JPS5874057A - 硝子封止半導体装置 - Google Patents
硝子封止半導体装置Info
- Publication number
- JPS5874057A JPS5874057A JP56174303A JP17430381A JPS5874057A JP S5874057 A JPS5874057 A JP S5874057A JP 56174303 A JP56174303 A JP 56174303A JP 17430381 A JP17430381 A JP 17430381A JP S5874057 A JPS5874057 A JP S5874057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- lead frame
- lead
- sealing glass
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ヒの発明は硝子封止半導体装置、特に多数リードを有す
る硝子封止半導体装置においてリードフレームを固着し
た硝子ケースの封止硝子の表面を改良したものである。
る硝子封止半導体装置においてリードフレームを固着し
た硝子ケースの封止硝子の表面を改良したものである。
従来から硝子封止半導体装置は絶縁基板上に形成した封
止硝子を介してリードフレームを固着した後１絶縁基板
のマウント部に＊導体素子を固着し、半導体素子の電極
部とリードフレームのリード先端とを金属細線で配線し
た後に絶縁蓋部上の封止硝子で封止して硝子封止半導体
装置を製造していた。
止硝子を介してリードフレームを固着した後１絶縁基板
のマウント部に＊導体素子を固着し、半導体素子の電極
部とリードフレームのリード先端とを金属細線で配線し
た後に絶縁蓋部上の封止硝子で封止して硝子封止半導体
装置を製造していた。
、この様な硝子封止半導体装置は最近の多数ピン化の傾
向に伴ない、−組立工程の自動化、特に金属細線の配線
の自動化の検討が進められているが、４０ビン以上の半
導体装置は外形寸法の規定からり一ドフレームのリード
先端の一線領域が非常に狭くなりてくる。その為、リー
ドフレーム形状の検討等が行なわれているが、現在では
まだまだ実用化の段階に至っていない。そこで、半導体
素子側の配線の時に用いられるパターン認識法によって
リード先端部の位置を検出し全自動の配線方法を検討し
た。しかしながら、絶縁基板上の封止硝子はリードフレ
ームを固着時に溶融しリードフレームを固着した以外の
封止硝子は鏡面状態になシバターン認識による全自動配
線時に封止硝子面が乱反射してしまいり−ド７レームの
リード先端位置を検出することが出来外かった。
向に伴ない、−組立工程の自動化、特に金属細線の配線
の自動化の検討が進められているが、４０ビン以上の半
導体装置は外形寸法の規定からり一ドフレームのリード
先端の一線領域が非常に狭くなりてくる。その為、リー
ドフレーム形状の検討等が行なわれているが、現在では
まだまだ実用化の段階に至っていない。そこで、半導体
素子側の配線の時に用いられるパターン認識法によって
リード先端部の位置を検出し全自動の配線方法を検討し
た。しかしながら、絶縁基板上の封止硝子はリードフレ
ームを固着時に溶融しリードフレームを固着した以外の
封止硝子は鏡面状態になシバターン認識による全自動配
線時に封止硝子面が乱反射してしまいり−ド７レームの
リード先端位置を検出することが出来外かった。
その為、４０ピン以上を有する硝子封止半導体装置の自
動配線は困難で手動あるいは半自動の配線になシ安価で
品質の安定し九硝子封止亭導体装置を提供する仁とが出
来なかうた拳 本発明は上述した従来の欠点を除去し、４０ビン以上を
有する硝子封止半導体装置の自動配線を容重に行ない安
価で高品質の硝子封止半導体装置を提供するものである
。
動配線は困難で手動あるいは半自動の配線になシ安価で
品質の安定し九硝子封止亭導体装置を提供する仁とが出
来なかうた拳 本発明は上述した従来の欠点を除去し、４０ビン以上を
有する硝子封止半導体装置の自動配線を容重に行ない安
価で高品質の硝子封止半導体装置を提供するものである
。
本発明は、硝子封止半導体装置において、絶縁基板上の
封止硝子を介してリードフレームを固着した領域外の該
封止硝子上に、諌封止硝子の構成成分の一種又はそれ以
上の酸化粉末を半溶融状に設げられていることを特徴と
した硝子封止半導体装置である。そしてこの酸化粉末を
設けた後に半導体素子は固着され、金属細線で配線した
後、絶縁蓄部上の該封止硝子で封止する。
封止硝子を介してリードフレームを固着した領域外の該
封止硝子上に、諌封止硝子の構成成分の一種又はそれ以
上の酸化粉末を半溶融状に設げられていることを特徴と
した硝子封止半導体装置である。そしてこの酸化粉末を
設けた後に半導体素子は固着され、金属細線で配線した
後、絶縁蓄部上の該封止硝子で封止する。
次に第１図、第２図によｉ本発明の詳細な説明する。尚
、菖１図囚は途中工程Ｏ平面図であシ、第１図（ト）お
よび第１図但）はそれぞれ第１ｌｌ（５）ＯＢ−Ｂ部お
よびＣ−Ｃ＠や断面図である・絶縁基板１上にＦｂＯ−
ＢｓＯｓ系を主成分とする封止硝子２を形成し、リード
フレーム３を前記絶縁基板ｌを４８０〜５００℃位に加
熱し、封止硝子２を溶融した上に取付けるーその後で封
止硝子２の構成成分２例えばＡ１１０ｍの酸化粉末４を
４５０℃前後に加熱された封止硝子２に取付け、半溶融
の状態で冷却し友ものである。この時、ＡＪ、Ｏ，の酸
化粉末４はリードフレーム３あるいは半導体素子６ｔ−
固着するマウント部５には付着せず封止硝子２０部分の
み取付けることが出来る。その後に第２図に示す様に絶
縁基板１のマウント部５に半導体素子６を固着し、金属
細線７でリードフレーム３のリード先端８とを自動配線
し、絶縁蓋部９上の封止硝子２で硝子封止して、本発明
