JPS5922434A - エミツタ結合形非安定マルチバイブレ−タ - Google Patents
エミツタ結合形非安定マルチバイブレ−タInfo
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- JPS5922434A JPS5922434A JP13124382A JP13124382A JPS5922434A JP S5922434 A JPS5922434 A JP S5922434A JP 13124382 A JP13124382 A JP 13124382A JP 13124382 A JP13124382 A JP 13124382A JP S5922434 A JPS5922434 A JP S5922434A
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- Japan
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- emitter
- transistors
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/282—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable
- H03K3/2821—Emitters connected to one another by using a capacitor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えは集積回路化されたＦＭ変調器に用いら
れるエミッタ結合形弁安定マルチパイプレークに関する
。
れるエミッタ結合形弁安定マルチパイプレークに関する
。
第１図は、従来のエミッタ結合形弁安定マルチバイブレ
ークきの回路構成図である。なお、破線で囲まれている
部分は、バイアス回路勢）を示すものである。このバイ
アス回路吸）は温度補償を行わないバイアス回路であり
、抵抗ａ→、（ロ）を直列に接４＝（［、ｌ、、てなる
直列回路より構成されている。抵抗Ｏ→け電、原電圧Ｖ
ｃｃに接続され、抵抗（２））は接地されている。また
、バイアス電圧出力端子（籾は、抵抗ａ萄、（！５）の
中間点に設けられている０ 以下に、マルチバイブレータ轡の回路構・成を説明する
。１対のトランジスタ（１）、（２）のコレクタは１そ
れぞれトランジスタ（８）、（４）のエミッタに接続さ
れている。また、トランジスタ（１）の同じくコレクタ
は抵抗（＋２１を介し、トランジスタ（２）のコレクタ
は抵抗（１１３）を介して共にトランジスタ（６）のエ
ミッタに接続されている。さらに、またトランジスタ（
１）のコレクタは、トランジスタ（６）のベース・エミ
ッタ結合を介してトランジスタ（２）のベース冨二接続
されると共に、トランジスタ（８）のベースにも接続さ
れており、トランジスタ（２）のコレクタは、トランジ
スタ（７）のベース・エミッタ結合を介してトランジス
タ（１）のベースに接続されると共に、トランジスタ（
９）のベースにも接続されている。
ークきの回路構成図である。なお、破線で囲まれている
部分は、バイアス回路勢）を示すものである。このバイ
アス回路吸）は温度補償を行わないバイアス回路であり
、抵抗ａ→、（ロ）を直列に接４＝（［、ｌ、、てなる
直列回路より構成されている。抵抗Ｏ→け電、原電圧Ｖ
ｃｃに接続され、抵抗（２））は接地されている。また
、バイアス電圧出力端子（籾は、抵抗ａ萄、（！５）の
中間点に設けられている０ 以下に、マルチバイブレータ轡の回路構・成を説明する
。１対のトランジスタ（１）、（２）のコレクタは１そ
れぞれトランジスタ（８）、（４）のエミッタに接続さ
れている。また、トランジスタ（１）の同じくコレクタ
は抵抗（＋２１を介し、トランジスタ（２）のコレクタ
は抵抗（１１３）を介して共にトランジスタ（６）のエ
ミッタに接続されている。さらに、またトランジスタ（
１）のコレクタは、トランジスタ（６）のベース・エミ
ッタ結合を介してトランジスタ（２）のベース冨二接続
されると共に、トランジスタ（８）のベースにも接続さ
れており、トランジスタ（２）のコレクタは、トランジ
スタ（７）のベース・エミッタ結合を介してトランジス
タ（１）のベースに接続されると共に、トランジスタ（
９）のベースにも接続されている。
前記トランジスタ（８）、（４）のベースは共蓄二、ノ
くイアス回路勢）の出力端子（切に接続されており、コ
レクタは電源電圧Ｖｃｃに接続されている。また、前記
トランジスタ（６）のベースおよびコレクタならびにト
ランジスタ（６）、（γ）、（８）、（９）のコレクタ
も電源電圧Ｖｃｃに接続されている。なお、トランジス
タ（６）のエミッタは、先に述べたようにトランジスタ
（２）のベース（二接続されているが、分岐され、抵抗
−（を介し接地もされている。同様にトランジスタ（７
）のエミッタも分岐され抵抗（２５）を介して接地され
ている。また、トランジスタ（８）、（９１のエミッタ
は、それぞれ抵抗（社）、（２２１を介して、それぞれ
トランジスタｕ＋ｉ＋ 、 （１１）のベースに接続さ
れている。このトランジスタ（，１０） 、 （１１１
のベースは、そ）１ぞれ抵抗（２１１ｓ（転））を介し
て接地されており、エミッタは互いに結合され、電流筒
０７〕を通じて接地されている０また、トランジスタ（
１（１、（１１１のコレクタは、それぞれトランジスタ
（１）、（２）のエミッタと接続されており、トランジ
