JPS5919948A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感光体に関し、更に詳しくはビスアゾ化合物を
含有する感光層を有する新規な電子写真感光体に関する
。

更に詳しくは高感度にしてかつ繰り返し使用するに適し
た冒耐久性電子写真感光体に関する。

従来電子写真感光体においては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電体を主成分とする感光層を
有するものが広く用いられていた。

しかし、これらは感度、耐熱性、耐湿性あるいは耐刷性
等において、必ずしも十分満足し得るものではなく、ま
た特にセレン及び硫化カドミウムは毒性のために製造上
、取り扱い上にも制約があった。

一方、有機光導電性化合物を主成分とする感光層を有す
る電子写真感光体は、製造が比較的容易であること、製
造コストが低いこと、円筒ドラム状、シート状、いずれ
の形体も可能であること取り扱いが容易であること、ま
た一般にセレン感光体が耐熱性に劣り高温条件下で結晶
化してしまうのに対し耐熱性に優れていることなど多く
の利点を有し近年多くの注目を集めている。

このような有機光導電性化合物としては、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾールが知られておりこれと２．４．７−ド
リニトロー９−フルオレノン等のルイス酸とから形成さ
れる電荷移動錯体を主成分とする感光層を有する電子写
真感光体がすでに実用化されている。しかし、この感光
体は感度及び耐刷性においても必ずしも満足できるもの
ではない。

一方、光導電性機能のキャリア発生機能とキャリア輸送
機能とをそれぞれ別個の物質に分担させるようにした積
層型あるいは分散型の機能分離型電子写真感光体が知ら
（ている。このような機能分離型電子写真感光体は各々
の物質の選択範囲が広く帯電特性、感度残留電位および
耐刷性等の電子写真特性において高性能化が比較的達成
しやすく、また任意の特性を有する電子写真感光体を作
成しやすいという利点を持っている。電子写真感光体の
光導電性機能のうちキャリア発生を主として分担するキ
ャリア発生物質としては従来より種々のものが提案され
ている。たとえば無機物質として無定形セレンから形成
されるキャリア発生層がよく知られているが、これは品
温条件下で結晶化し性能が劣化するという欠点を持って
いる。

また光導電性有機染料、顔料の　うち特にキャリア発生
能の優れたものをキャリア発生物質として用いることが
種々提案されており例えば特開昭５３−９５０３３号公
報 特開昭５３−１３３４４５号公報 特開昭５４−１２７４２号公報 特開昭５６−１１６０４０号公報 米国特許第４０５２２１０　　号明細書記載等のアゾ化
合物がすでに公知である。しかしこれらのアゾ化合物は
感度、残留電位あるいは繰り返し使用した場合の安定性
等の特性において必ずしも満足し得るものではなく、ま
たキャリア輸送物質の選択範囲も限定されるなど電子写
真プロセスの幅広い要求を充分に満足させるものは未だ
得られていないのが実状である。

本発明の目的は熱および光に対して安定でかつキャリア
発生能に優れたビスアゾ化合物を含有する電子写真感光
体を提供することにある。

本発明の他の目的は高感度にして残留電位が小さく、か
つ繰り返し使用してもそれらの特性が変化しない耐久性
のすぐれた電子写真感光体を提供することにある。

本発明の更にその他の目的は明細書の記載から明らかに
なろう。

本発明者らは、以上の目的を達成すべく鋭意研究の結果
、下記一般式〔■〕で示されるビスアゾ化合物が感光体
の有効成分として働き得ることを見い出し、本発明を完
成したものである。

一般式ＣＩ） Ａは 式中、 Ｘ、　、　Ｘ２　は、それぞれ、ハロゲン原子（１素原
子、臭素原子、弗素原子、ヨウ素 原子）、炭素数１〜４の置換・未 置換のアＩレキル基（例えば、メチ ル基、エチル基、イソグロピｆし基、 ｎ−ブチル基、トリフルオロメチ ル基等）、炭素数１〜４の置換・ 未置換のアルコキシ基（列えはメ トキシ基、エトキシ基、イソプロ ポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２− クロルエトキシ基等）、シアノ基 を表わし、但しＸ！は上記の基の他 に水素原子であるｓ合もある。

Ｒは、炭素数１〜４の置換・未置換のアルキル基（例え
ば、メチＩし基、エ チル基、イソプロピルｇ、ｎ−７’ チＩし基、２−クロルエチＩし基等） を表わす。

○Ｈ で表わされる。

Ｙは、水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、カルボ
キシ幕のエステル基、スルホ基、置換・未置換のカルバ
モイル基、または置換・未置換のスルファモイｌし基を
表わし、好ましくは、置換・未置換の力ｌレノくモイル
基○ へは、水素原子、炭素数１〜４の置換・未置換のアルキ
Ｉし基、および置換・未置換のアラフレキル基、置換・
未置換のフェニル基であり水素原子、炭素数１〜４の置
換・未置換のアルキル基、置換・未置換の芳香族炭素環
基（レリえば置換・未置換のフエニＩし基、置換・未置
換のナフチル基、置換・未置換のアンスリル基等）また
は、置換・未置換の芳香族複素環基（例えば置換・未置
換のカルバゾリル基、置換・未置換のジペンゾフリル基
等） を表わす。

