JPS5874061A - Ｄｉｐ型ケ−スの製造方法 - Google Patents

Ｄｉｐ型ケ−スの製造方法

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Publication number
JPS5874061A
JPS5874061A JP56174302A JP17430281A JPS5874061A JP S5874061 A JPS5874061 A JP S5874061A JP 56174302 A JP56174302 A JP 56174302A JP 17430281 A JP17430281 A JP 17430281A JP S5874061 A JPS5874061 A JP S5874061A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dip type
lead
glass
manufacturing
case
Prior art date
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Granted
Application number
JP56174302A
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English (en)
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JPS6255302B2 (ja
Inventor
Shigeru Kubota
茂 久保田
Shoichi Ogura
小倉　昭一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5874061A publication Critical patent/JPS5874061A/ja
Publication of JPS6255302B2 publication Critical patent/JPS6255302B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/60—Seals

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はＤＩＰ型ケースの製造方法にかかシ、特に多
数リードを有するＤＩＰ型硝子ケースの製造方法に関す
る。
従来の硝子ケースの製造方法は絶縁基板上に硝子材料を
介してＤＩＰ型リードフレームを１着してＤＩＰ型ケー
スを製造してい良。
すなわち、従来のＤＩＰＩ！ｌ硝子ケースはり一ド７レ
ームを薄板から打抜き、さらに所定の位置で折曲げた状
態のＤＩＰ型リードフレームを用いて絶縁基板上の硝子
材料を介して固着する方法で製造していた。しかしなが
ら、リードフレームが２４リ一ド以上の多数リードにガ
つた場合ＤＩＰ型リードフレーム、特に端部のリードは
、金属細線で配線するリード先端部から折曲げ部までの
距離が長い為、リード先端部の安定性が々くなる。
それゆえ、リードフレームのリード先端のバラツキが大
きくなシさらにリード先端部の位置精度も低下し絶縁基
板上の硝子材料に均一に固着することが出来なかった。
その為にＤＩＰ型硝子ケースを製造した後の半導体素子
の組立を安定に行なうむとが出来ず、組立工程の自動化
を容易に行なうことも出来なかつた◎ 本発明の目的は上述したＤＩＰ型硝子ケースの製造方法
を改良し組立工程における品質の安定化、組立工程の自
動化を計ったＤＩＰ型硝子ケースの製造方法を提供する
ものである。
本発明の特徴は、ＤＩＰ型ケースの製造方法において、
硝子封止する領域外に各リード間を固定する連結部を有
するフラットリードフレームを絶縁基板上の硝子材料を
介して固着する工程と、各リード間を固定する連結部を
切断する工程と、所定の位置で折シ曲げる同定を含むＤ
ＩＰ型ケースの製造方法にある。
次に本発明の詳細な説明する。第１図に示す様に絶縁基
板ｌ上に硝子材料２ｔ−形成する工程と、第２図に示す
様に硝子材料２と接触しない領域で、しかも所定の位置
で折曲げる部分から離れた位置にリードフレームのリー
ド３間を連結する連結部４を有するフラットリードフレ
ーム５を用いて絶縁基板１上の硝子材料２に固着する工
程と、第３図に示す様に連結部４を切断して所定の位置
で折曲げを行なう工程とを含むＤＩＰｆｆｉ硝子ケース
６の製造方法である。
この様なりＩＰ型硝子ケースの製造方法はリードフレー
ムのリード先端のバラツキがリード間を固定する連結部
で保持されておシ、シかも、リードフレーム製造時のプ
レス工程の歪み奄フラット型リード７レムである為極〈
わずかに押えられ、リードフレームのリード先端位置精
度を確保する仁とが出来るから、絶縁基板上の硝子材料
に均一に固着することが出来る。しかも絶縁基板上の硝
子に７ラツトリ一ドフレーム管固着したのちにＤＩＰ型
硝子ケースを製造するためにリードフレームの折曲げ時
のリード先端のバラツキは発生しない。
従って、２４リ一ド以上を有するリードフレームの絶縁
基板上の硝子材料の固着が安定にしかも均一に行なう事
が出来る・ 以上説明した様にこの発明によるＤＩＰ型硝子ケースの
製造方法は多数リードを有するＤＩＰＩＩ硝子ケースを
品質よく安定に製造することが出来る・　　　　　：・
、
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図および第３図は本発明のＤＩＰ型硝子ケ
ースの製造方法を示す図である。 尚、図において、ｌ・・・・・・絶縁基板、２・・・・
・・硝子材料、３・・・・・・リード、４・・・・・・
連結部、５・・・・・・フラットリードフレーム、６・
・・・・・ＤＩＰｆｌ硝子ケース、７・・・・・・折曲
げ部である。 代理人　弁理士　内　原　　晋 １２昭 第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 硝子封止する領域外に各リード間を固定する連結部を有
    するフラットリードフレームを絶縁基板上の硝子材料を
    介して固着する工程と、各リード間を固定する該連結部
    を切断する工程と、所定の位置で折シ曲げる固定を含む
    ことを特徴とするＤＩＰ型ケースの製造方法。
JP56174302A 1981-10-29 1981-10-29 Ｄｉｐ型ケ−スの製造方法 Granted JPS5874061A (ja)

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JPS5874061A true JPS5874061A (ja) 1983-05-04
JPS6255302B2 JPS6255302B2 (ja) 1987-11-19

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6373656A (ja) * 1986-09-17 1988-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50110772A (ja) * 1974-02-08 1975-09-01
JPS5159269A (en) * 1974-11-20 1976-05-24 Nippon Electric Co Handotaisochino seizohoho
JPS5386575A (en) * 1977-01-10 1978-07-31 Mitsubishi Electric Corp Production of semiconductor device
JPS5390867A (en) * 1977-01-21 1978-08-10 Hitachi Ltd Glass hermetic sealing for lead wire

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JPS6255302B2 (ja) 1987-11-19

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