JPS5877860A - アミノスルフエニルクロリド誘導体及びその製造法 - Google Patents

アミノスルフエニルクロリド誘導体及びその製造法

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JPS5877860A
JPS5877860A JP17792981A JP17792981A JPS5877860A JP S5877860 A JPS5877860 A JP S5877860A JP 17792981 A JP17792981 A JP 17792981A JP 17792981 A JP17792981 A JP 17792981A JP S5877860 A JPS5877860 A JP S5877860A
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添田　孝司
Akira Tanaka
晃 田中
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Otsuka Kagaku Yakuhin KK
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Otsuka Kagaku Yakuhin KK
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  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なアミノスルフェニルクロリド１人導体及
びその製造法に関する。
本発明のアミノスルフェニルクロリド誘導体は、文献未
載の新規化合物であり、下記一般式〔Ｉ〕で示される。
〔式中Ｒ１及びＲ２は同−又は異って基−Ｘ−ＣＯＯＲ
ａ又は基−Ｙ−ＣＮを表わす。゛ここてＸ及びＹはＣ１
〜６の直鎖又は分枝アルキレン基を示し、Ｒ３はＣ１〜
８のアルキル基を示す。但しＸ及びＹか共にメチレン基
である場合を除く。
またＲ１及びＲ２の一方が基−Ｘ−ＣＯＯＲａ又は基−
Ｙ−ＣＮを示し、他の一方がＣ１〜８のアルキル基、Ｃ
３−６のシクロアルキル基、ベンジル基、フェニル基、
置換ベンジル基、置換フェニル基又は基−Ｚ−Ｒ４を示
してもよい。該置換基としてはハロゲン原子、０１〜８
のアルキル基又はＣ１〜３のアルコキシ基、を示す。ま
たＺはカルボニル基又はスルホニル基ヲ、Ｒ４はＣ１〜
６のアルキル基、フェニル基、置換基としてＣ１〜３の
アルキル基もしくはハロゲン原子を有するフェニル基、
０１〜３のアルコキシ基又、はフェノキシ基を示す。〕 上記一般式〔Ｉ〕で示される本発明の化合物は、反応性
に富み、−ＮＨ２基、−５Ｈ基１．−ＯＨ基等　の基と
容易に反応し、それ故各種反応中間原料として有用であ
る。例えば本発明の化合物は式で示される２、３−ジヒ
ドロ−２，２−ジメチルベンゾフラン−７−イル　Ｎ−
メチルカーバメイトと反応させることにより殺虫剤とし
て有用な一般式〔式中Ｒ１及びＲ２は前記に同じ。〕で
示される２゜８−ジヒドロ−２，２−ジメチルベンゾフ
ラン−７−イル　Ｎ−ｃＮ、Ｎ−ジ置換Ｔ、ミノスルフ
ェニルＮ−メチルカーバメイト誘導体に導くことかでき
る（後記参考側参照）。従って本発明の化合物は殺虫剤
製造用中間体として極めて有用である。