これらの基の置換基としては、例えば炭素数１〜４の置
換・未置換のアルキル基（レリえばメチル−エチル基、
イングロビル基、３級ブチル基、フルオロメチル基等）
、置換・未置換のアラン基（例えばベンジル基、フェネ
チル基等）デ／原子（塩素原子、臭素原子、弗素原子、
素原子）、炭素数１〜４の置換・未置換のアルコキシ基
（例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、
３級ブトキシ基、２−クロルエトキシ基等）、ヒドロキ
シ基、置換・未置換のアリールオキシ基（例えば、ｐ−
クロルフエノキシ基、１−ナフトキシ基等）、アシルオ
キシ基、（例えば、アセチルオキシ基、ｐ−シアノベン
ゾイルオキ７基等ン、カルボキシ基、そのエステＩし基
（［＋ｌえばエトキシカルボニル基、ｍ−ブロモフェノ
キシカルボニル基等）、カルパモイＩし基（ｐＨｔはア
ミノカルボニＩし基、３級ブチルアミノカルボニル基、
アニリノカルボニル基等）、アシル基（例えば、アセチ
ル基、Ｏ−ニトロベンゾイル基等）スルホ基、スルファ
モイル基（列えば、アミノスルホニル基、３級ブチｌレ
アミノスＩレボニル７％）ｐ−トリルアミノスルホニＩ
し基等）、アミン基、アシルアミノ基（例えば、アセチ
ルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等）、スルホンアミド
基（例えば、メタンスルホンアミド基、ｐ−トルエンス
ルホンアミド基等）、シアノ基、ニトロ基等が挙げられ
るが、好ましくは炭素数１〜４の置換・未置換のアラル
キル基（Ｗｌｌえばメチル基、エチル基、イソプロピル
基、（ｎ）ブチル基、トリフルオロメチル基等）１ハロ
ゲン原子（塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子）
、炭素数１〜４の置換・未置換のアルコキシ基（例えば
、メトキシ基、エトキシ基、インプロポキシ基、３級ブ
トキシ基、２−クロルエトキシ基環ン、シアノ基、ニト
ロ基である。

２は置換・未置換の芳香族炭素環、または置換・未置換
の芳香族複素環を形成するに必要な原子群であって、具
体的にはレリえば置換・未置換のベンゼン環、置換・未
置換のナフタレン環、置換・未置換のインドール環、置
換・未置換の力！レバゾール環等を形成する原子群を表
わす。

これらの壌を形成する原子群の置換基としては、列えば
Ｒ４，Ｒ，の置換基として挙げたような一連の置換基が
列挙されるが、好ましくは）・ロゲン原子（１素原子、
臭素原子、弗素原子、ヨウ素原子）、スルホ基、スルフ
ァモイル基（列えばアミノスルホニル基、３級ブチｌレ
アミノスＪレホニル基、ｐ−トリルアミンスルホニル基
等）である。

Ｒ，Ｆｉ水素原子、置換・未置換のアラルキル基、置換
未置換のアミン基、力ｌレボキシ基、そのエステル基、
置換・未置換のカルバモイル基、シアノ基であり好まし
くは水素原子、炭素数１〜４の置換未置換のアルキル基
（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、３級
ブチル基、トリフルオロメチル基等）、シアン基である
。

Ｒ１は置換・未置換のアリール基であシ、好ましくは置
換・未置換のフェニル基でこれらの基の置換基としては
例えばＲ４，Ｒ，の置換基として挙げたような一連の置
換基が列挙されるが、好壕しくけハロゲン原子（塩素原
子、臭素原子、弗素原子、ヨウ素原子）、炭素数１〜４
の置換・未置換のアルキル基（例えばメチル基、エチル
基、イソプロピル基、３級ブチル基、トリフルオロメチ
ル基等）、炭素数１〜４の置換・未置換のアルコキシ基
（Ｆ！／ＩＪえば、メトキシ基、エトキシ基、インプロ
ポキシ基、３級ブトキシ基、２−クロルエトキシ基）で
ある。

Ｒ３は置換・未置換のアルキル基、置換・未置換のアラ
ルキル基および置換・未置換のアリール基を表わすが、
好ましくは炭素数１〜４の置換・未置換のアルキル基（
列えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、３級ブ
チル基、トリフルオロメチル基等）、置換・未置換のフ
ェニル基（例えば、フェニル基、ｐ−メトキシフェニル
基、ｍ−クロルフェニル基等）を表わす。〕すなわち、
本発明においては前記一般式〔Ｉ〕で示されるビスアゾ
化合物を電子写真感光体の感光層を構成する光導電性物
質として用いることによりまたは本発明のビスアゾ化合
物の優れたキャリア発生能のみを利用し、これをキャリ
アの発生と輸送とをそれぞれ別個の物質で行なう、機能
分離型電子写真感光体のキャリア発生物資として用いる
ことにより被膜物性に優れ、電荷保持力感度、残留電位
等の電子写真特性に優れ、かつ繰り返し使用した時にも
破骨劣化が少ない上、熱、光等において堅守で安定した
特性を発揮し得る電子写真感光体を作成することができ
る。

前記一般式ＣＩ）で示される本発明に有用なビスアゾ化
合物としては例えば次の構造式を有するものが挙げられ
るが、これによって本発明のビスアゾ化合物が限定され
るものではない。

以上のごときビスアゾ化合物は、公知の方法により容易
に合成することかでさる。

合成例ｆｉｌ　　（１＋ｌＪ示化合物（Ｋ−３）の合成
）Ｊ、Ｋａｒｎａｔａｋ　　Ｌｌｎｉｖ、、　　９　−
１０　　、　３１　＝　　３　　（１９６４〜６５）記
載の方法に準じ、３０．４Ｎの　ｐ−ニトロ−〇−トル
イジンより　１１．４．９の０−メチル−ｐ−ニトロベ
ンズアルデヒドヲ得り。

