JPS589237A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS589237A JPS589237A JP56107039A JP10703981A JPS589237A JP S589237 A JPS589237 A JP S589237A JP 56107039 A JP56107039 A JP 56107039A JP 10703981 A JP10703981 A JP 10703981A JP S589237 A JPS589237 A JP S589237A
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、党、熱等のエネルギービームの照射により記
録膜に穴もしくは！！ｔｉｌｌを形成することによって
情報モ記録するようにした元学的情報記録媒体に係り、
４Ｉ＃こ、感度の同上および長寿命化を図った党学的情
報記録媒体に関する。
録膜に穴もしくは！！ｔｉｌｌを形成することによって
情報モ記録するようにした元学的情報記録媒体に係り、
４Ｉ＃こ、感度の同上および長寿命化を図った党学的情
報記録媒体に関する。
基板上＃Ｃ形成された薄膜層にエネルギービームを照射
し、記録されるべ會信号に対応したビット列を形成する
ようにした光学的情報記録媒体において、従来より記録
薄膜としてテルル（Ｔ・）を使用することが知られてい
る。Ｔ＠薄膜は最も低いエネルギーて所望のビットを形
成できる材料であり、この種の用途においては高感度材
料として極めて有望である。ここで感度とは、単位面積
轟りのビット形成に畳するエネルギー（ｍＪ／ｍ）で定
義すれる。
し、記録されるべ會信号に対応したビット列を形成する
ようにした光学的情報記録媒体において、従来より記録
薄膜としてテルル（Ｔ・）を使用することが知られてい
る。Ｔ＠薄膜は最も低いエネルギーて所望のビットを形
成できる材料であり、この種の用途においては高感度材
料として極めて有望である。ここで感度とは、単位面積
轟りのビット形成に畳するエネルギー（ｍＪ／ｍ）で定
義すれる。
しかしながら、°Ｔ・は大気中に鉛量され、た場合、＠
嵩や水分により鹸化８ｔ′Ｌ、透男になる度合が遭い。
嵩や水分により鹸化８ｔ′Ｌ、透男になる度合が遭い。
記録薄膜として使用する場合、膜厚は５００Ａ ９度と
極めて・薄いため膜の鹸化で生じ九透ＩＲ度増加に起因
する膜の感度劣化は看しい、、すなわち膜が酸化される
と融解、蒸発１１＆が上昇するとともに透羽化Ｔるため
＃ｃｙｔａ収が少なくなり、ビット形成に景するエネル
ギーが大きくなり感度の劣化を米たす。また、たとえば
７０’Ｃ１相対温度８５％の雰囲気に放置した場合、約
５時間で感度が釣部％低下し、約す時間で約（資）％低
下してしまう。この友めＴｅ ｉｌｌ （Ｄ ＠！化防
止のために樵々の防止策がとられている。安定無機物質
で〒Ｃ膜をコートする方法は有効であるが感度低下と高
価なため実用化されていない。一方、プラスチックコー
トの場合は、熱伝導皐が小さく感度を損なう度合が小さ
く有利であるか酸素や水を比較的容易に透過させＴｅ１
１４Ｄ酸化防止−こは役立たない。
極めて・薄いため膜の鹸化で生じ九透ＩＲ度増加に起因
する膜の感度劣化は看しい、、すなわち膜が酸化される
と融解、蒸発１１＆が上昇するとともに透羽化Ｔるため
＃ｃｙｔａ収が少なくなり、ビット形成に景するエネル
ギーが大きくなり感度の劣化を米たす。また、たとえば
７０’Ｃ１相対温度８５％の雰囲気に放置した場合、約
５時間で感度が釣部％低下し、約す時間で約（資）％低
