JPS5920667B2 - スルホンアミド系ベンズアミド誘導体 - Google Patents

スルホンアミド系ベンズアミド誘導体

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JPS5920667B2
JPS5920667B2 JP52008443A JP844377A JPS5920667B2 JP S5920667 B2 JPS5920667 B2 JP S5920667B2 JP 52008443 A JP52008443 A JP 52008443A JP 844377 A JP844377 A JP 844377A JP S5920667 B2 JPS5920667 B2 JP S5920667B2
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residue
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秀 尾形
博 松本
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Shionogi and Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式 〔式中、Ｒは水素、アルキル基、シアノ基、アルカンス
ルホニル基又はジアルキルアミノ基を表わし；Ｒ１はア
ルキル基、アリール基又はジアルキルアミノ基を表わし
；Ｒ２は水素、ハロゲン、アルキル基、ジアルキルアミ
ノ基又はアルコキシ基を表わし：Ｒ４はアルコキシ基を
表わし：Ｒ３およびＲ５は各々水素、アルキル基又はア
ルコキシ基を表わし；Ｒ６はアルキル基又はシクロアル
キル基を表わす。
〕で示される化合物又はその塩に関する。
これらの目的物質は医薬又は動物薬、とりわけ抗胃潰瘍
剤又は向精神薬としての用途が期待できる。上記目的物
質（１）の定義において使用される用語について具体例
を以下に示す。
アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル）
、アルカンスルホニル基（例えば、メタンスルホニル、
エタンスルホニル、プロパンスルホニル、ブタンスルホ
ニル、イソブタンスルホニル）、ジアルキルアミノ基（
例えば、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、メチルエチ
ルアミノ、エチルプロピルアミノ、メチルブチルアミノ
）、アリール基（例えば、フエニル、トリル、キシリル
、ナフチル）、ハロゲン（例えば、フツ素、塩素、臭素
、ヨウ素）、アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ）、シクロアル
キル基（例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シク
ロペンチル、シクロヘキシル）。
目的物質（１）は、下記の図式で示されるように、原料
アニリン類（０をスルホン化（ルートＡ）するか、また
は安息香酸類もしくはその反応性誘導体（ＩＶ）にアミ
ン類（Ｖ）を反応させ（ルートＤ）、必要により、さら
に水解（ルートＢ）もしくはアルキル化（ルートＣ）の
化学修飾を施して得られる。
〔式中、Ａは反応性基（例えば，ハロゲン，エステル残
基，−０Ｓ０２Ｒ１なる基），Ａ１はヒドロキシ基また
は反応性基（例えば．ハロゲン、エステル残基）を表わ
