JPS5929668A - カルボスチリル誘導体 - Google Patents

カルボスチリル誘導体

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JPS5929668A
JPS5929668A JP14130582A JP14130582A JPS5929668A JP S5929668 A JPS5929668 A JP S5929668A JP 14130582 A JP14130582 A JP 14130582A JP 14130582 A JP14130582 A JP 14130582A JP S5929668 A JPS5929668 A JP S5929668A
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reaction
compound
acid
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formula
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Michiaki Tominaga
道明 富永
Nagao Yo
楊 永雄
Hidenori Ogawa
英則 小川
Kazuyuki Nakagawa
量之 中川
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Otsuka Pharmaceutical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は新規なカルボスチリル誘導体及びその塩に関す
る。 本発明のカルボスチリル誘導体は、下記一般式6式% 〔式中Rは水素原子、低級アル千ル基、フェニル基、フ
ェノ十シ低級アル十ル基、ベシリイル低級アル千ル基又
はフェニル低級アル十ル基を示す。 カルボスチリル骨格の3位と4位の結合は、−重結合又
は二重結合を示す。) 上記一般式〔1〕中Rで定義される各基の具体例として
は以下のものを例示できる。 低級アル千ル基としては、メチル、エチル、づ0じル、
イソづ0ビル、づチル、ttrt−ブチル、ペシチル、
へ十シル基等の次素数1〜6のアル千ル基を例示できる
。 フェノ千シ低級アル千ル基としては、フェノ千ジメチル
、2−フェノ千ジエチル、2−フェノ十シづ0じル、3
−フェノ十シづ0じル、1−メチル−2−フェノ千ジエ
チル、2−フェノ千ジプチル、3−フェノ千シづチル、
4−フェノ千ジプチル、1.l−ジメチル−2−フェノ
千ジプチル、2−フエノ千シペシチル、3−フェノ十シ
ペシチル、4−フェノ十シヘ十シル基等のつエノ千シ基
を置換基として有する次素数1〜6のアル十ル基を例示
できる。 ベシリイル低級アル十ル基としては、ベシソイルメチル
、2−ベニ、Jリイルエチル、2−ベシリイルづ口じル
、3−ベシリイルプ0じル、1−メチル−2−へ−J9
イルエチル、2−ベシリイルプチル、3−へ:、Jリイ
ルプチル、今一ベシリイルブチル、1.1−ジメチル−
2−ベシリイルプチル、2−ベル9イルペシチル、3−
ベシリイルペシチル、4−ベシ9イルへ十シル基等のベ
シリイル基を置換基として有する戻素数1〜6のアル千
ル基を例示できる。 3− フェニル低級アル十ル基としては、ベシジル、2−フェ
ニルエチル、1−フェニルエチル、3−フェニルプロピ
ル、今一つエニルプチル、1.1−ジメチル−2−フェ
ニルエチル、5−フェニルエチル、6−フェニルへ十シ
ル、2−メチル−3−フェニルづ0じル基基等のフェニ
ル基を置換基として有する次素数1〜6のアル千ル基を
例示できる。 また上記一般式〔1〕において、カルボスチリル骨格の
3位と4位との結合は、−重結合であっても二重結合で
あってもよく、該カルボスチリル骨のいずれかに結合し
ているものとする。 上記一般式〔1)で表わされるカルボスチリル誘導体は
、心筋の収縮を増強する作用(陽性変力作用)、冠面流
量増加作用、降圧作用(血管拡張作用)を有し、例えば
うつ血性心不全、僧帽弁膜面、心房性細動、粗動、発作
性心房性頻脈皓の各程合4− 臓疾患の治療のための強心剤として有効である。 特に該カルボスチリル誘導体は、優れた陽性変力作用、
冠面流量増加作用及び降圧作用を有する反面、心拍数の
増加作用は、殆んど有しかい点において特長付けられる
。 以下本発明カルボスチリル誘導体の製造法につき詳述す
る。 本発明誘導体は、例えば下記反応行程式−1に示す方法
に従い製造することができる。 〔反応行程式−1〕 〔式中Rは前記に同じ。〕 上記反応行程式−1で示される方法は、一般式〔2)で
表わされるカルボスチリル誘導体又はそのカルボ十シ基
の活性化された誘導体と、一般式〔3〕で表わされるじ
ベラジシ誘導体とを通常のアミド結合生成反応にて反応
させることによ多実施される。アミド結合生成反応は、
公知の各種方法例えば印混合酸無水物法即ちカルボスチ
