JPS5854157B2 - セフアロスポリン化合物の新規誘導体ならびにその製造方法 - Google Patents

セフアロスポリン化合物の新規誘導体ならびにその製造方法

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JPS5854157B2
JPS5854157B2 JP52068699A JP6869977A JPS5854157B2 JP S5854157 B2 JPS5854157 B2 JP S5854157B2 JP 52068699 A JP52068699 A JP 52068699A JP 6869977 A JP6869977 A JP 6869977A JP S5854157 B2 JPS5854157 B2 JP S5854157B2
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alkyl group
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敦城 山崎
哲哉 前田
嘉信 長野
憲昭 長野
正治 藤本
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Yamanouchi Pharmaceutical Co Ltd
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    • C07D501/00Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
    • C07D501/14Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式 で示される新規なセファロスポリン誘導体またはその塩
およびそれらの製造法に関する。
上記一般式の化合物中、 Aは式 (式中 R2は置換基として水酸基を有していてもよい、低級ア
ルキル基を意味する)で示される基又は式(式中、 3 及びR4 は同−又 は異って水素原子、水酸基、低級アルコキシ基、ヒドロ
キシ低級アルキル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシ
基、置換基として低級アルキル基を有していてもよいカ
ルバモイル基又は結合手を、R5は水素原子又は結合手
を意味する。
但し、R3は結合手を意味することなく、またR4 と
R5とは相互に異る置換基を意味する)で示される基を
、R1は水素原子または低級アルキル基を意味している
従ってAの代表的なものとして次のものを挙げることが
できる。
4−シアノ−3−ヒドロキシ−5−インチアゾリル基、
3−ヒドロキシ−4−フェニル−5−イソチアゾリル基
、3−アミノ−4−シアノ−5−イソチアゾリル基、4
−シアノ−3−メトキシ5−イソチアゾリル基、3−ヒ
ドロキシ−4−ジメチルアミノカルボニル−5−インチ
アゾリル基、3−ヒドロキシ−5−インチアゾリル基、
4−カルバモイル−3−ヒドロキシ−5−インチアゾリ
ル基、3−ヒドロキシ−4−ヒドロキシメチル5−イン
チアゾリル基、4−カルボキシ−3−ヒドロキシ−5−
インチアゾリル基、4−シアノ3−メチルチオ−5−イ
ンチアゾリル基、4−シアノ−2−メチル−3−オキソ
−2・3−ジヒドロ−5−イソチアゾリル基、4−シア
ノ−2−ヒドロキシエチル−3−オキソ−2・3−ジヒ
ドロ5−イソチアゾリル基、3−ヒドロキシ−4ヒドラ
ジノカルボニル−5−インチアゾリル基、4−アミノメ
チル−3−ヒドロキシ−5−イソチアゾリル基、’41
0ロー3−ヒドロキシー5イソチアゾリル基。
Aで示されるインチアゾリル基のうち、3一位に水酸基
を有するものは、下式で示されるケト−エノール異性体
が存在するが、本発明においてはこれらの両者を包含す
る。
つぎに上記一般式(I)で示される化合物の塩としては
、薬学上許容される非毒性の塩であって、例えばナトリ
ウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、アンモニウム
塩またはジシクロヘキシルアミン塩、シクロヘキシルア
ミン塩、トリメチルアミン塩、トリエチルアミン塩、エ
タノールアミン塩、オルニチン塩、リジン塩等の有機塩
基との塩が挙げられる。
本発明によって提供されるセファロスポリン誘導体(I
)またはその塩は新規な化合物でグラム陽性およびグラ
ム陰性両画に対する抗菌力を有し、殊に後者に対する効
力がすぐれているから医薬品、飼料の添加剤、食品およ
