JPS5899200A - リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 - Google Patents
リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法Info
- Publication number
- JPS5899200A JPS5899200A JP56195609A JP19560981A JPS5899200A JP S5899200 A JPS5899200 A JP S5899200A JP 56195609 A JP56195609 A JP 56195609A JP 19560981 A JP19560981 A JP 19560981A JP S5899200 A JPS5899200 A JP S5899200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- temp
- electric field
- furnace
- application
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はツチクムタンタレート（以下Ｌ Ｉ Ｔ ｓｏ
。
。
と記す）ＩＩＡ結晶の単一分域の方法に関する。
発明の一技術的背景と間騙点
ＬｉＴｍ０．単結晶を単一分域化することは公知である
。（特公昭４７−８４５０号、特濡昭５４−１５１９６
号等）。
。（特公昭４７−８４５０号、特濡昭５４−１５１９６
号等）。
例えばＸ軸引上げＬＩＴａＯ，単結晶を単一分域化する
為には＠１図に示すようにヒータ（１）で加熱できるよ
うにした電気炉（２）内に引上げた単結晶（３）を２面
に電極（４）を設け、スイッチ（７）を投入して９−ド
線（５）から電圧（６）を加えられるようにしておく。
為には＠１図に示すようにヒータ（１）で加熱できるよ
うにした電気炉（２）内に引上げた単結晶（３）を２面
に電極（４）を設け、スイッチ（７）を投入して９−ド
線（５）から電圧（６）を加えられるようにしておく。
このときのＬｉＴａ０．単結晶の加熱曲線（実＠）およ
び電圧印加特性（破線）を＠２図１り示す。多くの場合
単結晶の温度上昇は２００℃／時間、ｔ０がらｔ、まで
の保持温間はキュリ一点ＴＣより高い６５０℃、温度降
下は２００℃／時間である。一定ＳＶに保持し始める時
間ｔ、から２０分後ｔ、において電圧を印加し、さらに
２０分後ｔ、から温［＝１−降下させ、ｔｌから１時間
後ｔ、で電圧を切る。以上の操作によりＬＩＴＪＩＯ，
単結晶の唯−分域化呟終了する。
び電圧印加特性（破線）を＠２図１り示す。多くの場合
単結晶の温度上昇は２００℃／時間、ｔ０がらｔ、まで
の保持温間はキュリ一点ＴＣより高い６５０℃、温度降
下は２００℃／時間である。一定ＳＶに保持し始める時
間ｔ、から２０分後ｔ、において電圧を印加し、さらに
２０分後ｔ、から温［＝１−降下させ、ｔｌから１時間
後ｔ、で電圧を切る。以上の操作によりＬＩＴＪＩＯ，
単結晶の唯−分域化呟終了する。
さてこのよ・うにして得られる単−分ａ化したＬＩＴａ
Ｏ，単結晶は、分極化終了時点で単結晶のクラックが観
察されることがある。このクラックの大きさは種々様々
で大きいものはＸ軸方向に長さ１０ｍ１４ＦＫ！１面で
の幅１ｍ程闇から小さいものは肉眼でやっと見つかる程
度のものまである。又クラックの方向もＸ軸方向とは限
らない、数多くの実験中に発生したクラック発生率は約
５％であった。
Ｏ，単結晶は、分極化終了時点で単結晶のクラックが観
察されることがある。このクラックの大きさは種々様々
で大きいものはＸ軸方向に長さ１０ｍ１４ＦＫ！１面で
の幅１ｍ程闇から小さいものは肉眼でやっと見つかる程
度のものまである。又クラックの方向もＸ軸方向とは限
らない、数多くの実験中に発生したクラック発生率は約
５％であった。
爾結晶に発生するブラックは生産コスト面だけでなく単
結晶の品質特性面からみても好ましい現業ではなく極力
減少しなければならない。
結晶の品質特性面からみても好ましい現業ではなく極力
減少しなければならない。
発明の目的
本発明は上記欠点をなくすためになされたものでクラッ
クの少ないＬＩＴａＯ，単結晶の単一分域化方法を提供
することを目的とする。
クの少ないＬＩＴａＯ，単結晶の単一分域化方法を提供
することを目的とする。
発明の概要
発明者等は分橋化後のクラックを減少させるべく分極化
の方法における種々の要因について実験研究を行う中で
単結晶の電圧印加条件もクラックの一原因になっている
ことを晃出しこの発明を完成した。
の方法における種々の要因について実験研究を行う中で
単結晶の電圧印加条件もクラックの一原因になっている
ことを晃出しこの発明を完成した。
すなわち本発明はＬ ｉ Ｔ ａｏ、単結晶の２軸の両
端に電界印加のための電極を設け、この単結晶を所定の
温Ｉに加熱し、この所定温度において萌紀単結晶に所定
の電界を印加する工程を有する単結晶の単一分域化方法
において、前記所定の電界の印加は前記単結晶の温度が
５００℃以下のときに開始することを特徴とするＬｉＴ
ｉ０．単結晶の単一分極化方法である。
