JPS59184169A - ５−アシロキシメチル−２−オキサゾリジノン誘導体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、医薬品の合成原料として有用な新規５−アシ
ロキシメチル−２−オキサゾリジノン誘導体及びそれら
の製造方法に関する。更に詳しく（式中、Ｒ１はアルキ
ル基、　Ｒ２はアルキル基、アリル（ＡｒｙＩり基又は
アラルキル基を示す。）で表わされる新規５−アシロキ
シメチル−２−オキサゾリジノン誘導体及びそれらの製
造方法に関する。

化合物ＣＩ）の置換基Ｒ１は、アルキル基、即ち炭素数
Ｃ１〜ｃ６の脂肪族炭化水素基、好ましくはｔ−ブチル
基或いはイソプロピル基であり、置換基Ｒ２は、アルキ
ル基、アリル（Ａｒｙｌ）　　基又はアラルキル基であ
り、例えばアルキル基としては炭素数０１〜Ｃ１７の脂
肪族炭化水素基；アリル（Ａｒｙｊ’）基としてはフェ
ニル基或いは置換フェニル基であるｐ−クロロフェニル
基、ｐ−ヒドロキシフェニル基；アラルキル基としては
ベンジル基等が挙げられ、化合物［１１）は、これら置
換基Ｒ１ｓ　Ｒ２を組み合せた化合物であり、例えば ０す 等を挙げることができる。これら化合物（Ｉｌｌは文献
未記載の新規化合物であり、医薬の合成原料として重要
なものである。例えば化合物（Ｉ）の置換基Ｒ１がｔ−
ブチル基或いはインプロピル基であり、置換基Ｒ２が炭
素数ｃｌ−Ｃ１７のアルキル基、フェニル基の如キアリ
ル（Ａｒｙｊ’）基又はベンジル基の如きアラルキル基
である化合物に微生物菌体、微生物由来の酵素、或いは
動物臓器由来の酵素等を作用させ、化合物ＣＩ）の５位
にあるエステル結合の不斉氷解を行い、更に分ａＷｆ”
Ａを行うことにより最終的に （式中、Ｒ１はｔ−ブチル基又はイソプロピル基を示す
。）で表わされる光学活性な（Ｓｌ−を刊−３−アルキ
ル置換−５−ヒドロキシメチル−２−オキサゾリジノン
が得られる（特願昭５７−１４１５７４、特願昭５７−
１４１５７５．特願昭５７−１９０５８５）。

これら化合物は、下記に示す反応経路を経て種々の光学
活性なβ−受容体遮断薬に容易に訪桿できることが知ら
れている。

０ ８体　　　　　　　　　　８体 Ａｒ：Ａｒｙｊ’誘尋休 ８体 （体学活性β−受容体遮断薬） 又は、 ０ Ｓ休　　　　　　　　８体 は、光学活性なβ−受容体遮断薬を製造する際、光学分
割を行う新しい方法の出発物質として重要なＭ”Ｊ上の
利用の期待される化合物である。

本発明化合物ＣＩ）を製造する方法としては次の（式中
、Ｒ工はアルキル基、Ｘはハロゲン原子を示す。）と、 一般式　Ｒ２Ｃ００Ｍ　　　（ＩＩＩ）（式中、Ｒ２は
アルキル基、アリル（Ａｒｙｊ？）基又はアラルキル基
；Ｍはアルカリ金属原子又は＋ ＮＨ４を示す。）とを不活性溶媒中で反応させて化合物
ＣＩ）を得る方法である。

この場合、化合物ＣＩＩ）の置換基Ｒ１はアルキル基即
ち炭素数Ｃ１−ｃ６の脂肪族炭化水素基、好ましくはｔ
−ブチル基或いはイソプロピル基であり、置換基Ｘはハ
ロゲン原子であり、例えば塩素或いは臭素が挙げられる
。化合物〔■〕の置換基Ｒ２はアルキル基、アリル（Ａ
ｒｙｊ？）基又はアラルキル基であり、例えばアルキル
基としては炭素数Ｃ１〜Ｃ１７の脂肪族炭化水素基、ア
リル（Ａｒｙｊ’）基としてはフェニル基或いは置換フ
ェニル基であるｐ　−クロロフェニル！、１）−ヒドロ
キシフェニル基、アラルキル基としてはベンジル基等が
挙げられる。

