JPS60108858A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野） 本発明は、感光体に関し、更に詳しくはテトラキスアゾ
化合物を含有する新規な電子写真感光体に関する。 （従来技術） 従来、感光体に１．・いては、セレン、酸化亜鉛、酸化
カドミニウム等の無機光導電体を主成分とする感光層を
有するものが広範に用いられて０た。 しかし、こｉｌらは感度、耐熱性、あるいは耐刷性等に
おいて必らずしも十分満足するもσ）ではなかった。 こｈ−に対して、近年有機光導性化合物を主成分とする
感光層を有する電子写真感光体が注目を集めている。こ
ノ１らは製造が比較的容易であり、製造コストも低く、
円筒ドラム、シート状、いずれの形体にも用いることが
でき、取り扱いも容易でかつ、耐熱性にすぐｉｌている
など多くの利点を有している。しかしながら、例えばす
でに実用化さｔｌているポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
と２．４゜７−ドリニトロー９−フルオレン等のルイス
ｗとから形成される電荷移動錯体を主成分とする感光層
を有する電子写真感光体においては、感度および耐刷性
について必らずしも満足できる結果を得ることができて
いない。 しかしながら、光導電性機能の面からギヤリア発生機能
とキャリア輸送機能とをそれぞノ１別岡の物質に分担さ
れるようにした積層型あるいは分散型の機能分離型電子
写真感光体が発明さねたことにより、種々の利点が生れ
た。このような機能分離型電子写真感光体は各々の物質
の選択範囲−が広く、帯電特性、感度、残留電位等の電
子写真特性および耐刷性において高性能が比較的達成が
容易で、また任意の特性を有する電子写真感光体を作成
しやすいという利点を持っている。 このような利点を持つ機能分離型電子写真感光体におい
てキャリア発生を主と１２で分担するキャリア発生物潰
としては、櫨々の無機、有機物が提案されでいる。無機
物質としては無定形セレンから形成されるキャリア発生
層がよく知らｆ］ているが、これは尚温栄件Ｆで結晶化
し性能が劣化するという欠点を待つ−Ｃいる。また、有
機物質としては光導電性有機染料・顔料のうり、特にキ
ャリア発生物質として用いることが種々提案烙ｆ１てお
り、例えば特開１１Ｓ４７−：（７５４３号公報、特開
昭５３−９５０３３号公報、特開昭５３−１３２３４７
号公報、特開昭５５−６９１４８　＋’ｉ公報、特開昭
５６−１１６０４０号公報、特開ＩＪ５７−２０００４
５号公報明＃Ｉ鴨８己載等のアゾ化合物がすでに公知で
ある。しかし、これらのアゾ化合物は、感度、ｌＡ留電
位、あるいは繰り返し使用した時の安疋性等の特性にお
いて、必らずしも満足し得るものでにない。才だ、キャ
リア輸送物周の選択範囲も限定されるなど、電子写真プ
ロセスの幅広い要求を光分に満足させるものが得られて
いないのが実状である。 さらに近年、感光体の光源としてＡｒレーザー、Ｈｅ−
Ｎｅ　レーザー等の気体レーザーや、半導体レーザーが
使用され始めている。これらのレーザーは時系列で０Ｎ
１０ＦＦが可能であり、高速で高解像記録を行なうこと
ができ、かつ記録様式の多様化が可能であるなどインテ
リジェントコピアをはじめとする画像処理機能を有する
複写機やコンピューターのアウトプット用のプリンター
の光のとして特に有望視されている。中でも半導体レー
ザーは、その性質上音響光学素子等の電気信号／光信号
の変換素子が不要であることや、装置ｆ、の小型・軽量
化が可能であることなどから注目を集めている。しかし
、この半導体レーザーは気体レーザーに比較して低出力
であり、才だ、発振波長も長波長（約７８０　ｎｍ以上
）であるだめ、従来の感光体では分光感度が短波長側に
より過ぎており、半導体レーザーを光源とする感光体と
しての使用は不可能である。 （発明の目的） 本発明の目的は、熱および光に対して安定で、かつキャ
リア発生能に優れたテトラキスアゾ化合物を含有する電
子写Ｘ感光体を提供することにある。 本発明の他の目的は、高感度にして残留電位が小さく、
かつ繰り返し使用してもそｉ′＋らの特性が変化しない
耐久性のすぐれた電子写真感光体を提供することにある
。 本発明の更に他の目的は、広範なキャリア輸送物置との
組み合わせにおいても有効にキャリア発生物質として作
用し得るテトラキスアゾ化合物を含有する電子写真感光
体を提供することにある。 本発明の更に他の目的は、半導体レーザー等の長波長光
源に対しても十分の実用感度を有する感光体を提供する
ことにある。 （発明の構成） 本発明者らは、以上の目的を達成すべく鋭意研究の結果
、下記一般式〔■〕で示芒れるテトラキスアゾ化合物が
感光体の有効成分として働き得るこ一般式ＣＩ’Ｊ 式中、Ｘｌ　＊　Ｘ２＊　Ｘｓ　＋　Ｘ４にそれぞれ水
素原子、ハロゲン原子（塩素原子、兵素原子、沃素原子
、弗素原子）、炭素数１〜４のアルキル基（飽和・不飽
