JPS5864370A - 無電解めつき浴 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁化によってｉ録
を行う、ｂわゆる垂直１録に用する磁気記録媒体（磁性
膜）を作製するめっき浴に関するものである。

従来、一般の磁気ディスク装置などの磁気記録装置にお
ｈては、基板上く形成された磁気記録媒体にリング型磁
気ヘッドによって水平方向に磁化するととＫよシ記練を
行なってｂる。

しかし、水平磁化による記録には記録信号が短波長に９
るに従い、即ち記録密度の増加に従って。

媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と回転を生じ
、再生出力が著しく減少するという欠点が存在する。そ
こで、この問題点解決のため短波長くなる１反磁界が小
さくなる性質をもつ垂直記録方式が提案され、仁の垂直
記録に適した磁気記録媒体としては、膜厚に垂直な方向
に磁化容易軸を−りＣｏ　−Ｃｒスパッタ膜が提案され
ている。そして、この垂直磁化記録方式は従来の水平方
向の磁化による記録方式にくらべて高密度記録に優れて
いることが報告さｔＬテに！　（４Ｉ＃ｆｆ１５２−１
３４７０６号公報参照）。ところがＣｏ　−Ｃｒ膜をス
パッタ法により作製する場合、真空系内で行うため量産
性に問題がある。

このためこの様な製造上の問題点を改善して量産性に優
れた無電解めっき法によシ、膜面に垂直な方向に磁化容
易軸をもつ磁気記録媒体（磁性膜）を製造・する無電解
めりき浴が見い出されている（％願昭５６−０２５８３
３　、　　’無電解めっき浴′等）。

ところで、無電解めっき浴においてはｉンガン。

タングスデン、鉄等の添加金属の増加によりα−Ｃｏ六
方晶のＣ軸（磁化容易軸）を基板に対して面内方向から
垂直方向に変化させるが、Ｃ軸の垂直配向性が良好な磁
性膜では膜面に垂直な方向の保磁力（Ｈｃ（→）が著し
く増大するという傾向がある。

磁気記録媒体に垂直記録を行なう場合、’Ｈｃ（勾の値
は磁気ヘッドの記録磁界の強度により制限を受ける。ヘ
ッド磁場が磁性膜のｎｃ（→を下回ると記録磁化反転が
起きなくなり垂直記録は行われない。通常のリング型ヘ
ッドの場合ギャップ近傍に発生する最大の磁界は３００
００ｅ程度であるが、ＶＢ気ディスク装置のように磁気
ヘッドが磁気記録体上を微小間−浮上している場合や、
磁゛性膜上に保護膜を有する場合には磁性膜の受ける配
録磁界が減少するためＨｃ（→は１１０００ｅ程度以下
であることが望ましい。しかるに従来の無電解めっき浴
よシ得られるＣ軸の垂直配向性の良好な磁性膜のＨｅ（
→は１２０００ｅ以上であり、路にけ２００００ｅ程度
に達する場合があり１通常のリング型ヘッドを用する場
合記録磁界が不足するという、欠点があった。

本発明の目的は、この問題を改善してα−Ｃ。

六方晶のＣ軸が膜面に垂直な方向に十分に配向し。

かつ通常のリング型ヘッドを用いて容易に記録磁化反転
を起しうる値の保磁力（Ｈｅ　（Ｊ−）　）　　を有す
る磁気記録媒体を製造できる無電解めっき浴を提供する
ことＫある。

本発明による無電解めっき浴は、コバルトイオ７、ｔた
ａコｄル）イオンおよびニッケルイオン。

これら金属イオンの還元剤、ｐＨ４１衡剤、　　ｐＨ調
節剤並びに添加剤としてマンガンイオンを含む水溶液に
、前記金属イオンの錯化剤としてマロン酸基のはかにコ
ハク酸基が加えられていることを特徴としておシ、これ
Ｋより膜面に垂直な方向に磁化容易軸が配向した磁気記
録媒体のＨｅωを通常のリング型ヘッドを用いて容易く
記録磁化反転を起しうる所要の値まで減少させることが
できる。