（収率　あ％） 一方、　１３゜ａｙの２，５−ジメトキシ−ｐ−キシリ
ンンジブロマイドと１３．２　ｇ　　のトリエチルフォ
スアアイトを加熱浴融することにより　１７．１．９の
２，５−ンメトキシーｐ−キシリレンビスジエチルフォ
スフォ坏−トを得た。（収率　９８％）次に、Ｗ、　Ｓ
、　Ｖｌｏｒｄｓｗｏｒｔｈ、　Ｗ、　Ｄ−Ｅｍｍｏｎ
ｓ、　Ｊ。

Ａｒｎ、　Ｏｈｅｍ、　ＳｏＣ，、８３，１７３３（１
９６１）　　Ｎピ載の方法に準じ、上記に準備した１０
．０９の　０−メチル−ｐ−ニトロベンズアルデヒドと
１３．２９の　２．５−ジメトキシ−ｐ−キレリレンビ
スジエチルフォスネートを水冷ＴＤＭＦ中ナトリウムメ
チノートの存在下に反応はせ、　１０．９　＆　（収率
７９％）の２゜５−ジメトキシ−１，４−ビス（２−メ
チル−４−二トロスチリル）ベンゼンを得た後にＤＭＦ
中鉄−塩酸によりジニトロ体を還元し、７．２＆の２゜
５−ジメトキシ−１，４−ビス（２−メチル−４−７ミ
ノスチリル）ベンゼンを得た。

（収率　７６％） このようにして得た２、５−ジメトキシ−１゜４−ビス
（２−メチル−４−アミノスチリル）ベンゼン４．００
８　（０，０１モル）を加〃Ｊの濃塩酸と（イ）ｍｌの
水の混合液に分散し、　１．５２　Ｆ／　（０，０２２
−８）の亜硝酸ナトリタムを水５１ｎＩ３に溶かした水
浴液を内温Ｏ〜５℃に保ちながら滴下し、同温腫で１時
間攪拌反応させた。反応後、少量の残渣をｆ別し沢液に
４２％ホク弗化水素酸水溶ｇ、３０ｍ１を加え、析出し
た沈澱をｆ堆し、水洗した後乾燥した。

収量５．８６９　（９８％） 得られたテトラゾニウム塩　２．９９　＆　（０，００
５モル〕を３０１ｎｌのＤＭＦ’に溶解し、次の反応に
使用するテトラゾニウム塩溶液とした。

次に２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸アニリド・（ナフ
トールＡ　Ｓ　）　２．６３　＆　（帆０１モル）とト
リエタノールアミン２．７０．９　（０，０２モル）を
３００　ｒｆＬｌのＤＭＦＫ溶解し、内温を５〜１０℃
に保ちつ＼、上記により調整したテトラゾニウム塩溶液
を滴下し、滴下後回温度で２時曲攪拌し、更に室温丁２
時間攪拌反応させた。

反応後析出した沈澱をＰ取し、ＤＮＩＦ°次にアセトン
で洗浄し乾燥することにより目的のビスアゾ化合物を得
た。

収量３．９４　＆　（８３％）　　＠点３００℃以下赤
外吸収スペクトルでν＝　１６７０（７）　にアミド吸
収およびＦＤ−マススペクトルにｍ／ｅ　＝　９４９の
分子イオンビークが現われたことから目的の化合物が合
成されたことを確認した。

合成例（２）（例示化合物（Ｋ−６）の合成）合成例（
１）と同様にして得られた２、５−ジメトキシ−１，４
−ジスチリルベンゼン−２’、２“−ジ−ジメチル−４
′、４“−ビスジアゾニワムビステトラフルオロボレー
ト２．９９　／　（０，００５モル）と２−ヒドロキシ
−３−ナフトエ酸−３′−二トロアニリド（ナフトール
ＡＳ−ＢＳ　）　３．０８Ｊ？　（０，０１モル）を氷
冷した３００１１ＬｌのＤＭＦに溶解した。内温を５〜
１０℃に保ちつつ、１−２３．９　（０，０１５モル）
の酢酸ナトリウムを１０　ｍＡ□の水に溶解した水溶液
を１時間を要し滴下した。その後室温にて３時間攪拌反
応させた。

反応後、析出した沈澱を１取、水洗後、ＤＭＦ次にアセ
トンで洗浄し乾燥して目的のビスアゾ化合物を得た。

収量４．４２　Ｎ　（８５％）　融点３００℃以上赤外
吸収スペクトルでν＝　１６７０　　にアミド吸収およ
びＦＤ−マススペクトルにｍ／ｅ　＝　１０３９の分子
イオノピークが現われたことから目的の化合物が合成さ
れたことを確認した。

合成例（３）（例示化合物（ｌ（−１１，）の合成）、
ｒ、　ｘａｒｎａｔａｋＵｎｉｖ、９−　ｔｏ　、　３
１−３　（−１９６４〜６５）記載の方法に準じ　３４
．５．９のＯ−クロル−ｐ−ニトロアニリンよＩＣ１１
，５，９の０−クロル−ｐ−ニトロベンツアルデヒドを
得た。

（収率　３１％） 一方、　１３．０　ｇの２，５−ジメトキシ−ｐ−キシ
リレンジブロマイドと　１３．２　＆のトリエチルフォ
スファイトを加熱溶融することにより、　１７．１ｇの
２，５−ジメトキシ−ｐ−キシリレンビスジエチルフォ
スフォネートを得た。（収率　９８％）次に、Ｗ、　Ｓ
、Ｗｏｒｄｓｗｏｒｔｈ、　Ｗ、Ｄ、ＦＪｍｍｏｎ日、
　Ｊ。