し，Ｒ，Ｒｌ，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５およびＲＯは前
記と同意義を有する。
〕ルートＡ本反応は原料アニリン類（）にスルホン化剤
（自）を反応させてスルホンアミド（１）を形成する反
応である。
スルホン化剤（自）は所定のスルホン酸のハロゲニド（
例えば、クロリド，プロミド）、活性エステル（例えば
．ｐ−ニトロフエニルエステル●ベンジルエステル，ト
リチルエステル）および無水物（例えば、無水メタンス
ルホン酸、無水エタンスルホン酸）を含有する。本反応
はスルホン化の常法によつて実施すればよく６一般には
適当な不活性溶媒（例えば，塩化メチレン，ベンゼン，
テトラヒドロフラン，ジオキサン）の存在下または不存
在下に、必要なら、適当な脱酸剤（例えば、トリエチル
アミン６ピリジンなどの有機アミン６炭酸カリウム，重
炭酸ナトリウムなどの無機塩基）を加えて実施するか，
あるいは溶媒と脱酸剤を兼ねて有機アミン（例えば，ピ
リジン，トリエチルアミン）を使用して実施すればよい
。反応温度は通常室温下または冷却もしくは加熱下であ
る。一般に本反応は好収率下に進行するが、使用する溶
媒と脱酸剤の種類によつてはモノスルホン化生成物、ジ
スルホン化生成物または両者の混合物が生成することが
あるが，これらはいずれも目的化合物（１）に包含され
る。ルートＢ 上記ルートＡでの生成物（１）のうちジスルホン化生成
物は６必要なら、水解してモノスルホン化生成物（１ａ
）に変換できる。
本反応は常法により無機または有機塩基（例えば，水酸
化ナトリウム６水酸化カリウム６炭酸カリウム，重炭酸
ナトリウム、ナトリウムメトキシド，カリウムエトキシ
ド）にて適当な溶媒（例えば、水６メタノール，エタノ
ール、アセトン，ジオキサン）中室温下または加熱下に
処理すればよい。ルートＣ 上記ルートＡでの生成物（１）のうち活性水素（Ｒ＝水
素）を有する化合物は、必要なら６アルキル化してＮ−
アルキルスルホンアミド（Ｉｂ：Ｒ＝アルキル基）に変
換でさる。
本反応はアミノ基のアルキル化のための常法によつて実
施すればよく６通常ジアルキル硫酸（例えば、ジメチル
硫酸６ジエチル硫酸）またはハロゲン化アルキル（例え
ば６ヨウ化メチル，臭化エチル、塩化プロピル）などの
アルキル化剤／アルカリ（例えば，水酸化ナトリウム６
水酸化カリウム、炭酸カリウム６重炭酸ナトリウム）と
適当な溶媒（例えば６水、アセトン，ジオキサン、テト
ラヒドロフラン，ジメチルスルホキシド）中室温下また
は加熱下に実施される。上記ルートＡで原料物質として
使用されるアニリン類（）は特公昭４４−２３４９６号
公報に記載の方法に準じて合成される。
〔式中．Ａｌ，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５およびＲ６は前
記と同意義を有する。
〕ルートＤ 本反応は安息香酸類もしくはその反応性誘導体（５）と
アミン類（７）の縮合反応であつて，この種の反応の常
法に従つて実施される。
一般には安息香酸類のアルキルエステルもしくは酸ハロ
ゲニドとアミン類（とを．必要なら，適当な脱酸剤（例
えば、トリエチルアミン，ピリジン，ピコリン、水酸化
ナトリウム、炭酸カリウム）の存在下に不活性溶媒（例
えばエタノール、プロパノール・ジオキサン・ジメチル
ホルムアミド、ベンゼン、塩化メチレン）中加熱して反
応を行えばよい。ルートＤで原料物質として使用する安
息香酸類もしくはその反応性誘導体（５）は、例えば６
