JPS5873155A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5873155A JPS5873155A JP56171160A JP17116081A JPS5873155A JP S5873155 A JPS5873155 A JP S5873155A JP 56171160 A JP56171160 A JP 56171160A JP 17116081 A JP17116081 A JP 17116081A JP S5873155 A JPS5873155 A JP S5873155A
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- JP
- Japan
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- emitter
- region
- diffusion layer
- resistance
- concentration
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 241000269851 Sarda sarda Species 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の構造に関し、等にトランジスタ
のエミッタ領域の電流集中を低減するエミッタパラスト
抵抗に関するものである。
のエミッタ領域の電流集中を低減するエミッタパラスト
抵抗に関するものである。
従来のこの種のエミッタパラスト抵抗はエミッタ領域の
主動作領域と′＃Ｌ極取り出し部の間隔音長くするか又
はエミッタ電極配線に拡散抵抗等の抵抗をもたす等によ
シ構成していた。このため、面積が増す、電気的バラン
スが不安定になる、製造工程が増す等の問題があった。
主動作領域と′＃Ｌ極取り出し部の間隔音長くするか又
はエミッタ電極配線に拡散抵抗等の抵抗をもたす等によ
シ構成していた。このため、面積が増す、電気的バラン
スが不安定になる、製造工程が増す等の問題があった。
以下それについて図面に基ついて説明する。
第１図は従来のトランジスタを示すもので、同図（ａｌ
において、コレクタ領域７、ペース領域６、エミッタ領
域５を有するＮＰＮ）ランジスタのエミ、り領域５から
の電極配線４中に別領域２に形成した拡散抵抗ｌを接続
することによシ同図（ｂ）に等価回路を示すエミッタパ
ラスト抵抗１′を構成していた。このため、別領域２に
抵抗１１に作るためのｌ槓が史に必要で面積増加となり
不４ｉＩＳ合が生じる場合があった。
において、コレクタ領域７、ペース領域６、エミッタ領
域５を有するＮＰＮ）ランジスタのエミ、り領域５から
の電極配線４中に別領域２に形成した拡散抵抗ｌを接続
することによシ同図（ｂ）に等価回路を示すエミッタパ
ラスト抵抗１′を構成していた。このため、別領域２に
抵抗１１に作るためのｌ槓が史に必要で面積増加となり
不４ｉＩＳ合が生じる場合があった。
第２図は他の従来例を示すもので、同図（ａｌの断面図
に示すように、コレクタ領域１６、ベース執拡散へ１３
を形成し、この拡散層１３ｉ配線１２でエミ、り領域１
４と接続し、Ｐ＋拡散Ｎ１１１３からエミ、り１ｉＬ極
をｋｆｉυ出すことにより、同図（ｂｌに勢価回路を示
すようにエミッタパラスト抵抗１３′を拡ｅ層１３で構
成すること本行われていたが、かかる構成は製造１相が
一工根増カロする他、高抵抗か優られない鰹の問題かめ
り九。
に示すように、コレクタ領域１６、ベース執拡散へ１３
を形成し、この拡散層１３ｉ配線１２でエミ、り領域１
４と接続し、Ｐ＋拡散Ｎ１１１３からエミ、り１ｉＬ極
をｋｆｉυ出すことにより、同図（ｂｌに勢価回路を示
すようにエミッタパラスト抵抗１３′を拡ｅ層１３で構
成すること本行われていたが、かかる構成は製造１相が
一工根増カロする他、高抵抗か優られない鰹の問題かめ
り九。
第３図ｔｉ史に他の従来例をかすもので、１０」図１ａ
ｌの断面図に示すように、コレクタ領域２５、ベース領
域２４、エミ、り領域２３を有するＮＰＮトランジスタ