和のものを含む。汐匂えばメチル基、エチル基、インプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）、炭素数１〜４
のアルコキシ基（飽和・不飽和のものを含む。例□えば
メトキシ基、エトキシ基、１８゜−プロポキシ基、ｎ−
ブトキシ基、ヒニルオキシ基等）を表わす。 奸才しくけ水素原子を表わす。 ＹＩ＋　Ｙｌは、水素原子またはシアン基を表わす。 Ａは、 Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基（飽和・
不飽和のものを含む、例えばメチル基、エチｋＭ、ム８
ｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ビニルＭ　等）　、フ
ェニル基、アラルキル基（例えｌｄ’ヘンシル基、フェ
ネチル基等）を表わす。 奸才しくに水素原子、炭素数１〜４のアルキル基（飽和
・不飽和のものを含む。例えはメチル基、エチル基、１
ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）を表わ
し、更に好才しくは水素原子を表わす１、 Ｒ５は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基（飽和・不
飽和を含む、例えばメチル基、エチル基、１ｓｏ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、ビニルＭ’ｈ）、アラルキル基
（例えばベンジル基、フェネチル基）、芳香族炭素環基
（例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル鯖咎）
または、芳香族炭素環基（例えばカルバゾリル基、ジベ
ンゾフリル基等）ヲ表わす。 好ましくは芳香族炭素環基（例えば、フェニル基、ナフ
チル基、アンスリル基等）、芳香族複素環基（例えば、
カルバゾリル基、ベンゾフリル基等）を表わし、更に好
ましくは芳香族炭素環基（例えば、フェニル基、ナフチ
ル基、アンスリル基ん）を表わす。 Ｚａ芳香族炭素埠、芳香族炭素環を形成するに必要な原
子群であって、具体的には、例えばベンゼン環、ナフタ
レン環、インドール環、ベンゾフラン環、カルバゾール
環等を形成する原子群を表わすがこの限りではない。 Ｒ，は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基（例えばメ
チル基、ニーチル基、ｉｇｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ビニル基等ン、アミン基（例えば、アミン基、メチ
ルアミノ基、アニリノ基等）、カルボキシ基、そのエス
テル基（例えばエトキシカルボニル基、ペンツイルカル
ボニル基等）　、カルバモイル基（例えば、Ｎ−メチル
カルバモイル基、Ｎ−フェニルカルバモイル基等）、シ
アノ基であり、好ましくは水素原子、炭素原子１〜４の
アルキル基（例えばメチル基、エチル基、１ａｏ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）、シアン基である
。 Ｒ１は芳香族炭素環基であり、好ましくけフェニル基で
ある。 Ｒ１は炭素１１〜４のアルキル基（例えばメチル基、エ
チル基、ｉｇｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基
等）、アラルキル基（例えばベンジル基、フェネチル基
等ン、または芳香族炭素環基（例えばフェニル基、ナフ
チル基、アンスリル基等）であり、奸才しくは炭素数１
〜４のアルキル基（例えばメチル基、工・チル基、１ｓ
ｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）、芳香族
炭素環基（例えばフェニル基、ナフチル基、アンスリル
基等）である。 これらＸｓ　＊Ｘｔ　＋Ｎａ　ｌｘ４．Ａｒ　、　Ｒ，
、Ｒ，、Ｒ，。 Ｒ４，Ｒ，、Ｚに挙げた一連の基もしくは環は、上記の
無置換のもの以外に、次に示すような置換基を有しても
よい。 即ち、例えば炭素数１〜４のアルキル基（飽和・不飽和
のものを含む。例えば、メチル基、エチル基、１ｓｏ−
プロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）、ハロゲン原
子（塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子）、炭素
数１〜４のアルコキシ基（飽和・不飽和のものを含む。 例えばメトキシ基、エトキシ基、１ｓｏ−プロポキシ基
、１ｌｅｅ−ブトキシ基、アリルオキシ基等）、ヒドロ
キシ基、アリールオキシ基（例えばフェノキシ基、ナフ
トキシ基等）、アシルオキ７基（例えば、アラルキル基
、ベンゾイルオキシ基等）、カルボキシ基、そのエステ
ル基（例えば、エトキシカルボニル基、フェノキシカル