対応するアミノ安息香酸類（ロ）をスルホン化すること
によって得られる。
〔式中６Ｅｔはエチル基を表わし．Ａ，Ｒ，Ｒｌ，ｌＯ
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４およびＲ５は前記と同意義を有する〕
本発明の目的物質（１）は、製剤化、結晶化６溶解性ま
たは安定性の向上などの必要性のために無機酸（例えば
、塩酸６臭化水素酸、硫酸，リン酸、チオシアン酸）や
有機酸（例えば、酢酸、コハク １５酸、シユウ酸，マ
レイン酸，リンゴ酸，フタル酸６メタンスルホン酸、ク
エン酸、トルエンスルホン酸６酒石酸）などの酸付加塩
の如き製剤上許容できる酸付加塩に導くことができる。
本発明の目的物質（１）は右旋性および左旋性の光２０
学異性体を含むものであつて、これらはラセミ化合物か
ら常法によつて容易に分割することができる。
目的物質（１）およびそれらの製剤上許容できる酸付加
塩は抗胃潰瘍剤または向精神薬、とくに抗精２５神病剤
（メージヤートランキライザ一）として有用である。
例えば６Ｎ−（１−エチル−２−ピロリジニルメチル）
−２−メトキシ−４−クロロ−５−メタンスルホンアミ
ドベンズアミドは，成犬におけるアポモルピン拮抗の制
吐試験において０．０１ｍｇ／Ｋｇ（経口投与）で有効
であつた。その他の目的物質（１）も同様の薬理作用を
示した。スルホンアミド系ベンズアミド類（１）および
それらの製剤上許容できる酸付加塩は単独でまたは小麦
でんぷん，トウモロコシでんぷん，じやがいも ３５で
んぷん、ゼラチン、水などの製剤上適当な担体を添加し
て、経口または非経口的に使用される。担体の選択は好
ましい投与方法、使用する物質の溶解性および標準的な
製剤慣行によつて行えばよい。製剤する剤型としては、
錠剤、カプセル，ピ 菊ル６懸濁液６シロツプ、粉末、
溶液などが例示される。これらの組成物は常法により製
剤化され得る。例えば、抗精神病剤として使用するとき
６スルホンアミド系ベンズアミド類（１）およびそれら
の？剤上許容できる酸付加塩の成人に対する適当な之与
量は，経口投与で約１〜約３５０１１１９／日であ以下
に本発明の実施例を示す。辷施例 １ １） ２−メトキシ−４−クロロ−５−ニトロ安息香酸
（Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ．，（曵，３６９（１
９５９））９００１！９および塩化チオニル５ｄからな
る混合物を３０分間還流し６塩化チオニルを留去する。
残渣にベンゼンを加え６ベンゼンを留去する。残渣にト
リエチルアミン７９０即および乾燥塩化メチレン９Ｔｆ
１ｆを加え、氷冷攪拌下にこれに１−エチル−２−アミ
ノメチルピロリジン７５０即および塩化メチレン４ｍ１
からなる溶液を滴下し．１５分間室温に攪拌する。
反応液に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え６塩化メチレ
ンにて抽出する。有機層を水洗し、芒硝にて乾燥し６溶
媒を留去する。残渣にエーテルを加え６希塩酸にて抽出
する。水層を重炭酸ナトリウム水溶液にてアルカリ性と
し、塩化メチレンにて抽出する。有機層を水洗し，乾燥
し６溶媒を留去する。残渣を酢酸エチル／イソプロピル
エーテルにて再結晶し６融点１０７〜１０８℃の結晶と
してＮ−（１−エチル−２−ピロリジニルメチル）−２
−メトキシ−４−クロロ−５−ニトロベンズアミド６７
９７！９を得る。
２）上記生成物７．３３９を濃塩酸３６．７ｍ１および
