JPS5848478A - ＩｎΡ系Ｂｅ注入ダイオ−ドの形成方法 - Google Patents
ＩｎΡ系Ｂｅ注入ダイオ−ドの形成方法Info
- Publication number
- JPS5848478A JPS5848478A JP56145469A JP14546981A JPS5848478A JP S5848478 A JPS5848478 A JP S5848478A JP 56145469 A JP56145469 A JP 56145469A JP 14546981 A JP14546981 A JP 14546981A JP S5848478 A JPS5848478 A JP S5848478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- guard ring
- junction
- light receiving
- receiving part
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/225—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
- H10F30/2255—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers form heterostructures, e.g. SAM structures
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイオードを形成する方法、特にＢｅ”注入を
使用してＩｎＰ層にダイオードを形成する方法に関する
。
使用してＩｎＰ層にダイオードを形成する方法に関する
。
ＩｎＰ層にダイオードを形成して成る半導体装置は広い
用途を考えることができるが、光通信用受光素子はその
重要なものの一つである０例えば１μｍ帯光通信用受光
素子は、第１図を参照すると、ＩｎＰ基板１上に光吸収
層２をエピタキシャル成長し、その上にＰＮ接合を形成
して構成される。光吸収層２は、ＩａＰ基板１に格子整
合した多元の半導体層であるが、１．５μｍ帯用ではＩ
ｎＧ１Ａ１を、ｔ ５ ｐｍ帯用ではＩｎＧｍＡｓにＩ
ＮＧ畠ＡｓＰ （この四元層はアンチメルＦパック層の
役割を持つ）を加えたものを、それぞれ用いる。光吸収
層２内にＰＮ接合を設けると暗電流が高くなるので、光
吸収層２の上にＩｆｉＰ層Ｓを成長させた上でＩｎＰ表
面層３ＫＰＮ接合を形成する。
用途を考えることができるが、光通信用受光素子はその
重要なものの一つである０例えば１μｍ帯光通信用受光
素子は、第１図を参照すると、ＩｎＰ基板１上に光吸収
層２をエピタキシャル成長し、その上にＰＮ接合を形成
して構成される。光吸収層２は、ＩａＰ基板１に格子整
合した多元の半導体層であるが、１．５μｍ帯用ではＩ
ｎＧ１Ａ１を、ｔ ５ ｐｍ帯用ではＩｎＧｍＡｓにＩ
ＮＧ畠ＡｓＰ （この四元層はアンチメルＦパック層の
役割を持つ）を加えたものを、それぞれ用いる。光吸収
層２内にＰＮ接合を設けると暗電流が高くなるので、光
吸収層２の上にＩｆｉＰ層Ｓを成長させた上でＩｎＰ表
面層３ＫＰＮ接合を形成する。
第１図では、単一に選択的な熱拡散又はイオン注入を行
なってＩｆｉＰ層に受光部４を形成したプレーナ形ダイ
オードを示した。との構造セは、逆電圧印加時ｍ、ＰＮ
接合面の周辺部で優先的な降伏が発生し、アバ２ンシ、
ホトダイオード（Ａ′ＰＤ）としての正常動作が望めな
い、そとで周辺部での優先的壜降伏を防止するために、
受光部の外周部に環状のガードリング部５を設ける。こ
のガードリング部５は、受光部４と同じＰ影領域である
が、受光部４によるＰＮ接合面を急峻な片側接合（階段
接合）とし、他方ガードリング部５によるＰＮ接合面を
傾斜接合にすると、ガードリング効果が得られることを
ねらった一〇である。
なってＩｆｉＰ層に受光部４を形成したプレーナ形ダイ
オードを示した。との構造セは、逆電圧印加時ｍ、ＰＮ
接合面の周辺部で優先的な降伏が発生し、アバ２ンシ、
ホトダイオード（Ａ′ＰＤ）としての正常動作が望めな