λ（はアルカリ金属原子又はＮＨ４であり、アルカリ金
属原子としては例えばナトリウム原子又はカリウム原子
等が挙げられる。

化合物〔■〕と、化合物〔■〕を反応させる隙のモル比
は、化合物［１１）に対し化合物Ｃｌｌ０か　１．０倍
モル以上あれば良いが、通常１．０５〜１．５倍モルが
用いられる。不活性溶媒としては、例えばジメチルスル
ホキシド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミド又はアセトニトリル等が用いられる
。また溶媒によっては不均一反応となるので撹拌を充分
にするのが望ましい。

反応温度は５０℃から使用する不活性溶媒の沸点温度ま
での範囲で行えるが、反応時間を短縮させるには還流さ
せながら行うことが望ましい。反応は１〜２４時間で完
了する。

又、上記反応は触媒を用いることな（円滑に進行するが
、例えば１５−クラウン（Ｃｒｏｗｎ）−５の如きクラ
ウンエーテル触媒又はベンジルトリエチルアンモニウム
クロライドの如き相間移動触媒を用いることにより更に
幅広い不活性溶媒が選択でき、かつ短時間のうちに反応
を進めることも可能である。

反応液は一旦冷却し、反応液中の不溶物を戸去し、ｔｐ
液を減圧濃縮する。この濃縮液に有機溶媒例えば酢酸エ
チル、ヘキサン等を加え、水或いは重炭酸ソーダ水にて
１〜８回洗浄を繰り返し、有機層を脱水乾燥後、濃縮す
ると目的物である化合物ＣＩ）が得られる。更にシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを行い精製することによ
り、純粋な化合物〔Ｉ〕が得られる。第２の方法は、一
般式（式中、Ｒ１はアルキル基；Ｘはハロゲン原子を示
す。）で表わされる化合物と、 一般式　Ｒ２Ｃ０ＯＨ・・・・・曲〔■〕（式中、Ｒ２
はアルキル基、アリル（Ａｒｙｆ）基又はアラルキル基
を示す。）で表わされる化合物と、 一般式　Δ１ｚｃＯａ　　　　　　・・・・・・・・・
ｍ（式中、Ｍはアルカリ金属原子又はＮＨ４を示す。）
で表わされる化合物とを不活性溶媒中で反応させて化合
物ＣＩ）を得る方法である。

この場合、置換基Ｒ１ｔ　Ｘ　ｅ　Ｒ２、ｈｉは第１の
装造方法で説明した置換基と全く同じである。

化合物〔■〕、化合物〔■〕、化合物〔ｖ〕　を反応さ
せる際のモル比は化合物（ＩＩ）に対し、化合物ａｖ〕
ｔ、ｏ−１．５倍モル量、化合物〔マ）　０．５−１．
２倍モル量用いれば良い。反応溶媒としては、ジメチル
スルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ
−ジメチルアセトアミド又はアセトニトリル等が用いら
れる。また溶媒によっては不均一反応となるので撹拌を
充分にするのが望ましい。反応温度は５０℃から使用す
る不活性溶媒の沸点温度までの範囲で行えるが、反応時
間を短縮させるには還流させながら行うのが望ましい。

反応は１〜２４時間で完了する。以下、第１の製造方法
と同じ精製操作を行うことにより目的物である化合物Ｃ
Ｉ）が得られる。

第８の方法は、一般式　ＲＩＮＣＯ曲間・［：Ｈ］（式
中Ｒ１はアルキル基）で表わされる化合物と、 （式中、Ｒ２はアルキル基、アリル（Ａｒｙｊ’）基又
はアラルキル基を示す。）で表わされる化合物とを触媒
存在下で反応し、化合物［Ｉ）を得る方法である。