リル誘導体〔2〕にアル千ルハ0カルポジ酸を反応させ
て混合酸無水物とし、これにヒペラジシ銹導体〔3〕を
反応させる方法;(→活性エステル法、即ちカルボスチ
リル誘導体〔2〕をp−二重0フェニルエステル、A’
−eFo千シ]ハク酸イ三ドエステル、1−しド0十シ
ベシリトリア9−ルエステル等の活性エステルとし、こ
れにじペラジシ誘導体〔3〕を反応させる方法;(ハ)
カルボジイミド法即ちカルボスチリル誘導体〔2〕にヒ
ペラジシ誘導体〔3〕をジシク0へ士ジルカルボジイミ
ド、カルボニルシイ三夕9−ル等の活性化剤の存在下に
縮合させる方法;に)その他の方法、例えばカルボスチ
リル誘導体〔2〕を無水酢酸等の脱水剤によpカルポジ
酸無水物としこれにじペラジー、J誘導体〔3〕を反応
させる方法、カルボスチリル誘導体〔2)と低級アルコ
ールとのエステルにじペラジシ誘導体〔3)を高圧高温
下に反応させる方法、カルボスチリル誘導体〔2〕の酸
ハ0ゲシ化物即ちカルポジ酸ハライドにヒペラジシ誘導
体〔3〕を反応させる方法等によシ実施することかでき
る。またカルボスチリル誘導体〔2〕をトリフェニルホ
スフィンやジエチルクロロホスフェート等のリシ化合物
で活性化し、これにじペラジシ誘導体〔3〕を反応させ
る方法等によることもできる。 上記印に示す混合酸無水物法において、用いられる混合
酸無水物は通常のショッテシーバウマシ反応によシ得ら
れ、これを通常単離することなくヒペラジシ誘導体〔3
〕と反応させることにより一般式〔1〕の本発明化合物
が製造される。ショッテシーバウマシ反応は通常ショッ
テシーバウマシ反応に慣用の塩基性化合物例えばトリエ
チルア三シ、7− ドリメチルア三シ、ヒリジシ、ジメチルアニリシ、N−
メチルtルホリン、1.5−ジアザじシフ0(4,3,
0”3ノネシー5(DBN)、1.5−ジアザじシフ0
 (5,4,0)ウシデtシー5(DBU)、1,4−
ジアザピシクO(2,2,2〕〕オクタシDABCO)
等の有機塩基及び病酸カリウム、択酸ナトリウム、択酸
水素カリウム、次酸水緊ナトリウム等の無機塩基の存在
下、約−20〜100°C1好ましくは0〜50°Cに
おいて、約5分〜lO時間、好ましくは5分〜2時間を
要して行われる。得られた混合酸無水物とじペラジシ銹
導体〔3)との反応は、約−20〜150°C1好まし
くは10〜50℃において約5分〜30時間、好ましく
は約5分〜24時間を要して行われる。まだ上記混合酸
無水物法は、一般にこの種混合酸無水物法に慣用の溶媒
、具体的には塩化メチレジ、り00ホルム、ジグ00エ
タシ等のハロゲン化炭化水素類;ベシセ5、トルニジ、
+シレシ等の芳香族戻化水素類纂8− ジエチルエーテル、テトラしドロフラジ、ジメト十シエ
タシ等のエーテル類;酢酸メチル、酢酸エチル停のエス
テル類i N、N−ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホ千シト、へ十寸メチルリシ酸トリアミド等の非プロ
トシ性極性溶謀などの適当な#媒中で行なわれる。該反
応においては、また上記ショツテシーバウマシ反応で使
用されると同一の塩基性化合物を反応系内に存在させる
ことも可能である。尚上記混合酸無水物の製造において
使用されるアル十ルハ0カルポジ酸としては、り0口蟻
酸メチル、プ〇七蟻酸メチル、り00蟻酸エチル、プ〇
七蟻酸エチル、り00蟻酸イソブチル等を例示でき、之
等は通常カルボスチリル誘導体〔2〕に対し少なくとも
等tル量、好ましくは約1〜2倍モル量用iられる。ま
たじペラジシ銹導体〔3)の使用割合は、通常カルボス
チリル誘導体〔2〕に対して少なくとも等モル量、好ま
しくは約1〜2倍E11.量とするのが好ましい。 上記(ロ)に示す活性エステル法は、例えばN−しド0
十シ]ハク酸イ三ドエステルを用いる場合を例にとれば
、反応に影響を与えない適当な溶媒中で行なわれる。該
溶媒としては、具体的には塩化メチレジ、クロ0ホルム
、ジグ00エタシ等のハロゲン化度化水素類;ベシセシ
、トルニジ、十シレン等の芳香族病化水素類逼ジエチル
エーテル、テトラしドロフラジ、ジメト千シエタシ等の
エーテル類;酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類;
N、N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ十シト
、へ十すメチルリシ酸トリア三ド等の非づ0トシ性極性
溶媒などが挙げられる。反応は、0〜150°C1好ま
しくはlO〜+ 00 ’Cで、5〜30時間で終了す
る。じペラジシ誘導体〔3〕とN−しドD千シコハク酸
イミドエステルとの使用割合は、後者に対して前者を通
常、少なくとも等tル、好ましくは、等tルー2倍七ル
とするのが望ましい。 上記(ロ)に示−tその仙の方法のら本hn、ボ1、馳
l\ライドにじペラジン誘導体〔3〕を反応させる方法