い、そとで周辺部での優先的壜降伏を防止するために、
受光部の外周部に環状のガードリング部５を設ける。こ
のガードリング部５は、受光部４と同じＰ影領域である
が、受光部４によるＰＮ接合面を急峻な片側接合（階段
接合）とし、他方ガードリング部５によるＰＮ接合面を
傾斜接合にすると、ガードリング効果が得られることを
ねらった一〇である。
このようなガードリングを形成するために、特別に低い
温度で熱拡散を行なうことによって拡散不純物の深度分
布をゆるやかな傾斜の本のとして形成する手法がある（
例えばＣｄ拡散を４５０℃で実施し九例がある）、この
ように不純物の接散温度を変えることＫよって不純物の
深度分布のプロフィールを変える手法は基本接衝である
けれども、ガードリング形成には極めて長時間の拡散工
程が必要であり（前記の４５０℃でのＣｄ拡散は５日間
を要した）、シかも、不純物の深度分布を極めてゆゐや
かな傾斜のプロフィールに形成することは任意的ではな
いので、実際には、ガードリング部５の逆耐電圧受光部
４の逆耐電圧と殆んど差がなく、従って低温度拡散でガ
ードリングを形成しようとして亀十分表ガードリング効
果を発揮できないのが現状である。
温度で熱拡散を行なうことによって拡散不純物の深度分
布をゆるやかな傾斜の本のとして形成する手法がある（
例えばＣｄ拡散を４５０℃で実施し九例がある）、この
ように不純物の接散温度を変えることＫよって不純物の
深度分布のプロフィールを変える手法は基本接衝である
けれども、ガードリング形成には極めて長時間の拡散工
程が必要であり（前記の４５０℃でのＣｄ拡散は５日間
を要した）、シかも、不純物の深度分布を極めてゆゐや
かな傾斜のプロフィールに形成することは任意的ではな
いので、実際には、ガードリング部５の逆耐電圧受光部
４の逆耐電圧と殆んど差がなく、従って低温度拡散でガ
ードリングを形成しようとして亀十分表ガードリング効
果を発揮できないのが現状である。
本発明は、十分なガードリング効果を発揮するＩｎＰ系
人ＰＤのガードリングを形成する方法を提示することを
目的の一つとしている。
人ＰＤのガードリングを形成する方法を提示することを
目的の一つとしている。
しかし、本発明は、さらに、ＩｎＰ層にゆるやかな傾斜
プロフィールの不純物分布を形成する方法を提供し、よ
ってその特徴を利用した様々のダイオードを提供するこ
と自体を目的としている。
プロフィールの不純物分布を形成する方法を提供し、よ
ってその特徴を利用した様々のダイオードを提供するこ
と自体を目的としている。
本発明は、ｎ形ＩｎＰ層に選択的Ｂｔ＋注入を行ない、
そのＩｎＰ層表面にＰ含有量が７重量ζ以下の沙ん珪酸
ガラス（ＰＥＧ）薄膜を被着し、その後で熱処理するこ
とを含んでいる方法を提出することによって、上記の目
的を達成する。
そのＩｎＰ層表面にＰ含有量が７重量ζ以下の沙ん珪酸
ガラス（ＰＥＧ）薄膜を被着し、その後で熱処理するこ
とを含んでいる方法を提出することによって、上記の目
的を達成する。
また、本発明においては、上記熱処理の効果を高めるた
めに、前記ＰｓＧ薄膜上に別Ｏ１ｌ電体薄膜を被着して
から熱処理を実施することができる。
めに、前記ＰｓＧ薄膜上に別Ｏ１ｌ電体薄膜を被着して
から熱処理を実施することができる。
本発明においては、Ｂｅ＋注入及びその後のアニール処
理によってＩｎＰ層にダイオードを形成することを本質
的な特徴としており、これによって初めて不純物のゆる
やかな深度分布プロフィールを意図的に形成することが
可能となったのである。
理によってＩｎＰ層にダイオードを形成することを本質
的な特徴としており、これによって初めて不純物のゆる
やかな深度分布プロフィールを意図的に形成することが
可能となったのである。
Ｂｅ注入後にアニール処理したＩｎＰ層におけるＢｅ不
純物の深度分布は、従来、十分に調べられていないが、
数少なり報告を参照しながら本発明の特徴を以下に説明
する。
純物の深度分布は、従来、十分に調べられていないが、
数少なり報告を参照しながら本発明の特徴を以下に説明
する。
その数少ない報告の−っは、熱処理用保護膜としてプラ
ズマＣＶ Ｄ ＝ ８１！ＩＮ４薄膜を用い死場合でＩ