のエミ、り領域２３の高ｍ度拡散層をｔて主動作領域と
電極２２尋出飾とｔＡくすることにより、エミ、り電極
２２直下では、同図（ｂ）の吟価回路に示すようＶこエ
ミ、り抵抗２３′が小でベース抵抗２４′が大であるト
ランジスタ２６とエミ。
ｌの断面図に示すように、コレクタ領域２５、ベース領
域２４、エミ、り領域２３を有するＮＰＮトランジスタ
のエミ、り領域２３の高ｍ度拡散層をｔて主動作領域と
電極２２尋出飾とｔＡくすることにより、エミ、り電極
２２直下では、同図（ｂ）の吟価回路に示すようＶこエ
ミ、り抵抗２３′が小でベース抵抗２４′が大であるト
ランジスタ２６とエミ。
夕領域２３の隅では、エミ、り抵抗２３′が犬でベース
抵抗２４′が小であるトランジスタ２７との板金トラン
ジスタも提案されている。しかしなからトランジスタ２
６とトランジスタ２７のｈＦＥが同一すＴｈ、Ｉｔ’ｌ
ｌ）ランジスタのバランスが問題になり、電気的動作が
不安定になりやすかった。
抵抗２４′が小であるトランジスタ２７との板金トラン
ジスタも提案されている。しかしなからトランジスタ２
６とトランジスタ２７のｈＦＥが同一すＴｈ、Ｉｔ’ｌ
ｌ）ランジスタのバランスが問題になり、電気的動作が
不安定になりやすかった。
本発明は、エミ、りよりも１＃、濃厩の拡散ｔｖｉｒｔ
エミ、タコンタクトとして存在させることにより、上記
欠点を解消しエミッタ領域の′＆ｔ＆集中を低減するこ
とのできる午纒体装ｍを従供するものである。
エミ、タコンタクトとして存在させることにより、上記
欠点を解消しエミッタ領域の′＆ｔ＆集中を低減するこ
とのできる午纒体装ｍを従供するものである。
以下、本発明を図に基づいてより畦細に説明する。
第４図（ａ）の断面図に本発明の一実施例を示すように
、コレクタ領域３６、ペースｈ域３５、主：ｒ−ミ、り
領域３２とエミ、りを極堆夛出し部３４とでトランジス
タを構成している。このエミッタ電極取り出し部３４に
エミ、り１１極３３を取り付けている。かかるトランジ
スタの等価回路は同図（ｂ）に示すものであるが、エミ
ッタ電極３３直下のトランジスタ３７では、ベース抵抗
３５′が大でエミッタ抵抗が小である。又、主エミツタ
領域３２の尚磯度拡ｌｉ１！７層面）では、ベース抵抗
か小でエミッＪ抵Ｋ（３２’＋３４”）が大であるトラ
ンジスタ３８が侍られる。
、コレクタ領域３６、ペースｈ域３５、主：ｒ−ミ、り
領域３２とエミ、りを極堆夛出し部３４とでトランジス
タを構成している。このエミッタ電極取り出し部３４に
エミ、り１１極３３を取り付けている。かかるトランジ
スタの等価回路は同図（ｂ）に示すものであるが、エミ
ッタ電極３３直下のトランジスタ３７では、ベース抵抗
３５′が大でエミッタ抵抗が小である。又、主エミツタ
領域３２の尚磯度拡ｌｉ１！７層面）では、ベース抵抗
か小でエミッＪ抵Ｋ（３２’＋３４”）が大であるトラ
ンジスタ３８が侍られる。
ココテ二ピックが低濃度拡散層３４であるトランジスタ
３７はｈＦＥが小さい為、電流集中を生じ―＜、エミッ
タが高装置拡散４３２であるトランジスタ３８Ｆｉ、エ
ミッタバラスト抵抗（３２’＋３４’）である為、エミ
、り領域の電流集中を生じ難い。
３７はｈＦＥが小さい為、電流集中を生じ―＜、エミッ
タが高装置拡散４３２であるトランジスタ３８Ｆｉ、エ
ミッタバラスト抵抗（３２’＋３４’）である為、エミ
、り領域の電流集中を生じ難い。
この為、従来の＠３図の回路よりもトランジスタのバラ
ンスが良く、第１図、第２図の１路よりも小面積であり
、＠２図の回路よりもエミッタバラスト抵抗が大きくと
れる為、特に低エミッタ電流の場合有利でおる。
ンスが良く、第１図、第２図の１路よりも小面積であり
、＠２図の回路よりもエミッタバラスト抵抗が大きくと
れる為、特に低エミッタ電流の場合有利でおる。
第１図、第２図、第３図は従来の半導体装籐を示１もの
で、それぞれ（ａ）は断面図、（ｂ）は婢１曲回路図で
ある。 第４図は、本発明の一実施例による半導体装置を示すも
ので、同図（ａ）はその断面図、Ｎ図ｆｂ）はその尋価
回路図である。 １・・・・・・拡散層、２・・・・・・別領域、３・・
・・・・岐化族（８ｉ０．）４・・・・・・配線、５・