本発明の化合物は種々の方法により製造されるが、その
好ましい例を挙げれは例えは下記合成法１又は２に示す
方法により製造される。
合成法１ 一般式 〔式中Ｒ１及びＲ２は前記に同じ。〕で示されるアミン
誘導体と一塩化イオウ又は二塩化イオウとを反応させる
ことにより容易に製造される。
） 〔式中Ｒ１及びＲ２は前記と同じ〕 反応式（１）の−塩化イオウを使用する場合においても
、また反応式（１１）の二塩化イオウを使用する場合に
おいても、短時間に反応は進行するが、反応式（１）の
場合にはイオウが遊離してくる。反応は、反応式（１）
の場合と反応式（１１）の場合とは同一の反応条件下に
進行する。一般式ＣＩＩ）の化合物と一塩化イオウ又は
二塩化イオウとの反応は、無溶媒下又は適当な溶媒中に
て行なわれる。溶媒としては、例えば塩化メチレン、ク
ロロホルム、四塩化炭素、二塩化エタン、トリクロルエ
チレン、メチルクロロホルム等のハロゲン化炭化水素類
、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエ
ーテノペテトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル
類、ｎ−ペンタン、ｎ−へキサン、ｎ−へブタン、シク
ロヘキサン等の炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類等を挙げる
ことができる。式〔旧の化合物と一塩化イオウ又は二塩
化イオウとの使用割合としては、特に限定されず広い範
囲内で適宜選択することができるが、通常前者に対して
後者を１〜２倍モル、好ましくは１〜１．２倍モル使用
するのかよい。、式ＣＵ”Ｊの化合物と一塩化イオウ又
は二塩化イオウとの反応は、塩基性化合物の存在下で行
なうのがよい。用いられる塩基性化合物としては、例え
ばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ジメチルアニ
リン、ジエチルアニリン、エチルモルホリン等の第３級
アミン類、ピリジン、ピコリン、ルチジン等のピリジン
類を挙けることかできる。
所かる塩基性化合物の使用量としては、上記反応より副
生ずる塩化水素を捕捉し得る量であれはよいが、通常式
〔■〕の化合物に対して１〜２倍モル程度、好ましくは
１〜１５倍モル量用いるのがよい。該反応は、冷却下、
室温下及び加温下のいずれでも進行するが、通常−２０
’Ｃ〜５０°Ｃ程度、好ましくは一１０°Ｃ〜３０″Ｃ
にて行うのがよい。
また該反応は１〜２時間程度で終了する。
合成法２ 一般式 〔式中Ｒ１及びＲ２は前記に同じ。〕で示されるアミン
誘導体と一塩化イオンとを反応させ一般式〔式中Ｒ１及
びＲ２は前記に同じ。〕で示されるビスアミノジスルフ
ィド誘導体を得、次いで得られる一般式印の化合物を塩
素化することにより容易に製造される。
反応式（船で示される反応は、無溶媒下又は適当な溶媒
中或は溶媒と水の二層反応で行なわれる。
溶媒としては、例えは塩化メチレン、クロロホルム、四
塩化炭素、二塩化エタン、トリクロルエチレン、メチル
クロロホルム等の）＼ロゲン化炭化水素類、ジエチルエ
ーテル、・ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ｎ−ペ
ンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン、シクロヘキサン