本発明において金属イオンとして周込られるコバルトイ
オン、ニッケルイオンあるいはマンガンイオンとしてけ
、コバルト、ニッケルあるいはマンガンの硫酸塩、塩化
塩、酢酸塩などの可溶性塩を無電解めっき浴中に溶解す
ることＫよって供給される。コバルトイオンの濃度は、
０．０１〜２ｍｏｌ　／　Ｉの範囲が用いられるが、好
ましくはＱＪ）３〜０．２　ｍｏｌ　／　ｌの範囲であ
る。ニッケルイオンの濃度は、０〜０．５　ｍｏｌ　／
　ｌの範囲が用いられるが。

好ましくは０．００２〜０．０８　ｍｏ　Ｉ／ｌの範囲
である。

マンガンイオンの濃度は、０．００３〜２　ｍｏｌ　／
　ｌの範囲が用いられるが好ましくは０．０２〜０．２
ｍｏｌ／１の範囲である。

還元剤としては次亜リン酸塩が普通に用いられるが、ヒ
ドラジン酸類、ホウ水素化物なども用いることができる
。ｐＨ緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有機酸
塩などが便゛用され、０．０１〜２　ｍｏｌ　／　１の
範囲の濃度が周込られる。ｐＨ調節剤としては、　ｐＨ
の上昇にはアンモニア、水酸化ナトリウムなどのアルカ
リが用いられ、ｐＨの降下には硫酸、塩酸などの酸が用
いられる。錯化剤としてのマロン酸基は、マロン酸また
はマロン酸の可溶性塩によって供給され、０．１〜２．
５　ｍｏｌ　／　ｌの範囲の濃度が用いられる。コハク
酸基はコハク酸の可溶性塩によって供給され、０．１〜
２．０　ｍｏｌ　／　ｌの範囲の濃度が用いられる。

以下２本発明による無電解めっき浴の特長を実施例によ
シ説明する。

実施例１゜ エタノール脱脂後水洗を行った銅基板に下記条件にて活
性化処理及び促進化処理を施した後、下記のめっき浴組
成及びめっき条件にてその上にＣ。

−鳩−ｐｌ！！（膜厚−ｗ２　ａｍ　）　　を形成した
。

活性化処理条件 Ｈ８１０１Ｂ　（日立化成製）６０ＣＣ／ｌ、　塩酸３
２０Ｃｃ／ｌ、ＩＩ水６２０ｃＣ／１ｋＩＭ成とｆ２ａ
活性？１ｉＫ３分間浸漬する。

促進化処理条件 ＡＤＰ２０１　（８立化成製）２００ＣＣ／１．純水５
ＯＯＣＣ／１　　を組成とする促進液に３分間浸漬する
。

めっき浴組成 硫酸コバルト−０，１０ｍｏ　Ｉ　／　１次亜リン酸ナ
トリウム　　　　　０．２０ｍｏｌ／１硫酸アンモニウ
ム　　　　　　０．５０　ｍｏｌ　／　１マロン酸ナト
リウム　　　　　０．９０　ｍｏｌ　／　１硫酸マンガ
１０．０５ｍｏｌ／１ コハク酸ナトリウム　　　０〜０．０５　ｍｏｌ　／　
１めっき条件 めっき浴のｐＨＨｅ、２（室温にてＮＨ４０ＨでｐＨ調
節） めっき浴の温度＝８５℃ コハク酸ナトリウムの濃度を０から００５ｍｏ　１／１
まで変化させて得られたＣｏ　　Ｍｎ−ｐ膜の結晶構造
を明らかにするためＸ線回折を行った結果を次表に′示
す。表中の数字は同一試料における最大強度の回折線の
強さを１００とした相対強度を示す。

コハク酸ナトリウム濃度を増加しても（１００）及び（
１０１）の強度が０．、（００２）の強度が１００とな
り、いずれもα−ＣｏのＣ軸が膜面に垂直な方向に配向
した。

コハク酸ナトリウム濃度を０から０．５０ｍｏｌ／１ま
で変化させてＨｃ　Ｋ与える効果を調べた結果を第１図
に示す。第１図は横軸にコハク酸ナトリウム濃度をとり
、縦軸にめっきされた磁性膜のＨｅ　（１，）をとった
ものである。

