JPS6092467A - 金属薄膜の製造方法 - Google Patents
金属薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6092467A JPS6092467A JP58198203A JP19820383A JPS6092467A JP S6092467 A JPS6092467 A JP S6092467A JP 58198203 A JP58198203 A JP 58198203A JP 19820383 A JP19820383 A JP 19820383A JP S6092467 A JPS6092467 A JP S6092467A
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- JP
- Japan
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- film
- thin film
- metal thin
- cylindrical
- substrate
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高分子材料よりなる基板上に、金属薄膜を形成
する、金属薄膜の製造方法に関するものである。
する、金属薄膜の製造方法に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
従来、篩分子−利料よシなる基板上に真空蒸発法によシ
金属薄膜を形成する方法としては、基板を円筒状キャン
の周面に沿わせて走行させながら蒸着する方法が最も優
れていた。第１図にこのような方法を用いた真空蒸着装
置の内部構造を示す。
金属薄膜を形成する方法としては、基板を円筒状キャン
の周面に沿わせて走行させながら蒸着する方法が最も優
れていた。第１図にこのような方法を用いた真空蒸着装
置の内部構造を示す。
高分子拐料よりなる基板１は円筒状キャン２の周面に沿
りて矢印の向きに走行する。なお円筒状キャンの表面は
一般にＣｒ等がメッキされ、超鏡面に仕上げられている
。この基板１上に蒸発源３によって金属薄膜が形成され
る。４，５はそれぞれ基板１の供給ロールおよび巻きＪ
１７０−ルである。
りて矢印の向きに走行する。なお円筒状キャンの表面は
一般にＣｒ等がメッキされ、超鏡面に仕上げられている
。この基板１上に蒸発源３によって金属薄膜が形成され
る。４，５はそれぞれ基板１の供給ロールおよび巻きＪ
１７０−ルである。
このような真空蒸発装置で高分子材料よりなる基板上に
金属薄膜を蒸着する際に、金属薄膜の厚さが薄く数百Ｘ
以下の場合には、安定に薄膜が形成されるが、数百Ｘ以
上の膜厚を数百Ｘ７秒以上の制堆積速度で形成する場合
には、蒸発源からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱等によシ
基板の熱変形や熱分解を生じ、安定な蒸着膜が得られな
い。
金属薄膜を蒸着する際に、金属薄膜の厚さが薄く数百Ｘ
以下の場合には、安定に薄膜が形成されるが、数百Ｘ以
上の膜厚を数百Ｘ７秒以上の制堆積速度で形成する場合
には、蒸発源からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱等によシ
基板の熱変形や熱分解を生じ、安定な蒸着膜が得られな
い。
高分子材料よシなる基板の一方の表面にだけ金属膜を蒸
着する場合には、金属薄膜と円筒状キャンとの間に電位
差を設けて蒸着することによシ、上記の問題は解決され
る。この−例を第２図に基づいて説明する。
着する場合には、金属薄膜と円筒状キャンとの間に電位
差を設けて蒸着することによシ、上記の問題は解決され
る。この−例を第２図に基づいて説明する。
同図において、高分子拐料よシなる基板１は、蒸発源３
によって形成された金属薄膜を、金属ロー２６に接して
走行する。金属ローラ６は電源７によシ、接地された円
筒状キャン２との間に電圧がかけられている。これにょ
シ金属薄膜と円筒状キャン２との間に静電気的な引力が
生じ、基板１が円筒状キャン２に張り付く。このように
、張シ付いた状態で金属肋膜が形成されるので、蒸発源
からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱が円筒状キャン２に拡
散し、基板１の熱変形や熱分解が生じない。
によって形成された金属薄膜を、金属ロー２６に接して
走行する。金属ローラ６は電源７によシ、接地された円
筒状キャン２との間に電圧がかけられている。これにょ
シ金属薄膜と円筒状キャン２との間に静電気的な引力が
生じ、基板１が円筒状キャン２に張り付く。このように
、張シ付いた状態で金属肋膜が形成されるので、蒸発源
からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱が円筒状キャン２に拡
散し、基板１の熱変形や熱分解が生じない。
基板１のキャン２への張り付きが不十分であると熱拡散