端に電界印加のための電極を設け、この単結晶を所定の
温Ｉに加熱し、この所定温度において萌紀単結晶に所定
の電界を印加する工程を有する単結晶の単一分域化方法
において、前記所定の電界の印加は前記単結晶の温度が
５００℃以下のときに開始することを特徴とするＬｉＴ
ｉ０．単結晶の単一分極化方法である。
数多くの実験の結果、所定の電界印加を開始するときの
単結晶の温度はクラック発生率に関係していることを見
出した。＠３図に実験により求めた電界印加が開始する
ときの単結晶の温度とグラツク発生率との関係を示す。
単結晶の温度はクラック発生率に関係していることを見
出した。＠３図に実験により求めた電界印加が開始する
ときの単結晶の温度とグラツク発生率との関係を示す。
図から明らかなように所定電界の印加は単結晶の温１ｌ
ｌｊｉｘｓｏｏ℃以下のときクラック発生率が威少し、
４００℃以下では著しく減少することがわ゛かる。
ｌｊｉｘｓｏｏ℃以下のときクラック発生率が威少し、
４００℃以下では著しく減少することがわ゛かる。
発明の実施例
以下実施例により本発明を説明する。
第１図に示すように直径２インチのＬｉＴａＯ３単結晶
（３）の２軸の両端に電橋（４）、電気炉（２）内に挿
入し、スイッチ（７）を投入してリード線（５）から電
圧を６０Ｖ印加する。次に電気炉（２）のヒータ（１）
に通電し、徐々に熱して炉温を高める。単緒晶温間が６
５０℃になったら２０分間維持すると単結晶ははり単一
分域化される。その後炉、温を徐々に下降させ単結晶４
賓が１５０’Ｃになったら電界の印加をやめ６０℃にな
ってから単結晶を取り出すことにより単一分域化処理は
終了する。。
（３）の２軸の両端に電橋（４）、電気炉（２）内に挿
入し、スイッチ（７）を投入してリード線（５）から電
圧を６０Ｖ印加する。次に電気炉（２）のヒータ（１）
に通電し、徐々に熱して炉温を高める。単緒晶温間が６
５０℃になったら２０分間維持すると単結晶ははり単一
分域化される。その後炉、温を徐々に下降させ単結晶４
賓が１５０’Ｃになったら電界の印加をやめ６０℃にな
ってから単結晶を取り出すことにより単一分域化処理は
終了する。。
この方法により得られた単結晶のクラック発生率は約２
％であった。
％であった。
以上の実施例では電気炉の昇温開始前に単結晶への電界
の印加を開始したが、電気炉の昇温途中であっても５０
０℃以下のと無に開始すればクラック発生率は減少する
。
の印加を開始したが、電気炉の昇温途中であっても５０
０℃以下のと無に開始すればクラック発生率は減少する
。
Ｓｔ図はＬ Ｉ Ｔ ｎｏ、単結晶の単一分域化を行う
装置の概略図、＠２図は従来のＬｉＴａ０．単結晶の加
熱曲線及び電圧印加特性を示す図、＠３図は電界印加を
開始するときの単結晶の温度とブラック発生率との関係
を示す図である。 （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ばか１
名） 第 璽 図 婢 函
装置の概略図、＠２図は従来のＬｉＴａ０．単結晶の加
熱曲線及び電圧印加特性を示す図、＠３図は電界印加を
開始するときの単結晶の温度とブラック発生率との関係
を示す図である。 （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ばか１
名） 第 璽 図 婢 函
Claims (1)
- リチウムタンタレ−） ｒＬｉＴａｏ、）単結晶の両端
に電界印加のための電機を設け、前記単結晶を所定の温
度に加熱し、この所定４實において前記単結晶に所定の
電界を印加する工程を有する単結晶の単一分域化方法１
；おいて、前記所定の電界の印加は前記単結晶の温度が
５００’Ｃ以下のと無に開始することを特徴とするリチ
ウムタンタレート単結晶の単一分域化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56195609A JPS5899200A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56195609A JPS5899200A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5899200A true JPS5899200A (ja) | 1983-06-13 |
| JPS6234719B2 JPS6234719B2 (ja) | 1987-07-28 |
Family
ID=16344001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56195609A Granted JPS5899200A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5899200A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0921215A1 (en) * | 1997-12-05 | 1999-06-09 | Crystal Technology, Inc. | Electromagnetic radiation absorbant crystals of lithium niobate and lithium tantalate and methods of preparing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5364699A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-09 | Toshiba Corp | Extending method for single orientation zone of single crystal |