水７３．３ｍ１からなる溶液に加え，５０℃に加温し、
スズ片７．７ｆ１を加え６５０℃で４時間攪拌する。
冷後，反応液を水酸化ナトリウム水溶液にてアルカリ性
とし，塩化メチレンにて抽出する。有機層を水洗し、芒
硝にて乾燥し、溶媒を留去する。残渣をアルミナカラム
にてクロマトグラフイ一に付し，塩化メチレンにて溶出
し、溶媒を留去する。残渣をイソプロピルエーテル／石
油エーテルにて洗滌すると，Ｎ−（１−エチル−２−ピ
ロリジニルメチル）−２−メトキシ−４−クロロ−５−
アミノベンズアミド５．３８９を得る。
本品をイソプロピルエーテル／石油エーテルにて再結晶
すると、融点８５〜８６．５℃の結晶となる。（３）上
記生成物４．１９，トリエチルアミン２．９３９および
乾燥塩化メチレン４１ｄからなる溶液に、氷冷下メタン
スルホニルクロリド３．１８ｆ！および乾燥塩化メチレ
ン７．２ｄからなる溶液を滴下する。
氷浴を外し、室温にて４５分間撹拌する。反応液に重炭
酸ナトリウム水溶液を加えてアルカリ性とし，塩化メチ
レンにて抽出する。有機層を水洗し、芒硝にて乾燥し、
溶媒を留去する。残渣を酢酸エチル−イソプロピルエー
テルにて洗滌し，融点１５３〜１５５℃の結晶としてＮ
−（１−エチル−２−ピロリジニルメチル）−２−メト
キシ−４−クロロ−５−Ｎ，Ｎ−ビス（メタンスルホニ
ル）アミノベンズアミド５．８３９を得る。（４）上記
生成物５．７５９および１０％水酸化ナトリウム５７．
５ｄからなる懸濁液を５０℃に加熱下に３０分間攪拌す
る。
冷後，反応液を濃塩酸にて酸性とし、次いで炭酸水素ナ
トリウム水溶液にてアルカリ性とし，食塩を飽和させ６
塩化メチレンにて抽出する。有機層を飽和食塩水にて洗
滌し，芒硝で乾燥し，塩化メチレンを留去する。残渣を
アルミナカラムにてクロマトグラフイ一に付し、塩化メ
チレン単独および２％メタノール／塩化メチレンにて溶
出し６溶出液から溶媒を留去する。残渣を酢酸エチル／
イソプロピルエーテルにて洗滌し，Ｎ−（１−エチル−
２−ピロリジニルメチル）−２−メトキシ−４−クロロ
−５−メタンスルホンアミドベンズアミド４．３ｇを得
る。本品を酢酸エチル／イソプロピルエーテルから再結
晶し６融点１２６〜１２７．５℃の無色プリズム晶とな
る。実施例 ２ Ｎ−（１−エチル−２−ピロリジニルメチノ（ハ）−２
−メトキシ−５−アミノベンズアミド７００１１９，ト
リエチルアミン１．０２９及び塩化メチレン１４ｄから
なる混液に室温で攪拌下メタンスルホニルクロリド８７
０１！９を滴下し，室温で１時間攪拌する。
反応液に水を加え、重炭酸ナトリウム水溶液にてアルカ
リ性とし，塩化メチレンで抽出する。有機層を水洗し、
芒硝にて乾燥し．塩化メチレンを留去する。残渣をアル
ミナによるカラムクロマトグラフイ一に付し、塩化メチ
レンにて溶出させる。溶出液から溶媒を留去し６残渣を
酢酸エチル／イソプロピルエーテルにて結晶化し，Ｎ−
（１−エチル−２−ピロリジニルメチル）−２ーメトキ
シ−５−Ｎ，Ｎ−ビス（メタンスルホニル）アミドノベ
ンズアミド５８２１！９を得る。本品を酢酸エチルより
再結晶し、融点１６０〜１６１℃の結晶を得る。次いで
、溶出液を３％メタノール／塩化メチレンすると．Ｎ−
（１−エチル−２−ピロリジニルメチル）−２−メトキ
シ−５−メタンスルホンアミドベンズアミドを与える。
溶出液を濃縮したのち，残渣を酢酸エチル／イソプロピ
ルエーテルにて結晶化すると生成物１４８即を得る。本
品を酢酸エチルより再結晶すると融点１７０〜１７１℃