Ａｍ、　Ｃｈｅｍ、　Ｓｖｃ、、　８３．１７３３（１
９６１）　　起部の方法に準じ、上記に準備した１帆Ｏ
ｇのＯ−クロル−ｐ−ニトロベンズアルデヒドと　１３
．２　Ｐの２，５−ジメトキシ−ｐ−キシリレンビスジ
エチルスオスフォネートを水冷ＴＤＭＦ中、ナトリワム
メチラート存在下に反応させることによって　１１．０
９（収率７３％）の２．５−ジメトキシ−１，４−ビス
（２−クロル−４−）ロスチ′リル）ペンセンを得た後
にＤＭＦ中鉄−塩酸によりジニトロ体を還元し、７．７
ｇの２，５−ジメトキシ−１，４−ビス（２−１０ルー
４−７ミノスチリル）ベンゼンを得た。　　（収率　（
資）％） このようにして得た２、５−ジメトキシ−１゜４−ビス
（２−クロル−４−アミノスチリル）ベンゼン４．４１
　＃　（０，０１モル）を２１Ｊ罰の濃塩酸と６１Ｊｍ
ｌの水の混合液に分散し、　１．５２．９　（０，０２
２モル）の亜硝酸す）　ＩＪウムを水５鮎に浴かした水
溶薮を内温０〜５℃に保ちながら滴下し、同温度で１時
間攪拌反応させた。

反応後、少量の残渣をｔ別し、Ｐ沿に４２％ホク弗化水
素酸水溶ｌｏｏｍを加え、析出した沈澱を１取し、水洗
した後乾燥した。

収量　６．２６　＆　（９８％） 得られたテトラゾニウム塩　３．１９　ｇ（０，００５
モル）を５０ｄのＤＭＦに溶解し、次の反応に使用する
テトラゾニウム塩溶亀とした。

次に２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸アニリド（ナフト
ールＡ　Ｓ　）　２．６３．９　（０，０１モル）とト
リエタノールアミン２．７０９　（０，０２モル）を３
００１ｎｌのＤＭＦに溶解し、内温を５〜ｌＯ℃に保ち
つつ、上記により調整したテトラゾニウム塩ｍ液を滴下
し、滴下後回温度で２時間攪拌し、更に室温下２時間攪
拌反応させた。

反応後、析出した沈澱を１取しＤＭＦ次にアセトンで洗
浄し乾燥することにより目的のビスアゾ化合物を得た。

収量４．１６　＆　（８４％）　　融点３００℃以上赤
外線吸収スペクトルでシ＝１６７０ＣＩｌ＋　　にアミ
ド吸収およびＦＤ−マススペクトルにｍ／ｅ　＝　９９
０の分子イオンビークが現われたことから目的の化合物
が合成されたことを確認した。

合成例（４）（例示化合物（Ｋ−１４）の合成）合成例
（３）と同様罠して得られた２、５−ジメトキシ−１，
４−ジスチリル−２′、ｌ−ジクロル−４′、４“−ピ
スジアゾニクムビステトラフルオロボレート　：ｔ、１
９１１　（０，００５モル）と２−ヒドロキシ−３−ナ
フトエ＠−３’−ニトロアニリド（ナフトールＡｓ−Ｂ
５　）　　３．０８．９　（０，０１モル）を氷冷した
３００ｍＪのＤＭＦに溶解した。内温を５〜ｌＯ℃に保
ちつつ、１．２３．９　（０，０１５モル）の酢酸ナト
リワムを【０罰の水に溶かした水溶液を１時間を要し滴
下した。

その後、室温にて３時間棹拌反応させた。反応後、析出
した沈澱をｆ取し水洗後ＤＭＦ次にアセトンで洗浄し乾
燥して目的のビスアゾ化合物を得た。

収ｉｆ　４．７５．９　（関％）　　融点３００℃以上
赤外吸収スペクトルでν＝　１６７０ｃｍ−１にアミド
吸収およびＦＤ−マススペクトルにψ＝　１０８０　　
の分子イオンビークが現われたことがら目的の化合物が
合成されたことを確認し比。

本発明のビスアゾ化合物は優れた光導電性を有し、これ
を用いて電子写真感光体を製造する場合導電性支持体上
に本発明のビスアゾ化合物を結着剤中に分散した感光層
を設けることにより製造することができる。また、他の
方法として本発明のビスアゾ化合物の持つ光感電性のう
ち、特に優れたキャリア発生能を利用するキャリア発生
物質として用い、これと組み会わせて有効に作用し得る
キャリア輸送物質と共に用いることにより、績Ｊ−型あ
るいｔユ分散型のいわゆる機能分離型電子写真感光体と
することも可能である。

電子写真感光体の機械的構成は、イ種々の形態が知られ
ているが、本発明の電子写真感光体は、それらのいずれ
の形態をもとり得る。通常は、第１図〜第６図の形態で
ある。第１図および第３図では導電性支持ｈｌ上に前述
のビスアゾ化合物を主成分とするキャリア発生層２と、
キャリア輸送物質を主成分として含街するキャリア輸送
層３との積層体より成る感光層４を設ける。第２図およ
び第４図に示すように、この感光層４は２４電性支持体
上に設けた中間層５を介して設けてもよい。このように
感光層４を二層構成としたときに最も優れた電子写真特
性を有する電子写真感光体が得られる。また、本発明に
おいては第５図および第６図に示すように前記キャリア
発生物質７をキャリア輸送物質を主成分とする層６中に
分散せしめて成る感光層４を導電性支持体ｌ上゛に直接
あるいは中間層５を介して設けてもよい。

