JPS59155132A - 露光におけるウエハ分離方法 - Google Patents
露光におけるウエハ分離方法Info
- Publication number
- JPS59155132A JPS59155132A JP59005564A JP556484A JPS59155132A JP S59155132 A JPS59155132 A JP S59155132A JP 59005564 A JP59005564 A JP 59005564A JP 556484 A JP556484 A JP 556484A JP S59155132 A JPS59155132 A JP S59155132A
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- JP
- Japan
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- wafer
- mask
- group
- exposure
- vent group
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えば各種半導体装置を製造する場合に使
用されるマスクアライナに関し１％にマスタブライナに
おいて、露光用マスク九対して半導体ウェハな密着させ
たり、露光用マスクから半導体ウェハを分離したりする
ためのウェハ密着・分離機構の改良に関する。
用されるマスクアライナに関し１％にマスタブライナに
おいて、露光用マスク九対して半導体ウェハな密着させ
たり、露光用マスクから半導体ウェハを分離したりする
ためのウェハ密着・分離機構の改良に関する。
従来、コノ種のウェハ密着・分離機構としては。
ウェハチャック本体に多数の通気孔を設け、マスクに半
導体ウニノ・を密着させる際には上記通気孔から圧縮ガ
スを吹上げ、マスクからウニノ１を分離する際には上記
通気孔を介してウニノ・を吸引するものが知られている
。また、この種の機構において、マスクにウェハな密着
させる場合に、一層厳密な密着状態を得たいときは、ウ
ニノ・を取囲む所定空間を減圧状態下において大気圧に
よる密着力補強を行なったり、あるいはウェハチャック
とマスクとの間に機械的外力を付加したりすることも知
られている。
導体ウニノ・を密着させる際には上記通気孔から圧縮ガ
スを吹上げ、マスクからウニノ１を分離する際には上記
通気孔を介してウニノ・を吸引するものが知られている
。また、この種の機構において、マスクにウェハな密着
させる場合に、一層厳密な密着状態を得たいときは、ウ
ニノ・を取囲む所定空間を減圧状態下において大気圧に
よる密着力補強を行なったり、あるいはウェハチャック
とマスクとの間に機械的外力を付加したりすることも知
られている。
しかるに、従来のウェハ密着・分離機構では、かかる密
着力補強手段をとってもなおマスクとウェハとの間Ｋ特
にウェハ中央部で十分な密着状態を形成するのが困難で
あった。すなわち、マスクアラインメン十の対象となる
半導体ウェハは通常その表面が鏡面研磨され且つホトレ
ジスト剤でおおわれており、鏡面研磨されたウニノ・表
面は中央部に比べ周辺部が１０μｍ位高く凹凸状になっ
ているのが普通である。このようなウェハをウェハチャ
ックによりほぼ一様な吹上げ圧力でマスクに対して押圧
すると、ウェハ周辺部がホトレジスト剤を介してマスク
面に優先的に密着し、ウェハ中。
着力補強手段をとってもなおマスクとウェハとの間Ｋ特
にウェハ中央部で十分な密着状態を形成するのが困難で
あった。すなわち、マスクアラインメン十の対象となる
半導体ウェハは通常その表面が鏡面研磨され且つホトレ
ジスト剤でおおわれており、鏡面研磨されたウニノ・表
面は中央部に比べ周辺部が１０μｍ位高く凹凸状になっ
ているのが普通である。このようなウェハをウェハチャ
ックによりほぼ一様な吹上げ圧力でマスクに対して押圧
すると、ウェハ周辺部がホトレジスト剤を介してマスク
面に優先的に密着し、ウェハ中。
央部とマスク面との間にはガスが閉じこめられ、空隙が
できる。この空隙はウェハ周辺部がマスクに密着してい
るために、いわば封止された状態にあるので、吹上げ圧
力を単純に増大させただけでは、消滅させるのが困難な
ものであった。従って、ウェハとマスクとの密着度が特
にウェハ中央部において低下してしまい、このため、マ
スクパターンの解像不良が発生していた。
できる。この空隙はウェハ周辺部がマスクに密着してい
るために、いわば封止された状態にあるので、吹上げ圧
力を単純に増大させただけでは、消滅させるのが困難な
ものであった。従って、ウェハとマスクとの密着度が特
にウェハ中央部において低下してしまい、このため、マ
スクパターンの解像不良が発生していた。
また、上記したマスク−ウェハ間の空隙はマスクからウ
ェハを分離するのを妨げるように作用していたので、従
来のウェハ密着・分離機構ではウェハ分離作業も容易で
なかった。すなわち、ウェハチャックによりほぼ一様な
吸引力でウェハをマスクから引離そうとすると、主とし
てウェハの中央部が先にマスク面から離れ、前述の空隙
処相轟する部分に減圧部が形成されるため、いわゆるス
ティッキング現象が起こる。このためウェハチャックに
よる吸引力だけではウェハ分離が困難なことかしばしば