ボニル基等）、カルバモイル基（例、ｔＪｆ、Ｎ−メチ
ルカルバモイル基、Ｎ−フェニルカルバモイル基等）、
アシル基（例えば、アセチル基、ベンシイＡ−基等）、
スルホ基、スルファモイルＪｋ−（Ｎ　エは、Ｎ−エチ
ルスルファモイル基、Ｎ−ナフチルスルファモイル基等
）、アミン基（例えは、アミン基、ジメサルアミノ基、
アニリノ基等）、アシルアミノ基（例えば、アセチルア
ミノ基、ベンゾイルアミノ基等）、スルホンアミド基（
例えば、メタンスルホンアミド基、ベンゼンスルホンア
ミド基等）、シアノ基、ニトロ基、芳香族炭素環基（例
えば、フェニル基、ナフチル基等）、芳香族複素環基（
例えば、オキサソリル基、イミダゾリル基等）が挙げら
れる。 好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基（飽和。 不飽和のものを含み例えばメチル基、エチル基、１ｓｏ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）、ハロゲン
原子（塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子）、炭
素ｉ１〜４のアルコキシ基（飽和・不飽和のものを含む
。例えばメトキシ基、エトキシ基、１ｓｏ−プロポキシ
基、５ｅｅ−ブトキシ基、アリルオキ７基等）、シアン
基、ニトロ基である。 以上に挙げた一連の置換基は、更にまた上記に挙げた一
連の基の如き置換基によって置換されてもよい。 すなわち、本発明においてｔよ前記一般式〔■〕で示さ
れるテトラキスアゾ化合物を電子写真感光体の感光層を
構成する光導電性物質として用いることにより、または
本発明のテトラキスアゾ化合物の優れたキャリア発生能
のみを利用し、とｉｌをキャリアの発生と輸送とをそれ
ぞれ別個の物質で行なう機能分離型電子写真感光体のキ
ャリア発生物置として用いることにより、熱光等に堅牢
で安定した特性を持ち、帯電特性、感度、残留１江位等
の電子写真特性や刷耐性に優れ、かつ、長波長光源に対
し充分な感度を持つ電子写真感光体を作成することがで
きる。 （発明の構成） 前記一般式ＣＩ）で示される本発明にイＪ用なテトラキ
スアゾ化合物としてば、例えば次の構造式を有するもの
が挙げられるが、これによって本発明のテトラキスアゾ
化合物が限定されるものでけな１８ 以上の如きテトラキスアゾ化合物は、公知の方法により
容易に合成することができる。 合成例１（例示化合物Ａ−１の合成） Ｊ、Ｍｅｄ、　Ｐｈａｒｍ、　Ｃｈｅｍ、　１　、１９
７〜２１１　（１９５９）記載の方法に従がい合成した
４、４′−ジニトロジフェニルアミント４．４’−ショ
ートスチルベンとをニトロベンゼン中、銅粉と炭酸カリ
ウム存在下に縮合して、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキ
ス（Ｐ−ニトロフェニル）　−４、４’−）７　ミ／ス
チルベンを傅た。これを常法により鉄と塩酸でＮ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド中還元してＮ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−
テト５＃ｘ＜’ｈ−アオ／７ｘ−＝ｙ）　−４、４・−
２アオノスチルベンを得た。 こうして得たＮ　、　ｌ’Ｊ　、　Ｎ’、　Ｎ’−テト
ラキス（Ｐ−アミノフエニ／ｌ／）−４，４’−ジアミ
ノスチルベン５．７１１　（０，０１モル）を１００ｍ
の６　Ｎ地ｆｆ１Ｋ分ｔし、攪拌下Ｏ〜５°ＣＫ保持し
つつａ、ｏ　ｇ＜ｏ、ｏ４４モル）の亜硝酸ソーダを加
−の水に溶かした水溶液を滴下し、その後同温度で１時
間攪拌を続けた。 その後３．０ｇの尿素を加えて未反応の亜硝酸ソ−ダを
分解せしめた佐少輩の残渣を濾別し、濾液に４２％のポ
ウ弗化水素酸３ＬＩＴｎｔを加え、析出した沈澱を濾取
し、水−６を後乾燥した。得られたオクタゾニウム塩を
冷却下のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド１５（１０ｍＪ
に溶解した。 この溶液に２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸アニリド（
ナフトールＡＳ　）　１０．５＆　（０，０４モル）を
５〜１０℃の内温トに加えｆａＭせしめた後に、予じめ
準備しＣおいｌとトリエタノールアミン１１．９．ｊｉ
＋（０，０８モル）を７０ｍｇのＮ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミドに溶かした液を、５〜１０℃の内祝を保ちなが
ら撹拌Ｆに滴下−した。 滴下後、同温度にて１時間攪拌した後、室温下３時間攪
拌反応芒せた。その後析出した沈澱を濾取し、１．５Ａ
θ）Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドで２回、次に１１の