の結晶となる。（２） Ｎ−（１−エチル−２−ピロリ
ジニルメチル）一２−メトキシ−５−Ｎ，Ｎ−ビス（メ
タンスルホニル）アミノベンズアミド２９０Ｗ９，１０
？水酸化ナトリウム水溶液２．９ｄおよびメタノール２
．９ｍ１からなる懸濁液を氷浴上５分間加熱すると透明
な溶液となる。
溶媒を留去したのち６残渣に氷水を加え、６Ｎ塩酸にて
酸性とし６次いで重炭酸ナトリウム水溶液を加えて弱ア
ルカリ性とし、塩化メチレンにて抽出する。有機層を水
洗し６芒硝にて乾燥し，溶媒を留去する。残渣を酢酸エ
チル／イソプロピルエーテルにて洗滌し．Ｎ−（１−エ
チル−２−ピロリジニルメチル）−２−メトキシ−５−
メタンスルホンアミドベンズアミド１４８ｍｇを得る。
本品を酢酸エチル／イソプロピルエーテルにて再結晶し
，融点１７０〜１７１．５℃の結晶となる。実施例 ３ （１） Ｎ−（１−エチル−２−ピロリジニルメチル）
−２−メトキシ−５−アミノベンズアミド７００η，塩
化メチレン１４ｍ１およびトリエチルアミン１．０３９
からなる混合液に室温下にベンゼンスルホニルクロリド
１．３５９を加え６室温下に一夜放置する。
反応液に水を加え，重炭酸ナトウム水溶液にてアルカリ
性とし、塩化メチレンにて抽出する。有機層を水洗し６
芒硝で乾燥し、溶媒を留去する。残渣を塩化メチレンに
溶解し，アルミナカラムによるクロマトグラフイ一に付
し、塩化メチレンにて溶出する。溶出液から塩化メチレ
ンを留去し、残渣を酢酸エチル／イソプロピルエーテル
から再結晶し、融点１６６〜１７０℃の結晶としてＮ−
（１−エチル−２−ピロリジニルメチル）−２−メトキ
シ−５−Ｎ，Ｎ−ビス（ベンゼンスルホニル）アミノベ
ンズアミド８３９即を得る。ｘ （２）．．上記の生成物５００即，１０７０水酸化ナト
リウム７．５ｍ１およびメタノール７．５ｍ１からなる
混合液を氷浴上５分間加温する。
反応液からメタノールを留去し６残渣に水を加え，塩酸
酸性とし、重炭酸ナトリウム水溶液にて再びアルカリ性
とし、塩化メチレンにて抽出する。有機層を乾燥し６溶
媒を留去する。残渣を酢酸エチル／イソ菊プロピルエー
テルにて洗滌し．Ｎ−（１−エチル−２−ピロリジニル
メチル）−２−メトキシ−５−ベンゼンスルホンアミド
ベンズアミド３２５Ｗ１９得る。
本品を酢酸エチルより再結晶し、融点１７７〜１７８℃
の結晶となる。辷施例 ４ ｉ） Ｎ−（１−エチル−２−ピロリジニルメチル）一
２−メトキシ−５−ニトロベンズアミド１．５９６酸化
白金１５０ｍｇおよびメタノール３０ｄからなる混合液
を水素気流中振盪して接触還元を行う。
反応液を常法通り処理して６メタノールを留去する。残
渣にナトリウムアジド５００ｍｇ、オルトギ酸エチル５
ｍ１および酢酸５ｍ１を加え６８０℃にて１時間加温す
る。反応液に氷水を加え，炭酸ナトリウムにてアルカリ
性とし，塩化メチレンにて抽出する。有機層を水洗し６
芒硝にて乾燥し、溶媒を留去する。残渣を酢酸エチル／
イソプロピルエーテルにて結晶化し、融点１７１〜１７
４℃の結晶としてＮ−（１−エチル−２−ピロリジニル
メチル）−２−メトキシ−５−（１Ｈ−テトラゾール−
１−イル）ベンズアミド１．３ｆ！を得る。２）上記生
成物１．３９．エタノール９．８ｍ１．水３３ｄおよび
１０７０水酸化ナトリウム６．５ｄからなる混合液を８
０℃で４０分間加温する。
エタノールを留去し６残渣を６Ｎ塩酸にて酸性とし，次
いでトリエチルアミンにて塩基性とし，食塩で塩析し．
５％メタノール／塩化メチレンにて抽出する。有機層を
芒硝にて乾燥し、溶媒を留去する。残渣を酢酸エチルで