-
1981
- 1981-12-07 JP JP56195609A patent/JPS5899200A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5364699A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-09 | Toshiba Corp | Extending method for single orientation zone of single crystal |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0921215A1 (en) * | 1997-12-05 | 1999-06-09 | Crystal Technology, Inc. | Electromagnetic radiation absorbant crystals of lithium niobate and lithium tantalate and methods of preparing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6234719B2 (ja) | 1987-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2017096905A1 (zh) | 一种硅芯连接方法 | |
| Tasson et al. | Piezoelectric study of poling mechanism in lithium niobate crystals at temperature close to the curie point | |
| JPS5899200A (ja) | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 | |
| CN102037166B (zh) | 通过质子交换转移薄层的方法 | |
| US20220285520A1 (en) | Process for preparing a thin layer of ferroelectric material | |
| CN103266354B (zh) | 获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法 | |
| CN106920759B (zh) | 一种芯片保护壳去除方法及装置 | |
| JPS5849696A (ja) | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 | |
| JPS6234720B2 (ja) | ||
| JP5984498B2 (ja) | 分極反転素子の製造方法、導波路型波長変換素子の製造方法および導波路型波長変換素子 | |
| JPS5932438B2 (ja) | 単結晶の単一分域化方法 | |
| JPS629184B2 (ja) | ||
| JPH06298539A (ja) | ガラス材の接着方法 | |
| JPS55124316A (en) | Manufacture of piezoelectric substrate for surface wave element | |
| JPS6036075B2 (ja) | シ−ズヒ−タの製造方法 | |
| JPH01222217A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS58156556A (ja) | 可撓性を有する光学繊維束の製造方法 | |
| JPS598294A (ja) | シ−ズヒ−タの製造方法 | |
| JPH01219099A (ja) | Ｂｉ↓１↓２ＧｅＯ↓２↓０単結晶の熱処理方法 | |
| JPH10177194A (ja) | ポーリング装置 | |
| US969610A (en) | Method of attaching steel to steel or steel to iron. | |
| JPS605867A (ja) | チタンクラツド材の熱処理法 | |
| JPS58145429A (ja) | 金属インサ−トを有するプラスチツク射出成形品の処理方法 | |
| JPS62172247A (ja) | 架橋ポリオリフインの結晶融点の推定方法 | |
| JPS60195100A (ja) | リン化インジユム結晶の処理方法 |