JPS6112875A - 無電解めつき浴 - Google Patents
無電解めつき浴Info
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- JPS6112875A JPS6112875A JP13163784A JP13163784A JPS6112875A JP S6112875 A JPS6112875 A JP S6112875A JP 13163784 A JP13163784 A JP 13163784A JP 13163784 A JP13163784 A JP 13163784A JP S6112875 A JPS6112875 A JP S6112875A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
- C23C18/36—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク等の磁気記録体に用いられる磁気
記録媒体（磁性膜）を作製するめっき浴に関するもので
ある。
記録媒体（磁性膜）を作製するめっき浴に関するもので
ある。
高密度磁気起録体として磁気記録媒体をめっき法によシ
形成された磁気ディスクが近年に至シ用いられ始めてい
る。
形成された磁気ディスクが近年に至シ用いられ始めてい
る。
しかしながら、従来の磁気記録媒体形成用の無電解めっ
き浴ｆは錯化剤としてクエン酸塩、酒石ｒＲ塩、マロン
酸塩、ビロリン酸塩等が使用されておシ、これらの酸塩
を用いためつき浴は磁気特性の調節のために添加される
ニッケルイオンによシ著しく浴が不安定となり浴分解が
発生し易いと云う問題点を有している。
き浴ｆは錯化剤としてクエン酸塩、酒石ｒＲ塩、マロン
酸塩、ビロリン酸塩等が使用されておシ、これらの酸塩
を用いためつき浴は磁気特性の調節のために添加される
ニッケルイオンによシ著しく浴が不安定となり浴分解が
発生し易いと云う問題点を有している。
更に無電解めっき法によシ形成される磁性膜の磁気特性
を変化させるためには浴のｐＴ１浴温等のめつき条件を
変える操作を要し、これらの操作はめつき浴の浴分解を
促す原因となシ浴寿命の低下、作業性の低下等の問題を
生起していた０ 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上述のような従来のめつき浴の問題を
改善して良好な磁気特性を有する磁気記録媒体を安定に
製造できるｓｉ！解めりき浴を提供することにある。
を変化させるためには浴のｐＴ１浴温等のめつき条件を
変える操作を要し、これらの操作はめつき浴の浴分解を
促す原因となシ浴寿命の低下、作業性の低下等の問題を
生起していた０ 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上述のような従来のめつき浴の問題を
改善して良好な磁気特性を有する磁気記録媒体を安定に
製造できるｓｉ！解めりき浴を提供することにある。
本発明の要旨は無電解めり′き浴は、コバルトイオン、
ニッケルイオン、これら金属イオンの還元剤、ｐＨ緩衝
剤、ｐＨ調節剤を含む水溶液に、前記イオンの錯化剤と
してジグリコール酸基又はシトラコン酸基七台有してな
ることを特徴とする無電解めっき浴に存する。このジグ
リコール酸基又はシトラコン酸基とめつき浴の遊離金属
イオンが鉛体を形成し、めっき液中の金属イオンが水酸
化ニッケル等の浮遊物に変化するのを防止し、浴分解す
るのを防ぎ、めっき浴は女定化する。
ニッケルイオン、これら金属イオンの還元剤、ｐＨ緩衝
剤、ｐＨ調節剤を含む水溶液に、前記イオンの錯化剤と
してジグリコール酸基又はシトラコン酸基七台有してな
ることを特徴とする無電解めっき浴に存する。このジグ
リコール酸基又はシトラコン酸基とめつき浴の遊離金属
イオンが鉛体を形成し、めっき液中の金属イオンが水酸
化ニッケル等の浮遊物に変化するのを防止し、浴分解す
るのを防ぎ、めっき浴は女定化する。
本発明において金属イオンとして用いられるコバルトイ
オン、ニッケルイオンとしては、コバルト、ニッケルの
硫酸塩、塩酸塩、酢酸塩などの可溶性塩を無電解めっき
浴中に溶解することによって供給される。
オン、ニッケルイオンとしては、コバルト、ニッケルの
硫酸塩、塩酸塩、酢酸塩などの可溶性塩を無電解めっき
浴中に溶解することによって供給される。
コバルトイオンの一度は通常０．００２〜／ｍ ｏ １
／ ｔの範囲が用いられるが、好ましくは、０．０ ／
〜０．／’！ ｍ Ｏ１／Ｌの範囲である。ニッケル