スタ（１） 、（２１のエミッタは、コンデンサα６）
を弁して相互に結合されている。
くイアス回路勢）の出力端子（切に接続されており、コ
レクタは電源電圧Ｖｃｃに接続されている。また、前記
トランジスタ（６）のベースおよびコレクタならびにト
ランジスタ（６）、（γ）、（８）、（９）のコレクタ
も電源電圧Ｖｃｃに接続されている。なお、トランジス
タ（６）のエミッタは、先に述べたようにトランジスタ
（２）のベース（二接続されているが、分岐され、抵抗
−（を介し接地もされている。同様にトランジスタ（７
）のエミッタも分岐され抵抗（２５）を介して接地され
ている。また、トランジスタ（８）、（９１のエミッタ
は、それぞれ抵抗（社）、（２２１を介して、それぞれ
トランジスタｕ＋ｉ＋ 、 （１１）のベースに接続さ
れている。このトランジスタ（，１０） 、 （１１１
のベースは、そ）１ぞれ抵抗（２１１ｓ（転））を介し
て接地されており、エミッタは互いに結合され、電流筒
０７〕を通じて接地されている０また、トランジスタ（
１（１、（１１１のコレクタは、それぞれトランジスタ
（１）、（２）のエミッタと接続されており、トランジ
スタ（１） 、（２１のエミッタは、コンデンサα６）
を弁して相互に結合されている。
ぢて、上記の構成によるマルチバイブレータ響の動作説
明を、第２図の信号波形図を参照しつつ行うことにする
。以下においては、トランジスタ（１） ｓ （２）の
コレクタ電位Ｖ。ｌ＋ＶｏＢならび５ニ工ミツタ電位Ｖ
ｌ ｌ ＋ ＶＢ ２の時間変化を追って行く。
明を、第２図の信号波形図を参照しつつ行うことにする
。以下においては、トランジスタ（１） ｓ （２）の
コレクタ電位Ｖ。ｌ＋ＶｏＢならび５ニ工ミツタ電位Ｖ
ｌ ｌ ＋ ＶＢ ２の時間変化を追って行く。
マルチバイブレータ容の発振動作は、トランジスタ（１
）、 ＜２）が交互にＯＮ、ＯＦＦの反転を繰り返して
行われるが、まず、時刻ｔ１において、トランジスタ（
１）がＯＮになり、トランジスタ（２）がＯＦＦになっ
た状態を想定する。このときトランジスタ（８）も０Ｎ
１−なっているため、トランジスタ（１）のコレクタ電
位ｖｏｌは、バイアス回路轡の出力端子（ロ）の電位よ
りトランジスタ（３）のベース・エミッタ間電圧ＶＢｌ
１８分低い電位となっている。出力端子（２））と電源
電圧Ｍａｃ間の電圧なＶ（、とすれば、出力端子（閉の
電位はＭａｃ −Ｖｏであるから、時刻ｔ１におけるト
ランジスタ（１）のコレクタ電位Ｖ。ｌは、 Ｖａｌ ＝ ｗｏｏ −ＶＱ −ＶＢ１ｅ８ （ｔ＝
ｔｘ ）となっている。また、トランジスタ（２）のコ
レクタ電位Ｖ。８は、トランジスタ（２）がＯＦＦにな
っているため、電源電圧ｖ０゜よりもトランジスタ（５
）のベース・エミッタ間電圧ＶＢＢ５だけ低い電位とな
っており。
）、 ＜２）が交互にＯＮ、ＯＦＦの反転を繰り返して
行われるが、まず、時刻ｔ１において、トランジスタ（
１）がＯＮになり、トランジスタ（２）がＯＦＦになっ
た状態を想定する。このときトランジスタ（８）も０Ｎ
１−なっているため、トランジスタ（１）のコレクタ電
位ｖｏｌは、バイアス回路轡の出力端子（ロ）の電位よ
りトランジスタ（３）のベース・エミッタ間電圧ＶＢｌ
１８分低い電位となっている。出力端子（２））と電源
電圧Ｍａｃ間の電圧なＶ（、とすれば、出力端子（閉の
電位はＭａｃ −Ｖｏであるから、時刻ｔ１におけるト
ランジスタ（１）のコレクタ電位Ｖ。ｌは、 Ｖａｌ ＝ ｗｏｏ −ＶＱ −ＶＢ１ｅ８ （ｔ＝
ｔｘ ）となっている。また、トランジスタ（２）のコ
レクタ電位Ｖ。８は、トランジスタ（２）がＯＦＦにな
っているため、電源電圧ｖ０゜よりもトランジスタ（５
）のベース・エミッタ間電圧ＶＢＢ５だけ低い電位とな
っており。
Ｖｏｌ ”” Ｗｏｏ −Ｖａｌ５ （ｔ＝ｔｌ ）
と表わされる。
と表わされる。
次に、時刻ｔｌ（二おけるトランジスタ（１）％ （２
）のエミッタ甫１位ＶＥｌ＋Ｖｇ２を考える。ここでト
ランジスタ（７）のベース・エミッタ間電圧をＶＢＢ？
、ＯＮ状態のトランジスタ（１）のベース・エミッタ
間電圧をＶＢＲＩとすれば Ｖｇｌ ＝Ｖｏａ −ｖＢＲＩｓ −ＶＢＩ！？ −、
Ｖｓｇｌ （ｔ＝ ｔｌ ）となる。−さて、トランジ
スタ（１）はＯＮになっているため、トランジスタ０１
）もＯＮになり、第１図の実線の矢印で示す如くコンデ
ンサ（１６）−＝は、定電流工０が流れる。これにより
、コンデンサα６ンは、実線の矢印の方向の極性に一定
速度で充電され、これに伴ないトランジスタ（２）のエ
ミッタ電位ＶＩｌｌ＄１は、第４図（ａ）に示すように
、時刻ｔ１以後、一定速度で低下していく。そして、エ
ミッタ電位ｖＢ２がこのまま減少していき、トランジス
タ（２）のベース・−エミッタ電圧ＶＢｍｓがある値に
なると、トランジスタ（２）の状態はＯＮからＯＦＦ
ｌ二反転する。この反転を起こすエミッタ電圧ＶＢＢ２
の値をＶＢＩＣ２１（ＯＮ）とし、反転する時刻−をｔ
２とすれば、時刻ｔ２におけるトランジスタ（２）のエ
ミッタ電位Ｖａｎは。
）のエミッタ甫１位ＶＥｌ＋Ｖｇ２を考える。ここでト
ランジスタ（７）のベース・エミッタ間電圧をＶＢＢ？
、ＯＮ状態のトランジスタ（１）のベース・エミッタ
間電圧をＶＢＲＩとすれば Ｖｇｌ ＝Ｖｏａ −ｖＢＲＩｓ −ＶＢＩ！？ −、
Ｖｓｇｌ （ｔ＝ ｔｌ ）となる。−さて、トランジ
スタ（１）はＯＮになっているため、トランジスタ０１
）もＯＮになり、第１図の実線の矢印で示す如くコンデ
ンサ（１６）−＝は、定電流工０が流れる。これにより