等の炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロ
ルベンゼン等の芳香族炭化水素類等を挙げることができ
る。反応式（ｉｔ）に於ける式（”ＩＩ’）の化合物と
一塩化イオウとの使用割合としては、特に限定されず広
い範囲内で適宜選択することができるが、通常前者に対
して後者を０．５倍モル前後使用するのがよい。
反応式（ｉｆ）に於ける式ＣＩＩ）の化合物と一塩化イ
オウとの反応は塩基性化合物の存在下で行なうのがよい
。用いられる塩基性化合物としては、原料として使用す
るアミンを用いてもよく、またそれ以外の塩基性化合物
、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ジメチ
ルアニリン、ジエチルアニリン、エチルモルホリン等の
第３級アミン類、ピリジン、ピコリン、ルチジン等のピ
リジン類等を用いてもよい。一方溶媒と水との二層反応
を行う場合には、苛性ソーダ、苛性カリ、炭酸ソーダ、
炭酸カリ等を用いることができる。所かる塩基性化合物
の使用量としては、上記反応より副生ずる塩化水素を捕
捉し得る量であればよいが通常式〔■〕の化合物に対し
て１〜１０倍モル程度、好ましくは１〜５倍モル量用い
るのがよい。該反応は冷却下、室温下及び加温下のいず
れでも進行するか、通常−２０℃〜５０℃程度、好まし
くは一１０′ｃ〜８０℃にて行うのがよい。該反応は１
〜２時間程度で終了する。斯くして得られた一般式（Ｉ
ｌｌ）で示されるビスアミノジスルフィド誘導体は、精
製後便用してもよく又は反応液を水洗、乾燥後、そのま
ま次の反応に使用してもよい。
反応式Ｏφで示される反応は、無溶媒下又は適当な溶媒
中で行なわれる。溶媒としては上記反応式（１Ｍ）で使
用した溶媒がいずれも使用される。塩素化剤としては、
例えば塩素、塩化スルフリル等か使用される。塩素化剤
の使用割合としては、特に限定されず広い範囲内で適宜
選択することができるが、通常式〔■〕の化合物に対し
て０．５〜５倍モル程度、好ましくは０．５〜１．５倍
モル使用するのがよい。該反応は、冷却下、室温下及び
加温下のいずれでも進行するが、通常−２０〜５０°Ｃ
程度、好ましくは一１Ｏ°Ｃ〜３０°Ｃにて行うのがよ
い。
該反応は１〜２時間程度で終了する。
本発明で出発原料として用いられる一般式〔■〕で示さ
れるアミン誘導体は、公知の化合物であり、例えＩＬ’
Ｎ−メチルグリシンメチルエステル、Ｎ−。
メチルグリシンエチルエステル、Ｎ−メチルグリシンブ
チルエステル、Ｎ−エチルグリシンエチルエステル、Ｎ
−ｎ−プロピルグリシンエチルエステル、Ｎ−１ｓｏ−
プロピルグリシンエチルエステル、Ｎ−ｎ−ブチルグリ
シンエチルエステル、Ｎ　１８０−ブチルグリシンエチ
ルエステル、Ｎ−５ｅｃ−ブチルグリシンエチルエステ
ル、Ｎ−ｎ−オクチルグリシンエチルエステル、Ｎ−シ
クロへキシルグリシンエチルエステル、Ｎ−ベンジルグ
リシンエチルエステル、Ｎ−（４−メチルベンジル）ク
リシンエチルエステル、Ｎ−（４−クロルベンジル）グ
リシンエチルエステル、Ｎ−フェニルグリシンエチルエ
ステル、Ｎ−（８−メチルフェニル）クリシンエチルエ
ステル、Ｎ−（４−メトキシフェニル）グリシンエチル
エステル、Ｎ−メチルアミノプロピオン酸エチル、Ｎ−