び化学工業製品の保存剤等として有用である。
今その抗菌力(最小有効阻止濃度)をセファゾリン(化
学名ニア−(α(IH−テトラゾール−1−イル)アセ
トアミド)3−(5−メチル−1・3・4−チアジアゾ
ール−2−イル)チオメチル−△3−セフェムー4カル
ボン酸二表中CEZと略記)と対比して表示するとつぎ
の通りである。
本発明化合物中、例えば実施例9.10及び11の化合
物は更に以下の各種微生物に対してもン*優れた抗菌力
を示す。
以上の如く、本発明によって提供される化合物は広範囲
の病原菌に対してすぐれた抗菌力を有している。
これらの化合物は経口的あるいは非経口的に投与され、
投与量は成人で通常1日約250〜300即を3〜4回
に分けて行なわれる。
しかし投与量は年令、症状、体重に応じて適宜調節さぶ
※れ、必要によりこれ以上を投与することもできる。
本発明によれば、前記一般式(I)で示される化合物は
つぎの方法により製造することができる。
第1方法:この方法を反応式で示せばつぎの通りである
(式中Xはハロゲン原子を意味する。
また、AおよびR1は前記の意味を有する。
)第1方法により本発明の目的化合物(I)を生成せし
める反応は7−バロアセトアミドーセフアロスポリン誘
導体(II −a)またはその塩に置換基を有すること
もあるメルカプトイソチアゾールのアルカリ金属塩を作
用させることによって行なわれる。
反応は、通常溶媒中で行なわれる。
溶媒は反応に関与しないものであれば特に制限はないが
、たとえば水、メタノール、アセトン、テトラヒドロフ
ラン、ジメチルホルムアミド又はその混合溶媒が使用さ
れる。
反応はまた室温乃至冷却下で塩基の存在下行なうと良い
(I[I−a)の化合物は通常メルカプトイソチアゾー
ルのメルカプト基をアルカリ金属塩として使用すること
ができるが、そのまま使用す*トる際は塩基としてたと
えばトリエチルアミン、N・N−ジメチルアニリン、N
−エチルモルホリン、ピリジン、コリジン、2・6−ル
チジンなどの脂肪族、芳香族または複素環式塩基または
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、
炭酸水素カリウムなどの炭酸あるいは重炭酸アルカリ金
属塩の存在下に行なわれる。
(I[−a)の7−バロアセトアミドーセフアロスポリ
ン誘導体におけるXのハロゲン原子としてはクロル原子
、ブロム原子、フッ素原子が挙げられる。
この反応における(II−4)と(III−a)の化合
物の使用割合は、(II−a)1モルに対しくIII−
a)1〜2モルが適当である。
反応液から生成物の単離は常法によって行なわれ、クロ
マトグラフィーによる分離、あるいは溶媒による抽出が
用いられる。
第2方法:この方法はつぎの反応式で示される。
(式中R6は水素原子またはカルボキシ基の保護基を意
味する。
またA及びR1は前記の意味を有する。
)第2方法により本発明の目的化合物(I)を生成せし
める反応は、7β−アミノセファロスポリン誘導体(I
I−b)またはその塩に置換基を有するイソチアゾリル
チオ酢酸(III−b)またはそれらのカルボキシ基に
おける反応性誘導体を反応させて式(■)で示される化
合物を作り、該化合物のR6がカルボキシ基の保護基で
あるときは次いでこれを除去することによって行なわれ
る。
上記化合物(n−b)と(I[I−b)の反応は通常溶
媒中で行なわれる。
好ましい溶媒としてはアセトン、クロロホルム、塩化メ
チレン、塩化エチレン、テトラヒドロフラン、ジメチル
ホルムアミド、アセトニトリル、酢酸エチル、ギ酸エチ
ル等が挙げられる。
これらの溶媒は、単独で、あるいは混合して使用され、
水溶性のものは水と混合して使用することもできる。
i* 化合物(III−b)の
チオ酢酸のカルボキシ基における反応性誘導体の好適な
ものは、酸ハライド、混合酸無水物、活性エステル、活
性アミド、酸無水物、酸アジド等である。
化合物(m−b)を遊離の状態で作用させるときは、縮
合剤を使用するとよい。
縮合剤としてはN −N’−ジシクロへキシルカルボジ
イミド、N −N’−ジエチルカルボジイミド等が適当
である。
この反応で生成した7β−アシルアミノセファロスポリ
ン誘導体(IV)は常法により反応液から単離され、必
要によりクロマトグラフィー等により精製される。
また、こうして得られた7β−アシルアミノセファロス
ポリン誘導体(■)のカルボキシ基が保護されていると
きは、常法によってこれを除去して目的化合物(I)に
導くことができる。
第3方法;本発明の目的化合物(I)は下式の反応によ
っても製造される。