、コンデンサα６ンは、実線の矢印の方向の極性に一定
速度で充電され、これに伴ないトランジスタ（２）のエ
ミッタ電位ＶＩｌｌ＄１は、第４図（ａ）に示すように
、時刻ｔ１以後、一定速度で低下していく。そして、エ
ミッタ電位ｖＢ２がこのまま減少していき、トランジス
タ（２）のベース・−エミッタ電圧ＶＢｍｓがある値に
なると、トランジスタ（２）の状態はＯＮからＯＦＦ
ｌ二反転する。この反転を起こすエミッタ電圧ＶＢＢ２
の値をＶＢＩＣ２１（ＯＮ）とし、反転する時刻−をｔ
２とすれば、時刻ｔ２におけるトランジスタ（２）のエ
ミッタ電位Ｖａｎは。
ＶＢ ＝ ＶＢＺ −ｖＢｇｓｉ（ｏＮ） （ｔ＝ｔ
ｉ＋ ）となる。ここでＶｓ２はトランジスタ（２）の
ベース電位でありｓ ＶＢＩＩ ’ｒｉ トランジス
タ（１）のコレクタ電位Ｖ、ｌよりもトランジスタ（６
）のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥＱだけ低いため、 ＶＢＩＩ ＝ ｖｃｌ −ｖＢＢ６ ”’ Ｖｏｏ −Ｖｏ −ＶＢｇＢ −ｖＢＢ６と表わ
され、結局、 Ｖｇｇ ＝ ＶＱＯ−ＶＯ−ｖｅｍＢ −ｖＢＢ６−
ＶＥＲＢ（ＯＮ） （ｔ ＝ ｔｚ ）と求まる。
ｉ＋ ）となる。ここでＶｓ２はトランジスタ（２）の
ベース電位でありｓ ＶＢＩＩ ’ｒｉ トランジス
タ（１）のコレクタ電位Ｖ、ｌよりもトランジスタ（６
）のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥＱだけ低いため、 ＶＢＩＩ ＝ ｖｃｌ −ｖＢＢ６ ”’ Ｖｏｏ −Ｖｏ −ＶＢｇＢ −ｖＢＢ６と表わ
され、結局、 Ｖｇｇ ＝ ＶＱＯ−ＶＯ−ｖｅｍＢ −ｖＢＢ６−
ＶＥＲＢ（ＯＮ） （ｔ ＝ ｔｚ ）と求まる。
トランジスタ（２）がＯＦＦからＯＮに反転すると、ト
ランジスタ（１）はＯＮからＯＦＦに反転する。したが
って、今度はトランジスタ（１）のコレクタ電位Ｖ。ｌ
が、ｖｏｌ ＝ ｖ（１０−ＶＢＩＩ５ （ｔ＝ Ｊ
）となり、トランジスタ（２）のコレ、クタ電位Ｖ。
ランジスタ（１）はＯＮからＯＦＦに反転する。したが
って、今度はトランジスタ（１）のコレクタ電位Ｖ。ｌ
が、ｖｏｌ ＝ ｖ（１０−ＶＢＩＩ５ （ｔ＝ Ｊ
）となり、トランジスタ（２）のコレ、クタ電位Ｖ。
２は、Ｖｏｇ ＝ Ｖｏｃ −ＶＯ−ｖＢＢ４ （ｔ
＝ ｔｓ ）になる。そして、時刻ｔＢにＯＮとなった
トランジスタ（２）のエミッタ電位Ｖｇ９は、時刻ｔｌ
のトランジスタ（２）のエミッタ電位Ｖｇｌと同様に、
ｖｇ２＝ Ｖｏｏ −ｖＢＢ５− ｖＢＢ６− ＹＢＢ
ｓ （ｔ＝ｔｓ ）と力る。ここでＶａｍ２１ｒ！ Ｏ
Ｎ状態のトランジスタ（２）のベース・エミッタ間電圧
を表わす。
＝ ｔｓ ）になる。そして、時刻ｔＢにＯＮとなった
トランジスタ（２）のエミッタ電位Ｖｇ９は、時刻ｔｌ
のトランジスタ（２）のエミッタ電位Ｖｇｌと同様に、
ｖｇ２＝ Ｖｏｏ −ｖＢＢ５− ｖＢＢ６− ＹＢＢ
ｓ （ｔ＝ｔｓ ）と力る。ここでＶａｍ２１ｒ！ Ｏ
Ｎ状態のトランジスタ（２）のベース・エミッタ間電圧
を表わす。
さて、時刻ｔ２においてトランジスタ（２）のエミッタ
電位ＶＥＲけ１ ｖｏｏ ＋ ｖＱ ＋ ｖｇｇｅ ＋ Ｖｇｇ６− Ｖ
ＢＢＳ（ＯＮ）から Ｖｏｏ −Ｖｓｇａ −ＶＢＩＩｔ６− ＶＢＢＱに至
るまで、差し引き Ｖｏ ＋ ＶＢｍｓ −ｖＢＢ５ ＋ ＶＢｚ＋１Ｉ（
ｏｓ） −ＶＢｇｇ増加している。ここでトランジスタ
（８）がＯＮ状態のとき、トランジスタ（８）とトラン
ジスタ（６）のそれぞれのコレクタに流れる電流が等し
くなるように抵抗（＋２）が選ばれており、トランジス
タ（８）のベース・エミッタ間電、圧ＶＢＢｉ３＼とト
ランジスタ（６）のベース・エミッタ間′亀圧ＶＢＲ６
は等しい。したがあて、先程の時刻ｔ２におけるトラン
ジスタ（２）のエミッタ電圧ＶＥ２の増加分 Ｖｏ ＋ ｖＢＢ８− ｖＢＢ６ ＋ ＶＢ！！！１１
（ＯＮ） −ＶＢｍｓは、 ＶＢＩｍＢ ＝ ＶＢＩＩ５ であるから、 Ｖｏ ＋ Ｖｇｇ２（ｏＮ） −ＶｓｎＢとなる。これ
より、時刻ｔｇにおけるトランジスタ（１）のエミッタ
電圧Ｖ１１ｔは、時刻ｔｌ＋−おけるＴｏｏ −ｖＢＢ
５− Ｖｇｇ７− ＶＢｊＩ！１から、上記の増加分だ
け高い電位となり、ＶＩＥｌ ＝ Ｖｏｏ −Ｖｇｇ６
− Ｖｇｇ７− ＶＢｌｌ ＋ ｖｏ ” ＶＢＩＩ（
ＯＮ）−ｖＢＢ （ｔ＝ ｔｉ ） となることが分る。
電位ＶＥＲけ１ ｖｏｏ ＋ ｖＱ ＋ ｖｇｇｅ ＋ Ｖｇｇ６− Ｖ
ＢＢＳ（ＯＮ）から Ｖｏｏ −Ｖｓｇａ −ＶＢＩＩｔ６− ＶＢＢＱに至
るまで、差し引き Ｖｏ ＋ ＶＢｍｓ −ｖＢＢ５ ＋ ＶＢｚ＋１Ｉ（
ｏｓ） −ＶＢｇｇ増加している。ここでトランジスタ
（８）がＯＮ状態のとき、トランジスタ（８）とトラン
ジスタ（６）のそれぞれのコレクタに流れる電流が等し
くなるように抵抗（＋２）が選ばれており、トランジス
タ（８）のベース・エミッタ間電、圧ＶＢＢｉ３＼とト
ランジスタ（６）のベース・エミッタ間′亀圧ＶＢＲ６
は等しい。したがあて、先程の時刻ｔ２におけるトラン
ジスタ（２）のエミッタ電圧ＶＥ２の増加分 Ｖｏ ＋ ｖＢＢ８− ｖＢＢ６ ＋ ＶＢ！！！１１
（ＯＮ） −ＶＢｍｓは、 ＶＢＩｍＢ ＝ ＶＢＩＩ５ であるから、 Ｖｏ ＋ Ｖｇｇ２（ｏＮ） −ＶｓｎＢとなる。これ
より、時刻ｔｇにおけるトランジスタ（１）のエミッタ
電圧Ｖ１１ｔは、時刻ｔｌ＋−おけるＴｏｏ −ｖＢＢ
５− Ｖｇｇ７− ＶＢｊＩ！１から、上記の増加分だ