アセトンで１回洗浄し乾燥することによって目的のテト
ラキスアゾ化合物１１．９１を得た。 収率　７１％ 融　点　：う（）０℃以上 赤外吸収スペクトルでν＝　＋６８０ｃｍ　Ｉｃ　７ミ
ト吸収が現われたことおよび下記元素分析結果から目的
のテトラキスアゾ化合物が合成されたことが確認できた
。 元素分析 計算値　観測値 Ｃ（％）　？６．１５　７６．０３ Ｈ（％）　４．４６　４．６７ Ｎ　（％）　１１．７３　１１．６５ 合成例２（例示化合物へ−３１の合成）合成例１で得た
Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（Ｐ−アミノフェニル
）−４，４’−ジアミノスチルベン５．７　、Ｓｌ　（
０，０１モル）を３１ＪＩｊの６Ｎ塩酸に分散し、攪拌
下θ〜５℃に保持しつつ３．０　、？　（０，０４４モ
ルプの亜硝酸ソーダを２ｉＪ−の水に溶かした水溶液を
滴下し、その後同温度で１時間攪拌を続けた。 その後３．０１１の尿素を加えて未反応の亜硝酸ソーダ
を分解せしめた後少量の残渣を藺別し、濾液に４２％の
ホウ弗化水素酸３ｏｎ／を加え、析出した沈殿を濾取し
、水洗後乾燥した。 得られたオクタゾニウム塩を冷却下のＮ、Ｎ−ジメチル
ホルムアミド１５００Ｉ＋１７！ＩＣ溶解した。 この溶液に２−ヒドロキシ−３−（４−メトキシフェニ
ルカルバモイル）ベンゾ（ａ）カルバゾール（ナフトー
ルＡＳ−８Ｇ　）　１４．９１！（０，０４モＡ／）を
５〜１０℃の内温下に加え溶解せしめた後に、予じめ準
俯し一〇おいた６、５９（０，０８モル）の酢酸ソーダ
を７０　ｍｌの水に溶かした液を、５〜１０℃の内温、
　を保ちながら攪拌下に滴下した。 滴下後、同温度にて１時間攪拌した後、室温下３時間攪
拌反応させた。その後析出した沈澱を濾取し、ＩＡＩの
水で２回、次に１．５１のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミ
ドで２回、次に１７のアセトンで１回洗浄し乾燥するこ
とＫよって目的のテトラキスアゾ化合物９．９ｇを得た
。 収率　４６％ −点　３００℃以上 赤外吸収スペクトルでシ＝１６８０ｃｉにア（ド吸収が
現われたことおよび下記元素分析結果から目的のテトラ
キスアゾ化合物が合成さ第１たことが確認できた。 元素分析 計算値　観測値 Ｃ（％）　７４．９Ｊ　７４．８８ Ｈ（％）　４．４１　４．５１ Ｎ（％）　１１．７４　１１．９８ 前記一般式ＣＩ）で示されるテトラキスアゾ化合物によ
り本発明電子写真感光体の感光層を構成するためには、
当該テトラキスアゾ化合物を結着剤中に分散せしめた層
を導電性支持体上に設ければよい。或いは、当該テトラ
キスアゾ化合物をキャリア発生物質として用い、キャリ
ア輸送能を南するキャリア輸送物質と組み合せ、積層ｍ
若しくは分散型のいわゆる機能分離型感光層を設けでも
よい。感光層の構成においては、前記一般式〔Ｉ〕で示
されるテトラキスアゾ化合物の１積のみでなく２棟以上
を組み合せて用いること、他のテトラキスアゾ化合物そ
の他のキャリア発生物質と組み合せて用Ｃ−ることもで
きる。 本発明電子写真感光体を機能分離型とする場合における
機械的構成は、従来知られている構成の何れのものとし
Ｃもよい。通常は第１図〜第６図の構成とされる。第１
図及び第３図のもの＃ｉ専電電性支持体１上上述のテト
ラキスアゾ化合物を主成分とするキャリア発生層２と、
キー７　＋７７輸送物質を主成分として含有するキャリ
ア輸送層３との積ノ一体より成る感光層４を設けた構成
、第２図及び第４図のものはそれぞれ第１図及び第３図
の構成においＣ４１ｉｒ’、性支持体１と感光層４との
間に中１＆Ｉ）層を弁４４Ｉシた構成を有する。このよ
うＶｃ、感光層４を二層構成とする場合に最も優れた電
子写真特性が得らｉｌ、る。第５図のものけ、上述のテ
トラキスアゾ化合物より成るキャリア発生物質７を、キ
ャリア（ｌｉｉｉ送物ηを主成分として３廟する層６中
に分散せしめてｈＸ、ゐ感光ＪＶｉ４を導′屯性支持体
１上に直接設けた構成、第６図のものは、第５図と同様
の感光１−４を中間層５ケ介して等由、性支持体ｌ上に
設けた構成である。 前記キャリア輸送物質としては、例えばトリニトロフル
オレノン、テトラニトロフルオレノンなどの一５子軸送
性の電子受容性物質、或いは、例えばボ１ｊ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾールに代表さｔ＋−るような複素環化合物を
側鎖に有する重合体、トリアゾール！＄　２’？１体、
オキサジアゾール誘導体、イミダゾール討導体、ピラゾ
リン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、フェニレン
ジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、アミノ１ｆ換力ル
