の制御により高抗磁力を達
成する技術の改良であって、外部より。
成する技術の改良であって、外部より。
強制的にガスを導入する方法の改良に関するものである
。
。
更に本発明は強磁性層を構成する元素の酸化物により保
護効果全改善した媒体を得るに適した方法の提供を目指
すものでもある。
護効果全改善した媒体を得るに適した方法の提供を目指
すものでもある。
磁気記録に於て、短波長記録に５強磁性金属薄膜を磁気
記録層として用いることの有用性は１９６゜年代の後半
より実験的に確認され、良く知られるところである。
記録層として用いることの有用性は１９６゜年代の後半
より実験的に確認され、良く知られるところである。
しかしかかる媒体を実用レベルで利用する時の問題は、
抗磁力を中心とした磁気特性の生産性を配慮した領域で
の制御と、得られる媒体の腐食、摩耗に対する耐性の改
良があげられる。
抗磁力を中心とした磁気特性の生産性を配慮した領域で
の制御と、得られる媒体の腐食、摩耗に対する耐性の改
良があげられる。
従来この種の問題は、湿式めっき法、蒸着法のいずれの
方法で得た強磁性膜についても共通の課題であり１抗磁
力の制御には、湿式めっき法では主としてめっき浴の化
学組成の安定化、蒸着法ではいわゆる斜方蒸着（特公昭
４１−１９３８９号公報）が主としてとられていた。
方法で得た強磁性膜についても共通の課題であり１抗磁
力の制御には、湿式めっき法では主としてめっき浴の化
学組成の安定化、蒸着法ではいわゆる斜方蒸着（特公昭
４１−１９３８９号公報）が主としてとられていた。
しかし両者に共通していえる欠点は、生産性が極めて低
い点にある。例えば蒸着でＣｏ１００％のの磁性層で抗
磁力８００〔○ ｅ）を実現するには入射角の制限を７
６°〜８００にする必要があり、電子ビームを集束して
突沸寸前の電力密度を投入して、蒸発速度を高めても、
０．１５ ｍの磁性層を得るには２〜３ ｍ ／ ｍ
ｉ ｎの基板移動速度にしかならないことから伺い知れ
る。
い点にある。例えば蒸着でＣｏ１００％のの磁性層で抗
磁力８００〔○ ｅ）を実現するには入射角の制限を７
６°〜８００にする必要があり、電子ビームを集束して
突沸寸前の電力密度を投入して、蒸発速度を高めても、
０．１５ ｍの磁性層を得るには２〜３ ｍ ／ ｍ
ｉ ｎの基板移動速度にしかならないことから伺い知れ
る。
又一方、耐蝕性、耐摩耗性の問題の解決のために従来と
られた方法の多くは強磁性層の上に更に別の保護層を設
けるものであった。
られた方法の多くは強磁性層の上に更に別の保護層を設
けるものであった。
Ｎ１−Ｗ合金（特開昭５１−４３，１１０号公報）。
Ｎ１・Ｂ合金（特開昭５２−２，４０５号公報）、Ｎｉ
合金層を熱処理により硬度をあげたもの（特開昭５１−
１０２，６０６号幻９．Ｎｉ−Ｃｒ韻（特開昭５３−７
３，１０８号公報）等の合金薄膜を保護層とするもの％
酸化物、炭化物（特開昭６０−１０４，６０２号公報）
、酸化物磁性体上にｇ−Ｆｅ２０３系薄膜を保護層とし
て配したもの（特開昭５１−５９．６０６号公報）、５
ｉ−８ｔ酸化物（特開昭６２−１２７．２０３号公報）
、磁性層との間にＣｒを介しての５ｉ−３ｉ酸化物（特
開昭６２−１２７，２０４号公報）、窒化ケイ素化合物
（特開昭５５−７３．９３１えは飽和脂肪酸の単分子層
（特開昭５０−７，５００号公報）、滑性液体層中に酸
化防止剤を含有させたもの（特開昭５１−２０，８０５
号公報）等が提案されている。
合金層を熱処理により硬度をあげたもの（特開昭５１−
１０２，６０６号幻９．Ｎｉ−Ｃｒ韻（特開昭５３−７
３，１０８号公報）等の合金薄膜を保護層とするもの％
酸化物、炭化物（特開昭６０−１０４，６０２号公報）
、酸化物磁性体上にｇ−Ｆｅ２０３系薄膜を保護層とし
て配したもの（特開昭５１−５９．６０６号公報）、５
ｉ−８ｔ酸化物（特開昭６２−１２７．２０３号公報）
、磁性層との間にＣｒを介しての５ｉ−３ｉ酸化物（特