を採用する場合、該反応は塩基性化合物の存在下、適当
な溶媒中にて行なわれる。塩基性化合物とじ−では公知
のものを広く使用でき、例えば上記ショッテシーバウマ
シ反応に用いられる塩基性化合物のほかに水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、水素化すトリウム、水素化カリ
ウム等を挙げることができる。溶媒としては、上記ショ
ッテシーバウマシ反応に用いられる溶媒のほかに例えば
じリジル、アセトシ、アセトニトリル等又は上記溶媒の
二つ以上の混合浴謀尋を挙げることができる。じペラジ
ン誘導体〔3〕とカルボン酸ハライドとの使用割合は、
特に限定がなく広い範囲内で適宜選択されるが、通常後
者に対して前者を少なくとも等tル量程度、好ましくは
等tル〜5倍tル量用いるのがよい。該反応は通常−2
0〜180°C程度、好ましくは約0〜150°Cにて
行なわれ、一般に5分〜30時間で反応は完結する。 またカルボスチリル誘導体〔2〕をトリフェニルホスフ
ィンやジエチルクロ0ホスフエート等のリシ化合物で活
性化し、これにヒペラジシ誘導体〔3)を反応でせる方
法は、適当な溶媒中で行なうととができる。ここで溶媒
としては反応に形管を与えないものなら何れでも使用で
きるが、具体的には塩化メチレジ、900ホルム、ジグ
00エタシ等のハ0ゲシ化灰化水素類;ベシゼシ、トル
ニジ、十シレン等の芳香族伏化水累類Iジエチルエーテ
ル、テトラしドロフラジ、ジメト十シエタシ等のエーテ
ル類;酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類i N、
N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ千シト、へ
十すメチルリシ酸トリア三ド等の非づoトシ性極性溶媒
などが挙げられる。上記反応では、ピペラジシ誘導体〔
3〕自体が塩基性化合物として働くため、これを理論量
よシ過剰量用いることにより、反応は良好に進行するが
、必要に応じて、他の塩基性化合物例えば、トリエチル
アΣシ、トリメチルアミシ、じリジル、ジメチルアニリ
シ、N−メチルtルホリシ、DBN、DBU。 DABCO等の有機塩基及び択酸カリウム、次酸ナトリ
ウム、戻酸水素カリウム、次酸水素ナトリウム等の無機
塩基を用いることもできる。該反応は約0〜150℃、
好ましくは約0〜100℃において行なわれ、反応時間
は約1〜30時間である。 カルボスチリル誘導体〔2〕に対するリシ化合物及びじ
ペラジン誘導体〔3〕の使用割合は、夫々通常少なくと
も等tル量程度好ましくは、1〜3倍tル量とされる。 また一般式〔1〕で表わされる本発明誘導体中Rが水素
原子以外の基でおるものは、下肥反応行程式−2に示す
方法によっても製造することができる。 〔反応行程式−21 (4〕                (1a〕〔式
中Iは水素原子以外のR基を示す。Xはハ0ゲシ原子、
低級アルカシスルホニルオ千シ基、アリールスルホニル
オ十シ基又はアラル千ルスルホニルオfシ基を示す。〕 即ち一般式〔1a〕  で表わされる本発明誘導体は、
一般式〔4〕で表わされる化合物と、一般式〔5〕で表
わされる化合物とを反応させることによ)製造される。 上記反応は、前記したに)に示すカルポジ酸ハライドに
ヒペラジシ誘導体〔3〕を反応きせる方法と同様の操作
及び条件下に突流することができる。 また該反応においては、例えばヨウ化カリウム、3つ化
すトリウム等のアルカリ金属ヨウ化物やへ十寸メチルリ
シ酸トリア三ド等を反応系内に添加存在させるととがで
き、これにより反応をよシ有利に進行させるととができ
る。 尚上記において用いられる一般式〔5〕の化合物は、い
ずれも公知でメジ、該一般式〔5〕中Xで定義されるハ
ロゲシ原子は具体的にFi塩素、弗素、臭素及びヨウ素
原子であル、低級アルカシスルホニルオ十シ基としては
、具体的にはメタシスルホニルオ十シ、■タシスルホニ
ルオ十シ、イソツDバシスルホニルオ千シ、づ0バシス
ルホニルオ千シ、ブタシスルホニルオ干シ ttrt−
ブタシスルホニルオ十シ、ペシタシスルホニルオ十シ、
へ十+j:Jスルホニルオ千シ基等を例示でき、アリー
ルスルホニルオ千シ基としては、具体的にはフェニルス
ルホニルオ千シ、4−メチルフェニルスルホニルオ十シ
、2−メチルフェニルスルホニルオ千シ、4−二重りフ
ェニルスルホニルオ千シ、4−メト千シフエニルスルホ
ニルオ千シ、3−り0ルフエニルスルホニルオ十シ、α
−ナフチルスルホニルオ千シ基等の置換又は未置換のア
リールスルホニルオ千シ基を例示でき、またアラル十ル
スルホニルオ千シ基としては、具体的にはへシジルスル
ホーニルオ千シ、2−フェニルエチルスルホニルオ十シ
、4−フェニルプチルスルホニルオ十シ、4−メチルベ
シジルスルホニルオ+シ、2−メチルベシジルスルホニ
ルオ千シ、今−二重ロベルジルスルホニルオ十シ、4−