け高い電位となり、ＶＩＥｌ ＝ Ｖｏｏ −Ｖｇｇ６
− Ｖｇｇ７− ＶＢｌｌ ＋ ｖｏ ” ＶＢＩＩ（
ＯＮ）−ｖＢＢ （ｔ＝ ｔｉ ） となることが分る。
時刻ｔＢ以後、トランジスタ（１）がＯＦＦ、）ランジ
スタ（２）がＯＮとなった状態では、第１図の破線の矢
印の方向に定電流ＩＯが流れるため、今度はトランジス
タ（１）のエミッタ電位Ｖｇ１が第４図（０）に示すよ
うに一定速度で低下していく。そして、トランジスタ（
１）がＯＦＦからＯＮになるのｍ−必要なベース・エミ
ッタ間電圧をＶＢＩＩＩ （ＯＮ ）とすれば１Ｖｍｌ
＝ Ｔｏｏ −Ｖｏ −Ｖｇｇ４− ＶＢＢ’ｌ −
ＶＢＩＩ（ＯＮ）となった時点（時刻ｔＳ ）で％濃び
トランジスタ（１）がＯＮになす、トランジスタ（２）
がＯＦＦとなる。ＯＮ状態となったトランジスタ（１）
のエミッタ電圧ＶＢ１は、ｖｍｌ ＝ Ｖｏｏ −ＶＢ
ＩＩ６− ＶＢ！！？ −ＶＢＢＩ （ｔ＝ｔｓ）に復
帰し１時刻ｔ８におけるＶｇｌの増加分は、ｖｏ ＋７
８ｇ４− ＶＢＩＩＩ ＋ Ｖｊ３１！１（ＯＮ） −
ＶＢＢＩである。先程と同様に、トランジスタ（４）と
トランジスタ（５）ノベース・エミッタ間電圧ＶＢＫ４
＋ Ｖｇｇ５１ｄ共に等しくなるように、抵抗（１Ｂ）
の値が選ばれているため、結局、時刻ｔ８におけるｖＢ
ｌの増加分は、ｖｏ ＋ ＶＢＩＩ１１（ＯＮ） −Ｖ
ＢＢＩとなる。これより、時刻ｔ３におけるトランジス
タ（２）のエミッタ電圧ｖＢｚけ、時刻ｔ８依前Ｃ二お
けるＶｃｃ −ｖＢＢ６− ＶＢＩＩ５− ＶＢＩＩ２
よりも、上記の増加分だけ高い、 ＶＢ２°ｖｏｃ −ｖＢＢ５− Ｖｇｇ６− ＶＢＨＱ
＋ ｖＯ＋ ＶＢＢＩ（ＯＮ）’−ＶＢＢＩ （ｔ＝
ｔｓ ） となる。
スタ（２）がＯＮとなった状態では、第１図の破線の矢
印の方向に定電流ＩＯが流れるため、今度はトランジス
タ（１）のエミッタ電位Ｖｇ１が第４図（０）に示すよ
うに一定速度で低下していく。そして、トランジスタ（
１）がＯＦＦからＯＮになるのｍ−必要なベース・エミ
ッタ間電圧をＶＢＩＩＩ （ＯＮ ）とすれば１Ｖｍｌ
＝ Ｔｏｏ −Ｖｏ −Ｖｇｇ４− ＶＢＢ’ｌ −
ＶＢＩＩ（ＯＮ）となった時点（時刻ｔＳ ）で％濃び
トランジスタ（１）がＯＮになす、トランジスタ（２）
がＯＦＦとなる。ＯＮ状態となったトランジスタ（１）
のエミッタ電圧ＶＢ１は、ｖｍｌ ＝ Ｖｏｏ −ＶＢ
ＩＩ６− ＶＢ！！？ −ＶＢＢＩ （ｔ＝ｔｓ）に復
帰し１時刻ｔ８におけるＶｇｌの増加分は、ｖｏ ＋７
８ｇ４− ＶＢＩＩＩ ＋ Ｖｊ３１！１（ＯＮ） −
ＶＢＢＩである。先程と同様に、トランジスタ（４）と
トランジスタ（５）ノベース・エミッタ間電圧ＶＢＫ４
＋ Ｖｇｇ５１ｄ共に等しくなるように、抵抗（１Ｂ）
の値が選ばれているため、結局、時刻ｔ８におけるｖＢ
ｌの増加分は、ｖｏ ＋ ＶＢＩＩ１１（ＯＮ） −Ｖ
ＢＢＩとなる。これより、時刻ｔ３におけるトランジス
タ（２）のエミッタ電圧ｖＢｚけ、時刻ｔ８依前Ｃ二お
けるＶｃｃ −ｖＢＢ６− ＶＢＩＩ５− ＶＢＩＩ２
よりも、上記の増加分だけ高い、 ＶＢ２°ｖｏｃ −ｖＢＢ５− Ｖｇｇ６− ＶＢＨＱ
＋ ｖＯ＋ ＶＢＢＩ（ＯＮ）’−ＶＢＢＩ （ｔ＝
ｔｓ ） となる。
以後、トランジスタ（１）、（２）のＯＮ＋ＯＦＦの反
転が繰り返され、トランジスタ（１）のコレクタ電位Ｖ
ｏ１もし、くはトランジスタ（２）のコレクタ電位Ｖ。
転が繰り返され、トランジスタ（１）のコレクタ電位Ｖ
ｏ１もし、くはトランジスタ（２）のコレクタ電位Ｖ。
２は、それぞれ第４図（”）％（Ｊ）ｌ二示すようＣ二
、一定の周期２Ｔで繰り返されるパルス波形となり、マ
ルチノ（イブレータ轡の発振出力が得られることミニな
るのである。この場合、トランジスタ（１）のコレクタ
電位Ｖｏｌの期間Ｔにおける変化より、コンデンサα６
）の端子電圧は、期間Ｔにおいて、 ’Ｖｏｏ −ｖＱ −ＶＢｇ４− ＶＢｇ７− ’ＶＢ
ｌｌ （ＯＮ ）から Ｖｏａ −ＶＢｇ５− ＶＢＢ？ −ＶＢＩＩＩ ＋
ＶＯ＋ ＶＢｇ２（ｏＮ）−Ｔａｇｓまで、 ２Ｖｏ＋ＶｓＢｌ（ｏＮ）−ＶＢｌｌ”ＶｎＩｌｃｚ（
ｏＮ）−ＶＢｇまたけ変化する。ここでトランジスタ（
１）％（２）を対称に選ぶことにより、 ＶＢＢｌ１＝ＶＢ１ｔＢ ｗ ＶＢＢｌ（ＯＮ）＝ＶＢ
Ｉ！５（ＯＮ）となるため、コンデンサ（１６）の印加
電圧の変化は２ （ｖｏ ＋ ＶＢＩＩ（ＯＮ） −Ｖ
ＢＩＩＩ ）となる。゛したがって、コンデンサα６）
の容量なＣとすれば ａ ・２ （Ｔｏ ＋ＶＢＲ１（ＯＮ） −ＶＢＩＩＩ
）＝ＩＯ°Ｔが成立し、よって、マルチバイブレータ
轡の発振゛周波数ｆｏは、 ＝上 −−−−−−−−−−−１）０Ｖ
ｃ と求まる。ここでＶ。はトランジスタ（１）％ （２）
のＯＮ。
、一定の周期２Ｔで繰り返されるパルス波形となり、マ
ルチノ（イブレータ轡の発振出力が得られることミニな
るのである。この場合、トランジスタ（１）のコレクタ
電位Ｖｏｌの期間Ｔにおける変化より、コンデンサα６
）の端子電圧は、期間Ｔにおいて、 ’Ｖｏｏ −ｖＱ −ＶＢｇ４− ＶＢｇ７− ’ＶＢ
ｌｌ （ＯＮ ）から Ｖｏａ −ＶＢｇ５− ＶＢＢ？ −ＶＢＩＩＩ ＋
ＶＯ＋ ＶＢｇ２（ｏＮ）−Ｔａｇｓまで、 ２Ｖｏ＋ＶｓＢｌ（ｏＮ）−ＶＢｌｌ”ＶｎＩｌｃｚ（
ｏＮ）−ＶＢｇまたけ変化する。ここでトランジスタ（
１）％（２）を対称に選ぶことにより、 ＶＢＢｌ１＝ＶＢ１ｔＢ ｗ ＶＢＢｌ（ＯＮ）＝ＶＢ
Ｉ！５（ＯＮ）となるため、コンデンサ（１６）の印加
電圧の変化は２ （ｖｏ ＋ ＶＢＩＩ（ＯＮ） −Ｖ