ｎ−プロピルアミノプロピオン酸エチル、Ｎ−１ｓｏ−
プロピルアミノプロピオン酸メチル、Ｎ−１ｓｏ−プロ
ピルアミノプロピオン酸エチル、Ｎ−１ｓｏ−プロピル
アミノプロピオン酸ブチル、Ｎ−１ｓｏ−プロピルアミ
ノプロピオン酸２−エチルヘキシル、Ｎ−ｎ−ブチルア
ミノプロピオン酸メチル、Ｎ−ｎ、−ブチルアミノプロ
ピオン酸エチル、Ｎ　−１ｓｏ−ブチルアミノプロピオ
ン酸エチル、Ｎ−５ｅｃ−ブチルアミノプロピオン酸エ
チル、Ｎ−゛ｔ−ブチルアミノプロピオン酸エチル、Ｎ
−ｎ−アミルア、ミノプロピオン酸エチル、Ｎ−１ｓｏ
−アミルアミノプロピオン酸エチル、Ｎ−ｎ−へキシル
アミノプロピオン酸エチル、Ｎ−シクロへキシルアミノ
プロピオン酸エチル、Ｎ−アセチルグリシンエチルエス
テル、Ｎ−クロルアセチルグリシンエチルエステル、Ｎ
−プロピオニルグリシンエチルエステル、Ｎ−ベンゾイ
ルグリシンエチルエステル、Ｎ−（４−クロルベンゾイ
ル）グリシンエチルエステル、Ｎ−トシルグリシンエチ
ルエステル、Ｎ−メチルアミノアセトニトリル、Ｎ−エ
チルアミノアセトニトリル、Ｎ−ｎ−プロピルアミノア
セトニトリル、Ｎ−１ｓｏ　−７’ロピルアミノアセト
ニトリル、Ｎ−ｎ−ブチルアミノアセトニトリル、Ｎ−
１ｓｏ−ブチルアミノアセトニトリル、Ｎ−ベンジルア
ミノアセトニトリル、Ｎ−７ｘニルアミノアセトニトリ
ル、Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノアセトニトリル
、Ｎ−メチルアミノプロピオンニトリル、Ｎ−ｎ−プロ
ピルアミノプロピオンニトリル、Ｎ−１ｓｏ−フロビル
アミノプロピオンニトリル、Ｎ−ｎ−ブチルアミノプロ
ピオンニトリル、Ｎ−１ｓｏ−ブチルアミノプロピオン
ニトリル、Ｎ−５ｅｃ−ブチルアミノプロピオンニトリ
ル、Ｎ−オクチルアミノプロピオンニトリル、Ｎ−シク
ロへキシルアミノプロピオンニトリル、Ｎ−エトキシカ
ルボニルメチルカルバミン酸メチル、Ｎ−エトキシカル
ボニルメチルカルバミン酸メチル、Ｎ−エトキシカルボ
ニルメチルカルバミン酸フェニル、Ｎ−エトキシカルボ
ニルメチルアミノプロピオン酸エチル、４−（エトキシ
カルボニルメチルアミノ）酪酸エチル、２−（エトキシ
カルボニルメチルアミノ）酪酸エチル、Ｎ−！）＋ジカ
ルボニルエチルカルバミーンル、Ｎ−シアノメチルカル
バミン酸メチル、Ｎ−シアノメチルカルバミン酸エチル
、Ｎ−シアノエチルカルバミン酸エチル、Ｎ−シアノメ
チルグリシンエチルエステル、Ｎ−シアンエチルクリシ
ンエチルエステル、Ｎ−シアノメチルアミノプロピオン
酸エチル、Ｎ−シアンエチルアミノプロピオン酸エチル
等が挙げられる。
本発明の一般式〔工〕で示されるアミ／スルフェニルク
ロリド誘導体は上記合成法１及び合成法２のいずれでも
製造可能であるが、一般式（ｎ）で示されるアミンの種
類により選択される場合がある。
即ち、一般式 〔式中Ｒ３はＣ１〜８のアルキル基を示す。Ｒ２はＣ１
−８のアルキル基、Ｃトロのシクロアルキル基、ベンジ
ル基、フェニル基、置換ベンジル基又は置換フェニル基
を示す。Ｘ，Ｙは０１〜６のアルキレン基ヲ表わす。〕
で示されるアミンの場合には、合成法２が好ましく、ま
た一般式 〔式中Ｒ３はＣ１〜Ｂのアルキル基を示す。Ｒ４はＣ１
〜６のアルキル基、フェニル基、ａ換フェニル基、０１
