JPS59181524A - 基板上に形成された磁性膜とその製造方法 - Google Patents
基板上に形成された磁性膜とその製造方法Info
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- JPS59181524A JPS59181524A JP5541583A JP5541583A JPS59181524A JP S59181524 A JPS59181524 A JP S59181524A JP 5541583 A JP5541583 A JP 5541583A JP 5541583 A JP5541583 A JP 5541583A JP S59181524 A JPS59181524 A JP S59181524A
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- film
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
囚 発明の技術分野
本発明は、基板上に形成きれた磁性膜とその製造方法、
傷−に例えば平面内のＸ軸方向とＹ ＩＩＱＩ＋カ１＃
′Ｉ」とで表ｍｉ机１８′を異にする非磁性基板上に真
空成膜法を用いて斜め方向から成膜させ１面内磁気異方
件をもつ磁性膜を州るようにした磁性膜とその製ｉ、！
ｌ、方法に関するものである。
傷−に例えば平面内のＸ軸方向とＹ ＩＩＱＩ＋カ１＃
′Ｉ」とで表ｍｉ机１８′を異にする非磁性基板上に真
空成膜法を用いて斜め方向から成膜させ１面内磁気異方
件をもつ磁性膜を州るようにした磁性膜とその製ｉ、！
ｌ、方法に関するものである。
（Ｂ）技術の背景と問題点
従来から２例えば磁性膜を塗布して形成し７たタイプの
塗布型磁性膜の磁気テープ装置や磁気ディスク装置〜に
おいてｄ：、記録方向を磁化容易軸とするように磁性粉
を配向せしめて−る。そしてこのような配向を行うこと
によって、信号高出力化。
塗布型磁性膜の磁気テープ装置や磁気ディスク装置〜に
おいてｄ：、記録方向を磁化容易軸とするように磁性粉
を配向せしめて−る。そしてこのような配向を行うこと
によって、信号高出力化。
高分力＋（細化、高Ｓ／Ｎ化などに効果が大きいことは
。
。
従来周知のことである。
Ｕ２かし、連続磁性膜の作製などに肖っては１例えば特
許第１０２４３６３号に示される如きスパッタリングを
用いたγ−Ｆｅｚｅ３ 薄膜の製造法などが利用ｄ ｈ
るが、形成される磁性膜の磁気特性は膜面内に等方向で
あり、このような磁性膜を用いて。
許第１０２４３６３号に示される如きスパッタリングを
用いたγ−Ｆｅｚｅ３ 薄膜の製造法などが利用ｄ ｈ
るが、形成される磁性膜の磁気特性は膜面内に等方向で
あり、このような磁性膜を用いて。
」二連の塗布型磁性膜の磁気テープ装置の如く、記録方
向を容易軸とする磁気異方性をつくることは。
向を容易軸とする磁気異方性をつくることは。
きわめて困難なものであった。
（Ｃ） 発明の目的と構成
本発明は上記の点をＷ（決することを目的としており２
本発明は、上記慣゛許請求の範囲第（１）項および犯（
２）項に記述されている如く、いわば、Ｙ軸とＹ軸とで
表面粗度を異にする基板上に真空成膜法を用いて斜め方
向から強磁性体を成膜することを１つの大きい特徴とし
ている。以下図面を参照しつつ具体的に説明する。
本発明は、上記慣゛許請求の範囲第（１）項および犯（
２）項に記述されている如く、いわば、Ｙ軸とＹ軸とで
表面粗度を異にする基板上に真空成膜法を用いて斜め方
向から強磁性体を成膜することを１つの大きい特徴とし
ている。以下図面を参照しつつ具体的に説明する。
［Ｆ］ 発明の実施例
Ｆ、やパーマロイなどの磁性金属を蒸着あるいはスパッ
タリングなどによって真空中で基板表面に斜めに飛着せ
しめる（以下斜め入射という）と。
タリングなどによって真空中で基板表面に斜めに飛着せ
しめる（以下斜め入射という）と。
ｕｊｉ内異内性方性つ金属磁性膜が祷られる。ことは。
既に公知のことである。ｌ−かし、酸化物の場合には、
上記斜め入射の効果がきわめて小さく、斜め入射を行っ
て異方性を与えることは実用上できないものであった。
上記斜め入射の効果がきわめて小さく、斜め入射を行っ
て異方性を与えることは実用上できないものであった。