コン誘導体、ト１ｊアリールアミン誘導体、カルバゾー
ル誘４体、スチルベン訪導体などの正孔輸送性の電子供
与性物置が挙げらねるが、本発明において用いられるキ
ャリア翰送物質がこれらに限定されるものではない。 二層構成の感光層を形成する場合におけるキャリア発生
層２は、次の如き方法によって設けることができる。 （イ）　既述のテトラキスアゾ化合物を適当な溶剤に溶
解した溶液或いはこれに結着剤を加えて混合溶解した溶
液を塗布する方法。 （ロ）既述のテトラキスアゾ化合物をボールミル、ホモ
ミキサーなどによって分散媒中で微細粒子とし、必要に
応じて結着剤を加えて混合分ｉｉ＊　Ｌ／て得りれる分
散液ケ塗布する方法■キャリアう＾主層の形ｈ）ｔに使
用さｌする

【゛け剤或いけ分散媒としては、！１−ブナ
ルアミン、ジエチルアミン、コーチレンジアミン、イン
プロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリエチ
レンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセト
ン、メチルエチルケト／、ブタロヘキサ／′ン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クロロホルム、］、］２−ジ
クロロフニタンジクロロメタン、テトラヒドロフラン、
／Ａ°キリ゛ン、メタノール、エタノール、イングロパ
ノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホ・Ｖ
−シト”Ｐを卒けることができイ）。 キャリアラ６生１？５若しくシ」キャリア輸送層の形成
に結別剤をＪｌｌいる場打に、当該結着剤として＆１任
意のものを用いることができるが、特に疎水性でかつ誘
’＋’ｉｆ、率が高い′串気杷綴性のフィルム形成性高
分子Ｙｋ　’Ｑ体が好ましい。斯かる重合体としては、
例えば仄のものを１１石けることができるが、勿論これ
らに限足沁ノＬるものではない。 ａ）ポリカーボネート ｂ）ポリエステル Ｃ）メククリル柄脂 ｄ）アクリルづ介Ｊｌｌ’ｔｑ ｅ〕　ポリ塩化ビニル ｆ）ポリ塩化ビニリデン ｇ）ポリスチレン ｈ）ポリビニルアセテート １）スチレン−ブタジェン共重合体 ｊ）環化ビニリデンーアクリロニトリル共１合体ｋ）塩
化ビニル−酢酸ビニル共重合体 １）塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共ｍ合体
ｍ）シリコン樹脂 １１）ノリコン−アルキッド樹脂 ０）　フェノール−ホルムアルデヒド樹脂ｐ）スチレン
−アルキッド樹脂 ｑＪ　ポリ−Ｎ−ビニルカルバソール ｒ）ポリビニルブチラール これらの結着剤は、単独であるいは２種以上の混合物と
して用いることができる。 このようにして形成されるキャリア発生層２の厚さは０
．０１〜２ｉＪμｍであることが好ましいが、更に好ま
しくに０．０５〜５μｍである。才だ既述のテトラキス
アゾ化合物を分散せしめて感光層若しくけキャリア発生
層を形成する場合におし）では、当該テトラキスアゾ化
合物は５μｍ以下、好ましくは１μｍ以上０粒径の粉粒
体とてれるのが好ましくゝ０ 本発明における４″ｆ′ＩｉＬ件支揚体としては、金属
板、金属ドラムオたは尋箱、性ポリマー、酸化インジウ
ム等のｉｊ’ｊ　電４才化合物若しくけアルミニウム、
・くラジウム、金等の魁属より成る＠箪件薄ｊ曽４”、
塗布、蒸着、ラミネート等の手段により、紙、グラスチ
ックフィルム等の基体に設けてｒするものが用いられる
。掻刃３層或いはバリヤ一層等として機能する中間層と
しｒ　＆、ｉ、帖ＺｌＪ剤として説明したような置分子
重合体、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、ノ
ノルボギ７ノナルセルロースナトノ有機烏分子物質また
はＩＩｌダ化アルアルミニウムより成るものが用いられ
る。 （発明の効果） 本発明の市、子写真感光体は、以上のような構成Ｃあっ
て、前記一般式〔Ｉ〕で示さ！＋るテトラキスアゾ化合
物を宙、子写真感光体の感光層を構成する光導箪性物質
七して用いることにより、または本発明のテトラキスア
ゾ化合物の優れたキャリア発生能のみを利用し、これを
キャリアの発生と輸送とをそれぞれ別個の物質で行なう
機能分＃型電子写真感光体のキャリア発生物質として用
いることにより熱・光等において堅牢で安定した特性を
発揮し、かつ被膜物性や＠箪特性、感度、残留電位等の
電子写Ａ％性および繰り返し使用した時にも疲労劣化が
少なく耐刷性に優れた電子写真感光体を作成することが
できる。 また、本発明の電子写真感光体は長波長光（２７８０ｎ
ｍ　）に対する感度が良好であり、通・辞の複写機のみ
ならず半導体レーザー等の長波長光源に対しても十分良
好な感度を持つ感光体としてレーザー・プリンター、レ
ーザー・ファクシミリなどの電子写真の応用分野に広く