〜３のアルコキシ基又はフェノキシ基を示し、Ｚはカル
ボニル基又はスルホニル基を示す。Ｘ、Ｙは０１〜６の
アルキレン基を示す。〕で示されるアミンの場合には、
合成法１が好ましい。それ以外のアミンについては合成
法ｌと合成法２て差はない。
以下に実施例及び参考例を示し、本発明を更に詳しく説
明する。
実施例Ｉ Ｎ−アセチル−Ｎ７エトキシカルボニルメチルアミノス
ルフエニルクロリドの製造（合成法ｌ）−塩化イオウ２
．７ｇ（０，０２モル）を四塩化炭素５０ｍ１！に溶解
し、０〜５°ＣてＮ−アセチルグリシンエチルエステル
２．９９　（０，０２モル）を滴下した。滴下後回温度
でトリエチルアミン２４ノ（０，０２４モル）を滴下し
、１時間撹拌した。析出した結晶を濾過し、母液を減圧
下で濃縮すると油状物が得られた。収量ｇ、８９（収率
９０．５％）油状物の重クロロホルム中でのＮＭＲは次
の様に示した。
δ、１．２４ｐｐｍ（ｔ、８Ｈ’）、　　δ、２．５２
ｐｐｍ　（ｓ、３Ｈ）、δ、４．１４ｐｐｍ（ｑ、２Ｈ
）、　　δ、４．３８ｐｐｍ　（ｓ、２Ｈ）、ＮＭＲよ
りわずかに原料とビスアミノスルフィドの生成が認めら
れるが、 を確認した。
実施例２ Ｎ−メトキシカルボニル−Ｎ−エトキシカルボニルメチ
ルアミノスルフェニルクロリドの製造（合成法１） 二塩化イオウ２．１ｇ（０，０２モル）を四塩化炭素５
０ｍＪに溶解し、０〜５°Ｃてピリジン１．６９（０，
０２モル）を滴下した。滴下後、Ｎ−エトキシカルボニ
ルメチルカルバミン酸メチル３．２ｇ（０，０２モル）
を更に滴下し、同温度で１時間撹拌した。
反応後析出した結晶を濾過し母液を減圧下で濃縮すると
、油状物が得られた。収量４．２９（収率９３．３％） 油状物の重クロロホルム中でのＮＭＲは次の様に示した
。
δ、　１．２７ｐｐｍ　（ｔ　、　８１（）、　δ、　
８．７９ｐｐｍ　（ｓ、　３Ｈ）、δ、４．１６ｐｐｍ
（ｑ、２Ｈ）、　　δ、４．３５ｐｐｍ　（ｓ、２Ｈ）
、ＮＭＲよりわずかに原料とビスアミノスルフィドの生
成が認められるが、 を８１認した。
実施例８ Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−エトキシカルボニルエチルアミノ
スルフェニルクロリドの製造（合成法２）−塩化イオウ
１．４９　（０，０１モル）を四塩化炭素５０　ｍｌに
溶解し、０〜５°ＣてＮ−ブチルアミノプロピオン酸エ
チル３．５Ｐ（０，０２モル）を滴下し、更にトリエチ
ルアミン２９（０，０２モル）を滴下した。滴下後１時
間撹拌し、反応液を５０ｍ／の水で３回洗浄した。四塩
化炭素層を硫酸ナトリウムで乾燥後、濾過し、再度四塩
化炭素溶液をＯｏＣに冷却し撹拌した。冷却下で塩化ス
ルフリル１．４９　（０，０１モル）を滴下し、同温度
で１時間撹拌後、反応液を減圧下で濃縮すると油状物を
得た。収量４．５９（収率９３８％） 油状物の重クロロホルム中でのＮ　Ｍ　Ｒは次の様に示
した。
δ、０．７−２．０ｐｐｍ　（ｍ、　７Ｈ）、　　δ、
　１．２６ｐｐｍ　（ｔ、　３Ｈ）、δ、　２．７０ｐ
ｐｍ　（ｔ、　２Ｈ）、　　　δ、　８．２５ｐｐｍ　
（ｔ、　２Ｈ）、δ、３．４８ｐｐｍ　（ｔ、　２Ｈ）
、　　　δ、　４．０８ｐｐｍ（ｑ、　２Ｈ）、ＮＭＲ
よりわずかにビスアミノジスルフィドの存在が認められ
るが を確認した。
実施例４ Ｎ−１ソプロピルーＮ−エトキシカルボニルエチルアミ