ＢＩＩＩ ）となる。゛したがって、コンデンサα６）
の容量なＣとすれば ａ ・２ （Ｔｏ ＋ＶＢＲ１（ＯＮ） −ＶＢＩＩＩ
）＝ＩＯ°Ｔが成立し、よって、マルチバイブレータ
轡の発振゛周波数ｆｏは、 ＝上 −−−−−−−−−−−１）０Ｖ
ｃ と求まる。ここでＶ。はトランジスタ（１）％ （２）
のＯＮ。
ＯＦＦが反転する際のコンデンサθ６）の端子電圧でｖ
ｃ ＝ Ｔｏ ＋ ＶＢｇ２（ＯＮ） −Ｖｓｉｃｌ
−−−−−−−２）と表わされる。
ｃ ＝ Ｔｏ ＋ ＶＢｇ２（ＯＮ） −Ｖｓｉｃｌ
−−−−−−−２）と表わされる。
上記第１）式より、定電施工０を変化さぜることにより
、発振周波数ｆｏが変化することが分る。したがって、
映像信号を入力信号とし、この入力信号により定電施工
０を同相で変化させ、ること１二より、マルチバイブレ
ータ替をＶＴＲにおけるＦＭ変調器として用いることが
できる。
、発振周波数ｆｏが変化することが分る。したがって、
映像信号を入力信号とし、この入力信号により定電施工
０を同相で変化させ、ること１二より、マルチバイブレ
ータ替をＶＴＲにおけるＦＭ変調器として用いることが
できる。
さて、このエミッタ結合形弁安定マルチバイブレータ−
〇発振周波数ｆｏは、温度ドリフトを有するのであるが
、以下これについて詳述する。
〇発振周波数ｆｏは、温度ドリフトを有するのであるが
、以下これについて詳述する。
発振周波数ｆｏが温度ドリフトを有する原因は、上記第
２）式で示されるコンデンサα６）の端子電圧Ｖ。
２）式で示されるコンデンサα６）の端子電圧Ｖ。
が温度ドリフトを有するためである。すなわち、例えば
トランジスタ（２）がＯＦ’ＦからＯＮに反転する時刻
ｔ３において、トランジスタ（１）％ ＜２＋のコレク
タ電流が実際には等しくならず、そのため、時刻ｔにお
けるトランジスタ（１）％ （２）のエミッタ・ベース
電圧であるＶＢＢｌＩＩ Ｖｎｇｇ（ｏＮ）の温度係数
１＝相異が生じ、端子電圧Ｖｃが温度ドリフトを有する
に至るのである０ このことをさらに詳しく知るために、時刻ｔ２＋二おい
てトランジスタ（２）Ｃ電流れるコレクタ電流工。２
（ＯＮ ）を考えてみる。いま、時刻ｔＨ以前の、トラ
ンジスタ（２）がＯＦＦの状態【二おいて、エミッタ電
位ｖＢｓＩがΔＶ減少したものとする。このとき抵抗（
坤を流れる電流は、トランジスタ（２）の相互インダク
タンスを９ｍ２とすると、ΔＶ’ｌｔ’ｍｇ増加する０
これにより、トランジスタ（２）のコレクタ電位ｖｃ３
Ｂは、ΔＶ”ｔｍＢ・Ｒ１８下がる。このコレクタ電位
Ｖ。ｌＩの変化は、トランジスタ（７）およびトランジ
スタ（１）のベース・エミッタ接合、コンデンサα６）
を順次経て、トランジスタ（２）自身のエミッタ（＝そ
の−ｉｔ帰還される。トランジスタ（２）がＯＦＦから
０１に反転する条件は、このときのループゲインＧ、す
なわち、ΔＶ’＃ｍ２’Ｒ）Ｉ３ Ｇ：＝ｔｍ２°Ｒ１８−−−−−−−３）△Ｖ が１以上となることであるｏしたがって、Ｇ＝１となっ
た瞬間（時刻ｔｓ）に、トランジスタ（２）はＯＦＦか
らＯＮに反転する。この瞬間のトランジスタ（２）のコ
レクタ電流が工。ｇ（ＯＮ）であり、相互インダクタン
スＪＦｍＢは１ −−−−−−−−−−４） ２ｍ８ ” １．Ｔ ’工０２（ＯＮ）と表わされる。
トランジスタ（２）がＯＦ’ＦからＯＮに反転する時刻
ｔ３において、トランジスタ（１）％ ＜２＋のコレク
タ電流が実際には等しくならず、そのため、時刻ｔにお
けるトランジスタ（１）％ （２）のエミッタ・ベース
電圧であるＶＢＢｌＩＩ Ｖｎｇｇ（ｏＮ）の温度係数
１＝相異が生じ、端子電圧Ｖｃが温度ドリフトを有する
に至るのである０ このことをさらに詳しく知るために、時刻ｔ２＋二おい
てトランジスタ（２）Ｃ電流れるコレクタ電流工。２
（ＯＮ ）を考えてみる。いま、時刻ｔＨ以前の、トラ
ンジスタ（２）がＯＦＦの状態【二おいて、エミッタ電
位ｖＢｓＩがΔＶ減少したものとする。このとき抵抗（
坤を流れる電流は、トランジスタ（２）の相互インダク
タンスを９ｍ２とすると、ΔＶ’ｌｔ’ｍｇ増加する０
これにより、トランジスタ（２）のコレクタ電位ｖｃ３
Ｂは、ΔＶ”ｔｍＢ・Ｒ１８下がる。このコレクタ電位
Ｖ。ｌＩの変化は、トランジスタ（７）およびトランジ
スタ（１）のベース・エミッタ接合、コンデンサα６）
を順次経て、トランジスタ（２）自身のエミッタ（＝そ
の−ｉｔ帰還される。トランジスタ（２）がＯＦＦから
０１に反転する条件は、このときのループゲインＧ、す
なわち、ΔＶ’＃ｍ２’Ｒ）Ｉ３ Ｇ：＝ｔｍ２°Ｒ１８−−−−−−−３）△Ｖ が１以上となることであるｏしたがって、Ｇ＝１となっ
た瞬間（時刻ｔｓ）に、トランジスタ（２）はＯＦＦか
らＯＮに反転する。この瞬間のトランジスタ（２）のコ
レクタ電流が工。ｇ（ＯＮ）であり、相互インダクタン
スＪＦｍＢは１ −−−−−−−−−−４） ２ｍ８ ” １．Ｔ ’工０２（ＯＮ）と表わされる。
ここで、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｔは単位
電荷をそれぞれ示す０上記第１０） 、 １１）式よ
り、トランジスタ（２）の反転時Ｃ二おけるコレクタ電
流工。２（ＯＮ）は、−−−−−−−−−５） 工・２（ＯＮ）’＝、−丁石ｉ と求昔る。
電荷をそれぞれ示す０上記第１０） 、 １１）式よ
り、トランジスタ（２）の反転時Ｃ二おけるコレクタ電
流工。２（ＯＮ）は、−−−−−−−−−５） 工・２（ＯＮ）’＝、−丁石ｉ と求昔る。
さて、上記の如く、コレクタ沖、流工。２（ＯＮ）が求