メト千シベシジルスルホニルオ千シ、3−り0ルベシジ
ルス1しホニんオ千シ、α−ナフチルメチルスルホニル
オ+シ基等の置換又は未置換のアラル千ルスルホニルオ
十シ基を例示できる。父上記反応においてIがフェニル
基の場合は、反応系内に銅粉等の触媒を加えることによ
り、反応が容易に進行する。 上述した反応行程式−1において、本発明誘導体の製造
に利用される一般式〔2〕の化合物は、一部新規化合物
を包含しており、該化合物は例えば下記行程式−3〜6
に示す方法により!!l!造することができる。 〔反応行程式−31 〔2a) 一般式〔6〕のニド0基の還元反応には、通常のニド0
基の還元反応の反応条件をいずれ本採用できる。例えば
■適当な浴媒中、接触還元触媒を用いて還元するか又は
、■適当な不活性溶媒中、金属もしくは金属塩と酸、又
は金属もしくは金属塩とアルカリ金属水酸化物、硫化物
、アシ上ニウム樵等との混合物等を還元剤として用いて
還元するととによシ行々われる。■の接触還元において
使用される溶媒としては、例えに水、酢酸、メタノール
、エタノール、イソづ0パノール等のアルコール類;へ
千サシ、シフ0へ干tシ等の次化水素類;ジエチレシク
リ]−ルジメチルエーテル、ジオ十すシ、テトラしドロ
フラジ、ジエチルエーテル等のエーテル類;酢酸エチル
、酢酸メチル醇のエステル類、#、N−ジメチルホルム
アミド等の非づ0トン性極性溶媒等を例示できる。また
接触還元触媒としては、例えばパラジウム、パラジウム
−黒、パラジウム−脚本、白金、酸化白金、亜クロム酸
銅、ラネーニッケル等を使用できる。触媒の使用量は、
一般式〔6〕の化合物に対して約0.02〜1倍重量と
するのがよい。反応は、通常−20〜150℃付近、好
ましくは0°C〜室温付近、水素圧は1〜10気圧で行
なわれ、反応は0.5〜10時間程時間路了する3また
■の方法を用いる場合、鉄、亜鉛、錫もしくは塩化第一
錫と塩酸、硫酸等の鉱酸、又は鉄、硫酸第一鉄、亜鉛も
しくH組3− * We jk + )、 1+^l竺
ハ91も1八し山馳ル物、硫化アシ七ニウム等の硫化物
、アシ上ニア水、塩化アシ七ニウム等のアシ上ニウム塩
との混合物が還元剤として用しられる。使用きれる不活
性溶媒としては、例えば水、酢酸、メタノール、エタノ
ール、ジオ十サシ等を例示できる。上記還元反応の条件
としては用いられる還元剤によって適宜選択すればよく
、例えば硫酸第一鉄とアシ上ニア水とを還元剤として用
いる場合10〜150℃で0.5〜10時間程度反応を
行なうのが好ましい。 還元剤の使用量は、原料化合物に対して少なくとも等E
IJ量、通常等tル〜5倍tル量程度とされる。 一般式〔7〕の化合物と一般式〔8〕の化合物との反応
は、塩基性化合物の存在下適尚な溶媒中で行なうことが
できる。塩基性化合物としては、例えに水酸化ナトリウ
ム、次酸カリウム、次酸水素ナトリウム、次酸水素カリ
ウム、水素化ナトリウム、ナトリウムメチラート、ナト
リウムエチラートなどの無機塩基、トリエチルア三シ、
ヒリジシ、α−じ]リシ、N、N−ジメチルアニリシ、
N−メチル七ルホリシ、じベリジン、ヒ0リジシなどの
ア三シ類など広範囲のものが用いられる。溶媒としては
、ジオ十サシ、テトラしドロフラジ、タライム、ジジラ
イム等のエーテル類;トルニジ干シレシなどの芳香族度
化水素類;メタノール、エタノール、イソ″′jOパノ
ールなどの低級アルコール類;ジメチルホルムアミド゛
、ジメチルスルホ十シトなどの極性溶媒等が挙げられる
。反応は室温〜150°C1好ましくFi60〜120
°Cにて1〜24時間程度で行なわれる。一般式〔7〕
の化合物と一般式〔8)の化合物との使用割合は、特に
制限はないが、通常前者に対して後者を等tル〜過剰量
、好ましくは等tルー5倍七ル量とするのがよい。 〔反応行程式−4〕 〔式中R2は低級アル千ル基を示す。〕上記において一
般式
〔9〕の化合物と一般式〔10〕又は〔11〕 の
化合物との反応は、塩基性化合物の存在下又は非存在下
に行なわれる。使用される塩基性化合物としては例えば
金属ナトリウム、金属カリウムなどのアルカリ金属及び
これらアルカリ金属の水酸化物、次酸塩、重択酸堆やじ
リジン、ピペリジンなどの芳香族ア、lニジ化合物ガど
が挙げられる。該反応は無溶媒もしくは溶媒中のいずれ
でも進行する。溶媒としては例えばアセトル、メチルエ
チルケトシ等のケトシ類;エーテル、ジオ千tシ等のエ
ーテル類;ベシセシ、トルニジ、干シしυ等の芳香族膨
化水素類;水、じリジンなどが挙げられる。一般式〔1
0〕又は〔11〕の化合物の使用量は、一般式
〔9〕の
化合物に対して、少なくとも等tル、一般には等七ル〜
大過剰量とされる。 又該反応は0〜200°Cで進行するが、一般には0〜
150℃で行なうのがよい。反応時間は、0.5〜10
時間程時間路れる。 一般式〔12〕  の化合物の加水分解反応は、水溶液
中加水分解触媒、例えば水酸化カリウム、水酸化ナトリ