下してしまう。この友めＴｅ ｉｌｌ （Ｄ ＠！化防
止のために樵々の防止策がとられている。安定無機物質
で〒Ｃ膜をコートする方法は有効であるが感度低下と高
価なため実用化されていない。一方、プラスチックコー
トの場合は、熱伝導皐が小さく感度を損なう度合が小さ
く有利であるか酸素や水を比較的容易に透過させＴｅ１
１４Ｄ酸化防止−こは役立たない。
本発明は上記問題を解決するためになさＩＬ友もので、
合成ｗｍ基板を使用しながら高感度かつ長寿命の元学的
情報記最媒体を提係することを目的とする。ゝ 本発明の光学的情報記録媒体は記録層を炭素０、硼素（
６）および水素（２）を含有するＴｅ展によって形成し
たことを特徴とし、これによって高感度と長寿命とを葦
ね債えたものである。
合成ｗｍ基板を使用しながら高感度かつ長寿命の元学的
情報記最媒体を提係することを目的とする。ゝ 本発明の光学的情報記録媒体は記録層を炭素０、硼素（
６）および水素（２）を含有するＴｅ展によって形成し
たことを特徴とし、これによって高感度と長寿命とを葦
ね債えたものである。
以下、図ｍを参照しながら、本発明の実施ｆ１につ舎詳
細に説明する。
細に説明する。
５菖１図は本発明の一実施例を示す断面−ある。
図において、（１）は基板で本実施例では合成樹層の１
つであるアクリル板を用いた。しかし、他のプラスチッ
ク４［腋九はガラス板であっても作用効果は同じであり
、情報記銀の書き込み、読み出し方法によって適宜選択
すれば良い。（２）は、Ｃ，Ｂ、Ｈを含む情法記碌用Ｔ
ｏ膜であり、その厚さは十分な光反射率を得る１１Ｋに
厚く、かつ感度を損なわない＠度に薄いことが必要で２
００Ｘ〜１声ｍ１１度が遍轟である。
つであるアクリル板を用いた。しかし、他のプラスチッ
ク４［腋九はガラス板であっても作用効果は同じであり
、情報記銀の書き込み、読み出し方法によって適宜選択
すれば良い。（２）は、Ｃ，Ｂ、Ｈを含む情法記碌用Ｔ
ｏ膜であり、その厚さは十分な光反射率を得る１１Ｋに
厚く、かつ感度を損なわない＠度に薄いことが必要で２
００Ｘ〜１声ｍ１１度が遍轟である。
Ｃ，ＢおよびＨを含む情報記碌用Ｔｅ薄膜（２）はＴｅ
％ターゲットとしＣ，Ｂ、Ｈを含むガス例えばメタン
（ＣＨ，）とジボラン（Ｂ、Ｈ・）との混合ガス中でス
パッターすることにより得られる。ここでＴｅ膜中のＣ
，Ｂ、Ｈの含有量は０Ｍ４とＢ、ＩＩ・との滉合比およ
び印加高周波電力により自由に制御でも、例えばＣＨ＆
／ ＢＩＨ＠ ＝１０ Ｏ混合比テ約０．３ Ｗ／ａｔ
ＯＲＦ（１３，５６ＭＨｚ）電力を！・ターゲット基
板との間に印加すると釣部原子％のＣと約２原子％のＢ
を含有した膜を形成させることができる。この場合展の
組成式はＴ＠□−１−ｙ Ｃｘ Ｂ１０）と書き表わ丁
ことができ、膜が化学的に最も安定するＨの含有量はＸ
ｅｌによって決まる。ここでは膜中に水素ガス（Ｈ＊）
が発生するほど多量ｌこ含有させないかぎりＨ含有量は
任意に選ぶことができる。
％ターゲットとしＣ，Ｂ、Ｈを含むガス例えばメタン
（ＣＨ，）とジボラン（Ｂ、Ｈ・）との混合ガス中でス
パッターすることにより得られる。ここでＴｅ膜中のＣ
，Ｂ、Ｈの含有量は０Ｍ４とＢ、ＩＩ・との滉合比およ
び印加高周波電力により自由に制御でも、例えばＣＨ＆
／ ＢＩＨ＠ ＝１０ Ｏ混合比テ約０．３ Ｗ／ａｔ
ＯＲＦ（１３，５６ＭＨｚ）電力を！・ターゲット基
板との間に印加すると釣部原子％のＣと約２原子％のＢ
を含有した膜を形成させることができる。この場合展の
組成式はＴ＠□−１−ｙ Ｃｘ Ｂ１０）と書き表わ丁
