JPS59103434U - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents

液相エピタキシヤル成長装置

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JPS59103434U
JPS59103434U JP19620682U JP19620682U JPS59103434U JP S59103434 U JPS59103434 U JP S59103434U JP 19620682 U JP19620682 U JP 19620682U JP 19620682 U JP19620682 U JP 19620682U JP S59103434 U JPS59103434 U JP S59103434U
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JP
Japan
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substrate
solution
block
holding
liquid phase
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Application number
JP19620682U
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JPH027464Y2 (ja
Inventor
浩之 加納
雅文 橋本
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Original Assignee
Toyota Central R&D Labs Inc
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の液相エピタキシャル成長装置の断面図、
第２図は本考案の一実施例による液相エピタキシャル成
長装置の断面図、第３図は基板３０の保護のために用い
る基板保持ブロックの断面図、第４図は本考案の液相エ
ピタキシャル成長装置の使用態様を説明するための図、
第５図は第４図に関連づけて本考案の装置の作動を説明
するための温度プロファイル、第６図は本考案の装置に
より作成した半導体レーザ用基板の一例を示す断面図で
ある。 １１・・・基板支持ブロック、１２・・・蓋、１３・・
・溶液保持ブロック、１４・・・操作棒、１５・・・基
板挿入穴、１ａ〜１ｄ・・・結晶成長用溶液、２１・・
・台座ブロック、２２・・・基板保持スライダ、２３・
・・溶液保持ブロック、２４・・・蓋、２５・・・基板
挿入穴、２６〜２９・・・溶液室、３０・・・基板、３
１・・・基板保持ブロック、３２・・・基板供給穴、３
３・・・めくら蓋用ブロック、３４・・・め（ら蓋用ブ
ロック供給穴、３５・・・結晶成長基板収納穴、３６・
・・めくら蓋用ブロック収納穴、３７・・・操作棒、６
１・・・ｎ形ＧａＡｓ基板、６２・・・ｎ形ＧａＡｌＡ
ｓ、　＄　３−　　ノンドープＧａＡｓ層、６４−ｐ形
ＧａＡｌＡｓ層、６５−ｐ形ＧａＡｓ層。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 溶液保持ブロック２３と、基板保持スライダ２２と、台
    座ブロック２１とを有する液相エピタキシャル成長装置
    であって、 前記溶液保持ブロックは、複数の基板を収容し、その収
    容した基板を前記基板保持スライダに１枚づつ供給する
    基板供給部３２と、結晶成長溶液を収容し、その収容し
    た溶液を前記基板保持スライダに持された基板に接触さ
    せる部分を有する溶液室２６〜２９とが設けられており
    、 前記基板保持スライダは、前記基板供給部から基板を受
    は取り保持する基板保持部２５を有し、前記台座ブロッ
    クと前記溶液保持ブロック間に滑動自在に配置され、前
    記基板保持部に保持した基板を前記溶液室のところへ移
    送するものであり、前記台座ブロックは、前記基板保持
    スライダから結晶成長の終了した基板を受は取り収納す
    る収納部３５を有する ことを特徴とする前記液相エピタキシャル成長装置。
JP19620682U 1982-12-28 1982-12-28 液相エピタキシヤル成長装置 Granted JPS59103434U (ja)

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JPS59103434U true JPS59103434U (ja) 1984-07-12
JPH027464Y2 JPH027464Y2 (ja) 1990-02-22

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5271369U (ja) * 1976-11-17 1977-05-27
US4026240A (en) * 1975-11-17 1977-05-31 Hewlett-Packard Company Liquid phase epitaxial reactor apparatus
JPS5337186A (en) * 1976-09-17 1978-04-06 Hitachi Ltd Chemical gas phase accumulating method

Patent Citations (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4026240A (en) * 1975-11-17 1977-05-31 Hewlett-Packard Company Liquid phase epitaxial reactor apparatus
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JPS5271369U (ja) * 1976-11-17 1977-05-27

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JPH027464Y2 (ja) 1990-02-22

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