従来上述の如く考えられていたが１発明者らは。
面粗度が方向によって異なる基板上に上記側め入射によ
って膜を生成せしめると、酸化物の磁性膜の場合でも顕
著な磁気異方性が得られることを発見ｌ−５だ。勿論言
う甘でもなく、金属磁性膜の場合でも面粗度を１ならせ
ることと斜め入射を行うこととによる効果が存在するこ
とは言う−までもない。
って膜を生成せしめると、酸化物の磁性膜の場合でも顕
著な磁気異方性が得られることを発見ｌ−５だ。勿論言
う甘でもなく、金属磁性膜の場合でも面粗度を１ならせ
ることと斜め入射を行うこととによる効果が存在するこ
とは言う−までもない。
〔実施例１〕
基板として、Ｘ軸方向とＸ軸方向とで面粗度の異なるア
ルマイト処理を施１−．たアルミニウム基板を用いた。
ルマイト処理を施１−．たアルミニウム基板を用いた。
アルマイトの厚さは約２〔μｍ〕でちる。
面粗度は、第１図に示すように、Ｘ軸方向でＲｎ＋α２
約００１〔μｍ〕突起のピッチ約３〔μｔｎ’Ｊ、Ｙ軸
方向でＲｒｎ、ａ Ｚ約０．０１ （μ空〕突起のピッ
チ約３０〔μ慴〕であり、Ｘ軸方向の側がＹ軸方向よシ
も約１０倍程！８：１コが細かいものを用いた。
約００１〔μｍ〕突起のピッチ約３〔μｔｎ’Ｊ、Ｙ軸
方向でＲｒｎ、ａ Ｚ約０．０１ （μ空〕突起のピッ
チ約３０〔μ慴〕であり、Ｘ軸方向の側がＹ軸方向よシ
も約１０倍程！８：１コが細かいものを用いた。
この基板１に対して、第２図図示の如く、１対の対向陰
極構造をもつ陰極２をターゲット３をもうけて配置する
と共に、光該陰極２に垂直な磁場を発生せし、める外部
コイル４をもうけたスパッタ装Ｎ５牙用いた。基板１の
図示Ｘ軸方向がターゲット３のＩｊ−ｉ Ｋ垂直となる
ように配置しておきｔ Ｆ ｅを主成分とし２％Ｃｏ、
２．５チＴｊ、１．５チＣ１Ｌを含む１対の金属ターゲ
ット３を用い、０２を含む雰囲メ中で反応スパッタを行
うことによって）基板１上にα−Ｈ６２０３膜を作成し
た。そして、これを。
極構造をもつ陰極２をターゲット３をもうけて配置する
と共に、光該陰極２に垂直な磁場を発生せし、める外部
コイル４をもうけたスパッタ装Ｎ５牙用いた。基板１の
図示Ｘ軸方向がターゲット３のＩｊ−ｉ Ｋ垂直となる
ように配置しておきｔ Ｆ ｅを主成分とし２％Ｃｏ、
２．５チＴｊ、１．５チＣ１Ｌを含む１対の金属ターゲ
ット３を用い、０２を含む雰囲メ中で反応スパッタを行
うことによって）基板１上にα−Ｈ６２０３膜を作成し
た。そして、これを。
Ｈ２を含む還元雰囲気中で加熱し、更に空気中で加熱す
ることによシ、還元酸化させてｒ Ｈ６２０３Ａａを
・得た０ このように作製された膜におけるＢＨ特性は。
ることによシ、還元酸化させてｒ Ｈ６２０３Ａａを
・得た０ このように作製された膜におけるＢＨ特性は。
Ｙ軸方向で。
Ｈ６さ６２００ｇ 、１ｔ３ｒ／Ｂｓ ＝ ０．９ 、
３＝０．８４であった。またＸ軸方向で。
３＝０．８４であった。またＸ軸方向で。
Ｈ６さ４８００ｓ 、Ｂｙ／Ｂｓ ＝ ０．６ 、８＝
０．６２であった。なお上記Ｓは なる式によって定義されるもので、１’（Ｈカーブの角
張り性を表わしており、該Ｓが値１−１」に近うく程高
密度磁気記録に好都合なものとなる。上記＊ Ｓの値に関してｒＯ，８４Ｊという値は、従来のものに
くらべて非常に高いものでを〕る。
０．６２であった。なお上記Ｓは なる式によって定義されるもので、１’（Ｈカーブの角
張り性を表わしており、該Ｓが値１−１」に近うく程高
密度磁気記録に好都合なものとなる。上記＊ Ｓの値に関してｒＯ，８４Ｊという値は、従来のものに
くらべて非常に高いものでを〕る。
また上記の如く得られたサンプルを用いて磁気トルク曲
線を描かせた所、第３図図示の如くなった。これは、当
該サンプルが典型的な一軸異方性ｋ・もつことを示して
おり、異方性定数Ｋｕは９．６×１０’ （ｅｒｇ ／
ｃｃ 〕 である。′このときの容易軸はＹ慣１方
向である。
線を描かせた所、第３図図示の如くなった。これは、当
該サンプルが典型的な一軸異方性ｋ・もつことを示して
おり、異方性定数Ｋｕは９．６×１０’ （ｅｒｇ ／
ｃｃ 〕 である。′このときの容易軸はＹ慣１方
向である。
実施例
基板として、Ｘ軸方向とＹ軸方向とで面粗度妙５実質的
に同じであるアルマイト処理を旋ｌ−たアルミニウム基
板を用い、上記実施例１の場合と同じ態様にてγ−Ｆｅ