ことができ、膜が化学的に最も安定するＨの含有量はＸ
ｅｌによって決まる。ここでは膜中に水素ガス（Ｈ＊）
が発生するほど多量ｌこ含有させないかぎりＨ含有量は
任意に選ぶことができる。
膜厚は、スパッタ時間に比例するので自由に制御できる
。
。
膜の光学定数はｗ４組成によって決まるので記録媒体の
光学的性質は、上記の実施例では約１ｏｏｏＸＯ膜厚で
反射率が最大となり記ＩＩ特性が最良となつ九。
光学的性質は、上記の実施例では約１ｏｏｏＸＯ膜厚で
反射率が最大となり記ＩＩ特性が最良となつ九。
この条件で作成し良膜は非晶質であり、多結晶Ｔｅ膜に
比べて記録状態のビット周辺エツジ部が滑らかとなり、
情報読みとり時のノイスレペルを低くおさえることがで
きる。
比べて記録状態のビット周辺エツジ部が滑らかとなり、
情報読みとり時のノイスレペルを低くおさえることがで
きる。
第２図は％７０℃相対温度８５％の雰囲気で時間経過に
対する感度の劣化を従来のＴｏ４阜体するものと本発明
によるものとを比較した図である。
対する感度の劣化を従来のＴｏ４阜体するものと本発明
によるものとを比較した図である。
本図における感度の劣化は、記録着こ必要なエネルギー
の逆数の初期値に対する変化として表わされてお′す、
Ｔｅ単体からなる従来の記録層、本発明による記録層と
もにアクリル基板上に形成された場合を示す。
の逆数の初期値に対する変化として表わされてお′す、
Ｔｅ単体からなる従来の記録層、本発明による記録層と
もにアクリル基板上に形成された場合を示す。
本図かられかるようにＴｅ単体からなる記録層の場合１
国中（ム）で示すように時間経過とともに感度が劣化す
る。これは時間とともに局部的な透明領域（シミ）が発
生するためで約１７０時間経過後には全面にわたって劣
化する。
国中（ム）で示すように時間経過とともに感度が劣化す
る。これは時間とともに局部的な透明領域（シミ）が発
生するためで約１７０時間経過後には全面にわたって劣
化する。
一方、本発明によるＣ、ＢおよびＨを含有するＴ・薄ｌ
ＩＯ場合は、同図ＣＢ）で示すように１０００時閏経過
量もＴｅ薄薄膜鬼られた様なりミは全く認められず、常
にほぼ一定の感度を保持しており、長寿命化を達成する
ことがわかる。
ＩＯ場合は、同図ＣＢ）で示すように１０００時閏経過
量もＴｅ薄薄膜鬼られた様なりミは全く認められず、常
にほぼ一定の感度を保持しており、長寿命化を達成する
ことがわかる。
本発明による上記実施例の感度は従来Ｔｅｌ［ｆ用いた
記録媒体、と同等か、またはわずか上まわる値を示して
おり、本発明によるＣ、ＢおよびＨ８含有ＴるＴａ薄薄
膜用い大元学記録厳体は高感度であること、も兼ね備え
ている。
記録媒体、と同等か、またはわずか上まわる値を示して
おり、本発明によるＣ、ＢおよびＨ８含有ＴるＴａ薄薄
膜用い大元学記録厳体は高感度であること、も兼ね備え
ている。
以上述べたように本発＠ＩこよるＣ、ＢｉｄよびＨを含
有るＴｅ薄薄膜用いた記録媒体は優れ比感度と非常に長
い寿命を得ることができる。ただし；５ＩＩ子％以下の
Ｃを含有する膜ではＴｅ膜との有意差は見られず、また
４０原子％以上含有する膜では感度の低下がみられ九。
有るＴｅ薄薄膜用いた記録媒体は優れ比感度と非常に長
い寿命を得ることができる。ただし；５ＩＩ子％以下の
Ｃを含有する膜ではＴｅ膜との有意差は見られず、また
４０原子％以上含有する膜では感度の低下がみられ九。
Ｃと■は膜の耐湿性と高感度化、Ｂは膜の結晶質化と高
感度化にそれぞれ主に役立っていると考えられる。Ｂは
１原子％以下では効果がなく、薗原子％以上では寿命を