この場合、置換基Ｒ１，Ｒ２は第１の製造方法で説明し
た置換基と同じである。化合物ＣＶＤと化合物（：Ｖｎ
）とは、当モル用いれば良い。反応溶媒は使用しても、
しなくても反応は進行するが、用いる場合は、例えばベ
ンゼン、トルエン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド又は
アセトニトリル等が用いられる。触媒としては、ハロゲ
ン化リチウムが有効であり、例えば塩化リチウム或いは
臭化リチウム等が用いられる。反応温度は５０℃から使
用する不活性溶媒の沸点温度までの範囲で行えるが、反
応時間を短縮さぜるには還流させながら行うことが望ま
しい。反応は８〜４８時間で完了する。

以下、第１の製造方法と同じ精製操作を行うことにより
目的化合物〔Ｉ〕が得られる。

（式中、Ｒ１はアルキル基を示す。）で表わされる化合
物と、 一般式　Ｒ２Ｃ０Ｃｆ　　　・・・・・・・・・ＣＩＩ
）（式中、Ｒ２はアルキル基、アリル（Ａｒｙｆ）　　
基又はアラルキル基を示す。）とを塩基性化合物存右下
、不活性有機溶媒中で反応させ、化合物ＣＩ）を得る方
法である。

この場合、置換基Ｒ１，Ｒ２は第１の製造方法で説明し
た置換基と同じである。化合物［ＶＩｌｌ）と化合物Ｃ
Ｉ）を反応させる際のモル比は、化合物ＣＶＩＩＤに対
し化合物ＣＩ）Ｄが１．０倍モル以上あれば良いが、通
常１．０５−１．８倍モルが用いられる。

塩基性化合物としては、例えばピリジン、トリエチルア
ミン等の３級アミン、又は炭酸ナトリウム等が用いられ
る。不活性溶媒としては、例えば酢酸エチル、塩化メチ
レン、クロロホルム、トルエン又はベンゼン等が用いら
れる。発熱反応なので、冷却しつつ室温〜４０℃に保ち
ながら徐々に化合物［ＩＤを添加するのが望ましい。ま
た化合物ＣＩＩ）の代わりに、例えばアセチルクロリド
やブチリルクロリド等の代りに酸無水物である無水酢酸
や無水酪酸等を用いて反応することもできる。以下、第
１の製造方法と同じ精製操作を行うことにより目的化合
物ＣＩ）が得られる。

以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。

実施例１ ａ−ｔ−ブチル−５−アセトキシメチル−２−オキサゾ
リジノンの製造 ａ−ｔ−ブチル−５−クロロメチル−２−オキサゾリジ
ノン　１．９２Ｆ（１０ミリモル）、酢酸カリウム　１
．４７５’（１５ミリモル）をＮ　、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）２０ｍｒに添加し、撹拌しながら加
熱還流させると約２時間で反応は完了した。冷却後、反
応液中の不溶物を戸去し、Ｐ液を減圧濃縮しん。この濃
縮液に酢酸エチル約５０ｍｆを加え、当量の水で２回水
洗を行った。

次いで酢酸エチル層を乾燥後、減圧濃縮し、無色のシロ
ップ２．０２Ｆ（純度９６％、収率９０％）を得た。更
にシリカゲルカラムクロマトグラフィー（カラム、シリ
カゲルワコーｃ−ｔｏｏ、ｉｘ２０ｃｍ；展開溶媒ヘキ
サン：アセトン＝２：１）を行い、材記化合物１．８８
ｙ（収率８５％）を得り。ガスクロマトグラフ分析（カ
ラム、シリコン０Ｖ−１７、０，８Ｘ　１００　ｃｍ　
；温度２００℃）及び薄層クロマトグラフ分析（展開溶
媒　ヘキサン：アセトン＝１：１；検出１２）を行った
結果、不純物は認められなかった。　”ＨＮＭＲ分析及
び元系分析の結果は以下の通りである。なおＮΔＩＲ（
核磁気共鳴スペクトル）は図１の通りである。

形状　シロップ １ＨＮＭＲ（ＣＤＣｆａ’、９０ＭＨｚ）δｐｐｍ：１
．４（９Ｈ、ｓ　−（ＣＨａ）ＢＣ）２．２（８Ｈ，ｓ
　、ＣＩＩｇＣＯ−）８．８５−８．８５（２Ｈ，ｍ、
ＣＨｚＮ　　）４．１　−４．２５（２Ｈ，ｒｎ、−Ｃ
Ｈ２Ｏ−）４．４５−４．７５　（ＩＨ、ｍ　。