２ｃｈ膜を作製［また。しかし、轟言亥膜のＢ Ｉ（特
性は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向共にＨ６−６０００ｅ 、
Ｂｒ／Ｂｓ ＝０．７７ 、 Ｓ”” ０．７６であり
、異方性は見られなかった。
に同じであるアルマイト処理を旋ｌ−たアルミニウム基
板を用い、上記実施例１の場合と同じ態様にてγ−Ｆｅ
２ｃｈ膜を作製［また。しかし、轟言亥膜のＢ Ｉ（特
性は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向共にＨ６−６０００ｅ 、
Ｂｒ／Ｂｓ ＝０．７７ 、 Ｓ”” ０．７６であり
、異方性は見られなかった。
〔実施例３〕
上記実％ｉ例１の場合と同じ基板を用いて、第４図しｊ
示の如く、ターゲット３の面と基板１の面とが平行とな
る配置関係の下で、実施例１の場合と同糾成のターゲッ
トを用いて２反応スノくツタを行い、実施例１の場合と
同じ態様にて最後的にγ−Ｆ＃２０３膜を作製した。し
かし、当該膜のＢＨｅ性Ｈｃ＝６５００ｓ 、 Ｂｙ／
Ｂｓ＝０．７６ 、 Ｓ’−０，７６であシ、異方性は
見られなかった。
示の如く、ターゲット３の面と基板１の面とが平行とな
る配置関係の下で、実施例１の場合と同糾成のターゲッ
トを用いて２反応スノくツタを行い、実施例１の場合と
同じ態様にて最後的にγ−Ｆ＃２０３膜を作製した。し
かし、当該膜のＢＨｅ性Ｈｃ＝６５００ｓ 、 Ｂｙ／
Ｂｓ＝０．７６ 、 Ｓ’−０，７６であシ、異方性は
見られなかった。
〔実施例４〕
上記実施例１の場合と同じ基板を用いて、第５図図示の
如く、ターゲット３の面と基板１０面とが４５°となる
配置関係の下で、実施例３の場合（したがって実施例１
の場合）と同様にしてｒ−Ｆｇ２Ｃｈ膜を作製した。こ
の場合の尚該膜のＢＨ特Ｐ４−はＹ軸方向で。
如く、ターゲット３の面と基板１０面とが４５°となる
配置関係の下で、実施例３の場合（したがって実施例１
の場合）と同様にしてｒ−Ｆｇ２Ｃｈ膜を作製した。こ
の場合の尚該膜のＢＨ特Ｐ４−はＹ軸方向で。
Ｈｃ”＝ ６３００ｅ 、Ｂｒ／Ｂｓ＝０．９． Ｓ
＝０．８３であった。またＸ軸方向で。
＝０．８３であった。またＸ軸方向で。
Ｈｃ”＝４９００．、Ｂｙ／Ｂｓ＝０．６．３”＝０．
６３であシ、当該膜は顕著な磁気異方性をもっているこ
とが明らかにされた。
６３であシ、当該膜は顕著な磁気異方性をもっているこ
とが明らかにされた。
なお上記各実施例から判断すると、Ｘ軸方向の凹凸のピ
ッチがＹ軸方向より細かいとき、飛着する方向がＹ軸方
向に垂面でかつ基板面に斜め入射である場合が、最も顕
著に磁気異方性が得られ。
ッチがＹ軸方向より細かいとき、飛着する方向がＹ軸方
向に垂面でかつ基板面に斜め入射である場合が、最も顕
著に磁気異方性が得られ。
磁化容易軸はＹ軸方向となる。
■ 発明の効果−
以千四明した如く２本発明によれは、顕著な磁気異方性
を示す膜を得ることができる。寸だ基板上に形成１また
磁性膜を利用して、磁気テープ装置。
を示す膜を得ることができる。寸だ基板上に形成１また
磁性膜を利用して、磁気テープ装置。
磁気ティスフ装価女とのメモリ装置などを得ることがで
きる。壕だ本発明は、高保磁力の磁性体に限られるもの
ではなく、磁気ヘッド用ガどの如きソフトな磁性をもつ
薄膜の形成にも適用できることは言う址で・もない。更
に言えば金属磁性膜の形成に当っても適用できることは
明らかである。
きる。壕だ本発明は、高保磁力の磁性体に限られるもの
ではなく、磁気ヘッド用ガどの如きソフトな磁性をもつ
薄膜の形成にも適用できることは言う址で・もない。更
に言えば金属磁性膜の形成に当っても適用できることは
明らかである。
第１図は本発明の実施例に使用した基板の面粗度を説明
する説明図、第２図は本発明にいう実施例１において用
いた態様を鮒明する説明図、第３図は得らｊまたサンプ
ルについての異方性を説明する説１４１１図、第４図は
本発明にいう実施例３において用い・た態様を説明する
鮫１明図、Ｗ０５図１は本発明にいう実施例４において
用いた態様を説明する説、明図を示す。 図中、１は基板、２は陰極、３はターゲット。 ４はコイル、５はスパッタ装置を表わし、ている。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 森 １） 寛（外１名）５０μ冗 」・２図 渭−３図 （）