の硝子封止半導体装置を得ている・ この様な構造の硝子封止半導体装置は絶縁基板上の封止
硝子にリードフレームを取付けた他の領域の封止硝子の
表面が酸化粉末で覆われて、しかも半溶融状態になりて
いる為半導体素子を固着する時の温度をコントロールす
ることによって封止硝子上の酸化粉末の半溶融状が損な
われずに、リードフレームのリード先端のパターンＩ！
識を容易に行なうことが出来るから金属細線の全自動配
線を容易に実施することが出来る。
、菖１図囚は途中工程Ｏ平面図であシ、第１図（ト）お
よび第１図但）はそれぞれ第１ｌｌ（５）ＯＢ−Ｂ部お
よびＣ−Ｃ＠や断面図である・絶縁基板１上にＦｂＯ−
ＢｓＯｓ系を主成分とする封止硝子２を形成し、リード
フレーム３を前記絶縁基板ｌを４８０〜５００℃位に加
熱し、封止硝子２を溶融した上に取付けるーその後で封
止硝子２の構成成分２例えばＡ１１０ｍの酸化粉末４を
４５０℃前後に加熱された封止硝子２に取付け、半溶融
の状態で冷却し友ものである。この時、ＡＪ、Ｏ，の酸
化粉末４はリードフレーム３あるいは半導体素子６ｔ−
固着するマウント部５には付着せず封止硝子２０部分の
み取付けることが出来る。その後に第２図に示す様に絶
縁基板１のマウント部５に半導体素子６を固着し、金属
細線７でリードフレーム３のリード先端８とを自動配線
し、絶縁蓋部９上の封止硝子２で硝子封止して、本発明
の硝子封止半導体装置を得ている・ この様な構造の硝子封止半導体装置は絶縁基板上の封止
硝子にリードフレームを取付けた他の領域の封止硝子の
表面が酸化粉末で覆われて、しかも半溶融状態になりて
いる為半導体素子を固着する時の温度をコントロールす
ることによって封止硝子上の酸化粉末の半溶融状が損な
われずに、リードフレームのリード先端のパターンＩ！
識を容易に行なうことが出来るから金属細線の全自動配
線を容易に実施することが出来る。
封止時の酸化粉末の影響は酸化粉末が封止硝子の構成成
分の一種を使用す＼為、絶縁蓋部上の封止硝子と反応し
硝子封止半導体装置の気密性を損うことはない。
分の一種を使用す＼為、絶縁蓋部上の封止硝子と反応し
硝子封止半導体装置の気密性を損うことはない。
したがうて本発明の硝子封止半導体装置を用いゐことに
よって多数ビン、特に４ｏビン以上を有する硝子封止半
導体装置が量産することが出来るため安価で高品質なも
のｖｌ−得ることが出来る０以上、本発明について説明
したが封止硝子上に形成する酸化粉末は、封止硝子と反
応し、気密性等を損わない酸化粉末なら、封止硝子の構
成成分でなくて奄効果はある。
よって多数ビン、特に４ｏビン以上を有する硝子封止半
導体装置が量産することが出来るため安価で高品質なも
のｖｌ−得ることが出来る０以上、本発明について説明
したが封止硝子上に形成する酸化粉末は、封止硝子と反
応し、気密性等を損わない酸化粉末なら、封止硝子の構
成成分でなくて奄効果はある。
第１図および第２図線本発明の実施例の硝子封止半導体
装置を示す図である。 尚、図において、１・・・・・・絶縁基板、２・・・・
・・封止硝子、３・・・・・・リードフレーム、４・・
・・・・酸化粉末、ト・・・・・マウント部、６・・・
・・・半導体素子、７・・・・・・金属細線、８・・・
・・・リード先端、９・・・・・・絶縁蓋部である。
装置を示す図である。 尚、図において、１・・・・・・絶縁基板、２・・・・
・・封止硝子、３・・・・・・リードフレーム、４・・
・・・・酸化粉末、ト・・・・・マウント部、６・・・
・・・半導体素子、７・・・・・・金属細線、８・・・
・・・リード先端、９・・・・・・絶縁蓋部である。
Claims (1)
- 絶縁基板上Ｏ封止硝子を介してリードフレームを固着し
た領域外の誼封止硝子上に％骸封止硝子の構成成分の一
種又はそれ以上の酸化粉末を半溶融状に設けたことを特
徴とする硝子封止半導体装置−
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56174303A JPS5874057A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 硝子封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56174303A JPS5874057A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 硝子封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874057A true JPS5874057A (ja) | 1983-05-04 |
Family
ID=15976298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56174303A Pending JPS5874057A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 硝子封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5874057A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132951U (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-05 |
-
1981
- 1981-10-29 JP JP56174303A patent/JPS5874057A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132951U (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-05 |
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