ノスルフェニルクロリドの製造（合成法２） Ｎ−イソプロピルアミノプロピオン酸エチル３．２９　
（０，０２（−ル）を８０　ｍｌのｎ−ヘキサンに溶解
し、５％苛性ソーダ水溶液５０ｍ／を加えた。５°Ｃに
冷却後、−塩化イオウ１．４９　（０，０１モル）を５
０ｍＪのｎ−ヘキサンに溶解した液を滴下し、同温で１
時間撹拌した。反応後ｎ−ヘキサン層を分取し、水洗、
乾燥した。ｎ−ヘキサン層を再度冷却撹拌後塩化スルフ
リル１．４ｇ（０，０１モル）を滴下し、１時間撹拌し
た。ｎ−ヘキサンを減圧下で濃縮すると油状物が得られ
た。収槍４．１９（収率９１％） 油状物の重クロロホルム中でのＮＭＲは次の様に示した
。
δ、　１．２３ｐｐｍ　（ｔ　、　３Ｈ）、　、δ、　
１．２６ｐｐｍ　（ｄ、　６Ｈ）、δ、２．７７ｐｐｍ
（ｔ　、　２Ｈ）、　δ、　３．０−３．８ｐｐｍ（ｍ
、　３Ｈ）、δ、４．０６ｐｐｍ（ｑ、　２１（） ＮＭＲよりわずかにビスアミノンスルフィドの存在が認
められるが を確認した。
実施例５〜２６ 実施例１〜４と同様の方法で実施例５〜２６の化合物を
合成した。表ＩにＮＭＲデータを示す。・表　　■ 参考例 ２．８−　’）ヒドロ−２，２−ジメチルベンゾフラン
−７−イル　Ｎ−（Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−エトキシカル
ボニルエチルアミノスルフェニル）Ｎ−メチルカーバメ
イトの製造 実施例８で得たＮ−ｎ−ブチル−Ｎ−エトキノカルボニ
ルエチルアミノスルフェニルクロリド２．４９Ｃ０，０
１モル）と２，３−ジヒドロ−２，２−シメチルベンゾ
フラン−７−イル　Ｎ−メチルカーバメイト２．２９　
（０，０１モル）を３０ｍ／（７）塩化メチレンに溶解
し、０°Ｃに冷却した。撹拌下トリエチルアミン１．２
ｇ（０，０１２モル）を滴下し、同温で２時間反応した
。反応後反応液を水洗し、次いで希塩酸水洗浄、水洗を
行った。塩化メチレン層を乾燥後減圧下で濃縮し、油状
物を得た。収量８．４９（収率８１％） この油状物は、わずかに原料を含むがほぼ一成分であっ
た。
目的物確認のためシリカゲルカラムクロマトグラフィー
で精製し油状物を得た（溶媒ベンゼン：酢酸エチル＝１
０：１）。油状物の重クロロホルム中でのＮＭＲは次の
様に示した。
δ、０．７〜１．８ｐｐｍ（ｍ、　ｌ０Ｈ）、δ、１．
４１ｐｐｍ（ｓ、６Ｈ）、δ、２．４〜２．８ｐｐｍ（
ｍ、２Ｈ）、　δ、２．９５ｐｐｍ（ｓ　、２Ｈ）、δ
、８．３８ｐｐｍ（ｓ　、　３Ｈ）、　　　δ、１１〜
３．４ｐｐｍ（ｍ、４Ｈ）、δ、１．９７ｐｐｍ（ｑ　
、２Ｈ）、　　　δ、　６．６〜７．２　ｐ　ｐｍ　（
ｍ、　３Ｈ）、元素分析（Ｃ２１Ｈａ２ＮｚＯｓＳ　＝
　４２４．５６９として）分析値（蝙Ｃ：５９．０１　
　Ｈニア、１８　　Ｎ：６．７９計算値（１）Ｃ：５９
．４２　　Ｈニア、６０　　Ｎ：６．６０以上の結果よ
り を確認した。
０以上） ＋　　φ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■　一般式 〔式中Ｒ１及びＲ２は同−又は異って基−Ｘ−ＣＯＯＲ
    ３又は基−Ｙ−ＣＮを示す。ここでＸ及びＹはＣ１〜６
    の直鎖又は分枝アルキレン基を示し、Ｒ３はＣ１〜８の
    アルキル基を示す。但しＸ及びＹが共にメチレン基であ
    る場合を除く。またＲ１及びＲ２の一方が基−Ｘ−ＣＯ