まったことにより、反転時Ｃ二おけるトランジスタ（２
）のベース・エミッタ電圧ＶＢＩ！１（ＯＮ）は、トラ
ンジスタ（１）および（２）の飽和電流値を工６とする
と、と求まる。また、反転時におけるトランジスタ（１
）のベース・エミッタ電圧ＶＢ１！１は、トランジスタ
（１）のコレクタ電流工。ｌが１０と等しいため、と求
まる。したがって、上記第６）式、７）式、ならびに第
２）式より、反転時のコンデンサα６）の端子電圧ｖ０
は、 と求まる。これより、端子電圧■。が温度Ｔの関数とな
っており、負の温度ドリフトを有することが明らかとな
った。したがって、第１）式で表わされる発振周波数ｆ
ｏは正の温度ドリフトを有することになる。
まったことにより、反転時Ｃ二おけるトランジスタ（２
）のベース・エミッタ電圧ＶＢＩ！１（ＯＮ）は、トラ
ンジスタ（１）および（２）の飽和電流値を工６とする
と、と求まる。また、反転時におけるトランジスタ（１
）のベース・エミッタ電圧ＶＢ１！１は、トランジスタ
（１）のコレクタ電流工。ｌが１０と等しいため、と求
まる。したがって、上記第６）式、７）式、ならびに第
２）式より、反転時のコンデンサα６）の端子電圧ｖ０
は、 と求まる。これより、端子電圧■。が温度Ｔの関数とな
っており、負の温度ドリフトを有することが明らかとな
った。したがって、第１）式で表わされる発振周波数ｆ
ｏは正の温度ドリフトを有することになる。
本発明は、上記の問題点に鑑み成されたもので、このエ
ミッタ結合形弁安定マルテノくイブレータの発振周波数
の温度特性を改善することを目的とする。
ミッタ結合形弁安定マルテノくイブレータの発振周波数
の温度特性を改善することを目的とする。
本発明は、バイアス回路塑）の抵抗Ｑ４） ｌ二印加さ
れる電圧ＶＯにコンデンサ０６）の端子電圧ｖ０が有す
るのとは逆゛の温度ドリフトをもたせ、これによりｖｏ
の温度ドリフトを打ち消し、以って、発振周波数ｆｏの
温度ドリフトを解消すること３二成功したエミッタ結合
形弁安定マルチパイプレークである。
れる電圧ＶＯにコンデンサ０６）の端子電圧ｖ０が有す
るのとは逆゛の温度ドリフトをもたせ、これによりｖｏ
の温度ドリフトを打ち消し、以って、発振周波数ｆｏの
温度ドリフトを解消すること３二成功したエミッタ結合
形弁安定マルチパイプレークである。
以下、本発明の一実施例を第３図を用いて説明する。第
３図（二示したマルチバイブレータ空が１第１図のマル
チバイブレータ（２））と異−なる点は以下の点である
。
３図（二示したマルチバイブレータ空が１第１図のマル
チバイブレータ（２））と異−なる点は以下の点である
。
嶋３図のマルチバイブレータｆｌ（［１でｄ）くイアス
回路１２８１の出力端＋１Ｍ１がトランジスタ（８１）
のベースエミッタ接合を介して、トランジスタ（８）お
よび（４）のベースに接続されている。同様に電源ｖ０
゜がトランジスタ（２））のペースエミッタ接合を介し
て、トランジスタ（５）のベースに接続されている。ト
ランジスター）のエミッタは抵抗−を介してアースＣ：
接続され、トランジスタ（転））のエミッタは抵抗（８
８）を介してアースに接続されている。抵抗−１−は一
般には定電流源に置き換えることができる。
回路１２８１の出力端＋１Ｍ１がトランジスタ（８１）
のベースエミッタ接合を介して、トランジスタ（８）お
よび（４）のベースに接続されている。同様に電源ｖ０
゜がトランジスタ（２））のペースエミッタ接合を介し
て、トランジスタ（５）のベースに接続されている。ト
ランジスター）のエミッタは抵抗−を介してアースＣ：
接続され、トランジスタ（転））のエミッタは抵抗（８
８）を介してアースに接続されている。抵抗−１−は一
般には定電流源に置き換えることができる。
上述のトランジスタ（８ｏ）および１８１）のエミッタ
電圧の差をｖｌとすると、抵抗（１４１の両端にかかる
電圧はｖ□であるからｓ ｖｌは式９）のように書ける
Ｖｌ ＝ Ｖｏ −ｖａｇＢｇ ＋ ＶＢＩ１８１
゛−−−−−− ９）ここでトランジスタ例およ
び（８１）に流れるコレクタ電流を工。８０１工。８１
とすると ここで工８８ｏ、工８８１はトランジスタ（財）ｌｓｆ
ａｉ）の飽和電流である。
電圧の差をｖｌとすると、抵抗（１４１の両端にかかる
電圧はｖ□であるからｓ ｖｌは式９）のように書ける
Ｖｌ ＝ Ｖｏ −ｖａｇＢｇ ＋ ＶＢＩ１８１
゛−−−−−− ９）ここでトランジスタ例およ
び（８１）に流れるコレクタ電流を工。８０１工。８１
とすると ここで工８８ｏ、工８８１はトランジスタ（財）ｌｓｆ
ａｉ）の飽和電流である。
式９） 、 １０） 、１１）より、
となる。
ここで弐８）のｖＯにＶｌを代入すると第３図の回路蓄
電おける反転時のコンデンサα６）の端子電圧Ｖ。が求
まる。ｖｏは、 ここでＶｃ ′？Ｔで微分すると、 −−−−−−１４） 温度Ｔ ＝ ＴＱ ｌ二おいて、ａＶｏ／θＴ＝Ｏとす
るには次の式１５）を満足１゛れはよい ここで８は自然対数の底である。
電おける反転時のコンデンサα６）の端子電圧Ｖ。が求
まる。ｖｏは、 ここでＶｃ ′？Ｔで微分すると、 −−−−−−１４） 温度Ｔ ＝ ＴＱ ｌ二おいて、ａＶｏ／θＴ＝Ｏとす
るには次の式１５）を満足１゛れはよい ここで８は自然対数の底である。
めることにより、すなわち、抵抗ユ、瞥およびトランジ
スタ（４））Ｓ （ａｌ）のエミツタ面積比を定めるこ
とによりＴ ＝ ’ｒ（、においてｖｏの温度ドリフは
０とすることができる。すなわち発振周波数ｆｏの温度
ドリフトを補償することができる。