本発明のビスアゾ化合物をキャリア発生物質として用い
た場合、これと組み合わせて用いられるキャリア輸送物
質としては、トリニトロフルオレノンあるいはテトラニ
トロフルオレノンなどの電子を輸送しやすい電子受容性
物質のほか、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールに代表され
るような複素項化合物を側鎖に有する重合体あるいはト
リマゾール誘４体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾ
ール誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリアリールアルカン
訪導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラソン誘導体
、アミノ置換カルコン誘４体、トリアリールアミン誘導
体、カルバゾール誘導体、スチルベン誘導体等の正孔を
輸送しゃすい電子供与性物質が挙げられるが、本発明に
用いられるキャリア輸送物質は、これらに限定されるも
のではない。

二層構成の感光層４を構成するキャリア発生層２は、導
電性支持１１もしくはキャリア輸送Ｊ＠３上に直接ある
いは必要に応じて接着層もしくはバリヤ一層などの中間
層を介して、次の方法によりて形成することができる。

Ｍ　−（ＩＪ　　ビスアゾ化合物を適当な溶媒に溶解し
た浴沿をあるいは必要に応じて結着剤を加え混合耐層し
たｍ液を塗布する方法。

Ｍ　−（２）　　ビスアゾ化合物をボールミル、ホモミ
キサー等によって分散媒中で微細粒子とし、必要に応じ
て結着剤を加え混合分散した分散准を塗布する方法。

キャリア発生Ｉ＠の形成に使用される溶媒あるいｉ分散
剤としては、ｎ−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチ
レンジアミン、イングロバノールアミン、トリエタノー
ルアミン、トリエチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホル
ム、ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロ７
ラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イングロ
ハノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキ
シド等が挙げられる。

キャリア発生層あるいはキャリア桶送層に結着剤を用い
る場合は圧意のものを用いることができるが、疎水性で
、かつ誘電率が尚く、電気絶縁性のフィルム形成性病゛
分子重合体を用いるのが好ましい。

このような高分子重合体としては、例えば次のものを挙
げることができるが、もちろんこれらに限定されるもの
ではない。

Ｐ　−（１）　　ポリカーボイ・−ト Ｐ　−（２１ポリエステル Ｐ　−（３）　　メタクリル樹脂 ｐ　−（４１アクリル樹脂 Ｐ　−（５）　　ポリ塩化ビニル Ｐ　−（６１ポリ塩化ビニリデン Ｐ　−（７）　　ポリスチレン Ｐ　−＋８１　　ポリビニルアセテートＰ　−（９）　
　スチレン−ブタジェン共重合体Ｐ−（１０）ｉ化ビニ
リデン−アクリロニトリル共重合体 Ｐ　−（１１）　　ｈ＝化ヒビニル酢酸ビニル共重合体
Ｐ　−（１２）　　塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレ
イン酸共重合体 Ｐ　−（１：Ｎ　　シリコン樹脂 Ｐ−Ｑ４）シ’）コン−アルキッド樹脂Ｐ　−０５フェ
ノール−ホルムアルデヒド樹脂Ｐ−αＵ　スチレン−ア
ルキッド９４　脂Ｐ−（１７）　　ポリーＮ−ビニルカ
ルノ（ゾールこれらの結着剤は単独で、あるいは２種以
上σ）１′Ｉ５台物として用いることができる。

このようにして形成きれるキャリア発生層２σ〕厚さは
　Ｏ、（１１ｌｌｍ−加μｍであることか好ましい力五
更に好ましく　Ｉ′ｊＯ，０５ｐｍ〜５μｍである。ま
た、キャリア発生層あるいｔ五感光層が分散系の場会、
ビスアゾ化合物の粒イφ（ユ５ｐｍ以下であることが好
ましく、更に好ましくけ１７１７ｍ以下である。

杢光明の電子写真感光体の４構成に用いら第１、る導電
性支持体上１と［７ては、アルミニウム根、ステンレス
板などの金属板やアルミニウム合金などの合金板のほか
、紙あるいはプラスチ・ツクフイルムなどの支持体上に
７ルミニウム、・くラジワ歎金などの金属薄片をラミイ
・−トもり、　＜は蒸着によって設けたもの、あるいは
導電性ポリマー、酸化インジウム、酸化スズなどの導電
性化合物の層を同じく紙あるいは７リスチツクフイルム
などの支持体上に塗布もしくは蒸着によって設けたもの
が用いられる。

接着層あるいはバリヤ一層などの中間層５としては、前
記感光層の結着剤として用いられる高分子重合体のほか
酸化アルミニウムなどが用いられる。

本発明の電子写真感光体は、以上のような構成であって
後述する実施例からも明らかなように帯電特性、画像形
成特性に優れており、特に繰り返し使用したときも疲労
劣化が少なく、耐久性が優れたものである。

以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、これによ
り本発明の実施態様が限定されるものではない。

実施例　１ ポリエステルのフィルム上にアルミニウム箔をラミネー
トして成る導電性支持体上に塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重会体［エスレ・ツクＭＦ−１０Ｊ（
積水化学社製）より成る厚さ０．０５μｍの中間層を設
け、その上に例示化合物（Ｋ−２）２重量部を１．２−
ジクロルエタン１４０重量部に分散混合した液を乾燥後
の膜厚が０．５　　ρｍになるようにして塗布し、キャ
リア発庄層を形成した。

次いで′、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−５−ＣＰ−ジエチルアミノフェニル）−ヒラ
ゾリン６重量部と、ポリエステル［バイロン２００Ｊ（
東洋紡績社製１１０重量部とを１．２−ジクロロエタン
９０重量部中に溶解し、このｍ冷も乾燥後の膜厚が１０
μｍになるように塗布してキャリア輸送層を形成し、本
発明の電子写真感光体を作成した。