開昭６２−１２７，２０４号公報）、窒化ケイ素化合物
（特開昭５５−７３．９３１えは飽和脂肪酸の単分子層
（特開昭５０−７，５００号公報）、滑性液体層中に酸
化防止剤を含有させたもの（特開昭５１−２０，８０５
号公報）等が提案されている。
これらの技術も記録波長が数μｍの間は有効なものの、
１７１ｍ以下の記録波長になると、スペーシングロスの
制約から、これらの保趙層は極めて薄く仕上げることが
要求されることから保護効果が急激に失われてくる。
１７１ｍ以下の記録波長になると、スペーシングロスの
制約から、これらの保趙層は極めて薄く仕上げることが
要求されることから保護効果が急激に失われてくる。
即ち５ｏ八へ１００八程度の前記層の厚みでは耐蝕性と
耐摩耗性の両者に優れた改善を与えにくく、このことは
、相対速度３ ｍ ／ Ｓｅｃ −５ｍ／ ｓ ｅｃと
いう高速で回転するヘッドとの摺動に於て、より深酷化
しているのである。
耐摩耗性の両者に優れた改善を与えにくく、このことは
、相対速度３ ｍ ／ Ｓｅｃ −５ｍ／ ｓ ｅｃと
いう高速で回転するヘッドとの摺動に於て、より深酷化
しているのである。
これらは強磁性層と保護層とが異なる材質である点と１
強磁性層の形成と独立の工程により保軸膜の形成を行っ
ていることに改善すべき問題点を有している。
強磁性層の形成と独立の工程により保軸膜の形成を行っ
ていることに改善すべき問題点を有している。
の受けるダメージは、目視かん察上何の変化もみられな
くても、前記したように、高速回転するヘッドに当接し
た時、保護層のはくりを引き起すことが多く、この事実
は異なる物質量の界面の破壊を示しており改善が望まれ
るのである。
くても、前記したように、高速回転するヘッドに当接し
た時、保護層のはくりを引き起すことが多く、この事実
は異なる物質量の界面の破壊を示しており改善が望まれ
るのである。
本発明は、前記した２点に主として考察を加え改良実験
を重ねた結果なされたもので２強磁性層そのものの酸化
物層を表面に形成する方法によるものである。
を重ねた結果なされたもので２強磁性層そのものの酸化
物層を表面に形成する方法によるものである。
この方法は、付加的な物質を使用しないことから安定性
、信頼性の面で後述する利点を有している０ なお本発明でいう蒸着には、真空蒸着、イオンブレーテ
ィング等を含むものである。
、信頼性の面で後述する利点を有している０ なお本発明でいう蒸着には、真空蒸着、イオンブレーテ
ィング等を含むものである。
磁気テープの通常の製造工程は、５０ｃｍ以上の広幅の
基材上に連続して磁性層を形成してから所定の幅寸法に
スリットするのであるから、本発明の別の目的は５幅方
向、長手方向に酸化層の厚み質の制御を均一たらしめる
方法の提供にあることも前述の通りである。
基材上に連続して磁性層を形成してから所定の幅寸法に
スリットするのであるから、本発明の別の目的は５幅方
向、長手方向に酸化層の厚み質の制御を均一たらしめる
方法の提供にあることも前述の通りである。
第１図は本発明を実施するための蒸着装置の一例を示す
。
。
なお図においては上家６．下室７の二室分離形の捲き取
り式蒸着機と類似の構成例を示しであるが、これによら
ずとも後述の要件を満たす別の装置によっても実施でき
るのは勿論である。
り式蒸着機と類似の構成例を示しであるが、これによら
ずとも後述の要件を満たす別の装置によっても実施でき
るのは勿論である。
図に示すように、高分子成形物からなる基板１は真空容
器５内において送り送し軸１ｏより、捲き取り軸１１へ
移動する途中で、冷却用支持体に沿った状態で蒸着され
る。図では回転キャン４が支持と冷却の作用を行ってい
る。これに代るもので、エンドレスの例えば５ＵＳ３０
４のｏ、ｅｔを電子ビーム溶接して得られるような回転
ベルトに沿わせることも可能であＬ本発明に含まれる。
器５内において送り送し軸１ｏより、捲き取り軸１１へ