(式中R7はアセチル基またはカルバモイル基を示す。
またAおよびRは前記の意味を有する。)この方法は7
β−アシルアミド−セファロスポリン誘導体(n−c)
または、その塩類に1−メチル−IH−テトラゾール−
5−チオールまたはそのメルカプト基の水素におけるア
ルカリ土属置換体と反応させることにより行なわれる。
反応は室温乃至加温下で、通常溶媒中で行なわれる。
反応に関与しない溶媒としては、アセトン、ジメチルホ
ルムアミド、メタノール、エタノール、水またはリン酸
緩衝液があるが、これらは必要により混合して使用され
る。
本反応は中性付近で行うとよい。
出発物質として1−メチル−1H−テトラゾール−5−
チオールを遊離の状態で用いる場合は水酸化アルカリ、
炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリ、トリアルキルアミン
、ピリジン、ジメチルアニリン等の塩基の存在下で行な
うのが好適である。
反応終了後に生成物を単離するには、反応液を酸性とな
すことにより、沈殿する生成物を採取するか溶媒抽出に
よる方法が用いられる。
以上の方法により得られた本発明の目的化合物の代表的
なものは、 7β−(4−シアノ−3−ヒドロキシイソチアゾール−
5−イル)チオアセトアミド−7α−メトキシ−3−(
1−メチルテトラゾール−5−イル)チオメチル−Δ3
−セフェムー4−カルボン酸 7β−(3−ヒドロキシイソチアゾール−5イル)チオ
アセトアミド−7α−メトキシ−3(1−メチルテトラ
ゾール−5−イル)チオメチル−△3−セフェムー4−
カルボン酸 7β−(4−カルボキシ−3−ヒドロキシイソチアゾー
ル−5−イル)チオアセトアミド−7α−メトキシ−3
−(1−メチルテトラゾール−5−イル)チオメチル−
△3−セフェムー4−カルボン酸
*(DL−7β−〔α−(4−シアノ
−3−ヒドロキシイソチアゾール−5−イルチオ)プロ
ピオナミド〕−7α−メトキシ−3−(1−メチルテト
ラゾール−5−イル)チオメチル−△3−セフェムー4
−カルボン酸 これらの化合物は常法によって、それらの非毒性塩に導
くことができる。
通常用いられる方法としては、たとえばこれらの化合物
に2−エチルヘキサン酸アルカリ金属のn−ブタノール
溶液を加え、次に溶解性の異なるエーテル、酢酸エチル
等の有機溶媒を加えることにより、本発明の目的化合物
のアルカリ金属塩を、また、ジシクロヘキシルアミン、
トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリメチル
アミン、アルギニン、リジン、オルニチン、ジェタノー
ルアミン等の有機塩基を等量乃至小過剰量加えて反応さ
せることにより、本発明は目的化合物の有機塩基を、さ
らにアンモニア水を加えることによりアンモニウム塩を
得る方法がある。
つぎに実施例を挙げて、本発明の製造方法を具体的に説
明する。
なお、以下の実施例で原料とされるイソチアゾール誘導
体の大部分は文献未記載の化合物であるが、それらは公
知のインチアゾール誘導体である4−シアノ−3−ヒド
ロキシ−5メルカプトイソチアゾールの製造方法(W、
R。
Hatchard等、J、 Org、 Chem、
(28)、2164)に準じて製造し、あるいはそうし
て得られたイソチアゾール誘導体をさらに常法により処
理して製造したものである。
実施例 1 3−ヒドロキシ−5−メルカプトイソチアゾールのジナ
トリウム塩123■をメタノール5mlに溶解させ、こ
の溶液に水冷下、7β〜ブロモアセトアミド−7α−メ
トキシ−3−(1−メチルテトラゾール−5−イル)チ
オメチル−△3−セフェムー4−カルボン酸250■を
メタノール4Mにとかした溶液を滴下し、更に室温にも
どして2時間かきまぜる。
反応終了後、反応溶媒を減圧留去し、少量の水を加えて
5%塩酸水でpH1とする。
n−ブタノ−ルー酢酸エチル(容量比1:1)混液で抽
出し、有機層を水洗、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。
溶媒を減圧留去して得られた残留物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーに対し、クロロホルム−メタノール
−ギ酸(容量比80:20:3)混液で溶出して、7β
−(3−ヒドロキシインチアゾール5−イル)チオアセ
トアミド−7α−メトキシ3−(1−メチルテトラゾー
ル−5−イル)チオメチル−△ −セフェム−4−カル
ボン酸153■を得る。
核磁気共鳴スペクトル(D6−DMSO)δ(ppm