この電子写真感光体について、静電複写紙試験装置１ｓ
ｐ−４２８型」（川口電気製作新製）を用いてダイナミ
・ツク方式で電子写真特性を測定した。

前記感光体の感光層表面を帯電圧−６，０，ＫＶで５秒
間帯電せし、めた時の表面電位ＶＡ　、　　次いでタン
グステンランプの光を感光体表面における照度が３５　
’ｌｕＸ　Ｋなるようにして照射し、表面電位ＶＡを半
分に減衰させるのに袂する露光量（半減露光ｉ　）　Ｅ
ｇ　（１ｕｘ、ｓｅｃ　）、並びに３Ｑ　１ｕｘ−ｓｅ
ｃの露光量で露光した俊の表面電位（残留電位）　ＶＲ
をそれぞれ求めた。

また同様の測定を１００回繰り返して行なった。

結果は第１表に示す通、りである。

第１表 比較例　ｌ キャリア発生物質として下記ビスアゾ化合物を用いＩＣ
，他は、実施例１と同様にして比較用感光体を作成した
。

Ｃ２Ｈ！ この比較用電子写真感光体につい−て実施例１と同様に
して測定を行なったところ、第２表に示すような結果を
得た。

第　　２　　表 以上の結果から明らかなように、本発明の電子写真感光
体は比較用電子写真感光体に比べ感度、残留電位および
繰り返しの安定性において極めて優れたものである。

実施例 キャリア発生物質として、例示化合物（Ｋ−７）を用い
たほかに実施例１と同様にして本発明の電子写真感光体
を作成した。この電子写真感光体について実施列１と同
様にして測定を行なったところ、第３表に示す結果を得
た。

第　　３　　表 実施例　３ ポリエステルフィルムにアルミニウムを蒸着した上に実
施例１で用いた中間層を設け、更にその上に例示化合物
（Ｋ−１１）２重量部を１，２−ジクロロエタン１４０
重量部に分散混合した沿を乾燥後の膜厚が０．５　μｍ
　Ｋなるように塗布し、キャリア発生層を形成した。

次いで、ｐ−（Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズアルデ
ヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン６重量部と、ポリ
カーボネート〔）（ンライト　Ｌ−１２５０）（量大化
成社製）ｔＯＴＬ量部とを１，２−ジクロロエタン９０
重量部に洛解した准を乾燥後の膜厚が１２μｍになるよ
うに塗布してキャリア輸送層を形成し、本発明の電子写
真感光体を作成した。

この電子写真感光体について、実施例１と同様にして測
定を行なったところ、ＶＡ　＝　−１０１０Ｖ　　。

Ｅ３／２＝　１．Ｆｉ　１ｕｘ−ｓｅｃ　、　ＶＲ＝　
ＯＶであった。

比較例　２ キャリア発生物質として下記ビスアゾ化合物を用いた他
は実施汐り３と同様にして比較用電子写真感光体を作成
した。

この比較用電子写真感光体について、実施例１と同様の
測定を行なったところ、ＶＡ　＝　−９４０Ｖ　。

Ｅ！／２＝　８，０１ｕｘ−ｓｅｃ　、　ＶＲ＝　−８
５Ｖであった。

以上の結果から明らかなように本発明の電子写真感光体
は、比較用電子写真感光体に比べ、その初期特性におい
て著しく優れたものである。

実施例 実施例３による本発明の電子写真感光体と比較列２によ
る比較用電子写真感光体の各々を電子写真１ｆ８模ｒＵ
　−Ｂｉｘ　２０００ＲＪ　（小西六写真工業社製）に
装置し１、帯電・露光・りＩＪ−ニングの操作を２，０
００回繰り返して耐久試験を行なった後直ちに再び実施
例１におけると同様の測定を行なった。結果に第４表に
示す遡りである。

第　　４　　表 ２．０００回耐久試験後の特性。

この結果から明らかなように比較例２の電子写真感光体
の特性の劣化が著しく大きいのに比べ、実施例３の本発
明の電子写真感光体に、２　、０００回の帯電−露光の
繰り返しにおいても、その特性が初期とほとんど変わら
ず安定していることがわかる。

実施例　５ 実施例１で用いた導電性支持体上に例示化合物（Ｋ−１
５）２重量部と、ポリカーボネート　［）くンライトＬ
−１２５０Ｊ（量大化成社製）２重量部を１．２−ジク
ロロエタンｉ４ｏｗｔ部に分散混合した液を乾燥後の膜
厚が１μｍになるように塗布してキャリア発生層を形成
した。

次に３−（ｐ−メトキシスチリル）−”９−（ｐ−メト
キシフェニル）カルバゾール６’ｆｌｌｔｉｍ、！：、
メタクリル樹脂「アクリベット」（三菱レイヨン社製）
［０重量部とを１，２−ツクロルエタン（イ）重量部に
酊かした液を乾燥後の膜厚が［０μｍになるように塗布
してキャリア輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体
を作成した。

この電子写真感光体について冥施しリ１と同様に測定し
−ｔｃトコろ、Ｂ３Ａ＝　１．７１ｕｘ−ｓｅｅ　、　
ＶＲ＝　ＯＶであった。

実施例 実施列１で用いた中間層を設けた導電性支持体上に例示
化合物（Ｋ−１６）の２％エチレンジアミン溶喉を乾燥
後の膜厚が０．３　　μｍになるように塗布し、キャリ
ア発生層を形成した。

さらに、その上にｐ−（Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ）ペン
ツアルテヒド−１、１−ジフェニルヒドラゾン６重量部
と、ポリカーボネート［ニーピロンＳ−１０００Ｊ（三
菱ガス化学社製）１０重量部とを１，２−ジクロロエタ
ン９０重量部に溶解し、乾燥後の膜厚が１４μｍになる
ように塗布してキヤ１ノア輸癲層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。