洗滌しＮ−（１−エチル−２−ピロリジニルメチル）−
２−メトキシ−５−シアノアミノベンズアミド６４１Ｔ
１１ｆを得る。本品を酢酸エチルから再結晶すると融点
１３４〜１３９℃の結晶となる。（３）上記生成物３０
０′１１Ｉｆｌおよびピリジン１．５−からなる溶液に
室温下メタンスルホニルクロリド３４０即を加え、室温
で２時間撹拌し６５０℃で３０分間攪拌する。
反応液に炭酸ナトリウム水溶液を加え、塩化メチレンに
て抽出する。有機層を水洗し６芒硝で乾燥し６溶媒を留
去する。残渣を塩化メチレンに溶解し，アルミナカラム
によるクロマトグラフイ一に付し６塩化メチレンにて溶
出させる。溶出液から塩化メチレンを留去し，残渣をエ
ーテル／イソプロピルエーテルにて洗滌し，次いで再結
晶すると融点５０〜５４℃の結晶としてＮ−（１−エチ
ル−２−ピロリジニルメチル）−２−メトキシ−５−Ｎ
−シアノメタンスルホンアミドベンズアミド９９ｍｇを
得る。Ｖ９Ｖ●ＵＵ 実施例 ５ Ｎ−（１−エチル−２−ピロリジニルメチノ（ハ）一２
−メトキシ−５−エタンスルホンアミドベンズアミド２
６６１１１ｆＩ，乾燥アセトン７Ｄ，炭酸カリウム２０
０１１１ｆおよびジメナル硫酸１００７１１ｆを混合し
．３０分間還流する。
アセトンを留去し６残渣に水を加え，塩化メチレンにて
抽出する。有機層を水洗し、芒硝にて乾燥し６溶媒を留
去する。残渣を塩化メチレンに溶解し６アルミナカラム
によるクロマトグラフイ一に付し、塩化メチレンにて溶
出させる。溶出液から塩化メチレンを留去し，残渣をイ
ソプロピルエーテルにて洗滌し、次いで酢酸エチル／イ
ソプロピルエーテルより再結晶し２融点８５〜８７℃の
結晶としてＮ−（１−エチル−２−ピロリジニルメチル
）−２−メトキシ−５−（Ｎ−メチルエタンスルホニル
アミノ）ベンズアミド７４ηを得る。ｊ 下記の原料化合物（９）を使用して，実施例１と同貢に
して反応を行い、対応する生成物（１）を得る。
実施例 ２３（１） ２−メトキシ一５−アミノ安息香
酸メチルエステル３００η、乾燥塩化メチレン６ｍ１お
よびトリエチルアミン３６８ηからなる溶液に、氷冷下
メタンスルホニルクロリド４００ｍｇおよび乾燥塩化メ
チレン１ｍ１からなる溶液を滴下し、室温下に１時間攪
拌する。
反応液を重炭酸ナトリウム水溶液にてアルカリ性とし、
塩化メチレンにて抽出する。有機層を水洗し、芒硝で乾
燥し、塩化メチレンを減圧留去する。残渣を酢酸エチル
／イソプロピルエーテルで洗滌し、２ーメトキシ一５−
Ｎ，Ｎ−ビス（メタンスルホニル）アミノ安息香酸メチ
ルエステル５２０Ｔ１１９を得る。本品を酢酸エチルよ
り再結晶すると、融点１６９〜１６９．５℃の結晶とな
る。（２）テトラヒドロフラン３ｍ１および１０％水酸
化ナトリウム水溶液３ｍ１からなる混液に上記生成物３
００Ｔ９を加え、５０′Ｃに加熱下に１時間１５分攪拌
する。
反応液から溶媒を減圧留去し、残渣を６Ｎ塩酸にて酸性
とし、食塩を加えて塩析し、少量のメタノールを自む塩
化メチレンにて抽出する。有機層を飽和食塩水で洗滌し
、芒硝で乾燥し、溶媒を減圧留去する。残渣をイソプロ
ピルエーテルで洗撲し、融点１６６〜１６７．５℃の結
晶として２−メトキシ−５−メタンスルホンアミド安息
香酸１７５ｍｇを得る。（３）上記生成物１５０〜およ
び塩化チオニル３ｍ１からなる混合物を３０分間加熱還
流する。
塩化チオニルを減圧留去し、残渣に乾燥ベンゼンを加え
、再び溶媒を減圧留去する。残渣を乾燥塩化メチレン３
ｍＩ！に溶解する。氷冷下この溶液に、トリエチルアミ