−ＣＨ２ＣＨ（０−）ＣＨ２−） 元系分析　ＣＩＯＲ１７Ｎ　０４ ＣＨＮ 計算値（％＋　　５５．８０　　７．９６　　６．５１
分析値（％ｌ　　５５．７２　　８．０２　　６．４９
実施例２−１１ 反応原料、反応試剤を種々かえたものについて実施例１
と同様の操作を行い、表１の結果を得た。

実施例１８ ８−ｔ−ブチル−５−アセトキシメチル−２−オキサゾ
リジノンの製造 ８−ｔ−ブチル−５−クロロメチル−２−オキサゾリジ
ノン１．９２９（１０ミリモルー）、酢酸０．７２Ｆ（
１２ミリモル）、炭酸ソーダ１．０５５ｉ（１０ミリモ
ル）をＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド２０ｍ／に添加し
、撹拌しながら加熱還流すると約２時間で反応は完了し
た。冷却後、反応液中の不溶物、をＦ去し、Ｐ液を減圧
濃縮した。この濃縮液に酢酸エチル約５０ｍ／を加え、
当量の重炭酸ソーダ水溶液で２回水洗を行った。次いで
酢酸エチル層を乾燥後、濃縮し、無色のシロップ２．０
４１（純度９８％、収率８８％）を得た。ガスクロマト
グラフ分析及び薄層クロマトグラフ分析を行ったところ
、保持時間、Ｒｆ値とも実施例１で得た標記化合物と一
致した。

実施例１４−２４ 反応原料９反応試剤を種々変えたものについて、実施例
１８と同様の操作を行った。その結果を表ガスクロマト
グラフ分析及び薄層クロマトグラフ分析を行い、実施例
１〜１２で得た標品と保持時間及びＲｆ値が一致してい
ることを確認した。

（Ｊ久ト久台） 実施例２５ ８−ｔ−ブチル−５−アセトキシメチル−２−オキサゾ
リジノンの製造 ｔ−ブチルイソシアナート　２．９７ｇ（８０ミリモル
）、アセトキシメチルオキシラン８．４８９（８０ミリ
モル）、塩化リチウム０．１０Ｐ　　及びトルエン５０
ｍ１！を混合し、窒素ガス雰囲気下、２４時間還流を行
った。冷却後、塩化リチウムを沢去した後濃縮した。ガ
スクロマトグラフ分析を行ったところ、副生物が認めら
れたのでシリカゲルカラムクロマトグラフィー（カラム
、シリカゲルワコーＣ−１００，２，５＞（２０ｃｍ；
　展開溶媒ヘキサン：アセトン＝２：１）で精製して標
記化合物４．１８ｇ（収率６４％）を司４た。ガスクロ
マトグラフ分析及び薄層クロマトグラフ分析を行ったと
ころ、保持時間、Ｒｆ値とも実施例１で得た標記化合物
と一致した。

実施例２６ ８−ｔ−ブチル−５−ベンゾイロキシメチル−２−オキ
サゾリジノンの製造 ８−ｔ−ブチル−５−ヒドロキシメチル−２−オキサゾ
リジノン１．７８１１０ミリモル）、ピリジン１．００
５’（１２，６ミリモル）をクロロホルム２０ｍ１に添
加し、塩化ベンゾイル１．５５Ｆ（１１ミリモル）を５
分かけて徐々に滴下し、室温下、２４時間反応を行った
。反応液を当量の水で２回水洗後、クロロホルム層を濃
縮し、粗結晶物を得た。これをヘキサンで晶析し、無色
の結晶物２．４５７（収率８８％）を得た。ガスクロマ
トグラフ分析及び薄層クロマトグラフ分析を行ったとこ
ろ、保持時間、Ｒｆ値とも実施例６で得た標記化合物と
一致した。