スタ（４））Ｓ （ａｌ）のエミツタ面積比を定めるこ
とによりＴ ＝ ’ｒ（、においてｖｏの温度ドリフは
０とすることができる。すなわち発振周波数ｆｏの温度
ドリフトを補償することができる。
以下、本発明の他の実施例を第４図を用いて説明する。
第４図のマルチバイブレーク（２００）では、バイアス
回路吻）の出力端（！７）が抵抗（２））を介してトラ
ンジスタ閣のコレクタＩ：接続され、トランジスタ閣の
エミッタはアースＩｎ、ベース−は抵抗−を介してアー
スに接続されている。さらＩ：トランジスタ曲のコレク
タは抵抗…）を介してベースに接続されている０ 抵抗晴Ｃ二はトランジスターのベースエミッタ間電圧ｖ
Ｂｉｅ４ｏが加わっているため、抵抗囮１ユ流れるｖＰ
ｉ流１はｖＢｇ＋ｏ／ｕ＋ｇとなる。そのためトランジ
スタ曲のベース電流がこの電流に比べ無視できるほど小
さければ抵抗ユ１）にも抵抗囮と同じ電流が流れている
とみなすことができ、出力端ｔｒ＋の電圧ＶＵは式２０
）のようになる 、７＝ｆｉｖＢ、４０ −−−−−−−−１ｏ）Ｒ４
′２ ここで とおくと このとき抵抗０４）にかかる電圧をｖ２とするとＶｓ
＝ （Ｗｏｏ −、ｚ：ＶＢＢ４０ ） −堕一−−−
−−２１）Ｒ１４” Ｒ１５ となる。このときＶｒ＠ｆ’を温度Ｔで微分するととな
る。
回路吻）の出力端（！７）が抵抗（２））を介してトラ
ンジスタ閣のコレクタＩ：接続され、トランジスタ閣の
エミッタはアースＩｎ、ベース−は抵抗−を介してアー
スに接続されている。さらＩ：トランジスタ曲のコレク
タは抵抗…）を介してベースに接続されている０ 抵抗晴Ｃ二はトランジスターのベースエミッタ間電圧ｖ
Ｂｉｅ４ｏが加わっているため、抵抗囮１ユ流れるｖＰ
ｉ流１はｖＢｇ＋ｏ／ｕ＋ｇとなる。そのためトランジ
スタ曲のベース電流がこの電流に比べ無視できるほど小
さければ抵抗ユ１）にも抵抗囮と同じ電流が流れている
とみなすことができ、出力端ｔｒ＋の電圧ＶＵは式２０
）のようになる 、７＝ｆｉｖＢ、４０ −−−−−−−−１ｏ）Ｒ４
′２ ここで とおくと このとき抵抗０４）にかかる電圧をｖ２とするとＶｓ
＝ （Ｗｏｏ −、ｚ：ＶＢＢ４０ ） −堕一−−−
−−２１）Ｒ１４” Ｒ１５ となる。このときＶｒ＠ｆ’を温度Ｔで微分するととな
る。
またＶ。は式８）においてＶＱをｖ２と［５て、と表わ
せる。
せる。
ここでｖｏを温度Ｔで微分すると
式２４）に２２）を代入し７て
ここで式２１）より
となるためＴ ＝ ＴＱ ｌ二おいて式２５）はと書け
る。よって とおくことにより２が求まり、つまりＲ４１とＲ４１の
比が求まる。さらに抵抗←ｌ）および囮とトランジスタ
曲に流れる電流を定めることにより、抵抗間および囮の
値が定まる。さらに式２６）より抵抗ｏ優および（Ｌ５
）の値も定めることができる。
る。よって とおくことにより２が求まり、つまりＲ４１とＲ４１の
比が求まる。さらに抵抗←ｌ）および囮とトランジスタ
曲に流れる電流を定めることにより、抵抗間および囮の
値が定まる。さらに式２６）より抵抗ｏ優および（Ｌ５
）の値も定めることができる。
以上によりｍ 、３図の回路により温度Ｔ＝Ｔｏにおい
てｖｏの温度ドリフトけ０となる。すなわち発振周波数
ｆｏの温度ドリフトを補償することができる。
てｖｏの温度ドリフトけ０となる。すなわち発振周波数
ｆｏの温度ドリフトを補償することができる。
次に本発明の効果を具体的に示す。第１図５二おいて抵
抗（１２１，（１８）を１．６にΩ、抵抗０→、（２）
）をそれぞれ５００Ω、 ６にΩ、抵抗（社）、（２２
）を５，３にΩ、抵抗（２１）、（２８）を６にΩ、コ
ンデンサ０６）を１２０ＰＦとし、電流源（ロ）を７２
０μＡとした場合の温度と発振周波数の関係を第５図（
α）（二示す。
抗（１２１，（１８）を１．６にΩ、抵抗０→、（２）
）をそれぞれ５００Ω、 ６にΩ、抵抗（社）、（２２
）を５，３にΩ、抵抗（２１）、（２８）を６にΩ、コ
ンデンサ０６）を１２０ＰＦとし、電流源（ロ）を７２
０μＡとした場合の温度と発振周波数の関係を第５図（
α）（二示す。
さらＣ二本発明の温度補償を行なった第３図に示す回路
のに度と発振周波数の関係を第５図（ｂ）に示す。ここ
で抵抗（１４）％０５）は５００Ω、 ６．０８にΩ、
抵抗−１俤３）は２７にΩ、 ６にΩとし、トランジス
タ例、（８１）のエミツタ面積比を４：ｌとしており１
２２７℃においてθＶＯ／θＴ＝Ｏとなるように設計し
ている。
のに度と発振周波数の関係を第５図（ｂ）に示す。ここ
で抵抗（１４）％０５）は５００Ω、 ６．０８にΩ、
抵抗−１俤３）は２７にΩ、 ６にΩとし、トランジス
タ例、（８１）のエミツタ面積比を４：ｌとしており１
２２７℃においてθＶＯ／θＴ＝Ｏとなるように設計し
ている。
第５図より明らかなようにθ℃〜１００℃の温度範囲に
おいて発振周波数の変動はｌ０ＫＨ２に押さえられてい
る。温度補償を行な２ていない場合と比較すると、明ら
かに温度ドリフトが改善されていることがわかる。
おいて発振周波数の変動はｌ０ＫＨ２に押さえられてい
る。温度補償を行な２ていない場合と比較すると、明ら
かに温度ドリフトが改善されていることがわかる。
第１図は従来のエミッタ結合形弁安定マルチバイブレー
タの構成図、第２図はその動作説明のための波形図、第
３図は本発明の温度補償を行なったエミッタ結合形弁安
定マルチバイブレータの一実施例を示す構成図、第４図
は本発明の温度補償を行なったエミッタ結合形マルチバ
イブレータの他の一実施例を示す構成図、第５図は従来
のエミッタ結合形弁安定マルチバイブレータと第３図に