する説明図、第２図は本発明にいう実施例１において用
いた態様を鮒明する説明図、第３図は得らｊまたサンプ
ルについての異方性を説明する説１４１１図、第４図は
本発明にいう実施例３において用い・た態様を説明する
鮫１明図、Ｗ０５図１は本発明にいう実施例４において
用いた態様を説明する説、明図を示す。 図中、１は基板、２は陰極、３はターゲット。 ４はコイル、５はスパッタ装置を表わし、ている。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 森 １） 寛（外１名）５０μ冗 」・２図 渭−３図 （）
Claims (4)
- （１）基板上に真空成膜法を用いて強磁４１゛体を成膜
せしめた磁性膜において、上記基板が平面内で直交する
２方向について表面粗度を異にされて々す、かつ当該表
面粗度を異にしている平面に対１〜て真空成膜法によっ
て強磁性体が実質上角度Ｏ０および実質上角度９０°を
除く斜め方向から成膜されて面内磁気異方性をもつ磁性
膜を成形されてなることを特徴とする基板上に形成され
た磁性膜。 - （２）基板上に真空成膜法を用いて強磁性体を成膜する
磁性膜の製造方法において、上記基板として平面内で直
交する２方向について表面粗度を異にした基板が用いら
れ、該基板の上記平面に対して真空成膜法Ｉ／（−よっ
て強磁性体が実質上角度Ｏ０および実質上角度９０°を
除く斜め方向から成膜されて２面内磁気異方性をもつ磁
性膜が形成き）１てなることを腸、徴とする基板上に形
成さノまた磁性ＩＪφの製造方法。 - （３）上記真空成膜法は、上記平面に対して上記斜め方
向に配置した陰極上にターゲットを載置し。 て、スパッタリングによって強磁性体ｆ、Ｊ−記平面に
被着せしめるように１．ていることを特徴とする特許請
求の範囲第（２）項記載の基板上に形成された磁性膜の
製造方法。 - （４）上記面内磁気異方性をもつ磁性膜は＋Ｆ１１を主
成分とする金属を０２を含む雰囲気中で反応スパッタさ
れた結果を、熱処理によってｒ−Ｆｇ２０３を含む連続
磁性酸化膜に構成された状態にあることを特徴とする特
許請求の範囲第（２）項またけ第（３）項記載の基板上
に形成された磁性膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5541583A JPS59181524A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 基板上に形成された磁性膜とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5541583A JPS59181524A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 基板上に形成された磁性膜とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181524A true JPS59181524A (ja) | 1984-10-16 |
| JPH0226774B2 JPH0226774B2 (ja) | 1990-06-12 |
Family
ID=12997932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5541583A Granted JPS59181524A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 基板上に形成された磁性膜とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181524A (ja) |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5541583A patent/JPS59181524A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0226774B2 (ja) | 1990-06-12 |
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