あった。
ェハを分離するのを妨げるように作用していたので、従
来のウェハ密着・分離機構ではウェハ分離作業も容易で
なかった。すなわち、ウェハチャックによりほぼ一様な
吸引力でウェハをマスクから引離そうとすると、主とし
てウェハの中央部が先にマスク面から離れ、前述の空隙
処相轟する部分に減圧部が形成されるため、いわゆるス
ティッキング現象が起こる。このためウェハチャックに
よる吸引力だけではウェハ分離が困難なことかしばしば
あった。
この発明の目的は、上記した従来技術の難点を克服し、
マスクとウェハとの間に十分な密着状態を容易に形成で
きるとともにマスクからのウニノー分離を簡単且つスム
ーズに達成できる新規なマスクアライナを提供すること
にある。
マスクとウェハとの間に十分な密着状態を容易に形成で
きるとともにマスクからのウニノー分離を簡単且つスム
ーズに達成できる新規なマスクアライナを提供すること
にある。
この発明の特徴の一つは、ウェハの中央部を吹上又は吸
引するための第１の通気孔群と、ウェハの周辺部を吹上
又は吸引するための第２の通気孔群とをウェハチャック
本体に設け、ウェハの密着及び／又は分離にあたり上記
第１の通気孔群による吹上密着操作及び／又は吸引分離
操作と上記第２の通気孔群による同様の操作とを相互に
独立に制御しうるようにした点にある。ここで、「通気
孔群」なる用語は本来的に多数の通気孔の一群を意味す
るが、本願明細書中ではそのような本来の意味の他に、
ウェハの中央部又は周辺部に対応して所定パターン（例
、リング状）で連続的に形成された外観上１個の通気孔
をも含む意味で使用する。
引するための第１の通気孔群と、ウェハの周辺部を吹上
又は吸引するための第２の通気孔群とをウェハチャック
本体に設け、ウェハの密着及び／又は分離にあたり上記
第１の通気孔群による吹上密着操作及び／又は吸引分離
操作と上記第２の通気孔群による同様の操作とを相互に
独立に制御しうるようにした点にある。ここで、「通気
孔群」なる用語は本来的に多数の通気孔の一群を意味す
るが、本願明細書中ではそのような本来の意味の他に、
ウェハの中央部又は周辺部に対応して所定パターン（例
、リング状）で連続的に形成された外観上１個の通気孔
をも含む意味で使用する。
この発明の特徴の一つによれば、ウェハの中央部と周辺
部とに対して別個に吹上密着操作又は吸引分離操作をほ
どこすことができ、しがもその際の密着力又は吸引力の
強さなどは別個忙調整できる。このため、制御態様が豊
富になり、ウェハの寸法、形状１％性などに適合した密
着・分離操作が可能になる。例えば、マスクに対してウ
ェハを密着させる場合妃は、第１の通気孔群を介して行
なう吹上密着操作を、第２の通気孔群を介して行なう同
様の操作より優先させるように制御を行うことができる
。このような制御方式をとると、ウェハの中央部が周辺
部より先にマスク面圧密着するので、マスク−ウェハ間
に空隙が形成されることがなくなり、ウェハ全体として
十分な密着状態を得ることができる。従ってマスクパタ
ーンの解像不良は大幅に減少する。一方、マスクからウ
ェハを分離する場合には、第２通気孔群を介して行なう
吸引分離操作を、第１通気孔群を介して行なう同様な操
作よりも優先させるように制御を行なうことができる。
部とに対して別個に吹上密着操作又は吸引分離操作をほ
どこすことができ、しがもその際の密着力又は吸引力の
強さなどは別個忙調整できる。このため、制御態様が豊
富になり、ウェハの寸法、形状１％性などに適合した密
着・分離操作が可能になる。例えば、マスクに対してウ
ェハを密着させる場合妃は、第１の通気孔群を介して行
なう吹上密着操作を、第２の通気孔群を介して行なう同
様の操作より優先させるように制御を行うことができる
。このような制御方式をとると、ウェハの中央部が周辺
部より先にマスク面圧密着するので、マスク−ウェハ間
に空隙が形成されることがなくなり、ウェハ全体として
十分な密着状態を得ることができる。従ってマスクパタ
ーンの解像不良は大幅に減少する。一方、マスクからウ
ェハを分離する場合には、第２通気孔群を介して行なう
吸引分離操作を、第１通気孔群を介して行なう同様な操
作よりも優先させるように制御を行なうことができる。
このような制御方式をとると。
ウェハの周辺部が中央部より先にマスク面から離れるの
で、マスク−ウェハ間に減圧部が形成されることがなく
なり、ウニノ・分離は簡単且つスムーズに行われる。
で、マスク−ウェハ間に減圧部が形成されることがなく
なり、ウニノ・分離は簡単且つスムーズに行われる。
以下、添付図面を参照してこの発明の一実施例を説明す
る。図において、１０はウェハチャック本体であり、こ
れには、半導体ウェハ１２の中央部を吹上・吸引するた
めの第１の通気孔群１０ａと、ウェハ１２の周辺部を吹
上・吸引するための第２の通気孔群１０ｂとが設けられ
ている。ウェハ１２の密着・分離の対象となる露光用マ
スク１４は、適当なガラス板からなり、その下面（ウェ
ハ密着面）Ｋはクロム（Ｃｒ）などからなる適宜のパタ
ーンが被着されている。マスク１４の上方には１図示し
ない露光用光源が配置され、ウェハ１２の表面に塗布し
たホトレジスト剤をマスク１４を介して照射するように
なっている。ウニノＳ１２は、露光処理に先立ってマス
ク１４の下面に密着され、露光処理後にマスク１４から