示した本発明の一実施例のニスツタ結合形非安定−ｖ
ルｆパイプレークにおける混声と発振周波数の関係を示
した図である。 （１）〜（１１）・・・トランジスタ （ＩＢ、（１８
）・・・抵抗（１６）・・・コンデンサ 代理人弁理士 則近憲佑（ほか１名） 第４図 ａ 一 第５図 １（食 （？、）
タの構成図、第２図はその動作説明のための波形図、第
３図は本発明の温度補償を行なったエミッタ結合形弁安
定マルチバイブレータの一実施例を示す構成図、第４図
は本発明の温度補償を行なったエミッタ結合形マルチバ
イブレータの他の一実施例を示す構成図、第５図は従来
のエミッタ結合形弁安定マルチバイブレータと第３図に
示した本発明の一実施例のニスツタ結合形非安定−ｖ
ルｆパイプレークにおける混声と発振周波数の関係を示
した図である。 （１）〜（１１）・・・トランジスタ （ＩＢ、（１８
）・・・抵抗（１６）・・・コンデンサ 代理人弁理士 則近憲佑（ほか１名） 第４図 ａ 一 第５図 １（食 （？、）
Claims (1)
- エミッタ間にコンデンサが接続される第１と第２のトラ
ンジスタと、電流源を構成するｔＪ３および第４のトラ
ンジスタと、コレン・りが電源に接続される第５、第６
、第７のトランジスタとを有し、前記第１および第２の
トランジスタのエミッタをそれぞれ第３および第４のト
ランジスタのコレクタに接続すると共Ｉ：、前記第１の
トランジスタのコレクタを前記第２および第３のトラン
ジスタのベースＣ二、また前記第２のトランジスタのコ
レクタを前記第１および第４のトランジスタのベースに
それぞれ接続し帰還ループを形成すると共に、前記第１
および第２のコレクタをそれぞれ抵抗を介して前記第５
のトランジスタのエミッタＣ二接続し、さらに前記第１
および第２のトランジスタのコレクタをそれぞれ前記第
６お−よび第７のトランジスタのエミッタ３二接続して
成るエミッタ結合形弁安定マルチバイブレータＣ−おい
て、前記第６、第７のトランジスタのベースを共通に接
続し、このベース電位と前記第５のトランジスタのベー
ス電位間の電圧に温度ドリフトを持たせることを特徴と
するエミッタ結合形弁安定マルチバイブレータ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13124382A JPS5922434A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | エミツタ結合形非安定マルチバイブレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13124382A JPS5922434A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | エミツタ結合形非安定マルチバイブレ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922434A true JPS5922434A (ja) | 1984-02-04 |
| JPH0344457B2 JPH0344457B2 (ja) | 1991-07-08 |
Family
ID=15053344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13124382A Granted JPS5922434A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | エミツタ結合形非安定マルチバイブレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922434A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122412A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Toshiba Corp | 電圧制御発振器 |
| US4717892A (en) * | 1985-09-25 | 1988-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Current-controlled multivibrator with temperature compensation |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP13124382A patent/JPS5922434A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4717892A (en) * | 1985-09-25 | 1988-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Current-controlled multivibrator with temperature compensation |
| JPS62122412A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Toshiba Corp | 電圧制御発振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0344457B2 (ja) | 1991-07-08 |
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