JPS59113357U - 成膜装置 - Google Patents

成膜装置

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Publication number
JPS59113357U
JPS59113357U JP803483U JP803483U JPS59113357U JP S59113357 U JPS59113357 U JP S59113357U JP 803483 U JP803483 U JP 803483U JP 803483 U JP803483 U JP 803483U JP S59113357 U JPS59113357 U JP S59113357U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
vacuum container
film forming
valve
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP803483U
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English (en)
Inventor
英二 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
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Publication of JPS59113357U publication Critical patent/JPS59113357U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の位置実施例を示す図、第２図は第１図
に示した実施例中の各バルブに供給される制御パルスを
示す図である。 １・・・真空容器、２・・・排気管、３・・・フィラメ
ント、　４・・・グリッド電極、５・・・被成膜材料、
６・・・支持体、９・・・バッファータンク、１０・・
・アルゴンガス供給源、１１・］・ベンゼンガス供給源
、１２．１３・・・定量管、１４・・・制御回路。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）第１のガスを真空容器内に供給して該ガスをイオ
    ン化し、該イオン化ガスによって被成膜材料表面をスパ
    ッタし、その後、該真空容器内に第２のガスを供給し、
    該第２のガスをイオン化し、該イオン化ガスを該材料に
    照射して所望の膜を形成するようにした成膜装置におい
    て、該第１のガス供給源と該真空容器との間及び第２の
    ガス供給源と該真空容器との間に夫々定量管部分とバル
    ブとを設け、該定量管部分に供給されたガスを該バルブ
    を開けることによって該真空容器内に導入するように構
    成し、該バルブの開閉を予め定められたプログラムに従
    って自動的に行うためのｍ制御手段を設けたことを特徴
    とする成膜装置。
  2. （２）該ガス供給源と該定量管部分との間にバルブが設
    けられた実用新案登録請求の範囲第１項記載の成膜装置
    。
  3. （３）間歇的に該真空容器内に導入されるガスによる該
    容器内の圧力変動を緩衝するためのバッファータンクが
    設けられた実用新案登録請求の範囲第１項乃至第２項記
    載の成膜装置。
JP803483U 1983-01-24 1983-01-24 成膜装置 Pending JPS59113357U (ja)

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JP803483U JPS59113357U (ja) 1983-01-24 1983-01-24 成膜装置

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JP803483U JPS59113357U (ja) 1983-01-24 1983-01-24 成膜装置

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