ｎＰＫＢｅ＋注入を行ない、その打込みＢｅ不純物の濃
度ピークが２ Ｘ １０” ａｍ−’より低い場合には
、熱処理後のＢｅ ｊ［子の深度分布は渫部側で急激に
減少すると述べている（Ｗ、Ｊ、 Ｄｅマ１１ｎ他、Ｉ
ｎ５ｔ、Ｐｈｙｓ、Ｃｏｎｆ、８ｅｒ、 ｌ６４５．
Ｌｏｎｄｏｎ。
ズマＣＶ Ｄ ＝ ８１！ＩＮ４薄膜を用い死場合でＩ
ｎＰＫＢｅ＋注入を行ない、その打込みＢｅ不純物の濃
度ピークが２ Ｘ １０” ａｍ−’より低い場合には
、熱処理後のＢｅ ｊ［子の深度分布は渫部側で急激に
減少すると述べている（Ｗ、Ｊ、 Ｄｅマ１１ｎ他、Ｉ
ｎ５ｔ、Ｐｈｙｓ、Ｃｏｎｆ、８ｅｒ、 ｌ６４５．
Ｌｏｎｄｏｎ。
Ｔｈｅ Ｉｎ５ｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓ１ｃ＠、
１９７９．Ｐ、５１０参照）、シかし、本発明者らは、
Ｐ含有量が７重量ζ以下ｏｃｖｎ−ｐｓｏ薄膜をＩｎＰ
表面層に被着して熱処理用保護膜とすると、Ｂｅ十土性
ＩＭＦ表面層をアニール処理した場合、打込み時の゛Ｂ
ｅ不純物の濃度ピークが２ Ｘ １０” ａｓ−’よシ
低いときでも、Ｂｅ不純物分布は深部側で顕著１（Ｂｅ
拡散が行なわれ九分布となることを見出した。＠５図に
％ 加１［電圧１５０ ｋ＠ＶζＢ＠”注入量Ｉ Ｘ唱
０１３１！！ｌＩｌ″２でイオン注入し、７！ＳＯ℃で
アニール処理した場合（ＤＢ＊ ｇ子濃度を、アニール
処理部イオン注入時の分布人及びアニール処理後の分布
Ｂとして示した。Ｂｅ不純物のイオン注入時の濃度ピー
タは２ Ｘ １０１８ ＝−５よ）低いのであるが、７
ｘ−ルミ理後の分布曲線ｉはゆるヤかな傾斜プロフィー
ルとなっていることが見られる。参考のために、加速電
圧１５０ｋｅＶ、Ｂ・土性入量５×１０” ｃｓ−”で
イオン注入し、注入Ｂ・＋の濃度ピークを約１０１９国
−ＩＳ、−即ち２ Ｘ １０” ｍ””よシ高い濃度ピ
ークとしくその分布曲線Ｘ）、アニール処理して得られ
たＢｅ原原子一度の分布Ｙを同図に示し九が、これらＯ
分布曲線を比較すると、曲ｌｓＢが曲線Ｙと同様にゆる
やかな傾斜であることが明らかであろう０本発明は、前
記の報告と相違する本発明者らによるこの実験事実に基
づいてなされたも゛のである。
１９７９．Ｐ、５１０参照）、シかし、本発明者らは、
Ｐ含有量が７重量ζ以下ｏｃｖｎ−ｐｓｏ薄膜をＩｎＰ
表面層に被着して熱処理用保護膜とすると、Ｂｅ十土性
ＩＭＦ表面層をアニール処理した場合、打込み時の゛Ｂ
ｅ不純物の濃度ピークが２ Ｘ １０” ａｓ−’よシ
低いときでも、Ｂｅ不純物分布は深部側で顕著１（Ｂｅ
拡散が行なわれ九分布となることを見出した。＠５図に
％ 加１［電圧１５０ ｋ＠ＶζＢ＠”注入量Ｉ Ｘ唱
０１３１！！ｌＩｌ″２でイオン注入し、７！ＳＯ℃で
アニール処理した場合（ＤＢ＊ ｇ子濃度を、アニール
処理部イオン注入時の分布人及びアニール処理後の分布
Ｂとして示した。Ｂｅ不純物のイオン注入時の濃度ピー
タは２ Ｘ １０１８ ＝−５よ）低いのであるが、７
ｘ−ルミ理後の分布曲線ｉはゆるヤかな傾斜プロフィー
ルとなっていることが見られる。参考のために、加速電
圧１５０ｋｅＶ、Ｂ・土性入量５×１０” ｃｓ−”で
イオン注入し、注入Ｂ・＋の濃度ピークを約１０１９国
−ＩＳ、−即ち２ Ｘ １０” ｍ””よシ高い濃度ピ
ークとしくその分布曲線Ｘ）、アニール処理して得られ
たＢｅ原原子一度の分布Ｙを同図に示し九が、これらＯ
分布曲線を比較すると、曲ｌｓＢが曲線Ｙと同様にゆる
やかな傾斜であることが明らかであろう０本発明は、前
記の報告と相違する本発明者らによるこの実験事実に基
づいてなされたも゛のである。
次に、別の一つ０報告は、ｌ５Ｐ）ＣＢｅ＋ｌＩ人を行
なったウェーハに、約８重量％ＯＰを含有するｃｖＤ−
ｐｓｏ’＊ｘｔ表裏両面ｇ被着して、又は片面に被着し
かつＰＨｓ ガス雰囲気中で、保護膜アニール処理し
た場合、打込みＢｅ不純物の濃度ピークが２Ｘ１０”ａ
ｓ→より低ければ、Ｂｅ不純物の深度分布はＬ８８分布
（Ｌｌｎｄｈａｒｄ Ｂｃｈａｒｆおよび８ｃｈ１ｏｔ
ｔの分布）を維持すると電気化学的な測定の結果から主
張している（Ｊ、Ｐ、ＤｏｎｎｅｌｌｙおよびＣ，Ａ、