この電子写真感光体について実施例１と１司様にシテ測
定ｔ、たトコ口、Ｅ３Ａ＝１．５１ｕＸ−θｅｃ、ＶＲ
＝：Ｏｖであった。

また、この電子写真感光体を電子写真複写機「Ｕ−Ｂｉ
ｘ２０００ＲＪ　　（小西六写真工業社製）に装置し、
画像の複写を行なったところ、原画に忠実でコントラス
トが篩く、階調性Ｃ）優れた鮮明な複写画像を得た。こ
れは連続１０，００．０回繰り返しても初期と同様の複
写画像が得られた。

比較例　３ キャリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物を用いた
他は実施ｆ１１６と同様にして比較用電子写真感光体を
作成した。

に の比較用電子写真感光体について、実施列６と同様にし
１画像の複写を行なったところ、初期の画像は良好でめ
ったが、繰り返し複写を行なうに従い次第にカブリが増
加し、１　、０００回の繰り返し試験を行なったがカブ
リの犬良いコントラストの低い不鮮明な画像しか得られ
なかった。

実施例 ポリエステルフィルムにアルミニヴムを蒸着した上に塩
化ビニル−酢酸ビニルー無水マレイン酸共重合体［エス
レツクＭＦ−１０Ｊ（積水化学社ｆｉｌｌりから成る厚
さ０．０５μｍの中間層を設け、その上に例示化合物（
Ｋ−２４）３重量部と、１，１−ビス（４−Ｎ　、　Ｎ
−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）−１−フェニ
ルメタン６重Ｊｉｋ部と、月シリカ−ボネート［パンラ
イトＬ−１２５０Ｊ　（量大化成社製）１０重量部とを
、１．２−ジクロロエタン１００Ｍ量部中に加え、ボー
ルミルでよく分散湿分した液を乾燥後の膜厚が１０μｍ
になるように塗布して本発明の電子写真感光体を作成し
た。

この電子写真感光体について静電複写紙試験装置「５ｐ
−４２８型」（川口電機製作新製）を用いダイナミック
方式で電子写真特性を測定した。

感光層表面を＋６　ＫＶで５秒間帯電し１７次いでタン
グステンランプの光を感光層表面における照度が３５１
ｕＸになるようにして半減露光量（Ｅ％）を求めたとこ
ろ、Ｅ！Ａ＝　１，５１ｕｘ−ｓｅｃであり、さらに３
Ｑ　１ｕＸ・ｓｅｅの露光量を与えたときの表面電位（
残留電位）はＶＲ＝　ＯＶ　　でらった。

比較Ｅ２リ　　４ キャリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物を用いた
他は、実施例７と同様にして比較用電子この比較用電子
写真感光体について、実施例７と同様にして測定したと
ころ、Ｅ％　”　１２−４　ｌｕｘ・θθｃ、ＶＲ＝−
８４Ｖであり、実施例７０本発明の電子写真感光体に比
べ、感度、残留電位とも著しく劣ったものでめった。

実施例　８ 実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体上に、例
示化合物（Ｋ−５）２重量部と、１，２−ジクロロエタ
ン１．００重量部とをよく分ｖ、混合し乾燥麦の膜厚が
０．３μｍになるように塗布してキャリア発生層を形成
した。

次いで、その上にキャリア輸送物質として下記ヒドラゾ
ン誘専体６重量部と、ポリエステル［バイロン２００Ｊ
（東洋紡績社製）１０重艙部に溶解した液を、乾燥後の
膜厚が１２μｍ　　Ｋなるように堕布してキャリア輸送
層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。

この電子写真感光体について、実施例１と同様に測定し
たところ、第５表の結果であった。

第５表 比較例　５ キャリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物を用いた
他は実施例８と同様にして比較用電子写真感光体を作成
した。

この比較用電子写真感光体について、実施例１と同様に
して測定を行なったところ、第６表に示すような結果を
得た。

第６表 以上の結果から明らかなように本発明の電子写真感光体
は比較用電子写真感光体に比べ、感夏、残留電位および
繰り返しの安定性において優れたものである６ 実施例　９〜１」 キャリア発生物質として、例示化合物（Ｋ−３）。

な結果を得た。

第　　７　　表 以上の結果から明らかなように本発明の電子写真感光体
は感度、残留電位等の電子写真特性において著しく優れ
たものである。

実施Ｅ２リ　　１２ ポリエステルフィルム上にアルミニクム箔をラミネート
して成る導電性支持体上に塩化ビニル−酢酸ヒニルー無
水マレイ／酸共重会体「エスレックＭ　Ｆ−１０Ｊ　（
ｍ　水化学社＊　）　ｊり成ル厚す０．０５ρｍの中間
層を設け、その上に例示化合物（Ｋ−２３）５．１７と
ポリカーボネート樹脂［パンライトＬ−１２５０Ｊ（音
大化成社製）３．３＃とをジクロロメタン１００ａに加
えボールミルで６時間分散した分散液を乾燥時の膜厚が
１０μｍになるようＫして塗布し、電子写真感光体を作
成した。

以上のようにして得られた感光体を帯電圧を＋６　ＫＶ
に代えた他は実施レリ１と同様にしてＥ３ＡとＶＲを測
定した。

１回目の結果は、Ｅ３／２　：　３．２１ｕｘ−ｓｅｃ
および■＝　＋１２　Ｖであった。

実施例　１３ 実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体上に例示
化合物（Ｋ−２５）２重量部と１，２−ジクロロエタン
１００重を部とをよく分散混合し乾燥後の膜厚が０．３
μｍになるように塗布してキャリア発生層を作成した。