用いることができる。 （実施例） 本発明の芙識例を具体的に説明するが、これにより本発
明の実施の態様が限定でれるものでＱまない。 実施例　１ ポリニスアルのフィルム上のアルミニウム箔ヲラミネー
トしてｌ戎る導′亀性支持体上に鳩化ビニルー酢酸ビニ
ルー焦水マレインｎ　共ＭＥ’ａ体１エスレノクｈｉＦ
’−１０」（私水化字社＃）より成る厚さ０．０５μｍ
の中＋１４Ｊ層を設け、その上Ｖこ例示化合物Ａ−２２
事ｉｌ（ｊ’ｒｂ　ｋ　ｌ　＊　２−ジクロルエタン１
４０亜一部に分散ｒＪＬ台した敵を乾燥仮の膜厚が０．
５μｍになるよつに顔イ＋ｉ　Ｌ、キャリア発生ｊ−を
形成した。 仄いで、１−フェニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）＝）−Ｃｐ−ジエチルアミノフェニル）ヒフノ゛
リン６、ｆｆｌＪｔ部と、ポリニスデル［）（イＩＪ　
ｙ　７！（１′ｏＪ　（束部紡績社製）ｌＵｍＪＬ部と
を１゜２−シクＬＪルエタン９０亜−に都電に浴解し、
この酢液を乾保後の膜厚が１０μｍになるように塗布し
てキャリ了−１処１（６を哉＋４Ｍ１７一本発明の′電
子写真感光体を作成した。 この市、子写真感光体について、静電、複写紙試験装置
１−ＰＳ−４２８型」　（川口電気製作新製〕を用いて
ダイナミック方式で１！１子写真特性を測定した。 前記感光体の感光層表面を帯電圧−６，ＯＫＶで５秒間
帯電せしめた時σ表面電位ＶＡ、次いでタングステンラ
ングの光を感光体表面における照度が３５１ｕｘになる
ようにして照射し、表面電位ＶＡを手分に減衰させるの
に要する露光量（半減露光ｉＧｔ　）　Ｅ　Ｉ／’２　
（ｌｕｘ　・ｓｅｅ　）並びに３ｔＪ　１ｕｘ−ｓｅｅ
の露光量で露光した後の表面電位（残留電位）　ＶＲを
それぞれめた。 また、同様の測定を１０（１回繰り返して行なった。 結果は第１表に示す通りである。 第１表 比較例　１ キャリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物を用いた
他は実施例１と同様にして比軟用感光体を作成した。 この比較用′１１−１．子′４．兵感光体について実施
例１と同様にしてσ１り定を行なったところ、第２表に
示すような結果を得た。 第２表 以上の結果から明らかなように、本発明の知；子写真感
光体は、比較用電子写真感光体に比べ、感度、残留電位
および繰り返しの安定性において極めて優れたものであ
る。 実施例　２ ギヤリア発生物質として例示化合物Δ−３を用いたほか
は実施例１とｌ１７Ｊ様にして本発明の電子写真感光体
を作成した。 この電子写真感光体について実施例１と同様にして測足
を行なったところ、８＋！３表にボす結果を得た。 第　３　表 実か６例３ ポリエステルフィルムにアルミニウムを蒸１１ｔした上
に実施例１で用いた中間層を設け、更にその上に例示化
合物Ａ　−１３２ｍｉ部を１．２−ジクロロエタン１４
０重釘部に分散混合した液を乾燥後の膜厚が０．５μｍ
になるように塗布し、キャリア発生層を形ノ戎した。 次いで、Ｐ−（Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズアルデ
ヒド−１，１−ジフェニルヒビ２１フ６重幇部と、ポリ
カーボネート　１パンライトＬ−１２５０、＋　（量大
化成社製）１０却お部とを、１．２−ジクロロエタン９
０市量部に溶解した液を乾燥後の膜１ｖが１２μｍＫな
るように塗布してキャリア輸送ｊ−を形成し、本発明の
霜、子写真感光体を作成した。 このｌｌ’ｊ子写迫感光体について実施例１と同様にし
て１ｌｌ１１’ｙｊｌ　ｋ・行なったところ、ＶＡ＝　
７５０Ｖ、Ｅｇ”＝　１．８１ｕｘ・ｓｅｃ　、　ＶＨ
＝０■でありた・比較例　２ キャリア発生物Ｔ１として、下記トリスアゾ化合物を用
いた１江かけ実施例３と同様にして比！収用１ｕ子写真
感光体を作成した。 Ｃ１ この比較用電子写真感光体について実施例１と同様の測
５１１を行なったところ、Ｖへ＝−５６０Ｖ。 Ｆｒ　Ｗ””　６．８１ｕｘ−１Ｉｅｃ　、　ＶＲ＝−
１５Ｖであった。 υ上の結果から明らかなように本発明の電子写真感光体
をよ、比較用電子写真感光体に比べ、そσ）初期特性に
訃いて著しく優れたものである。 実施例　４ 実施例３による本発明の霜、子写真感光体と比較例２に
よる比較用電子写真感光体の各々を、電子写真複写＋幾
１’　Ｕ　−Ｂｉｘ　２０００　ＲＪ　（小西六写真工
業社製）に装置して、帯電・露光・クリーニンの操作を
ｌＯ・ＯＵＯ回繰り返して耐久試験を行なった（＆、直
ちに、ＩＪｊＯ：実施例１におけると同様の測置を行な
った。結果に第４表に示す通りである。 この結果から明らかなように比較例２の電子写真感光体
の特性の劣化が著しく大きいのに比べ、実施例；３の本
発明の′電子写真感光体は、１０．０００回の帯１（（
、・露光の繰り返しにおいても、その特性が初期とほと
んど変らず安定していることがわかる。 実施例　５ 実施例１で用いた導電性支持体上に例示化合物Ａ−１１