・・・・・エミ、り領域（ｎ）、６・・・・・・ベース
領域（ｐ）、’ｉ・・・・・・コレクタ領域（”）、１
’・・・・・・エミッタバラスト抵抗、１１・・・・・
・酸化ｌ１ｌｌ（ＳｉＯ，）、１２・・・・・・配線、
１３・・・・・・拡散層、１３′・・・・・・バラスト
抵抗、１４・・・・・・エミ、り領域（ｎ）、１５・・
・・・・ベース領域（ｐ）、１６・・・・・・コレクタ
領域（ｎ）、２１・・・・・・酸化膜（Ｓｉｎ、）、
２２・・・・・・配線、２３・・・・・・エミッタ領域
、２４・・・・・・ベース領域、２５・・・・・・コレ
クタｖ１Ｍ（ｎ）、２６・・・・・・トランジスタ（Ｔ
ｒｔ）、２７・・・・・・トランジスタ（Ｔｒ、）、２
３’ 、２４’ ・・・・・・ノくラスト抵抗、３１・
・・・・・酸化膜（Ｓｉｎ、） 、３２・・・・・・主
エミ、り領域、３３・・・・・・配線、３−４・・・・
・・エミ、り電極取り出し部、３５・・・・・・ベース
領域、３６・・・・・・コレクタ領域（ｎ）、３７・・
・・・・トランジスタ（Ｔｒｌ）、３８−・−−−−）
ランジスタ（Ｔｒ、）、３２′、３４′、３５′・・・
・・・バラスト抵抗。 第１図 ２ン２７ ／θ） （ル２草４ 閏
で、それぞれ（ａ）は断面図、（ｂ）は婢１曲回路図で
ある。 第４図は、本発明の一実施例による半導体装置を示すも
ので、同図（ａ）はその断面図、Ｎ図ｆｂ）はその尋価
回路図である。 １・・・・・・拡散層、２・・・・・・別領域、３・・
・・・・岐化族（８ｉ０．）４・・・・・・配線、５・
・・・・・エミ、り領域（ｎ）、６・・・・・・ベース
領域（ｐ）、’ｉ・・・・・・コレクタ領域（”）、１
’・・・・・・エミッタバラスト抵抗、１１・・・・・
・酸化ｌ１ｌｌ（ＳｉＯ，）、１２・・・・・・配線、
１３・・・・・・拡散層、１３′・・・・・・バラスト
抵抗、１４・・・・・・エミ、り領域（ｎ）、１５・・
・・・・ベース領域（ｐ）、１６・・・・・・コレクタ
領域（ｎ）、２１・・・・・・酸化膜（Ｓｉｎ、）、
２２・・・・・・配線、２３・・・・・・エミッタ領域
、２４・・・・・・ベース領域、２５・・・・・・コレ
クタｖ１Ｍ（ｎ）、２６・・・・・・トランジスタ（Ｔ
ｒｔ）、２７・・・・・・トランジスタ（Ｔｒ、）、２
３’ 、２４’ ・・・・・・ノくラスト抵抗、３１・
・・・・・酸化膜（Ｓｉｎ、） 、３２・・・・・・主
エミ、り領域、３３・・・・・・配線、３−４・・・・
・・エミ、り電極取り出し部、３５・・・・・・ベース
領域、３６・・・・・・コレクタ領域（ｎ）、３７・・
・・・・トランジスタ（Ｔｒｌ）、３８−・−−−−）
ランジスタ（Ｔｒ、）、３２′、３４′、３５′・・・
・・・バラスト抵抗。 第１図 ２ン２７ ／θ） （ル２草４ 閏
Claims (1)
- エミ、り領域とベース領域とコレクタ領域とを有する半
導体装置において、前記エミッタ領域は電極域シ出し部
近傍に他の部分よりも低不純物濃度の拡散層を有するこ
とを％徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56171160A JPS5873155A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56171160A JPS5873155A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873155A true JPS5873155A (ja) | 1983-05-02 |
Family
ID=15918095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56171160A Pending JPS5873155A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873155A (ja) |
-
1981
- 1981-10-26 JP JP56171160A patent/JPS5873155A/ja active Pending
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