イオンの濃度は通常Ｑ〜θＪｍＯ１／ｌの範囲が用いら
れるが、好ましくはＯ１θθコ〜０．０ ／ ｍ０１／
ｌの範囲である。
／ ｔの範囲が用いられるが、好ましくは、０．０ ／
〜０．／’！ ｍ Ｏ１／Ｌの範囲である。ニッケル
イオンの濃度は通常Ｑ〜θＪｍＯ１／ｌの範囲が用いら
れるが、好ましくはＯ１θθコ〜０．０ ／ ｍ０１／
ｌの範囲である。
還元剤としては次亜リン酸塩が普通に用いられるが、ヒ
ト２シン塩類ホウ水素化物なども用いることができる。
ト２シン塩類ホウ水素化物なども用いることができる。
ｐＨ緩衝剤としてはアンモニウム塩、灰酸塩。
有機酸塩などが使用され、通常０゜Ｏ／〜２ ｍｏｌ／
ｌの範囲の繊度が用いられる。
ｌの範囲の繊度が用いられる。
ｐＨ調節剤としてはｂｐ”の上昇にはアンモニア、水酸
化ナトリウムなどのアルカリが用いられ、ｐ′ＩＩの降
下には懺酸、塩酸などの酸が用いられる。
化ナトリウムなどのアルカリが用いられ、ｐ′ＩＩの降
下には懺酸、塩酸などの酸が用いられる。
錯化剤としてのジグリコールｌＪ基は、ジグリコール酸
またはジグリコール酸の可溶性塩によって供給され、通
常ｏ、ｉ−コ・ｊ ｍｏｌ ／ Ｌの範囲の濃度が用い
られる。シトラコン酸基の場合は、シトラコン酸または
シトラコン酸の可溶性塩に〔実施例〕 以下１本発明による無電解めっき浴の特徴を実施例によ
シ説明するが、本発明はその要旨を越えない限シ以下の
実施例に限定されるものではない。
またはジグリコール酸の可溶性塩によって供給され、通
常ｏ、ｉ−コ・ｊ ｍｏｌ ／ Ｌの範囲の濃度が用い
られる。シトラコン酸基の場合は、シトラコン酸または
シトラコン酸の可溶性塩に〔実施例〕 以下１本発明による無電解めっき浴の特徴を実施例によ
シ説明するが、本発明はその要旨を越えない限シ以下の
実施例に限定されるものではない。
実施例／
束し■製アテイテイプ用ポリイミドフィルム基板に下記
のめつき浴組成及びめっき条件にてＯｏ −Ｎｉ−Ｐ膜
を形成した。
のめつき浴組成及びめっき条件にてＯｏ −Ｎｉ−Ｐ膜
を形成した。
めっき浴組成
４Ａ酸コバルト ： ０−Ｏｔ ｍｏ１／ ｌ−硫
酸ニッケル ： ０．０ダ 次亜リン酸ナトリウム 二 〇、−〇 硫酸アンモニクム 二〇、ｊ Ｏ ジグリコール酸 ： ０．！ ０ めっき条件 めっき浴のｐＨ： ？Ａ（室温にてＮＨ，ＯＨでｐＨ調
節）めっき浴の温度：♂Ｏ℃ めりき時間 ：膜厚に応じ／ｊ秒〜１０分こうして
得られたコバルト−ニッケルーリン膜の磁気特性ｔ−明
らかにする丸め振動試料戯磁力計（束英工業製ＶＢＭ−
ＪＢ ’）による測定結果を次表に示す。
酸ニッケル ： ０．０ダ 次亜リン酸ナトリウム 二 〇、−〇 硫酸アンモニクム 二〇、ｊ Ｏ ジグリコール酸 ： ０．！ ０ めっき条件 めっき浴のｐＨ： ？Ａ（室温にてＮＨ，ＯＨでｐＨ調
節）めっき浴の温度：♂Ｏ℃ めりき時間 ：膜厚に応じ／ｊ秒〜１０分こうして
得られたコバルト−ニッケルーリン膜の磁気特性ｔ−明
らかにする丸め振動試料戯磁力計（束英工業製ＶＢＭ−
ＪＢ ’）による測定結果を次表に示す。
膜厚が増加するに従って保磁力はｌＳケ００θから２り
ＯＯθまで低下した。角形比は膜厚の増加と共にθ、！
６から０．．２ ／まで低下した。
ＯＯθまで低下した。角形比は膜厚の増加と共にθ、！
６から０．．２ ／まで低下した。
めつきγｉの安定性は浮遊物の発止、沈殿主成もなく極
めて良好であった。
めて良好であった。
比収岡／
実施列／と同様にしてコバルト−ニッケルーリン膜のめ
つきを行なったが、めっき浴として下記の組成を吊込た
□ めっき浴組成 硫酸コバルト ：０．０６ｍ０１／Ｌ硫酸ニツケル
二〇、θグ 次亜リン酸ナトリウム 二〇−２ 硫酸アンモニウム二〇、！ 酒石酸ナトリウム二〇、！ メッキ開始後約り分波に浴分解が発生したためメッキを
中止した。またメッキ開始！分後に／・３μｍ厚さの膜
が得られたため磁気特性ｔ−粁価した。
つきを行なったが、めっき浴として下記の組成を吊込た
□ めっき浴組成 硫酸コバルト ：０．０６ｍ０１／Ｌ硫酸ニツケル
二〇、θグ 次亜リン酸ナトリウム 二〇−２ 硫酸アンモニウム二〇、！ 酒石酸ナトリウム二〇、！ メッキ開始後約り分波に浴分解が発生したためメッキを
中止した。またメッキ開始！分後に／・３μｍ厚さの膜
が得られたため磁気特性ｔ−粁価した。
保磁力（０θ） ： ／３０
飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ） ： ｔ ２０角形比
二〇、コダ に下記のめつき浴組成及びめっき条件にてＣｏ −Ｎｉ
−ｐ膜を形成した。