移動する途中で、冷却用支持体に沿った状態で蒸着され
る。図では回転キャン４が支持と冷却の作用を行ってい
る。これに代るもので、エンドレスの例えば５ＵＳ３０
４のｏ、ｅｔを電子ビーム溶接して得られるような回転
ベルトに沿わせることも可能であＬ本発明に含まれる。
蒸発源は蒸発源容器３と蒸発材＊４２で模式的に示した
が、加熱は、誘導加熱、レーザビーム加熱。
が、加熱は、誘導加熱、レーザビーム加熱。
抵抗加熱等があるが、電子ビーム加熱が最も適している
。蒸発材料は電子ビーム衝撃により加熱気化し、基板１
へ差し向けられる。基板１は矢印Ａ々に入射角が小さく
なり、磁性体の種類により必要な抗磁力、角形比の選択
を行い決定される入射角で蒸着が終るよう仕組まれる。
。蒸発材料は電子ビーム衝撃により加熱気化し、基板１
へ差し向けられる。基板１は矢印Ａ々に入射角が小さく
なり、磁性体の種類により必要な抗磁力、角形比の選択
を行い決定される入射角で蒸着が終るよう仕組まれる。
８はそのためのマスクである。９は仕切板である上室６
．下室７は夫々独立した排気系１２と１３で排気される
。
．下室７は夫々独立した排気系１２と１３で排気される
。
上室６には必要に応じてグロー処理を施すためのグロー
処理装置を配することもできるが２図では略しである。
処理装置を配することもできるが２図では略しである。
さて本発明のポイントは、下室７へのガス導入にある。
それはマスク８の側面に設けられたノズル２０により達
成される。即ち１基板１０幅方向に対して、均一に特性
が得られるように工夫すべきであるのは勿論である。
成される。即ち１基板１０幅方向に対して、均一に特性
が得られるように工夫すべきであるのは勿論である。
第２図にマスクを示すように、マスクは背面１４と前面
１６とｇ４１ｊ面１７と図示せぬ２つの側面とＢＩＩＩ
１ｌｆｌより構成されるジャケット構造となし、背面
１４には例えば銅パイプ１９をろう接して冷却水Ｗを流
し、過熱を防止する。ガス導入パイグ１８よりガスＧが
導入され、Ｂ側面！℃にあけられた小孔群１５より噴射
する。
１６とｇ４１ｊ面１７と図示せぬ２つの側面とＢＩＩＩ
１ｌｆｌより構成されるジャケット構造となし、背面
１４には例えば銅パイプ１９をろう接して冷却水Ｗを流
し、過熱を防止する。ガス導入パイグ１８よりガスＧが
導入され、Ｂ側面！℃にあけられた小孔群１５より噴射
する。
ジャケット内部はガスが小孔群１５より均一に噴射され
るよう適宜仕切板を入れるなり、ジャケット形状を流体
力学的に最適化することで１本発明の効果はさらに発揮
される。
るよう適宜仕切板を入れるなり、ジャケット形状を流体
力学的に最適化することで１本発明の効果はさらに発揮
される。
ガス導入に関して行われる制御について、公知技術によ
り充分幅方向、長手方向の性能の均一化（実施例１〜３
の共通条件） 回転キャン直径１ ｍ 、幅６５ｃｍ。
り充分幅方向、長手方向の性能の均一化（実施例１〜３
の共通条件） 回転キャン直径１ ｍ 、幅６５ｃｍ。
基板フィルム幅５０ｃｍ０
離をρ とするとβ。−２８Ｃｍ 、ρ１＝４５ｃｍ０
８面の小孔群１６は１′Ｂの孔を４ Ｃ１ｎ間隔に幅方
向に１７個配設した。
８面の小孔群１６は１′Ｂの孔を４ Ｃ１ｎ間隔に幅方
向に１７個配設した。
（実施例４〜５の共通条件）
実施例１〜３と異なりρ。＝ ３１ ｃｍ 、君、 ＝
３５ｃｍとし、１１φの孔を２Ｃｍ間隔に幅方向に３３
ケ配役した。他の条件は実施例１〜３と同じである。
３５ｃｍとし、１１φの孔を２Ｃｍ間隔に幅方向に３３
ケ配役した。他の条件は実施例１〜３と同じである。
〔実施例１〕
ポリエチレンテレフタレート１０．５μｍ ｆ ２５
ｍ／ｍｊｎの速度で捲き取りなからＣｏ１００係を電子
ビーム加熱により蒸発させ、酸素を圧力１．ｔｓＫｇ／
ｃｎｆ ″′ｃＯ−０３６１１／ｍ１ｎ導入し、０．１
５μｍ厚の磁性層を形成した。回転キャンの温度は循環