ウム等のアルカリ金属水酸化物;次酸ナトリウム、択酸
カリウム、択酸水素ナトリウム等の無機アルカリ化合物
の存在下に、通常50〜150°C1好ましくは70〜
100°Cに加熱することによシ、0.5〜10時間程
時間路了する。 〔反応行程式−51 n (+3〕(14’) (15)         (2C〕 〔式中X2  はへ〇ゲシ原子を示す。〕一般式〔13
〕  の化合物の還元反応は、N、N−ジ置換ホルムア
ミドと酸触媒(一般にヴイルスマイヤー試薬と呼ばれる
)の存在下に、適当な溶媒中又は溶媒の非存在下に行な
うことができる。ここで使用されるN、N−ジ置換ホル
ムアミドとしては、N、N−ジメチルホルムアミド、N
、N−ジエチルホルムアミド、■−メチルーN−エチル
ホルムア三F%N−メチル−N−フェニルホルムアミド
等を例示できる。酸溶媒としては、オ千シ塩化すシ、チ
オニルクロライド、ホスゲシ等を例示できる。 溶媒としては、1,2−ジクDoエタシ、1,2−ジグ
00エチレシ等のハ0ゲシ化伏化水素類やりODベシ1
!シ、1,2−り00ベシぜシ等の芳香族度化水素類等
を例示できる。N、N−ジ置換ホルムアミド及び酸触媒
の使用量は、一般式〔13〕  の化合物に対して、夫
々通常大過剰量、好ましくは夫々約2〜5倍七ル負及び
約5〜10倍モル量とするのが望ましい。反応温度とし
ては通常0〜150°C1好ましくは50〜100°C
付近の温度が採用され、反応は約3〜24時開路度で完
結する。 一般式〔14)の化合物からの一般式〔15)の化合物
の製造は、例えば塩酸、臭化水素酸等のハ0ゲシ化水素
酸、硫酸、リシ酸等の無機酸、酢酸等の有機酸や、水酸
化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化
物、次酸ナトリウム、次酸カリウム、次酸水素ナトリウ
ム等の無機アルカリ性化合物の存在下に、通常50〜+
50°C1好ましくけ70〜120℃の加熱下、0.5
〜24時間程度を要して行なわれる。 一般式〔15〕  の化合物の酸化反応は、適当な酸化
剤の存在下、溶媒中で実施される。酸化剤としては、三
酸化クロム、重クロム酸ナトリウム通マシガン酸カリウ
ム、酸化銀等の金属塩、過酸化水素、過酢酸、過トリフ
ルオ0酢酸、過安息香酸、m−クロロ過安息香酸等の過
酸や硝酸等の鉱酸等を例示できる。溶媒としては水、メ
タノール、エタノール、づ0パノール、ブタノール、t
trt −ブタノール等のアルコール類+ジエチルエー
テル、テトラしドロフラン等のエーテル類;ベンゼン、
トルエン、士シレン等の芳香族炭化水素類纂アセトル、
じリジン、酢酸等又は上記溶媒の二級上の混合溶媒を使
用することができる。また、金属塩を酸化剤として用い
る場合、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基又
は硫酸等の酸を触媒として用いることによって反応はよ
り有利に進行する。酸化剤の使用量は、一般式〇5)の
化合物に対して通常大過剰量とするのがよく、反応は通
常0〜150°C1好ましくは室温〜100°C付近の
温度条件下に、約1〜10時間を要して行なわれる。 〔反応行程式−6〕 〔2d〕〔2t〕 一般式〔2t〕  の化合物の還元には、通常の接触還
元条件が適用される。用いられる触媒としてはパラジウ
ム、パラジウム−炭素、づラチナ、ラネーニッケル等の
金属を例示でき、斯かる金属を通常の触媒量で用いるの
がよい。また用いられる溶媒としては、例えば水、メタ
ノール、エタノール、イソづ0パノール・ジオ士サン1
テトラヒト0フラン、へ+サン、シフ0へ士サン、酢酸
エチル又はこれらの混合溶媒等を挙げることができる。 該反応は常圧及び加圧下のいずれでも行ない得るが、通
常常圧〜20に9/d、好ましくは常圧〜10に9/ 
cdにて行なうのがよい。また反応温度とし−では、通
常O〜150’C程度、好ましくは室温〜100℃とす
るのがよい。 また一般式〔2d〕  の化合物の脱水素反応は、適当
な溶媒中脱水素剤を使用して行なわれる。用いられる脱
水素剤としては、例えば2.3−ジク00−5+6− 
”tシアノベンリ+ノシ、り0ラニル(2゜3.5.6
−ナトラク00ベンリ十):J)等のベンリ士ノン類、
N−プ〇七コへり酸イミド1N−り00コ八り酸イミド
、臭素等のハロゲン化剤苓二酸化セレン、パラジウム炭
素、パラジウム黒、酸化パラジウム、ラネーニッケル等
の脱水素化触媒を挙げることができる。脱水素化剤の使
用量としては特に限定されず広い範囲から適宜選択すれ
ばよいが、ハ0ゲシ化剤の場合には、通常一般式〔2d
〕の化合物に対して1〜5倍七ル量、好ましくは1〜2
倍tル量使用するのがよく、また脱水素化触媒の場合に
は通常過剰量用いるのがよい。また溶媒としては、ジオ
十サシ、テトラしド0フラy1メト+ジェタノール1ジ
メト+シエタシ等のエーテル類;ベンゼン\トルエン1
士シレ、7)クメシ等の芳香族炭化水素類;ジク00.