分離される。
る。図において、１０はウェハチャック本体であり、こ
れには、半導体ウェハ１２の中央部を吹上・吸引するた
めの第１の通気孔群１０ａと、ウェハ１２の周辺部を吹
上・吸引するための第２の通気孔群１０ｂとが設けられ
ている。ウェハ１２の密着・分離の対象となる露光用マ
スク１４は、適当なガラス板からなり、その下面（ウェ
ハ密着面）Ｋはクロム（Ｃｒ）などからなる適宜のパタ
ーンが被着されている。マスク１４の上方には１図示し
ない露光用光源が配置され、ウェハ１２の表面に塗布し
たホトレジスト剤をマスク１４を介して照射するように
なっている。ウニノＳ１２は、露光処理に先立ってマス
ク１４の下面に密着され、露光処理後にマスク１４から
分離される。
ウェハ１２のマスク１４に対する密着操作及びウェハ１
２のマスク１４からの分離操作は次のような機構で行わ
れる。切換装置１６は、制御系１８からの切換指令によ
り配管２０．２２に窒素（Ｎ、）からなる圧縮ガスを供
給するか又は配管２０ 、２２を真空ＶＡＣでひくかを
切換制御するものである。
２のマスク１４からの分離操作は次のような機構で行わ
れる。切換装置１６は、制御系１８からの切換指令によ
り配管２０．２２に窒素（Ｎ、）からなる圧縮ガスを供
給するか又は配管２０ 、２２を真空ＶＡＣでひくかを
切換制御するものである。
配管２０はその途中に電磁弁２４が設けられており、ウ
ェハチャック本体１０の第１通気孔群１０ａに接続され
ている。配管２２はその途中に電磁弁２６が設けられて
おり、ウェハチャック本体１０の第２通気孔群１０ｂＫ
接続されている。電磁弁２４．２６はいずれも制御系１
８かもの制御信号に応じて作動するものである。
ェハチャック本体１０の第１通気孔群１０ａに接続され
ている。配管２２はその途中に電磁弁２６が設けられて
おり、ウェハチャック本体１０の第２通気孔群１０ｂＫ
接続されている。電磁弁２４．２６はいずれも制御系１
８かもの制御信号に応じて作動するものである。
マスク１４に対してウェハ１２を密着させる場合には、
まず、切換装置１６により配管２０ 、２２へのＮ２圧
縮ガスを流すようにし、電磁弁２４を開いた後、所定時
間（例えば、２〜３秒）後に電磁弁２６を開くように制
御系１８により制御する。
まず、切換装置１６により配管２０ 、２２へのＮ２圧
縮ガスを流すようにし、電磁弁２４を開いた後、所定時
間（例えば、２〜３秒）後に電磁弁２６を開くように制
御系１８により制御する。
このようにすると、破線で示すよ・うにウェハ１２の中
央部が先にマスク面に密着し、中央部のガスが周辺側へ
追いだされて後にウェハ１２の周辺部がマスク面に密着
するようになり、このため、ウェハ１２はその中央部に
ガス残り又は空隙を生ずることなく全面的にマスク１４
に密着する。従って、このような良好な密着状態の下で
は、高い解像度でマスクパターン焼付（露光）処理を行
なうことができる。なお、上記の吹上密着操作時におい
ては、密着力を補強するため、真空又は大気圧の力や外
部からの機械力を併用してもよい。
央部が先にマスク面に密着し、中央部のガスが周辺側へ
追いだされて後にウェハ１２の周辺部がマスク面に密着
するようになり、このため、ウェハ１２はその中央部に
ガス残り又は空隙を生ずることなく全面的にマスク１４
に密着する。従って、このような良好な密着状態の下で
は、高い解像度でマスクパターン焼付（露光）処理を行
なうことができる。なお、上記の吹上密着操作時におい
ては、密着力を補強するため、真空又は大気圧の力や外
部からの機械力を併用してもよい。
次に、マスク１４からウェハ１２を分離する場合には、
切換装置１６により配管側を真空ＶＡＣにつなぐように
し、こんどは電磁弁２６を開いた後、所定時間後に電磁
弁２４を開くように制御系１８により制御する。このよ
うにすると、破線で示すようにウェハ１２の周辺部が先
にマス（１４から離れて中央部へのガス流通をうながし
、しかる後にウェハ１２の中央部がマスク１４から離れ
るようになり、ウェハ１２は全体としてスムーズにマス
ク１４から分離される。従って、従来のようにスティッ
キング現象をひきおこすことなく容易にウェハ分離を達
成することができる。
切換装置１６により配管側を真空ＶＡＣにつなぐように
し、こんどは電磁弁２６を開いた後、所定時間後に電磁
弁２４を開くように制御系１８により制御する。このよ
うにすると、破線で示すようにウェハ１２の周辺部が先
にマス（１４から離れて中央部へのガス流通をうながし
、しかる後にウェハ１２の中央部がマスク１４から離れ
るようになり、ウェハ１２は全体としてスムーズにマス
ク１４から分離される。従って、従来のようにスティッ
キング現象をひきおこすことなく容易にウェハ分離を達
成することができる。
なお１以上の実施例の説明において、ウェハチャック本
体１０に形成した通気孔群１０ａ又は１０ｂはウェハ１
２側からみて連結したパターンをもつ１つの通気孔であ
ってもよく、また、密着・分離操作時の密着力又は吸引
力は中央通気孔側と周辺通気孔側とで異なるように制御
してもよい。
体１０に形成した通気孔群１０ａ又は１０ｂはウェハ１
２側からみて連結したパターンをもつ１つの通気孔であ
ってもよく、また、密着・分離操作時の密着力又は吸引
力は中央通気孔側と周辺通気孔側とで異なるように制御