二〇、コダ に下記のめつき浴組成及びめっき条件にてＣｏ −Ｎｉ
−ｐ膜を形成した。
めっき浴組成
硫酸コバルト ＝θθ６ｍ０１／Ｌ
硫酸ニッケル ： ＯＯ４を
次亜リン酸ナトリウム 二 〇・λθ
硫酸アンモニウム： Ｏ，ｊθ
シトラコン酸 二〇、ＳＯ
めっき条件
めっき浴のｐＨ： タ・Ｏ（室温にてＮ残ＯＨでｐＨ調
節）めっき浴の温度：ｒｏ℃ めっき時間 ：膜厚に応じ！分〜λθ分こうして得
られたコバルト−ニッケルーリン膜の磁気特性を明らか
にするため振動試料型磁力計（東英工業ＨＶＳＭ−ｉｓ
）を用いて面内方向にｌ０ＫＯθの磁場をかけた時の測
定結果を次表に示す。
節）めっき浴の温度：ｒｏ℃ めっき時間 ：膜厚に応じ！分〜λθ分こうして得
られたコバルト−ニッケルーリン膜の磁気特性を明らか
にするため振動試料型磁力計（東英工業ＨＶＳＭ−ｉｓ
）を用いて面内方向にｌ０ＫＯθの磁場をかけた時の測
定結果を次表に示す。
膜厚を／〜ダμｍまで変化させたがその保磁力は１ｉ４
ｔｏｏθと一定であシ、高保磁力を有していた。
ｔｏｏθと一定であシ、高保磁力を有していた。
めっき浴の安定性は浮遊物の発生、沈殿生成もなく極め
て良好であった。
て良好であった。
比較例コ
実施例と同様にしてコバルト−ニッケルーリン膜のめっ
きを行なったが、めっき浴として下記の組成を用いた。
きを行なったが、めっき浴として下記の組成を用いた。
めっき浴組成
硫酸コバルト ： ０．０６ ｍｏｂ ／Ｌ硫酸ニッ
ケル ：ｏ、ｏ４を 次亜リン酸ナトリウム 二 〇、− 硫酸アンモニウム：ＯＪ 酒石酸ナトリウム：０．！ メッキ開始後約２分後に浴分解が発生したためメッキを
中止した。またメッキ開始！分後に／・３μｍ厚さの膜
が得らｎたため磁気特性を評価した。
ケル ：ｏ、ｏ４を 次亜リン酸ナトリウム 二 〇、− 硫酸アンモニウム：ＯＪ 酒石酸ナトリウム：０．！ メッキ開始後約２分後に浴分解が発生したためメッキを
中止した。またメッキ開始！分後に／・３μｍ厚さの膜
が得らｎたため磁気特性を評価した。
保磁力（０θ） ＝／３゜
飽和磁化（ｅｍｕ７ｃｃ） ： ４２０角形比
：０．２グ 〔発明の効果〕 本発明によれば、コバルトイオンおよびニッケルイオン
、これら金属イオンの還元剤、ｐＨれ、かつ良好な磁気
特性を有する磁性膜が得られる。
：０．２グ 〔発明の効果〕 本発明によれば、コバルトイオンおよびニッケルイオン
、これら金属イオンの還元剤、ｐＨれ、かつ良好な磁気
特性を有する磁性膜が得られる。
出蝕人 三菱化成工業株式会社
代理人 弁理士 長谷用 −
（はか７名）
Claims (1)
- （１）コバルトイオン、ニッケルイオン、これら金属イ
オンの還元剤、ｐＨ緩衝剤およびｐＨ調節剤を含む水溶
液に前記金属イオンの錯化剤としてジグリコール酸基又
はシトラコン酸基を含有してなることを特徴とする無電
解めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13163784A JPS6112875A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 無電解めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13163784A JPS6112875A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 無電解めつき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6112875A true JPS6112875A (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=15062708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13163784A Pending JPS6112875A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 無電解めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6112875A (ja) |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP13163784A patent/JPS6112875A/ja active Pending
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