J3?シ、ジグ00エタン、り00ホルム、四塩化炭素
等のハロゲン化炭化水素類纂づタノール、アミルアルコ
ール、へ十寸ノール等のアルコール類;酢酸等の極性プ
0トル溶媒;ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ+
シトAへ+サメチルリン酸トリア三ド等の極性非づ0ト
ン溶媒類等を例示できる。該反応は通常室温〜300°
C1好ましくは室温〜200°Cにて行なわれ、一般に
1−40時間開路で反応は終了する。 本発明の一般式(1)で表わされるカルボスチリル誘導
体は、また下記反応行程式−7に示すように、脱水素反
応及び還元反応によって、その3,4−位の結合状態を
一重結合及び二重結合に夫々変換することができる。 〔反応行程式−7〕 (u)            C1t)〔式中Rは前
記に同じ〕 一般式〔1b〕  の化合物の脱水素反応及び一般式〔
1t〕  の化合物の還元反応は、夫々上記反応行程式
−6に示す一般式〔2d〕  の化合物の脱水素反応及
び一般式〔21〕  の化合物の還元反応と同様の条件
下に実施することができる。 また一般式〇〕で表わされる本発明のカルボスチリル誘
導体中、カルボスチリル骨格の3位及び4位の炭素間結
合が二重結合である化合物は、下式に示すように5クタ
ム−ラクチム型の互変異性をとることができ、本発明は
之等いずれの形態の化合物をも包含するものである。 (l d)            (1l)〔式中R
は前記に同じ〕 更に一般式(1)で表わされる本発明カルボスチリル誘
導体中、Rが水素原子である化合物は、該Rがベンジル
基である本発明カルボスチリル誘導体を、接触還元する
ことによっても製造することができる。該反応において
用いられる溶媒としては、例えば水、酢酸、メタノール
、エタノール、イソづ0パノール等のアルコール類蓚へ
士サン、シフ0へ士サン等の炭化水素類!ジエチレング
リコールジメチルエーテル、ジオ十サシ、テトラしドロ
フラジ、ジエチルエーテル等のエーテル類纂酢酸エチル
、酢酸メチル等のエステル類、 N、N −ジメチルホ
ルムアミド等の非jo)シ性極性溶媒等又は上記溶媒の
二以上の混合溶媒等を例示できる。また接触還元触媒と
しては、例えばパラジウム、パラジウム−黒、パラジウ
ム−炭素、白金、酸化白金、亜クロム酸銅、ラネーニッ
ケル等が用いられる。触媒の使用量は、〜般式%%Nl
料化合物に対して0.02〜1.00倍量用いるのがよ
い。反応は、通常−20〜!50℃付近、好ましくは0
〜70゛C付近、水素圧はl−10気圧で行なわれ、反
応は0,5〜lO時間程度で終了する。 本発明の一般式〔!〕で表わされるカルボスチリル誘導
体のうち、塩基性基を有する化合物は、医薬的に許容さ
れる酸を作用させることにより容易に酸付加塩とするこ
とができる。核酸としては例えば、塩酸、硫酸、リン酸
、臭化水素酸等の無機酸)シ1つm1マレイシWIXフ
マール酸1リンj酸、酒石酸、クエン酸、安息香酸等の
有機酸を挙げることができる。 斯くして得られる各々の行程での目的化合物は、通常の
分離手段により容易に単離精製することができる。該分
離手段としては、例えば溶媒抽出法、稀釈法、再結晶法
、カラムク0マドシラフイー、プレバラティづ薄層クロ
マトクラフィー等を例示できる。 尚本発明は光学異性体も当然に包含するものである。 一般式〔1〕の化合物は通常、一般的な医薬製剤の形態
で用いられる。製剤は通常使用される充填剤、増量剤、
結合剤、付湿剤、崩壊剤、表面活性剤、滑沢剤などの稀
釈剤あるいは賦形剤を用いて調製される。この医薬製剤
としては各種の形態が治療目的に応じて選択でき、その
代表的なものとして錠剤、丸剤、散剤、液剤、懸濁剤、
乳剤、顆粒剤、力づtル剤、坐剤、注射剤(液剤、懸濁
剤等)などが挙げられる。錠剤の形態に形成するに際し
ては、担体としてこの分野で従来公知のものを広く使用
でき、例えば乳糖、白糖、塩化ナトリウム、ブドウ糖、
尿素、デシづン、炭酸カルシウム、力オリシ、結晶セル
0−ス、ケイ酸などの賦形剤1水1エタノール、プロパ
ツール、単シロップ、ブドウ糖液、チンづン液、ゼラチ
ン溶液、カルボ士ジメチルせル0−ス1tラック、メチ
ルセル0−ス1リン酸カリウム1ポリビニルじロリドシ
などの結合剤、乾燥デンプン、アルイン酸ナトリウム、
カシデシ末、う三ナラン末、炭酸水素ナトリウム、炭酸
カルシウム、ポリオ十シエチレシソルじタン脂肪酸エス
テル類1ラウリル硫酸ナトリウム1ステアリン酸七ノク
リtリド、デンプン、乳糖などの崩壊剤、白糖、ステア
リシ、カカオバター、水素添加油などの崩壊抑制剤、第
四級アンモニウム塩基、ラウリル硫酸ナトリウ′ムなど
の吸収促進剤、タリtリン、デンプンなどの保湿剤、デ
シづン、乳糖、カオリン、ベシトナイト、]0イド状ケ
イ酸などの吸着剤、精製タルク、ステアリン酸塩、ホウ
酸末、ポリエチレシクリコールなどの滑沢剤などが例示
できる。さらに錠剤は必要に応じ通常の剤皮を施した錠
剤、例えば糖衣錠、ゼラチン被包錠、腸溶破錠、フィル
ムコーティング錠あるいは二重錠、多層錠とすることが
できる。 丸剤の形態に成形するに際しては、担体としてこの分野
で従来公知のものを広く使用でき、例えばブドウ糖、乳
糖、チンづン、カカオ脂、硬化植物油、力オリシ、タル
クなどの賦形剤、アラビアコム末、トラガント末、ゼラ
チン、エタノールなどの結合剤、ラミナラシ、カンデシ
などの崩壊剤などが例示できる。坐剤の形態に成形する
に際しては、担体として従来公知のものを広く使用でき
、例えばポリエチレシグリコール、カカオ脂、高級アル