ン１２４ｍ９および次いで１−エチル−２−アミノメチ
ルピロリジン９０〜および乾燥塩化メチレン１ｍ１から
なる溶液を滴下し、室温下に１５分間攪拌する。反応液
に重炭酸ナトリウム水溶液を加えてアルカリ性とし、食
塩にて塩析し、塩化メチレンにて抽出する。有機層を飽
和食塩水にて洗滌し、芒硝で乾燥し、塩化メチレンを減
圧留去する。残渣をアルミナカ功ラムにてクロマトグラ
フイ一に付し、１％メタノール／塩化メチレン〜２％メ
タノール／塩化メチレンにて溶出する。
溶出液から溶媒を留去し、残渣を酢酸エチル／イソプロ
ピルエーテルから再結晶し、Ｎ−（１−エチル−２−ピ
ロリジニルメチル）−２−メトキシ−５−メタンスルホ
ンアミドベンズアミド１４３ｍｇを得る。本品を酢酸エ
チル／イソプロピルエーテルより再結晶すると、融点１
６９〜１７０．５℃の結晶となる。υ施例 ２４ １） ２−メトキシ一５−アミノ安息香酸メチルエステ
ル３００ηおよび乾燥ピリジン３ｍ１からなる溶液に、
氷冷攪拌下メタンスルホニルクロリド２１０ηを滴下し
、室温下に１時間攪拌する。
反応液を６Ｎ塩酸にて酸性とし、塩化メチレンにて抽出
する。有機層を水洗し、芒硝にて乾燥し、塩化メチレン
を減圧留去する。残渣をシリカゲルカラムにてクロマト
グラフイ一に付し、塩化メチレン〜２％メタノール／塩
化メチレンにて溶出し、溶出液から溶媒を留去する。残
渣を酢酸エチル／イソプロピルエーテルから再結晶し、
融点８４〜８６℃の無色プリズム晶として２−メトキシ
−５−メタンスルホンアミド安息香酸メチルエステル３
８１〜を得る。２）上記生成物３３０Ｔｆ１９、１−エ
チル−２−アミノメチルピロリジン２４５Ｗ１９および
ｎ−プロパノール７ｍｌからなる溶液を２３時間加熱下
に還流する。
冷後、ｎ−プロパノールを減圧留去し、残渣を希塩酸に
溶解し、未反応のエステル塩化メチレンにて抽出する。
塩酸酸性水層を重炭酸ナトリウムアルカリ性とし、食塩
にて塩析し、塩化メチレンにて抽出する。有機層を飽和
食塩水にて洗滌し、芒硝で乾燥し、塩化メチレンを減圧
留去する。残渣をアルミナカラムにてクロマトグラフイ
一に付し、２％メタノール／塩化メチレンにて溶出し、
溶出液から溶媒を留去する。残渣を酢酸エチル／イソプ
ロピルエーテルより再結晶し、融点１７１〜１７２℃の
無色鱗片晶としてＮ −（１−エチル−２−ピロリジニ
ルメチル）− ２ −メトキシ−５−メタンスルホンア
ミドベンズアミド１４３ｍ９を得る。
実施例 ２５ Ｎ−（１−エチル−２−ピロリジニルメチル）−２−メ
トキシ−４−クロロ−５−メタンスルホンアミドベンズ
アミドおよびジメチル硫酸を使用して、実施例５と同様
に反応を行い、融点１４０．５〜１４２゜Ｃの結晶とし
てＮ −（１−エチル− ２ 一ピロリジニルメチル）
− ２ −メトキシ−４−クカロ一５−（Ｎ−メチルメ
タンスルホンアミド）ベンズアミドを得る。
実施例 ２６ ２−メトキシ− ５ −（ Ｎ −メチルメタンスルホ
ンアミド）安息香酸メチルエステルを使用し、実施例２
５（２）と同様に反応を行い、融点９７〜９８℃の結晶
としてＮ −（１−エチル−２−ピロリジニルメチル）
−２−メトキシ− ５ −（ Ｎ −メチルメタンスル
ホンアミド）ベンズアミドを得る。
実施例 ２７ ２−メトキシ− ４ −メチル−５−〔（メチル）（ジ
メチルアミノスルホニル）アミノ〕安息香酸メチルエス
テルを使用し、実施例２４（２）と同様に反応を行い、
融点８３〜８４℃の結晶としてＮ一（１−エチル− ２