冷媒を−３０に保持して制御したつ 得られた磁性層を幅方向１２点、長さ方向１０点サンプ
リングして、磁気特性、酸化層厚み、酸化層の質、耐蝕
性、耐摩耗性を調べたところ、抗磁力、角形化は±６チ
以内、酸化層厚みは、±８係で、酸化層の質は同じであ
った。その結果耐蝕性は例えば６００９５％ＲＨ環境下
で８週間以上例の変化もなかった。
ｍ／ｍｊｎの速度で捲き取りなからＣｏ１００係を電子
ビーム加熱により蒸発させ、酸素を圧力１．ｔｓＫｇ／
ｃｎｆ ″′ｃＯ−０３６１１／ｍ１ｎ導入し、０．１
５μｍ厚の磁性層を形成した。回転キャンの温度は循環
冷媒を−３０に保持して制御したつ 得られた磁性層を幅方向１２点、長さ方向１０点サンプ
リングして、磁気特性、酸化層厚み、酸化層の質、耐蝕
性、耐摩耗性を調べたところ、抗磁力、角形化は±６チ
以内、酸化層厚みは、±８係で、酸化層の質は同じであ
った。その結果耐蝕性は例えば６００９５％ＲＨ環境下
で８週間以上例の変化もなかった。
〔実施例２〕
ポリエチレンテレフタレート１２．５μｍｆ ３０ｍ／
ｍｊｎで捲きとりながらＣ０８５％Ｎｉ１５％を電子ビ
ーム加熱により蒸発させ、酸素を圧力２に７／Ｃｒｌで
０ 、０３１２ ／ｍｉ ｎ 導入し、０．１３μｍ厚
の磁性０ 層を形成した回転キャンの循環冷媒幅度は○Ｃとした。
ｍｊｎで捲きとりながらＣ０８５％Ｎｉ１５％を電子ビ
ーム加熱により蒸発させ、酸素を圧力２に７／Ｃｒｌで
０ 、０３１２ ／ｍｉ ｎ 導入し、０．１３μｍ厚
の磁性０ 層を形成した回転キャンの循環冷媒幅度は○Ｃとした。
実施例１と同じサンプリングをして調べた結果、磁性層
の抗磁力、角形比は±５％以内、酸化層厚みは±７係で
、酸化層の質は同一で、耐蝕性は６゜Ｃ９５％ＲＨで９
週間以−４二例の変化もなかった。
の抗磁力、角形比は±５％以内、酸化層厚みは±７係で
、酸化層の質は同一で、耐蝕性は６゜Ｃ９５％ＲＨで９
週間以−４二例の変化もなかった。
〔実施例３〕
ポリイミドフィルム２５μｍ上に３０ｍ ／ ｍ ｉ
ｎで酸素ｆ ０ 、１４２ ／ｍｉｎ （圧力１ Ｋｇ
／ ｃｉ ）導入しながら０．２μｍの厚さに形成し
た００７５％Ｎ１２５係からなる磁性層の抗磁カフｊ′
Ｐｋ角形比の安定性は±６％、酸化層厚みは±６係で酸
化層の質は同じであった。
ｎで酸素ｆ ０ 、１４２ ／ｍｉｎ （圧力１ Ｋｇ
／ ｃｉ ）導入しながら０．２μｍの厚さに形成し
た００７５％Ｎ１２５係からなる磁性層の抗磁カフｊ′
Ｐｋ角形比の安定性は±６％、酸化層厚みは±６係で酸
化層の質は同じであった。
その結果耐蝕性は６０Ｃ９５％ＲＨで９週間以上例の変
化もなかった。
化もなかった。
実施例１〜３において磁性層が形成された記録媒体ｆｆ
：３／’′／ 幅のテープとし１あらかじめλ−０，
８１１の記録を行い、１００”ずつリールに巻き込んで
、夫々前記環境下に放置したのち、６週間、１２週間径
過の時点で再生を行ったが、目づまり、ドロノプアウト
の増加はなく、耐摩耗性も極めて安定していた。
：３／’′／ 幅のテープとし１あらかじめλ−０，
８１１の記録を行い、１００”ずつリールに巻き込んで
、夫々前記環境下に放置したのち、６週間、１２週間径
過の時点で再生を行ったが、目づまり、ドロノプアウト
の増加はなく、耐摩耗性も極めて安定していた。
この系でポリエチレンテレフタレートフィルム１２７１
ｍ厚」二に、Ｃｏ８０％Ｎｉ２Ｏ％、Ｃｏ７０％Ｎｉ
３０％ 、Ｃｏ５０％Ｆｅ５０％ 、Ｃｏ９５％Ｒｈ５
％、Ｃｏ９５％ｖ６％の夫々について酸素導入量を０．
０２〜０．１５Ｂ、／ｍｉｎ の範囲で変化させて、夫
々厚さ０．０６μｍの範囲の磁性層を形成した。
ｍ厚」二に、Ｃｏ８０％Ｎｉ２Ｏ％、Ｃｏ７０％Ｎｉ
３０％ 、Ｃｏ５０％Ｆｅ５０％ 、Ｃｏ９５％Ｒｈ５
％、Ｃｏ９５％ｖ６％の夫々について酸素導入量を０．
０２〜０．１５Ｂ、／ｍｉｎ の範囲で変化させて、夫
々厚さ０．０６μｍの範囲の磁性層を形成した。
夫々の磁性層の性能は実施例１〜３の場合とほぼ同一で