Ａｒｍ１ｅｎｔｏ、 人ｐｐ１．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ。
なったウェーハに、約８重量％ＯＰを含有するｃｖＤ−
ｐｓｏ’＊ｘｔ表裏両面ｇ被着して、又は片面に被着し
かつＰＨｓ ガス雰囲気中で、保護膜アニール処理し
た場合、打込みＢｅ不純物の濃度ピークが２Ｘ１０”ａ
ｓ→より低ければ、Ｂｅ不純物の深度分布はＬ８８分布
（Ｌｌｎｄｈａｒｄ Ｂｃｈａｒｆおよび８ｃｈ１ｏｔ
ｔの分布）を維持すると電気化学的な測定の結果から主
張している（Ｊ、Ｐ、ＤｏｎｎｅｌｌｙおよびＣ，Ａ、
Ａｒｍ１ｅｎｔｏ、 人ｐｐ１．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ。
５４ （１） 、Ｊａｎｕａｒｙ １ 、１９７９．
Ｐ、 ９４ 参照）、シかし、本発明者らは、この場
合に％、アニール処理後にＢ＠不純物の深度分布はゆる
やかな傾斜Ｏプロフィールとなり、Ｂ・不純物分布は深
奥部までゆる中かな傾斜で延びて−ることを見い出した
。
Ｐ、 ９４ 参照）、シかし、本発明者らは、この場
合に％、アニール処理後にＢ＠不純物の深度分布はゆる
やかな傾斜Ｏプロフィールとなり、Ｂ・不純物分布は深
奥部までゆる中かな傾斜で延びて−ることを見い出した
。
第４図に１注入エネルギー１５０ｋｅｙ、Ｂｅ注入量Ｉ
Ｘ １０１３ａｓ−’ （この場合の濃度ピークは約
２Ｘ１０ ａｓ であム）でイオン注入し、７５０
℃でアニール処理した場合の正孔濃度分布りを示した。
Ｘ １０１３ａｓ−’ （この場合の濃度ピークは約
２Ｘ１０ ａｓ であム）でイオン注入し、７５０
℃でアニール処理した場合の正孔濃度分布りを示した。
ｔた、Ｂｅ十十人入量５Ｘ １０１４ｎｓ−” （濃度
ピーク約１×１０ ａｌ ）の場合Ｖを比較のために併
記し九、同図から、濃度ピークが１０５１ よシ低い場
合も、１０” ｏｔｔ−”よシ高い場合と同様に１アニ
ール処理後の正孔濃度分布はゆるやかな傾斜を持う九プ
四ツイールとなっていることが明らかである０本発明は
、第二の報告と相異する本発明者らの見い出したこのよ
うな事ｇＡＫも基づいているものである。
ピーク約１×１０ ａｌ ）の場合Ｖを比較のために併
記し九、同図から、濃度ピークが１０５１ よシ低い場
合も、１０” ｏｔｔ−”よシ高い場合と同様に１アニ
ール処理後の正孔濃度分布はゆるやかな傾斜を持う九プ
四ツイールとなっていることが明らかである０本発明は
、第二の報告と相異する本発明者らの見い出したこのよ
うな事ｇＡＫも基づいているものである。
こうして本発明の方法は、ＩｎＰ層におけるＢｅＩ＋の
深度分布においてゆるやかな傾斜を有するプロフィール
を与えることが明らかとなった。
深度分布においてゆるやかな傾斜を有するプロフィール
を与えることが明らかとなった。
本発明方法を用＾て第２図に示したガードリング５を形
成したととろ、受光部４の端部における降伏のない曳好
なガードリング効果を有する人ＰＤ装置を製造すること
ができた。
成したととろ、受光部４の端部における降伏のない曳好
なガードリング効果を有する人ＰＤ装置を製造すること
ができた。
まえ、本発明の方法は、上聞Ｂ・十分布プロフィールか
ら予想されるように１耐逆電圧、低リーク電流を示すダ
イオードを利用したＩｎＰ−ＩＣを製造すること、など
にも広く応用できることは当業者には明らかであろう。
ら予想されるように１耐逆電圧、低リーク電流を示すダ
イオードを利用したＩｎＰ−ＩＣを製造すること、など
にも広く応用できることは当業者には明らかであろう。
なお、Ｂ・土性入機、ＰＥＧ被着法及び熱処理（アニー
ル処理）法は、慣用のいずれの方法によるとと−できる
こと社当業者にとって拡明らかであろう。
ル処理）法は、慣用のいずれの方法によるとと−できる
こと社当業者にとって拡明らかであろう。
第１図はガードリング無し人ＦＤの断面構造概略図であ
り１ 第２図はガードリング付きＡＰＤの断面構造概略図であ
シ、 第Ｓ図はＰ８Ｇ保穫膜を用い九Ｂ＠＋注入ＩｎＰＯ熱処
理の前後のＢｅ不純物濃度分布を示す図であり、 第４図はＰＳＧ保護膜を用い九Ｂ＠＋注入ＩｎＰＯ熱処