の甘が小さく、基板ｌが損傷する。
の甘が小さく、基板ｌが損傷する。
つぎに、一方の表面に金属薄膜の形成されている高分子
Ｈ料忙よりなる基板の他方の表面に金属薄膜を蒸着する
際には、上記の方法が使用できない０すなわち、静電気
的な引力によって、基板を円筒キャンに張り１月かせる
ことかできず、従来の方法で蒸着を行なうと熱変形や熱
分解を生ずる欠点があった０ （発明の目的） 本発明の目的は、上記従来例の欠点を解消し、一方の表
面に金属薄膜の形成されている高分子材料よりなる基板
に、熱変形や熱分解を生ずることなく１この基板の他方
の表面に金属薄膜を形成する方法を提供することである
。
Ｈ料忙よりなる基板の他方の表面に金属薄膜を蒸着する
際には、上記の方法が使用できない０すなわち、静電気
的な引力によって、基板を円筒キャンに張り１月かせる
ことかできず、従来の方法で蒸着を行なうと熱変形や熱
分解を生ずる欠点があった０ （発明の目的） 本発明の目的は、上記従来例の欠点を解消し、一方の表
面に金属薄膜の形成されている高分子材料よりなる基板
に、熱変形や熱分解を生ずることなく１この基板の他方
の表面に金属薄膜を形成する方法を提供することである
。
（発明の構成〕
本発明の金属薄膜の製造方法は、一方の表面に金属薄膜
Ａの形成されている高分子材料よりなる基板の他方の表
面に金属薄膜Ｂを真空蒸着法によシ形成する際に、前記
基板を周面に絶縁層の形成されている円筒状キャンの周
面に沿って走行させ、かつ前記金属薄膜Ｂと前記円筒状
キャンとの間に電位差を設けるものである。
Ａの形成されている高分子材料よりなる基板の他方の表
面に金属薄膜Ｂを真空蒸着法によシ形成する際に、前記
基板を周面に絶縁層の形成されている円筒状キャンの周
面に沿って走行させ、かつ前記金属薄膜Ｂと前記円筒状
キャンとの間に電位差を設けるものである。
（実施例の説明）
本発明の一実施例を、第３図ないし第５図に基づいて説
明する。
明する。
第３図は本発明の製造方法を実施するだめの真空蒸着装
置内部の一例を示す図であり、一方の表面に金属薄膜Ａ
の形成されている高分子材料よシなる基板１０は、この
金属薄膜Ａを周面に絶縁層の形成されている円筒状キャ
ン２′の周面に接して矢印の方向に走行する。基板ｌｏ
上に形成された金属薄膜Ｂは、金属ローラ６と接してお
シ、電源７により円筒状キャン２′との間に電圧が印加
されている。
置内部の一例を示す図であり、一方の表面に金属薄膜Ａ
の形成されている高分子材料よシなる基板１０は、この
金属薄膜Ａを周面に絶縁層の形成されている円筒状キャ
ン２′の周面に接して矢印の方向に走行する。基板ｌｏ
上に形成された金属薄膜Ｂは、金属ローラ６と接してお
シ、電源７により円筒状キャン２′との間に電圧が印加
されている。
第３図の蒸着膜形成部を拡大して模式的に、第４図およ
び第５図に示す。８は円筒状キャンの周面に形成された
絶縁層であり、９は金属薄膜Ａ１１０は高分子材料よシ
なる基板、１１は一金属薄膜Ｂである。金ＪＩｇＲ膜Ｂ
ｌｌは蒸発源３によシ蒸着されつつある部分が／Ｊｅさ
れている。
び第５図に示す。８は円筒状キャンの周面に形成された
絶縁層であり、９は金属薄膜Ａ１１０は高分子材料よシ
なる基板、１１は一金属薄膜Ｂである。金ＪＩｇＲ膜Ｂ
ｌｌは蒸発源３によシ蒸着されつつある部分が／Ｊｅさ
れている。
第４図は高分子月別よりなる基板１０上に、直接に金ｐ
Ａ＃膜１１１１を形成する場合を示し、第５図は基板ｌ
Ｏ上に、金属簿膜Ｃ１２を介して金属薄膜Ｂｌｌを形成
する場合を示す。
Ａ＃膜１１１１を形成する場合を示し、第５図は基板ｌ
Ｏ上に、金属簿膜Ｃ１２を介して金属薄膜Ｂｌｌを形成
する場合を示す。
つぎに、第３図の装置で、電源７の電圧を２゜Ｖないし
２００■として、第４図に示す構造の膜を作製した結果
を・祝り］する。高分子材料よシなる基板１０としては
、膜厚４０μｍのＩリアミド系のフィルムを用い、金属
薄膜ＡおよびＢには、いずれも膜厚０，３μｍのＣｏ
−Ｃｒ合金膜を形成した。キャン表面の絶縁層としては
、厚さ５０μｍのＡｔ２０３を用いた。電源電圧がｌｌ
０Ｖ以下では、基板１０の円筒状キャン２′への張シ付
きが悪く、基板１０が部分的に熱分解し、穴があいた。
２００■として、第４図に示す構造の膜を作製した結果
を・祝り］する。高分子材料よシなる基板１０としては
、膜厚４０μｍのＩリアミド系のフィルムを用い、金属
薄膜ＡおよびＢには、いずれも膜厚０，３μｍのＣｏ
−Ｃｒ合金膜を形成した。キャン表面の絶縁層としては
、厚さ５０μｍのＡｔ２０３を用いた。電源電圧がｌｌ
０Ｖ以下では、基板１０の円筒状キャン２′への張シ付
きが悪く、基板１０が部分的に熱分解し、穴があいた。
これに対しｌｌ０Ｖを越える電源電圧の場合には、基板
１０ｆ′ｉ静電気的な引力によって、円筒状キャン２′
に安定に張り付いて走行し、熱変形、熱分解を生ぜすに
、Ｃｏ −Ｃｒ合金膜を作製できることが明らかになっ
た。
１０ｆ′ｉ静電気的な引力によって、円筒状キャン２′
に安定に張り付いて走行し、熱変形、熱分解を生ぜすに