    ＯＲ１Ｉ又は基−Ｙ−ＣＮを示し、（Ｗの一方がＣｌ−
    ８のアルキル基、Ｃトロのシクロアルキル基、ベンジル
    基、フェニル基、置換ベンジル基、置換フェニル基又は
    基−Ｚ−Ｒ４を示してもよい。 該置換基としてはハロゲン原子、Ｃ１〜３のアルキル基
    又はＣ１〜３のアルコキシ基を示す。またＺはカルボニ
    ル基又はスルホニル基を、Ｒ４はＣ１〜６−のアルキル
    基、フェニル基、置換基として０１〜３のアルキル基も
    しくはハロゲン原子を有するフェニル基、Ｃ１〜３のア
    ルコキシ基又はフェノキシ基を示す。〕 で示されるアミノスルフェニルクロリド誘導体。 ■　一般式 〔式中Ｒ１及びＲ２は同−又は異って基−Ｘ　−ＣＯＯ
    Ｒ３又は基−Ｙ−ＣＮを表わす。ここでＸ及びＹはＣ１
    〜６の直鎖又は分枝アルキレン基を示し、Ｒ３はＣ１〜
    ８のアルキル基を示す。但しＸ及びＹが共にメチレン基
    である場合を除く。またＲ１及びＲ２の一方が基−Ｘ−
    ＣＯＯＲ３又は基−Ｙ−ＣＮを示し、他の一方がＣ１〜
    ８のアルキル基、Ｃトロのシクロアルキル基、ベンジル
    基、フェニル基、置換ベンジル基、置換フェニル基又は
    基−Ｚ−Ｒ４を示してもよい。該置換基としてはハロゲ
    ン原子、０１〜８のアルキル基又はＣ１〜３のアルコキ
    シ基を示す。またＺはカルボニル基又はスルホニル基ヲ
    、Ｒ４はＣ１〜６のアルキル基、フェニル基、置換基と
    してＣ１〜３のアルキル基もしくはハロゲン原子を有す
    るフェニル基、Ｃ１〜３のアルコキシ基又はフェノキシ
    基を示す。〕 で示されるアミン誘導体と一塩化イオウ又は二塩化イオ
    ウとを反応させることを特徴とする一般式 〔式中Ｒ１及びＲ２は前記に同じ。〕 で示されるアミノスルフェニルクロリド誘導体の製造法
    。 ■　一般式 〔式中Ｒ１及びＲ２は同−又は異って基−Ｘ　−Ｃ０Ｏ
    Ｒ３又は基−Ｙ−ＣＮを示す。ここてＸ及びＹはＣ１〜
    ６の直鎖又は分枝アルキレン基を示し、Ｒ３は０１〜Ｓ
    のアルキル基を示す。但しＸ及びＹか共にメチレン基で
    ある場合を除く。またＲ１及びＲ２の一方が基−Ｘ−Ｃ
    ＯＯＲ３又は基−Ｙ−ＣＮを示し、他の一方がＣ１〜８
    のアルキル基、Ｃ３−６の　７クロアルキル基、ベンジ
    ル基、フェニル基、置換ベンジル基、置換フェニル基又
    は基−Ｚ−Ｒ４を示してもよい。該置換基としてはハロ
    ゲン原子、Ｃ１〜３のアルキル基、Ｃ１〜３のアルコキ
    シ基を示す。 またＺはカルボニル基又はスルホニル基を、Ｒ４はｑ〜
    ６のアルキル基、フェニル基、置換基としてＣ１〜３の
    アルキル基もしくは）１０ゲン原子を有するフェニル基
    、０１〜３のアルコキシ基又はフェノキシ基を示す。〕 で示されるアミン誘導体と一塩化イオウとを反応させて 一般式 〔式中Ｒ１及びＲ２は前記に同じ。〕 で示されるビスアミノジスルフィド誘導体をＮ、次いで
    これを塩素化することを特徴とする一般式 〔式中Ｒ１及びＲ２は前記に同じ〕 で示されるアミノスルフェニルクロリド誘導体の製造法
    。
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