実施例２７〜８５ 反応原料、反応試剤を種々変えたものに一ついて実施例
２６と同様の操作を行った。その結果を表８に示す。

ガスクロマトグラフ分析及び薄層クロマトグラフ分析を
行ったところ、実施例１〜１２で得た標品と保持時間及
びＲｆ値において一致していた。

実施例８６ ８−ｔ−ブチル−５−アセトキシメチル−２−オキサゾ
リジノンの製造 ８−ｔ−ブチル−５−ヒドロキシメチル−２−オキサゾ
リジノン１．７８１１０ミリモル）、ピリジン１．００
５’（１２，６ミリモル）及び缶水酢酸１．２０ｇ（１
２ミリモル）を酢酸エチ／ｌ／　２０　ｍｌに添加し、
５０℃加温下、４時間反応を行った。

反応液を当量の水で２回水洸し、酢酸エチル層を乾燥後
、濃縮し、無色のシロップ１．８５５’（純度９４％、
収率８１％）を得た。

ガスクロマトグラフ分析及び薄層クロマトグラフ分析を
行ったところ、保持時間、Ｒｆ値とも実施例１で得た標
記化合物と一致した。

実施例８７ 酸無水物として艶水コハク酸を用いて、以下実施例８６
と同様の操作を行い、表４の結果を得た。

手続補正書（り匍 昭和、ｒ２年３月３σ日 特許庁長官　　若杉和夫　殿 １、事件の表示 昭和５８年才青富午　願第５８３１６号３、　補正をす
る者 事件との関係　　　　特許出願人 □　所　　　大阪市北区中之島三丁目２番４号氏　名（
名称）　　　　鐘淵化学工業株式会社代表者　高１）敞 ４、代理人 ５、　補正命令の日付