) ; 3.38 (3H)、3.60(2H)3.9
0(3H)、3.94(3H) 4.30(2H)、5.10(IH) 6.61(LH)、 実施例 2 4−シアノ−3−ヒドロキシ−5−メルカプトイソチア
ゾールのジナトリウム塩140■をメ**タノール6m
lに溶解させ、この溶液に水冷下、7β−ブロモアセト
アミド−7α−メトキシ−3(1−メチルテトラゾール
−5−イル)チオメチル−△3−セフェムー4−カルボ
ン酸250■をメタノール4mlにとかした溶液を滴下
し、更に室温にもどして2時間かきまぜる。
反応終了後、実施例1と同様の操作を行い7β(4−シ
アノ−3−ヒドロキシイソチアゾール5−イル)チオア
セトアミド−7α−メトキシ3−(1−メチルテトラゾ
ール−5−イル)チオメチル−△3−セフェムー4−カ
ルボン酸1601vを得る。
核磁気共鳴スペクトル(D6−DMSO)δ(ppm)
; 3.39 (3H)、3.59(2H)3.92
(3H)、4.11(2H) 4.28(2H)、5.10(IH) 上記実施例2に準じて、つぎの化合物を合成した。
得られた化合物をその理化学的性状とともに示す。
実施例 9 液体アンモニア10m1中に4−カルボキシ−5エチル
チオ−3−ヒドロキシイソチアゾール270W1f/を
懸濁させ、−50’Cに冷却して金属ナトリウム100
■を加え、−50〜−33℃で30分間かきまぜる。
液体アンモニアを留去し、得られる残留物をメタノール
20rrLlに溶解させ、水冷下7β−ブロモアセトア
ミド−7α−メトキシ−3−(1−メチルテトラゾール
−5−イル)チオメチル−△3−セフェムー4−カルボ
ン酸600即のメタノール溶液10TfLlを滴下し、
更に水冷下30分間かきまぜた後、室温にもどして30
分間かきまぜる。
反応終了後、4規定塩酸でpH4とした後、反応溶媒を
減圧留去する。
残留物に水を加え次いで4規定塩酸でpH1とし、ブタ
ノール−酢酸エチル(容量比1 : 1 )混液50m
1で抽出する。
有機層を2回水洗し、次い〉*で飽和塩化す) IJウ
ム水溶液にて1回洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥し
、溶媒を減圧留去する。
残留物にエーテル30縦を入れ、析出した沈殿物を濾過
し、エーテル各20m1で3回洗浄後、減圧乾燥して7
β−(4−カルボキシ−3−ヒドロキシイソチアゾール
−5−イル)チオアセトアミド7α−メトキシ−3−(
1−メチルテトラゾール−5−イル)チオメチル−△3
−セフェムー4−カルボン酸の粉末560■を得る。
核磁気共鳴スペクトル(D6−DMSO)δ(ppm
) ; 3.41 (3H)、3.58(2H)3.9
3(3H)、3.99(2H) 4.28(2H)、5.10(IH) 上記実施例10に準じて、つぎの化合物を合成した。
得られた化合物をその理化学的性状とともに示す。
実施例 12 7β−アミノ−7α−メトキシ−3−(1−メチルテト
ラゾール−5−イル)チオメチル−△3−セフェムー4
−カルボン酸ベンズヒドリルエステル300■を塩化メ
チレン7yrLl中にとかし、−3Q℃に冷却してピリ
ジン460■を加える。
次いで、(4−シアノ−3−メトキシインチアゾール−
5−イル)チオ酢酸カリウム240■を塩化メチレン1
01rLl中に懸濁させ、オキサリルクロリド170r
rI9、ジメチルホルムアミド−滴より調製した酸クロ
リド溶液を一30℃〜−20℃で滴下し、同温度で1時
間かきまぜた後、クロロホルム30m1を加えて2%塩
酸で2回、飽和塩化ナトリウム水で2回洗浄後、有機層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥する。
溶媒を減圧留去して得られた残留物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーに付し、クロロホルム−インプロパ
ツール(容量比10:1)混合溶媒で溶出して、7β−
(4−シアノ−3−メトキシイソチアゾール−5−イル
)チオアセトアミド−7α−メトキシ−3−(1メチル
テトラゾール−5−イル)チオメチル−8*△3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル190■
を得る。
このもの170■を塩化メチレン2mlに溶解させ、ト
リフルオロ酢酸アニソール混液1.6mA!(容量比3
:1)を−15〜−5℃で滴下する。
同温度で40分間かきまぜた後、溶媒を減圧留去して得
られた残留物にエーテル10m71!を加えて20分間
かきませる。