短かくする。
感度化にそれぞれ主に役立っていると考えられる。Ｂは
１原子％以下では効果がなく、薗原子％以上では寿命を
短かくする。
上記の例ではＣＨ，とＢ！■−の混合ガス中での反応性
スパッタリングによる薄膜形Ｉｉｔ法について述べた。
スパッタリングによる薄膜形Ｉｉｔ法について述べた。
この他、上記記録膜特性を示す膜の形成方法として、ｃ
）Ｉ４とＢｄ（＠モ含むガスと、 Ｔｅの蒸気とをプラ
ズマ状ｌこして基板にＣ，ＢおよびＨを含むＴｅ１ＩＩ
を形成する方法でも可能である。更曇ζＣＨ，，ＢＪ・
およびＴｅ（ＣＨａ）＊ （ジメチルテルル）を用いた
気相成長またはプラズマ気相成長によっても形成可能で
ある。あるいは、Ｔｅ、 Ｃ，ＢおよびＨ原子の全部ま
たは一部をイオン化してビーム状として基板上に轟てて
上記特性を有する腰を形成することも可能である。上記
ＣＨ，ガスはＣ，）１４（エチレン）。
）Ｉ４とＢｄ（＠モ含むガスと、 Ｔｅの蒸気とをプラ
ズマ状ｌこして基板にＣ，ＢおよびＨを含むＴｅ１ＩＩ
を形成する方法でも可能である。更曇ζＣＨ，，ＢＪ・
およびＴｅ（ＣＨａ）＊ （ジメチルテルル）を用いた
気相成長またはプラズマ気相成長によっても形成可能で
ある。あるいは、Ｔｅ、 Ｃ，ＢおよびＨ原子の全部ま
たは一部をイオン化してビーム状として基板上に轟てて
上記特性を有する腰を形成することも可能である。上記
ＣＨ，ガスはＣ，）１４（エチレン）。
ＣａＯ置（アセチレン）等で、家たＴ＠（ＣＨａ）ｍ
Ｔｅ（Ｃｄ（ｓ）雪（ジエチルテルル）等で置き換える
ことも可■である。
Ｔｅ（Ｃｄ（ｓ）雪（ジエチルテルル）等で置き換える
ことも可■である。
第１１！ｌは本発明の実ＩＩ例を示す断面図、１８２図
は１１１１ｍに示したｅ曽媒体と従来の記録媒体との寿
命についての比ＩＩ！図である。 ｌ・・・基板 ２…Ｔ・−〇 −Ｂ−）１展 代塩入 升虐士 細近ＪＩｌ値 はｘｌｈ１名手 続
補 正 書（自発） 特許庁長官 若極相夫殿 １６ 事件の表示 昭和５６年特願第１０７０３９号 ２、発明の名称 光学的情報記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 〒１００ 東京都千代田区内幸町１−１−６ 東京芝首電気株式会社東京事務所内 ６、補正の内容 （１） 特許請求の範囲を別紙のとうシ補正する。 （２）明細書＃ｆ２頁＃！２行目の「凹部」を「例えば
凹部等の変形部」と訂正する。 以上 ４１Ｉ＃！ｆ請求の範囲 （１） 基板上に記俺膜ｔＳ成し、前記記録膜にエネ
Ｍギービームを照射し、穴もしくは変形部を形成して情
報を記録する光学的記録用部材において、前記記録膜が
テルル、縦索、硼素および水素を含有することｉ−Ｗ微
とする光学的情報配録媒体。 （２）基板はガラスもしくは合成樹脂であること′ｔＩ
ｐｉ徴とする特許請求の範囲菖１項記載の光学的情報記
録媒体。 （３）記録膜の組成はＴｅ１−ｘ−ｙ ０ｘＢｙ（Ｈ）
と表わしたとき、炭素（０）の含有量は、５〜４０原子
パーセント、硼素ＣＢ）の含有量は１〜５０原子パーセ
ントであること１に４！微とする特許請求の範囲第１項
記載の光学的情報記録媒体。 （４）記録膜の厚さは２００Ａないし１μｍであること
ｔ−特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報
記録媒体。
は１１１１ｍに示したｅ曽媒体と従来の記録媒体との寿
命についての比ＩＩ！図である。 ｌ・・・基板 ２…Ｔ・−〇 −Ｂ−）１展 代塩入 升虐士 細近ＪＩｌ値 はｘｌｈ１名手 続