理の前後の正孔の濃度分布を示す図である。 １：ｎ十−ＩｎＰ基板、 ２：ｎ−光吸収層、５：ｎ
−ＩｎＰウィンド層、 ４：ｐ＋−受光部、５：ｐ−
ガードリング部、 ’ ： ｆｉ −Ｉ ｎ ｐバッ
ファ一層； 曲線人、Ｘ、Ｃ，Ｕ：熱処理前、曲線Ｂ、
Ｙ、Ｄ、Ｖ：熱処履後。 以下余白 第１図 集２図 １ＪｐＪ３覆 Ｏｉ ２ ３ ４
表面からの距離（μｍ） ｆｌＪ、４０ 表面からの距１Ｉｉ（μｍ）
り１ 第２図はガードリング付きＡＰＤの断面構造概略図であ
シ、 第Ｓ図はＰ８Ｇ保穫膜を用い九Ｂ＠＋注入ＩｎＰＯ熱処
理の前後のＢｅ不純物濃度分布を示す図であり、 第４図はＰＳＧ保護膜を用い九Ｂ＠＋注入ＩｎＰＯ熱処
理の前後の正孔の濃度分布を示す図である。 １：ｎ十−ＩｎＰ基板、 ２：ｎ−光吸収層、５：ｎ
−ＩｎＰウィンド層、 ４：ｐ＋−受光部、５：ｐ−
ガードリング部、 ’ ： ｆｉ −Ｉ ｎ ｐバッ
ファ一層； 曲線人、Ｘ、Ｃ，Ｕ：熱処理前、曲線Ｂ、
Ｙ、Ｄ、Ｖ：熱処履後。 以下余白 第１図 集２図 １ＪｐＪ３覆 Ｏｉ ２ ３ ４
表面からの距離（μｍ） ｆｌＪ、４０ 表面からの距１Ｉｉ（μｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ｎ形ＩｎＰ層に選択的Ｂｅ注入を行ない、該Ｉ
ｎＰ層表面にシん、含！量が７重量パーセント以下のり
ん珪酸ガラス薄膜を被着し、そしてそれを熱処理する工
程を含んでいることを特徴とするＩｎＰ層にダイオード
を形成する方法。 ２ 前記熱処理を、前配りん珪酸ガラス薄膜上に他の誘
電体薄膜を被着して、から実施する、特許請求の範囲第
１項記載０方法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145469A JPS5848478A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | ＩｎΡ系Ｂｅ注入ダイオ−ドの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145469A JPS5848478A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | ＩｎΡ系Ｂｅ注入ダイオ−ドの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848478A true JPS5848478A (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=15385956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145469A Pending JPS5848478A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | ＩｎΡ系Ｂｅ注入ダイオ−ドの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848478A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7538367B2 (en) | 2005-09-12 | 2009-05-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Avalanche photodiode |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56145469A patent/JPS5848478A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7538367B2 (en) | 2005-09-12 | 2009-05-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Avalanche photodiode |
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