次いで減圧沢過して得られた沈殿物をエーテルで充分洗
浄後、減圧乾燥して7β−(4−シアノ−3−メトキシ
インチアゾール−5−イル)チオアセトアミド−7α−
メトキシ−3−(1−メチルテトラゾール−5−イル)
チオメチル−△3−セフェムー4−カルボン酸の粉末1
20■を得る。
核磁気共鳴スペクトル(D、−DMSO)δ(ppm)
: 3−40 (3H)、3.58(2H)3.92
(3H)、3.99(3H) 4.15(2H)、4.18(2H) 5.12(IH)、 上記実施例13に準じてつぎの化合物を合成した。
得られた化合物をその理化学的性状とともに示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1一般式 換基として水酸基を有していてもよい低級アルキル基を
    意味する)で示される基又は武 具って水素原子、水酸基、低級アルコキシ基、ヒドロキ
    シ低級アルキル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシ基
    、置換基として低級アルキル基を有してもよいカルバモ
    イル基又は結合手を、R5は水素原子又は結合手を意味
    する。 但し、R3は結合手を意味することなく、またR4 と
    R5とは相互に異る置換基を意味する)で示される基を
    、R1は水素原子又は低級アルキル基を意味する〕で示
    される新規なセファロスポリン誘導体。 2 Aが4−シアノ−3−ヒドロキシイソチアゾール−
    5−イル基である特許請求の範囲第1項記載の化合物。 3 Aが3−ヒドロキシイソチアゾール−4〜イル基で
    ある特許請求の範囲第1項記載の化合物。 4 Aが4−カルボキシ−3−ヒドロキシイソチアゾー
    ル−5−イル基である特許請求の範囲第1項記載の化合
    物。 5 一般式 (式中、Xはハロゲン原子を、 は低級アルキル基を意味する) で示される化合物と、一般式 %式% 換基として水酸基を有していてもよい低級アルキル基を
    意味する)で示される基又は式 *異って水素原子、水酸基、低級アルコキシ基、ヒドロ
    キシ低級アルキル基、アミン基、シアノ基、カルボキシ
    基、置換基として低級アルキル基を有していてもよいカ
    ルバモイル基、又は結合手を、R5は水素原子又は結合
    手を意味する。 但し、R3は結合手を意味することなく、またR4 と
    R5とは相互に異る置換基を意味する)で示される基を
    意味する。 〕で示される化合物とを反応させることを特徴とする一
    般式 (式中、A及びR1は前記の意味を有する)で示される
    新規なセファロスポリン誘導体の製造法。 6 一般式(II−a)で示される化合物におけるXが
    ブロム原子であることを特徴とする特許請求の範囲第5
    項記載の製造法。 7 一般式 (式中、R6は水素原子又はカルボキシ基の保護基を意
    味する) で示される化合物と、一般式 置換基として水酸基を有していてもよい低級アルキル基
    を意味する)で示される基又は式 (式中R3及びR4 は同−又は * *異って水素原子、水酸基、低級アルコキシ基、ヒドロ
    キシ低級アルキル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシ
    基、置換基として低級アルキル基を有していてもよいカ
    ルバモイル基又は結合手を、R5は水素原子又は結合手
    を意味する。 但し、R3は結合手を意味することな(、またR4 と
    R5とは相互に異る置換基を意味する)で示される基を
    、R1は水素原子又は低級アルキル基を意味する〕 で示される化合物又はそのカルボキシ基における反応性
    誘導体とを反応させて、一般式 (式中、A、 R’及びR6は前記の意味を有する)で
    示される化合物を得、R6がカルボキシ基の保述※護基
    であるときはこれを除去することを特徴とする一般式 (式中、A及びR1は前記の意味を有する)で示される
    新規なセファロスポリン誘導体の製造法。 8 一般式(n−b)の化合物におけるR6がベンズヒ
    ドリル基である特許請求の範囲第7項記載の製造法。 く同 一般式(
    m−b)の化合物におけるカルボキシ基の反応性誘導体
    が酸ハライドまたは混合酸無水物である特許請求の範囲
    第7項記載の製造法。
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