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （式中、Ｒ１はアルキル基；Ｒ２はアルキル基、アリル
   （Ａｒｙｆ）基又はアラルキル基を示ｔｏ　）で表わさ
   れる５−アシロキシメチル−２−オキサゾリジノン誘導
   体化合物。 ＋２１　　Ｒ１のアルキル基が、炭素数ｃｌ−Ｃ１３の
   脂肪族炭化水素基である特許請求の範囲第１項記載の化
   合物。 （３１Ｒ１がｔ−ブチル基又はイソプロピル基である特
   許請求の範囲第１項又は第２項記載の化合物。 ＋４）　　Ｒ２のアルキル基が、炭素数ＣＩ　−Ｃ１７
   の脂肪族炭化水素基である特許請求の範囲第１項記載の
   化合物。 ＋５）　　Ｒ２のアリル（ＡｒｙＪ）基が、未置換又は
   置換フェニル基である特許請求の範囲第１項記載（式中
   、Ｒ１はアルキル基、Ｘはハロゲ々子を示す。）で表わ
   される化合物と、 一般式　Ｒ２Ｃ００Ｍ　　　　　・・・・・・ＣＩ［Ｉ
   ］（式中、Ｒ２はアルキル基、アリル（ＡｒｙＡ）基又
   はアラルキル基；Ｍはアルカリ金属原子又はＮＨ４を示
   す６）で表わされる化合物とを不活性溶媒中で反応させ
   ることを特徴とする、一般式 （式中、Ｒ１＋　Ｒ２は前記と同じ。）で表わされる５
   −アシロキシメチル−２−オキサゾリジノン９４体の製
   造方法。 ＋７１　　Ｒ１のアルキル基が、炭素数Ｃｔ−Ｃａ　　
   の脂肪族炭化水素基である特許請求の範囲第６項記載の
   製造方法。 ＋８１　　Ｒ１がｔ−ブチル基又はイソプロピル基であ
   る特許請求の範囲第６項又は第７項記載の製造方法。 （９）Ｘのハロゲン原子が、塩素原子又は臭素原子であ
   る特許請求の範囲第６項記載の製造方法。 （１０１Ｒ２のアルキル基が、炭素数ｃｉ−ｃｉ’ｒの
   脂肪族炭化水素基である特許請求の範囲第６項記載の製
   造方法。 （Ｌｍ）　　Ｒ４のアリル（Ａｒｙｔり基が、未置換又
   は置換フェニル基である特許請求の範囲預６項記載の製
   造方法。 （２）Ｍのアルカリ金属原子が、ナトリウム原子又はカ
   リウム原子である特許請求の範囲第６項記載の製造方法
   。 ￥ （式中、Ｒ１はアルキル基；Ｘはハロゲン原子を示す。 ）で表わされる化合物と、 一般式　Ｒ２Ｃ０ＯＨ・・・・・・・・・ＣＩＶ）（式
   中、Ｒ４はアルキル基、アリル（Ａｒｙｌ）基又はアラ
   ルキル基を示す。）で表わされる化合物と、 一般式　Ｍ　２　ＣＯａ　　　　　０．−Ｃマ〕（式中
   、Ｍはアルカリ金属原子又はＮＨ，を示す。）で辰わさ
   れる化合物とを不活性溶媒（式中、Ｒ１１Ｒ２は前記と
   同じ。）で表わされる５−アシロキシメチル−２−オキ
   サゾリジノン誘導体の製造方法。 Ｃ４Ｒ１のアルキル基が、炭素数ｃ１−Ｃ６の脂肪族炭
   化水素基である特許請求の範囲第１８項記載の製造方法
   。 αｅ　　Ｒ１がｔ−ブチル基又はインプロピル基である
   特許請求の範囲第１８項又は第１４項記載の製造方法。 ａＱ　Ｘのハロゲン原子が、塩素原子又は臭素原子であ
   る特許請求の範囲第１８項記載の製造方法。 （ロ）　Ｒ２のアルキル基が、炭素数Ｃｉ　−Ｃ１７の
   脂肪族炭化水素基である特許請求の範囲第１８項記載の
   製造方法。 （至）Ｒ２のアリル（Ａｒｙｆ）基が、未置換又は＠換
   フェニル基である特許請求の範囲第１３項記載の製造方
   法。 α’ＪＭのアルカリ金属原子が、ナトリウム原子又はカ
   リウム原子である特許請求の範囲第１８項記載の製造方
   法。 翰　一般式 ％式％） （式中、　Ｒ１はアルキル基を示す。）で表わされる化
   合物と、 一般式 （式中、Ｒ４はアルキル基、アリル（Ａｒｙｆ）基又は
   アラルキル基を示す。）で表わされる化合物とを触媒の
   存在下に反応させることを特徴とする一般式 （式中、Ｒ１ｅ　Ｒ２は前記と同じ。）で表ゎされる５
   −アシロキシメチル−２−オキサゾリジノン誘導体の製
   造方法。 ＣＩ！１）　　Ｒ１のアルキル基が、炭素数ＣＩ　Ｃａ
   の脂肪族炭化水素基である特許請求の範囲第２０項記載
   の製造方法。 （ハ）　Ｒ１がｔ−１チル基又はイソプロピル基である
   特許請求の範囲第２０項又は第２１項記載の製造方法。 （イ）Ｒ２のアルキル基が、炭素数Ｃ１−Ｃ１７の脂肪
   族炭化水素基である特許請求の範囲第２０項記載の製造
   方法。 ＠４ＲｊＩのアリル（Ａｒｙｌ）基が、未置換又は置換
   フェニル基である特許請求の範囲第２０項記載の製造方
   法。 （ハ）触媒がハロゲン化リチウムである特許請求の範囲
   第２０項記載の製造方法。 （式中、Ｒ１はアルキル基を示す。）で表わされる化合
   物と、 一般式　Ｒ２Ｃｏｃｋ　　　　　・・・・・・・・・Ｃ
   ＩＸＪ（式中、Ｒ２はアルキル基、アリル（Ａｒｙｌ）
   基又はアラルキル基を示す。）とを塩基性化合物存在下
   、不活性溶媒中で反応させることを特徴とする一般式 （式中、Ｒ１＊　Ｒ２は前記と同じ。）で表わされる５
   −アシロキシメチル−２−オキサゾリジノン誘導体の製
   造方法。 ＠Ｒ１のアルキル基が、炭素数Ｃ１−ｃ６の脂肪族炭化
   水素基である特許請求の範囲第２６項記載の製造方法。 ＠Ｒ１がｔ−ブチル基又はイソプロピル基である特許請
   求の範囲第２６項又は＠２７項記載の製造方法。 ＠　Ｒａのアルキル基が、炭素数ｃｌ−Ｃ１７の脂肪族
   炭化水素基である特許請求の範囲第２６項記載の製造方
   法。 ＨＲｚのアリル（Ａｒｙｆ）基が、未置換又は置換フェ
   ニル基である特許請求の範囲第２６項記載の製造方法。