２爪１ｄ部と、ポリカーボネート１−パンライトＬ−１
２５０４（苗人化成社１ＪＩ）２産量部を、１．２−ジ
クロロエタン１４０Ｍ１１１部に分散混合した液を乾燥
後の膜厚が１μｍになるように塗布してキャリア発生層
を形成した。 次いで、３−（Ｐ−メトキシスチリル）−９−（ｐ−メ
トキシフェニル）カルバゾール６　ｍ　ｆｉｔ　８Ｂと
、メタクリ＃４］１脂「ア（クリペット」　（三菱レイ
ヨン社製）１０重−量部とを１．２−ジクロロエターン
９０　ｇ置部に溶解した液を乾燥後の膜厚が１０μｍに
なるように塗布してキャリア輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について実施例１と同様に測定した
ところ、ＦＪｇ＝２．ｌ　Ｉｕｘ・ｓｅｃ　、　ＶＲ＝
ＯＶであった。 実施例　６ 実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体上に例示
化合物Ａ−１４の２％エチレンジアミン溶液を乾燥後の
膜厚が０．３μｍになるように塗布しキャリア発生層を
形成した。 さらにその上に１−フェニル−３−（Ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン６重１部と、ポリカーボネート［ニーピロンＳ
　−１００Ｊ　（三菱ガス化学社ｆＲ）１０４１部とを
、１．２−ジクロルエタン９０重量部に溶解し、乾燥後
の膜厚が１４μｍになるように塗布してキャリア輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について、′Ａ施例】と同様にして
測定したところ、Ｅ’／２　＝１．８１ｕｘ−ｓｅｃ　
。 ＶＲ＝ＯＶであった。 また、この電子写真感光体を電子写Ａ＋、ｉｚ写機［Ｕ
　−Ｂｉｘ２０００　Ｉｔ　Ｊ　（小西六写真工業社製
）に装置し、画像の複写を行なったところ、原画に忠実
でコントラストが品＜　、　ｌ’！ｔ　ｉＪＪ性の優れ
た鮮明な複写画像を得た。これは連続１０，０００回繰
り返しても初期と同様の複写画像が得られた。 実施例　７ ポリエステルフィルムにアルミニウムを蒸着した上に地
代ビニルー酢酸ビニルー無水マレイン酸共重合体［エス
レックＭＦ−１０Ｊ（Ｍ水化学社製」から成る厚さ００
５μｍの中間層を設け、その上に例示化合物Ａ−６３重
量部と、４．４′−ジメチルトリフェニルアミン６ル自
部と、ポリカーボネート［パンライ）　Ｌ　−＋２５０
Ｊ　（量大什成社勅）１０重値部とを１．２−ジクロロ
エタｙ　ｌ　Ｏ（ｌ　ｆＱ、　Ｎ部中に加え、ホールミ
ルでよく分散混合した液を乾燥後の膜厚がｌ（Ｊμｍに
なる１ように塗イＣして本発明の電子写真感光体を作成
した。 この電子写真感光体について静霜、複写紙試験装置Ｉ￥
ｌ５Ｐ−４２８型」（川口電機製作１９「製９を用いダ
イナミック方式でｔ子写真特性を測定した。 感光層表面を斗６　ＫＶで５秒間帯電し、次いでタング
ステンランプの光を感光層表面における照度が３５１ｕ
ｘになるようにして照射し、半減露光量（Ｅｙ２）をめ
たところ、Ｅ３／２　＝　１．９１ｕＸ−ｇｅｃであり
、さらに３１Ｊ　１ｕｘ−ａｅｅの露光量を与えたとき
の表面電位（ＪＡ留電位）はＶＲ＝ＯＶでありた〇実施
例　８ 直径１００龍のアルミニウム製ドラムの表面に塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレック
ＭＦ−１０Ｊ（積木化学社製）より成る厚さ０．０５μ
ｍの中間層を設け、その上に例示化合物Ａ−４４ｇを１
．２−ジク００エタン４００ｍｌに混合し、ボールミル
分散機で冴時間分散した分散液を乾燥後の膜厚が０．６
μｍになるようにして塗布し、キャリア発生層をＪ１９
成した。 さらにこのＪ：に下記の構造式で表わされるＮ。 Ｎ−ジエチルアミノベンズアル−ノヒドー１．１−ジフ
ェニルヒドラゾン３０ｇと ポリカーボネートイＭｌ加「ニーピロンｓ　−１（１０
０Ｊ（三菱ガス化学社製）５０ｇとを１．２−ジクロロ
エタン４００　ｍｅに溶解し、乾燥後の＃厚が１３μｍ
になるように塗、４１ｉ　してキャリア輸送層を形成し
、ドラム状の電＋’、１−ｉ　Ａ感光体を作成した。 このようにして作成した感光体を電子複写機ｒＵ−Ｂｉ
ｘＶ２Ｊ（小西六写真工業社製）の改造機に装着し、画
像を複写したところ、コントラストが高く、１υＩ画に
忠実で、かつ鮮明な複写画像を得た。 ｔ　ｆｃ、これは１０，０００回繰り返しても変わるこ
とはなかった。 比較例　３ 実施例８において例示化合物ＩＡ−４をト記の構造式で
衣わされるトリスアノ゛化合物に代えた他は、実施例８
と同様にしてドラム状の比較用ｕＩ、子写−８感光体を
作成し、実施例８と同様ｋｃ　（、て複写画像を評価し
たところ、カブリが多いＬＩＩＩ像しか得られなかった
。また複写を繰り返していくに従い、複写画像のコント
ラストが低＋ｔ、、’　Ｉｏ、ＯｏＵ回縁り返すと、は