あった。
あった。
又５本発明は、回転キャンの代りに、５ＵＳ３０４の０
．６ｔのエンドレスベルト（幅６０ Ｃｍ。
．６ｔのエンドレスベルト（幅６０ Ｃｍ。
筒長２”）ｋ冷却用支持体として、それに沿わせて高分
子成形物基板を移動させて、磁性層を形成しても効果は
同じであった。
子成形物基板を移動させて、磁性層を形成しても効果は
同じであった。
又、イオンブレーティングとして、高周波コイル２ター
ン、直径ｅｏｃｒ、、をキャンと蒸発源とのほぼ中間位
置に配設し、フィルム幅５０ＣｍでＣＯ，８０係Ｎｉ２
Ｏ係、 Ｃｏ ９５％Ｗ６％、００１００％について夫
々導入酸素条件０．０１５ρ／ｍｉｎ （入射角１５°
以上）で０．１７１ｍ厚の磁性層を形成した。
ン、直径ｅｏｃｒ、、をキャンと蒸発源とのほぼ中間位
置に配設し、フィルム幅５０ＣｍでＣＯ，８０係Ｎｉ２
Ｏ係、 Ｃｏ ９５％Ｗ６％、００１００％について夫
々導入酸素条件０．０１５ρ／ｍｉｎ （入射角１５°
以上）で０．１７１ｍ厚の磁性層を形成した。
その時のフィルム速度は１５ｍ／ｍｉｎ、高周波電力は
１３．６６ＭＨ２で４５０Ｗであった。
１３．６６ＭＨ２で４５０Ｗであった。
得られた膜は全く同様の性能を有することを確かめるこ
とができた。
とができた。
〔実施例４〕
ポリエチレテレフタレートフィルム９．５１１ｍ１３５
ｍ ／ ｍｉ ｎで捲き取りながらＣｏ９０％Ｎｉ１
０％を電子ビーム加熱により蒸発させ、酸素全圧力Ｉ
Ｋｇ ／ ａ７で０．４１／ｍｉｎ導入し、厚さ０．１
６μｍのａ付層を形成した。得られた磁性層の磁気特性
の均一性は±４％以内、酸化層厚みは±６％で、酸化層
の質は同一で耐蝕性は６０Ｃ９５％ＲＨ環境下で１０週
間以上何の変化もみられず安定した信頼性を示した。
ｍ ／ ｍｉ ｎで捲き取りながらＣｏ９０％Ｎｉ１
０％を電子ビーム加熱により蒸発させ、酸素全圧力Ｉ
Ｋｇ ／ ａ７で０．４１／ｍｉｎ導入し、厚さ０．１
６μｍのａ付層を形成した。得られた磁性層の磁気特性
の均一性は±４％以内、酸化層厚みは±６％で、酸化層
の質は同一で耐蝕性は６０Ｃ９５％ＲＨ環境下で１０週
間以上何の変化もみられず安定した信頼性を示した。
〔実施例５〕
ポリアミドフィルム８μｍを２５ ｍ ／ ｍｉ ｎで
捲き取りながら００８３％Ｎ１１７係を電子ビームで加
熱蒸発さぜ酸素ｆ ０ 、１ ｊ！ ／ｍｉ ｎ （圧
力２ 、１ Ｋｇ／面を０．１Ｔｏｒｒの酸素グローに
２．６秒間露呈した（グロー条件：６００Ｖ□、７７Ａ
）結果、磁気特性の均一性は±６．６％、そして酸化
層厚みについてのばらつきは±６．６％、酸化層の質は
同一で耐蝕性は６０′Ｃ９６％ＲＨで１７週間にわたり
変化なしで、極めて信頼性が高い膜を得られることがわ
かる。
捲き取りながら００８３％Ｎ１１７係を電子ビームで加
熱蒸発さぜ酸素ｆ ０ 、１ ｊ！ ／ｍｉ ｎ （圧
力２ 、１ Ｋｇ／面を０．１Ｔｏｒｒの酸素グローに
２．６秒間露呈した（グロー条件：６００Ｖ□、７７Ａ
）結果、磁気特性の均一性は±６．６％、そして酸化
層厚みについてのばらつきは±６．６％、酸化層の質は
同一で耐蝕性は６０′Ｃ９６％ＲＨで１７週間にわたり
変化なしで、極めて信頼性が高い膜を得られることがわ
かる。
以上の各実施例において、蒸着長さが１０００ｍ以上に
なると更に有用性が明確であり、２０００ｍについては
λ−０，８μの記録再生により、出力の安定性±０．２
ｄＢを、３０００ｍについては±０．２３ｄＢ 、４０
００ｍについては±０．２ｄＢを達成できることが確認
された。
なると更に有用性が明確であり、２０００ｍについては
λ−０，８μの記録再生により、出力の安定性±０．２
ｄＢを、３０００ｍについては±０．２３ｄＢ 、４０
００ｍについては±０．２ｄＢを達成できることが確認
された。
以上のように、本発明は磁性層の品質が均一で耐蝕性に
すぐれる磁気記録媒体を生産性良く得るものであり、そ