コール、高級アルコールのエステル類、セラチン、半合
成りすtライドなどを挙げることができる。注射剤とし
て調製される場合には、液剤および懸濁剤は殺菌され、
かつ血液と等張であるのが好ましく、これら液剤、乳剤
および懸濁剤の形態に成形するのに際しては、稀釈剤と
してこの分野において慣用されているものをすべて使用
でき、例えば水、エチルアルコール、プ0ヒレンクリコ
ール、エト+シ化イソステアリルアルコール、ポリオ十
シ化イソステアリルアルコール、ポリオ十ジエチレンツ
ルじタン脂肪酸エステル類などを挙げることができる。 なお、この場合等張性の溶液を調製するに充分な量の食
塩、ブドウ糖あるいはタリtリンを製剤中に含有せしめ
てもよく、また通常の溶解補助剤、緩衝剤、無痛化剤な
どを添加してもよい。更に必要に応じて着色剤、保存剤
、香料、風味剤、甘味剤などや他の医薬品を該製剤中に
含有せしめてもよい。 かくして調製される医薬製剤(強心剤)中に含有される
べき一般式〔1〕の化合物の量はとくに限定されず広範
囲に選択されるが、通常全製剤組成物中1〜70重量%
、好ましくは1〜30重量%とするのがよい。 また上記強心剤の投与方法にはとくに制限はなく、各種
製剤形態、患者の年令、性別その他の条件、疾患の程度
などに応じた方法で投与される。 例えば錠剤、丸剤、液剤、懸濁剤、乳剤、顆粒剤および
カプセル剤の場合には経口投与される。また注射剤の場
合には単独であるいはブドウ糖、アミノ酸などの通常の
補液と混合して静脈内投与され、さらには必要に応じて
単独で筋肉内、皮内、皮下もしくは腹腔内投与される。 坐剤の場合には直腸内投与される。 上記強心剤の投与量は用法、患者の年令、性別その他の
条件、疾患の程度などにより適宜選択されるが、通常有
効成分である一般式(1)の化合物の量は1日当り体重
1k12当り約0.0トIoMgとするのがよい。また
、投与単位形態中に有効成分を0.1〜200ダ含有せ
しめるのがよい。 以下に参考例及び実施例を挙げる。 参考例 l イサチン100F及び無水酢酸230ゴを加熱還流下今
時間攪拌する。反応混合物を室温まで冷却し、さら゛に
氷浴で1時間攪拌する。析出晶を群数し、エーテルで洗
浄、つづいて乾燥後N−アtチルイサチ:J100.3
7  fを得る。 参考例 2 N−アセチルイ寸チン100Fを水2.51に懸濁し、
水酸化ナトリウム521を加えて、90〜95°Cで1
時間攪拌する。この反応混合物に活性炭を加えて同温度
で30分攪拌した後tライト濾過を行なう。p液にl 
2N 、−HCII  を加えて析出晶を戸数して、4
−カルボ士シカルボスチリル40.779を得る。 参考例 3 ジメチルホルムアミド96冨lに、氷浴攪拌下にオ十シ
塩化リン322 IIlを2時間で滴下する。この反応
混合物にアセトアニリド 67.5 IIを加え、75
°C±3°Cで5時間攪拌する。反応混合物を氷水中に
あけ析出晶を加数する。次にこの析出晶を水200耐及
び濃塩酸200耐に懸濁し、90〜95℃で3時間、つ
いで水浴中3時間攪拌する。 析出晶を戸数して、3−ホルミルカルボスチリル37.
83 fを得る。 参考例 4 水酸化ナトリウム7.2F及び水32m1の水溶液中硝
酸銀161の水32Wlt水溶液を室温、攪拌下滴下す
る。次に水冷下、上記反応混合物に、4−ホルミルカル
ボスチリル?、Ofを少量ずつ加える。 加え終った後、45〜55°Cで2.5時間攪拌する。 不溶物を炉夫し、p液に濃塩酸を加え、析出晶を戸数し
て、3−カルボ士シカルボスチリル5.33fを得る。 参考例 5 4−カルボ士シー3,4−ジしドロカルボスチリルIO
g及びN−しド0+シコハク酸イ三ドロ・Ofをジオ士
サン200 mlに懸濁させる。つぎに水冷攪拌下・ジ
シクOへ士ジルカルボジイミド12.4fの50mtジ
オ+サン溶液を滴下する。その後さらに90°Cで4時
間加熱攪拌する。反応終了後、室温まで放冷し、析出晶
を戸失し、母液を減圧留去してコハク酸イミド 3,4
−ジしドロカルボスチリル−4−カルボ士シレート9.
5 flを得る。 実施例 1 4−カルボ士シカルボスチリル15N及び・トリエチル
アミ、:/13117をジメチルホルムアミド150+
lに懸濁し、0〜5°C1攪拌下、りOル炭酸イソブチ
ル12g/を徐々に滴下する。水冷下で1時間攪拌後、
ベンジルじペラジン +7.6 II及び−トリエチル
アミシロdのジメチルホルムアニド20m1溶液を滴下
する。室温で一晩攪拌後、IN−水酸化ナトリウム水溶
液に注ぎ、クロロホルムで抽出、つづいて水洗後硫酸ナ
トリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去する。残渣にエーテ
ルを加えることで結晶化し析出晶を戸数、エーテル洗浄
、乾燥し、濃塩酸で塩酸塩とし、エタノール−水より再
結晶して4−(4−へ:Jジル−1−ピペラジニルカル
ボニル)カルボスチリルl塩酸塩・%水和物8.591
を得る。 m/265−267°C(分解) 無色粉末状晶 実施例 2 3−カルボ士シカルボスチリル15f、t−リエチルア
ミン13w1.及びジメチルホルムアミド150g/を
氷浴攪拌し、これにり0ル炭酸イソづチル12tIIl
を徐々に滴下する。水冷下で30分攪拌後、再び水浴中
にて、べ、7ジルじペラジン17.61のりメチルホル
ムアミド20 ml溶液を滴下する。 滴下終了後、室温で1時間、45〜50°Cで1時間、
さらに水浴中で1時間攪拌する。析出晶を戸数し、濃塩
酸で塩酸塩とし、メタノール−水より再結晶して、3−