−ピロリジニルメチル）− ２ 一メトキシ一４−メ
チル−５−〔（メチル）（ジメチルアミノスルホニル）
アミノ〕ベンズアミドを得る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒは水素、アルキル基、シアノ基、アルカンス
    ルホニル基又はジアルキルアミノ基を表わし；Ｒ＾１は
    アルキル基、アリール基又はジアルキルアミノ基を表わ
    し；Ｒ＾２は水素、ハロゲン、アルキル基、ジアルキル
    アミノ基又はアルコキシ基を表わし；Ｒ＾４はアルコキ
    シ基を表わし；Ｒ＾３およびＲ＾５は各々水素、アルキ
    ル基又はアルコキシ基を表わし；Ｒ＾６はアルキル基又
    はシクロアルキル基を表わす。 〕で示される化合物又はその塩。 ２ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒは水素、アルキル基、シアノ基、アルカンス
    ルホニル基又はジアルキルアミノ基を表わし；Ｒ＾２は
    水素、ハロゲン、アルキル基、ジアルキルアミノ基又は
    アルコキシ基を表わし；Ｒ＾４はアルコキシ基を表わし
    ；Ｒ＾３およびＲ＾５は各々水素、アルキル基又はアル
    コキシ基を表わし；Ｒ＾６はアルキル基又はシクロアル
    キル基を表わす。 〕で示される化合物に一般式Ａ−ＳＯ＿２Ｒ′ 〔式中、Ａは反応性基を表わし；Ｒ′はアルキル基、ア
    リール基又はジアルキルアミノ基を表わす。 〕で示されるスルホン化剤を反応させることを特徴とす
    る一般式▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒはアルキル基、シアノ基、アルカンスルホニ
    ル基又はジアルキルアミノ基を表わし、Ｒ＾１、Ｒ＾２
    、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５およびＲ＾６は前記と同意義
    を有する。 〕で示されるスルホンアミド系ベンズアミド誘導体の製
    法。 ３ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒは水素、アルキル基、シアノ基、アルカンス
    ルホニル基又はジアルキルアミノ基を表わし；Ｒ＾１は
    アルキル基、アリール基又はジアルキルアミノ基を表わ
    し；Ｒ＾２は水素、ハロゲン、アルキル基、ジアルキル
    アミノ基又はアルコキシ基を表わし：Ｒ＾４はアルコキ
    シ基を表わし、Ｒ＾３およびＲ＾５は各々水素、アルキ
    ル基又はアルコキシ基を表わし；Ａ＾１はヒドロキシ基
    又は反応性基を表わす。 〕で示される化合物に一般式▲数式、化学式、表等があ
    ります▼ 〔式中、Ｒ＾６はアルキル基又はシクロアルキル基を表
    わす。 〕で示されるアミン類を反応させることを特徴とする一
    般式▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５
    およびＲ＾６は前記と同意義を有する。 〕で示されるスルホンアミド系ベンズアミド誘導体の製
    造法。
JP52008443A 1977-01-27 1977-01-27 スルホンアミド系ベンズアミド誘導体 Expired JPS5920667B2 (ja)

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