次いで、その上にキャリア輸送物質として３−（ｐ−メ
トキシスチリル）−９−（ｐ−メトキシフェニル）カル
バゾール６重量部とポリカーボネート［パンライトＬ　
−１２５０Ｊ　（音大化成社製）１０重量部とを１．２
−ジクロロエタン９０重量部に溶解した数を乾燥後の膜
厚が１０ρｍＫなるように塗布してキャリア輸送層を形
成し、本発明の電子写真感光体を作成した。

この電子写真感光体について５℃および０℃の雰囲気温
度における電子写真特性を実施例１と同様にして沖ｊ定
した。

結果を第７表に示す。

第　　７　　表 以上ρ結果から明らかなように、本発明の電子写真感光
体に高温においても感度、残留電位特性が良好であり、
熱に対して安定であることがわかる。

実施例　１４ 実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体上に例示
化合物（Ｋ−４５）２重針部と１．２−ジクロルエタン
１１０重量部とをよく分散混合し、乾燥後の膜厚が０．
３　ｐｍ　　になるように塗布してキャリア発生Ｉ―を
作成した。

このキャリア発生層について３重ｃｍ離れた位置に２Ｋ
Ｗ　の超高圧水銀ランプ（東芝製）を１４き、加分間Ｕ
Ｖ光を照射した。次にとのＵＶ光照射済みのキャリア発
生層の上にキャリア発生物質としてｐ−（Ｎ、Ｎ−ジエ
チルアミノ）ペンズアルテヒト−，１、１−ジンェニル
ヒドラゾン７重量部とポリカーボネート〔パンライトＬ
　−１２５０３（音大化成社製）【０重賞部とを１．２
−ジクロルエタン９０重量部に溶解した液を乾燥後の膜
厚が１２ｐｍになるように塗布してキャリア輸送層を形
成し、本発明の電子写真感光体を作成した。

この電子写真感光体について、実施例１と同様の測定を
行なった。結果を第８表に示す。

実施例　１５ キャリア発生層形成後にＵＶ光を照射しないり１かは、
実施例１４と同様にして本発明の電子写真感光体を作成
し、実施列１と同様の測定を行なった。

第８表 以上の結果から明らかなように、本発明の電子写真感光
体はＵＶ光照射に対して感度、残留電位特性に優れ、受
容電位の変動量も小さく、光に対して安定であることが
理解できる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図ｅユ、それぞれ本発明の電子写真感光体
の機械的構成例について示す断面図である。 １・・・導電性支持体　　　２・・・キャリア発生層３
・・・キャリア輸送層　　４・・・感光層５・・・中間
層 ６・・・キャリア輸送物質を含有する層７・・・キャリ
ア発生物質 代理人　桑　原　義　美 ６１図　　　　　　　６？図 筋５図　　　　　　１咽 手続補正書 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１３１５０５　　号２、発明の名称 感　　光　　体 ３、補正にする者 事件との関係　特許出願人 住　所　　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称
　（１２７１小西六写真工業株式会社代表取締役　　川
　本　イ言　彦 ４代理人 〒１９１ 居　所　　東京都日野市さくら町１番地６、　補正の対
象 「発明の詳細な説明」の欄 ７、　補正の内容 （イ）発明の詳細な説明を次の如く補正する。 （ａ）　　明細書筒１４頁第１１行の「電荷保持力」と
（ｅ）　　明細誉第父頁第１０行の「融点３００℃以下
」を「融点３００℃以上」と訂正する。 （ｆ）　　明細書第５７頁第２行の「トリツプ」を「ト
リアゾ」と訂正する。 （ｇ）　　明細書第６２頁第４行のｒ　ＣＰ　Ｊをｒ　
Ｎ、Ｎ　Ｊと訂正する。 （ｈ）　　明細書ｆｌｃ７１頁第ｎ行のｒ　１．６１ｕ
ｘ＠ｓ＠ｃ　Ｊをｒ　２．６１ｕｘ＊ｓｓｃ　Ｊ　Ｋ訂
正する。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体上に下記一般式〔■〕で示されるビ
   ヌアゾ化合物を含有する感光層を有することを特徴とす
   る感光体。 一般式〔Ｉ〕 〔式中、 Ｘ、はハロゲン原子、炭素数１〜４の置換・未置換のア
   ルキル基、炭素数１〜４の 置換・未置換のアルコキシ基、シアノ 基を表わし、 Ｘ２　　は水素原子、）・ロゲン原子、炭素数１〜４の
   置換・未置換のアルキＩし基、炭素数１〜４の置換・未
   置換のアルコキシ 基、シアノ基を表わし、 Ｒは、炭素数１〜４の置換・未置換のアルキル基を表わ
   す。 Ａは Ｈ であってＹ：水素原子、ヒドロキ７基、カルボキシ基、
   力ｌレボキシのエステ ル基、スルホ基、置換・未置換 の力！レバモイル基、または、置 換・未置換のスルファモイル基、 ２：置換・未置換の芳香族炭素環ま たは置換・未置換の芳香族複素 環を構成するに必要な原子群、 Ｒ１：水素原子、置換・未置換のアラルキル基、置換・
   未置換のアミン 基、カルボキシ基、カルボキシ 基のエステル基、置換・未置換 のカルバモイル基またはシアン 基、 Ｒ７：置換・未置換のアリ−・し基、 Ｒ３：置換・未置換のアルキＩし基、置換・未置換のア
   ラルキル基、ま たは置換・未置換のアリール基 を表わす。〕
2. （２）前記感光層がキャリア発生物質とキャリア輸送物
   質を含有し、当該キャリア発生物質が前記一般式〔■〕
   で表わされるビスアゾ化合物である特許請求の範囲第（
   １）項記載の感光体。