補 正 書（自発） 特許庁長官 若極相夫殿 １６ 事件の表示 昭和５６年特願第１０７０３９号 ２、発明の名称 光学的情報記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 〒１００ 東京都千代田区内幸町１−１−６ 東京芝首電気株式会社東京事務所内 ６、補正の内容 （１） 特許請求の範囲を別紙のとうシ補正する。 （２）明細書＃ｆ２頁＃！２行目の「凹部」を「例えば
凹部等の変形部」と訂正する。 以上 ４１Ｉ＃！ｆ請求の範囲 （１） 基板上に記俺膜ｔＳ成し、前記記録膜にエネ
Ｍギービームを照射し、穴もしくは変形部を形成して情
報を記録する光学的記録用部材において、前記記録膜が
テルル、縦索、硼素および水素を含有することｉ−Ｗ微
とする光学的情報配録媒体。 （２）基板はガラスもしくは合成樹脂であること′ｔＩ
ｐｉ徴とする特許請求の範囲菖１項記載の光学的情報記
録媒体。 （３）記録膜の組成はＴｅ１−ｘ−ｙ ０ｘＢｙ（Ｈ）
と表わしたとき、炭素（０）の含有量は、５〜４０原子
パーセント、硼素ＣＢ）の含有量は１〜５０原子パーセ
ントであること１に４！微とする特許請求の範囲第１項
記載の光学的情報記録媒体。 （４）記録膜の厚さは２００Ａないし１μｍであること
ｔ−特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報
記録媒体。
Claims (1)
- （１） 基板上に記録膜を形成し、前記記録膜にエネ
ルギービームを照射し、穴もしくは凹部そ形成して情報
を記録する元学的記鑞用部材において、・前記記録膜が
テルル、炭素、硼素右よび水素を含有することを特徴と
する光学的情報記録媒体。 （２７ａｌｌはガラスもしくは合ｔｉｔ＊脂である２と
を特徴とする特許１求の範囲第１項記載の一学的情報紀
鎌媒体。 （３： 記録膜の組成はＴｌ！１ｌ−Ｘ−Ｆ ＣｘＢ
ｙ（Ｈ）と表わし九とき、炭素（Ｃ）の含有量は、５〜
４６□Ｊ［子パー篭ント、硼ｆＩＡＯＢ）の含有量は１
〜ＳＯ原子パーセントであることを特徴とする褥許讃、
求の一囲’ｍｉ′現記−の光学的情報記録媒体。□
−（４） 記録膜の厚゛さは２００Ｈないし
１−鷹であるζ、とを５′特黴゛とする特許請求の範囲
第１項記載の光学的ｉ報記録゛媒体。 ゛
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107039A JPS589237A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107039A JPS589237A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589237A true JPS589237A (ja) | 1983-01-19 |
Family
ID=14448963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56107039A Pending JPS589237A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589237A (ja) |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56107039A patent/JPS589237A/ja active Pending
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