の工業的価値は極めて大である０
すぐれる磁気記録媒体を生産性良く得るものであり、そ
の工業的価値は極めて大である０
第１図は本発明を実施するだめの蒸着装置の一例な示す
図、第２図は前記装置の要部をなすマス４ りの斜視図である。 １・・・・・基板、２・・・・・・蒸発材判、４・・・
・・回転キャン、６・・・・・・真空容器、８・・・・
・マスク、１６・・・・・小孔群、１８・・・・・・ガ
ス導入パイプ。
図、第２図は前記装置の要部をなすマス４ りの斜視図である。 １・・・・・基板、２・・・・・・蒸発材判、４・・・
・・回転キャン、６・・・・・・真空容器、８・・・・
・マスク、１６・・・・・小孔群、１８・・・・・・ガ
ス導入パイプ。
Claims (1)
- 冷却用支持体に沿って移動する高分子成形物基板に入射
角制限用のマスクにより入射角を制限した強磁性材料の
蒸気流を向かわせ前記基板上に強磁性層を形成するに際
し、前記マスクの前記蒸気流に面する側から少なくとも
酸素を含むガスを噴出せしめることを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142698A JPS5845625A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US06/409,608 US4450186A (en) | 1981-08-20 | 1982-08-19 | Method and device for manufacturing magnetic recording medium |
| DE8282107650T DE3278257D1 (en) | 1981-08-20 | 1982-08-20 | Method and device for manufacturing magnetic recording medium |
| EP82107650A EP0073041B1 (en) | 1981-08-20 | 1982-08-20 | Method and device for manufacturing magnetic recording medium |
| DE198282107650T DE73041T1 (de) | 1981-08-20 | 1982-08-20 | Verfahren und einrichtung zur herstelling von magnetischen aufzeichnungstraegern. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142698A JPS5845625A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5845625A true JPS5845625A (ja) | 1983-03-16 |
| JPS645375B2 JPS645375B2 (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=15321462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56142698A Granted JPS5845625A (ja) | 1981-08-20 | 1981-09-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5845625A (ja) |
-
1981
- 1981-09-09 JP JP56142698A patent/JPS5845625A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS645375B2 (ja) | 1989-01-30 |
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