コハク酸ナトリウムを加えない場合のＨｃ　（１）は１
６１０エルステツド（Ｏｅ）であるが、コハク酸ナトリ
ウム濃度が０．４０　ｍｏｌ　／　１では約１０９０エ
ルステツドとなった。めっき浴にコハク酸ナトリウムを
加えるととＫより得られるＨｅ　（Ｌ）の値を通常のリ
ング型ヘッドを用いて容易に記録磁化反転を起しうる値
まで減少させる仁とができた。゛実施例λ 実施例１．と同様の李順で、下記のめっき浴組成及びめ
っき条件にてＣｏ　−Ｎｉ　−Ｍｎ　−Ｐ膜（膜厚二５
μｍ）を形成した。

めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　　　０．０２５　ｍｏｌ　／
　１硫酸ニツケル　　　　　　　　０．００５　ｍｏｌ
　／　Ｉ次亜リン酸ナトリウム　　　　０．２０　　ｍ
ｏｌ　／　１硫酸アンモニウム　　　　　　０．５０　
　ｍｏｌ　／　１−ンーン酸ナトリウム　　　　　０．
５０　　ｍｏｌ／１硫酸７７ガｙ　　　　　　　　　０
．０４　　ｍｏｌ／１コハク酸ナトリウム　　　　θ〜
０．６０　　ｒｎｏｌ　／　１めっき条件 めっき浴のｐＨ”：９．２（室温にてＮＨａ田にてｐＨ
四節） めっき浴の温度ご８５℃ コハク酸ナトリウムの濃度を０から０．６０　ｍｏ　＋
／１まで変化させて得られたＣｏ　−Ｎｉ　−Ｍｎ　−
ｐ　ＭｌのＸ線回折結果を次表に示す。

コハク酸ナトリウム濃度を増加しても（００２）面のみ
があられれ、いずれもα−ＣｏのＣ軸が膜面Ｋａ直な方
向に配向し九。

コハク酸ナトリウムの濃度を０から０．６０ｍｏｌ／１
まで変化させてＨＣＧＬ）Ｋ与える効果を調べた結果を
第２ＩｉＩｌに示す。コハク酸すＦリウムを加えない場
合のＨｅ　（１）は１９７０エルステツドであるが、コ
ハク酸ナトリウム濃度増加により減少し、コ／−り酸ナ
トリウム０．６０　ｍｏｌ　／　ｌ　においてＨｃ　（
−Ｌ）は１０５０エルステツドとなった。めっき浴にコ
ノ〜り酸ナトリウムを加えることＫより得られるＨｅ　
（Ｌ）の値を通常のリング型ヘッドを用いて容易に記録
磁化反転を起こしうる値まで減少させることができた。

膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもつ磁気記録媒体を用
い、膜面に垂直に磁化する垂直磁化記録方式は、従来一
般の磁気ディスク装置に用いられている水平方向の磁化
による記録方式に比べて高密度記録に優れていることが
’￥ｔＷａ＠　５２−１３４７０６号会報に述べられて
いるが、実施例１．及び２．のめつき浴より得られる磁
性膜はこの垂直磁化記録の磁気記録媒体に用いることが
できる。

以上、実施例で示された様に本発明によれば、磁性膜を
作製するめっき浴においてコバルトイオン。

またはコバルトイオンおよびニッケルイオン、これら金
属イオンの還元剤、　　ｐＨ緩術剤、ｐＨ調節剤並びに
添加剤としてマンガンイオンを含む水溶液に、前記金属
イオンの錯化剤として４゛筒ン酸基のほかに、？゛ハク
酸基加えることＫよりｃ軸の垂直配向性に影響を与える
ことなく、磁性膜のＨｃ　（１）を通常のリング型ヘッ
ドを用いて容易に記録磁化反転を起しうる所要の値まで
減少させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１．のめつき浴におけるコノ・り酸ナト
リウム濃度と）４ｃ　（１）の関係を示す図、第２図は
実施例２．のめつき浴における同様の関係を示す図であ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　コバルトイオン、またはコバルトイオンおよびニ
   ッケルイオン、これら金属イオンの還元剤。 ｐＨ緩衝剤、　　ｐＨ調節剤並びに添加剤としてマンガ
   ンイオンを含む水溶液に前記金属イオンの錯化剤として
   マロン酸基及びコノ・り酸基を加えることを特徴とする
   無電解めっき浴。