とんど複写画像は得られなかった。 実施例　９ ポリニスデルフィルム上にアルミニウム箔をラミネート
して成る４？ｆＪ、性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル−無水マレイン酸共重合体１エスレノクＭＦ−ｘｏ
Ｊ（Ｊ？＜水化学社製〕より成る厚さ０．０５μｍの中
間層を設け、その上に例示化合物Ａ　−１８５，？トポ
リカーボネート樹脂［パンライ）　Ｌ　−＋２５０Ｊ　
（今人化成社製）　３．３．９とをジクロロメタンｌｏ
ｏｍｌに〃ｌえ、ボールミルでＭ時間分散した分散液を
乾燥時の膜厚が１０μｍＫなるように塗布し、７に子写
真感光体を作成した。 以上のようにして得られた感光体を帯電圧を＋６ＫＶに
代えた他は実施例１と同様にしてＥン２とＶＲを１ｉｉ
ｌπした。１回目の結果はＥ％＝３．５１ｕｘ−ｓｅｅ
およびＶＴ＜＝７Ｖであった。 実施例　川 直径Ｉ　Ｏ（］　ｍａのアルミニウム製ドラムの表面に
、塩化ビニルー酢酸ビニルー無水マレイン酸共重合体１
エスレノクＭＦ−１０Ｊ（＆水化学社製）よりなるｊｕ
ｌｏ、０５μｍの中間層を設け、その上に例示化合物（
Ａ−３３）４＃を１，２−ジクロロエタン４０（Ｊｍｌ
に混合し、ボールミル分散機で調時間分散した分散液を
乾燥後の膜厚が０５μｍになるようにして塗布し、キャ
リア発生層を形成した。 さらにその上にＰ−（Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズ
アルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン加ｙとポリ
カーボネート樹脂１／ぐンライトＬ−１２５０Ｊ　（今
人化成社製）５υＩとを１．２−ジクロロエタン４００
罰に溶解し、乾燥後の膜厚が１２μｍになるように塗布
してキャリア輸送層を形成し、ドラム上の１６１子写真
感光体を作成した。 この感光体の７８０　ｎｍにおける分光感度は０７９μ
Ｊ／ｍ（半減露光量）であった。 次にこの感光体を感光体表面でのレーザー光強度が０．
８５　ｍＷとなる半導体レーザー（７８０ｎｍ　）を装
置した実鋏機により実写テストを行なった。 感光体の表面を一６ＫＶに帯−１した後、レーザー露光
し一３５０ｖのバイアス電圧で反転現像したところ、カ
プリのない良好な画像が得られた。 また、これは１ｕ　、ｏｏｏ回繰り返しても変わること
はなかった。 実施例１ノ〜１４ 実施例１０１’こｂ・いて例示仕合物（Ａ−３３）に代
え゛Ｃ１例不化合物（Ａ３１）、（Ａ−３２）、（Ａ−
３５）、ＣＡ−４０）、（Ａ−１７〕を用い／こ細針Ｉ
同様にしでトラム状の感光体を得た。 それぞれの感光体の７８０　ｎｍにおける分光感反は第
５表に示す通りであ−）だ。 第　５　表 次に実施例１０に＾αした実験機Ｖこよる実写テストに
おいてもそれぞｉＬの感光体はカプリの無い良好な１縁
を与え、これｌ−）はいずれも１０．０（ｌｔ１回繰り
返しても俊わらなかンた。 以上の結果から明らかなように、２Ｆ、発明の感光体は
、感度、残留電位等の特性において、また繰り返しの粘
性においＣも著しく優れたものである。 さらに長波長における感［ｉ−よび繰り返しの安定性に
おいても十分実用的な優れた感光体である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図はそれぞれ本発明の？１１．子１ｖＡ感
光体の機械的構成例につｌ、ｉ−て示す断面図である。 １・・・導１４Ｌ件支持体 ２・・・キャリアづ両生層 ３・・・キャリア輸送層 ４・・・感光層 ５・・・中間層 ６・・・キャリア輸送物質を含有する層７・・・キャリ
ア発生物質 代理人　朶原義美 第１図 第５図 ％２図 る斗凶

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ＋１１　下記一般式〔１′〕で表わされるテトラキスア
   ゾ化合物を少なくとも一１ｍ、！電性支持体上の感光層
   に有することを％徴とする感光体。 一般式１、ｌ〕 （式中 Ｘ＋　＋　Ｘ２　＋　Ｘｓ　＋　Ｘ４　：水素原子、）
   ・ロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数
   １〜４のアルコキシ基 Ａ　： ２：芳香族炭素環または芳香族複素環を構成するに必要
   な原子群 Ｙ：カルバモイル基またはスルファモイル基Ｒ，：水素
   原子、炭素数１〜４のアルキル基、アミン基、シアノ基
   、カルバモイル基、カルボキシ基またはそのエステル基 Ｒ２：芳香族炭素Ｒ残基 Ｒ，オよびＲ′ｓ：炭素数１〜４のアルキル基、アラル
   キル基、芳香族炭素環残基 を表わす。） （２）前記感光層がキャリア発生物質とキャリア輸送物
   質を含付し、当該キャリア発生物質が前記一般式〔Ｉ〕
   で表わされるテトラキスアゾ化合物である特許請求の範
   囲第（１）項記載の感ジし体。