、Ｃｏ −Ｃｒ合金膜を作製できることが明らかになっ
た。
なお、どの程度の電源電圧が必要かは、高分子材料より
なる基板ｌＯの膜厚、円筒状キャン２′表面の絶縁層の
厚さ等により、実験的に決定される。
なる基板ｌＯの膜厚、円筒状キャン２′表面の絶縁層の
厚さ等により、実験的に決定される。
また、金属薄膜に電圧をかけるだめの電源としては、第
３図には直流電源となっているが、交流電源でも差支え
ない。
３図には直流電源となっているが、交流電源でも差支え
ない。
（発明の効果）
本発明によれば、金属薄膜の蒸着時に基板を円筒状キャ
ンに張シ付けることができ、その結果、熱変形や熱分解
のない安定な金属薄膜全提供することができる効果があ
る。
ンに張シ付けることができ、その結果、熱変形や熱分解
のない安定な金属薄膜全提供することができる効果があ
る。
第１図および第２図は従来の真空蒸着装置内部の原理比
、第３図は本発明の一実施例による金属薄膜の製造方法
の真空蒸着装置内部の原理図、第４図および第５図は同
、内部の一部の模式的拡大図である。 １・・・基板、２．２’・・・円筒状キャン、３・・・
蒸発源１４．５・・・ロール、６・・・金属ローラ、７
・・・電源、８・・・絶縁層、９・・・金属薄膜Ａ、１
０・・・基板、ｌ］・・・金属薄膜Ｂ１１２・・・金属
薄膜Ｃ０ 特許出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 屋 野 恒 司□ 第１図 同−３ 陣ｙ 第３図 陣１
、第３図は本発明の一実施例による金属薄膜の製造方法
の真空蒸着装置内部の原理図、第４図および第５図は同
、内部の一部の模式的拡大図である。 １・・・基板、２．２’・・・円筒状キャン、３・・・
蒸発源１４．５・・・ロール、６・・・金属ローラ、７
・・・電源、８・・・絶縁層、９・・・金属薄膜Ａ、１
０・・・基板、ｌ］・・・金属薄膜Ｂ１１２・・・金属
薄膜Ｃ０ 特許出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 屋 野 恒 司□ 第１図 同−３ 陣ｙ 第３図 陣１
Claims (1)
- 一方の表面に金属薄膜Ａの形成されている高分子材料よ
シなる基板の他方の表面に金属薄膜Ｂを真空蒸発法によ
り形成する際に、前記基板を周面に絶縁層の形成さｉｔ
でいる円筒状キャンの周面に沿って走行させ、かつ前記
金属薄膜Ｂと前記円筒状キャンとの間に電位差を設ける
ことを特徴とする金属薄膜の製造方法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58198203A JPS6092467A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 金属薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58198203A JPS6092467A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 金属薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092467A true JPS6092467A (ja) | 1985-05-24 |
Family
ID=16387193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58198203A Pending JPS6092467A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 金属薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092467A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3686315A1 (de) * | 2019-01-28 | 2020-07-29 | FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zum beschichten eines bandförmigen substrates |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP58198203A patent/JPS6092467A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3686315A1 (de) * | 2019-01-28 | 2020-07-29 | FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zum beschichten eines bandförmigen substrates |
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