してもよい。
図は、この発明の一実施例によるマスクアライナのウェ
ハ密着・分離機構を示す断面図である。 １０・・・ウェハチャック本体、１０ａ・・・第１通気
孔群、１０ｂ・・・第２通気孔群、１２・・・半導体ウ
ェハ、１４・・・露光用マスク。
ハ密着・分離機構を示す断面図である。 １０・・・ウェハチャック本体、１０ａ・・・第１通気
孔群、１０ｂ・・・第２通気孔群、１２・・・半導体ウ
ェハ、１４・・・露光用マスク。
Claims (1)
- １、 ウェハチャック本体に、ウェハの中央部を吹上又
は吸引するための第１の通気孔群と、前記ウェハの周辺
部を吹上又は吸引するための第２の通気孔群とを設け、
露光用マスクから前記ウェハを分離する際には、前記第
２通気孔群を介して行なう吸引分離操作を、前記第１通
気孔群を介して行なう吸引分離操作よりも優先させるよ
うにしたことを特徴とする露光におけるウェハ分離方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005564A JPS59155132A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 露光におけるウエハ分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005564A JPS59155132A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 露光におけるウエハ分離方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14708677A Division JPS5480086A (en) | 1977-12-09 | 1977-12-09 | Mask aligner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155132A true JPS59155132A (ja) | 1984-09-04 |
Family
ID=11614699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59005564A Pending JPS59155132A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 露光におけるウエハ分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155132A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61272927A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハとマスクとの分離方法 |
| FR2629605A1 (fr) * | 1988-03-29 | 1989-10-06 | Francou Marc | Procede de fabrication de composants micro-electroniques semi-conducteurs en microlithographie par contact dur, et composants micro-electroniques semi-conducteurs correspondants |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295977A (en) * | 1976-02-07 | 1977-08-12 | Toshiba Corp | Mask fitting device of semiconductor substrate |
-
1984
- 1984-01-18 JP JP59005564A patent/JPS59155132A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295977A (en) * | 1976-02-07 | 1977-08-12 | Toshiba Corp | Mask fitting device of semiconductor substrate |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61272927A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハとマスクとの分離方法 |
| FR2629605A1 (fr) * | 1988-03-29 | 1989-10-06 | Francou Marc | Procede de fabrication de composants micro-electroniques semi-conducteurs en microlithographie par contact dur, et composants micro-electroniques semi-conducteurs correspondants |
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