(4−ベンジル−1−じベラジニル力ルボニル)カルボ
スチリルl塩酸塩25.Ofを得る。 1117291−294℃(分解) 無色針状晶 実施例I及び2と同様にして、適当な出発原料を用いて
以下の各化合物を得る。 −43一 実施例15 コハク酸イミドカルポスチリル−4−カルボ士シレート
+26岬とベンジルじペラジン931vとをジメチルホ
ルムアニド2 dに溶解し、−昼夜攪拌する。反応混合
物に水を加え、り00ホルムで抽出し、水及び飽和食塩
水で洗浄する。硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留
去し、残渣にエーテルを加えて結晶化する。濃塩酸で塩
酸塩としエタノール−水より再結晶して、4−(4−ベ
ンジル−1−じペラジニル力ルボニル)カルボスチリル
1塩#1塩・%水和物110I11/を得る。 ”/265−267°C(分解) 無色粉末状晶 実施例15と同様にして、適当な出発原料を用いて前記
実施例2〜1斗の化合物を得る。 実施例16 4−カルボ士シカルポスチリル0.981.ジシク0へ
士ジルカルボシイ三ド(DCC)1.3f及び44− ベンジルじペラジン1.1 yをジオ士サン10g/に
懸濁させ、60〜70°Cで5時間攪拌する。反応終了
後溶媒を留去し、エーテルを加えて析出晶を沖失する。 母液を濃縮後、残渣にりnoホルムを加えて溶解し、水
及び飽和食塩水で洗浄する。硫酸ナトリウムで乾燥後溶
媒を留去する。濃塩酸で塩酸塩としエタノール−水より
再結晶して、4−(4−ベンジル−1−じペラジニル力
ルボニル)カルボスチリルl塩酸塩・%水和物3101
1IfIを得る。 #j7265−267℃(分解) 無色粉末状晶 実施例16と同様にして、適当な出発原料を用いて、前
記実施例2〜14の化合物を得る。 実施例17 4−カルボ士シカルボスチリル 0.98 F及びトリ
エチルア三シ0.8mlをテトラしドロフラン(T”)
10mlに懸濁させ、室温攪拌下にジェチルり00ホス
フェート1.OfのTHF10ml溶液を滴下し室温で
3時間攪拌する。このものにベンジルじベラジ:、11
.11のTHF I Qg/ml溶液下し、室温でさら
に10時間攪拌する。反応終了後析出晶を沖去し、母液
を濃縮して、残渣に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を注
ぎ、り00ホルム抽出する。有機層を水及び飽和食塩水
で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去する。 濃塩酸で塩酸塩としエタノール−水より再結晶して、今
一(4−ベンジル−1−じペラジニル力ルボニル)カル
ボスチリルI塩酸塩・%水和物0.951を得る。 mfi265〜267°C(分解) 無色粉末状晶 実施例17と同様にして、適当な出発原料を用いて、前
記実施例2〜14の化合物を得る。 実施例18 エタノールl 00 mlに4−エト牛ジカルボニルカ
ルボスチリル 1.98f、ナトリウムエチラート0.
5 f及びベンジルピペラジン1.61を加えてオート
クレーブ中、110気圧、140〜150°Cにて6時
間反応させる。冷接、反応液を減圧下濃縮し、残渣をり
00ホルム200dに溶解させ、1%炭酸カリウム水溶
液、希塩酸及び水で順次洗浄したのち、硫酸ナトリウム
で乾燥し、溶媒案留来し、残渣を濃塩酸で塩酸塩としエ
タノール−水から再結晶して、4−(4−ベンジILL
−1−じペラジニル力ルボニル)カルボスチリル1塩酸
塩・%水和物2751qを得る。 m戸265−267°C(分解) 無色粉末状晶 実施例!8と同様にして、適当な出発原料を用いて、前
記実施例2〜14の化合物を得る。 実施例19 4−カルボ士シカルボスチリル 1.88 fを塩化メ
チレン200 mlに懸濁させ、じリジシ2−を加えた
のち、攪拌下、0〜20°Cに内温を保ちつつ塩化チオ
ニル1.41!を滴下する。滴下終了後同温度で1時間
攪拌し、ベンジルじペラジン 1.749の塩化メチレ
:710 ml溶液を滴下する。滴下終了後、室温で4
時間攪拌する。反応液を炭酸カリウム水溶液で十分に洗
浄し、水及び希塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し
たのち、溶媒を留去する。 得られた残渣を濃塩酸で塩酸塩としエタノール−水から
再結晶して、4−(4−ベンジル−1−じペラジニル力
ルボニル)カルボスチリル1塩酸塩・%水和物300′
qを得る。 mfi265−267°C(分解) 無色粉末状晶 実施例19と同様にして、適当な出発原料を用いて、前
記実施例2〜14の化合物を得る。 実施例20 β−り00フエネトール0.7F及びヨウ化ナトリウム
0.82をジメチルホルムアミド15耐に懸濁し、30
〜35℃で1.5時間攪拌する。この反応混合物に4−
(l−じペラジニル力ルボニル)カルボスチリル1.O
f及び炭酸カリウム1.21を加えて60〜70℃で8
時間攪拌する。反応混合物をIN水酸化ナトリウム水溶
液中に注ぎ込み\り00ホルムで抽出する。水洗後飽和
食塩水で洗浄し、その後硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒
を留去する。残渣をメタノールに溶解し、塩酸及びエタ
ノールを加えて塩酸塩とし、エタノール−水より再結晶
して、4−(4−(2−フェノ中ジエチル)−1−じペ
ラジニル力ルボニル〕カルボスチリルl塩酸塩・l水和
物0.46 fを得る。 m戸255.5〜257℃(分解) 無色針状晶 実施例20と同様にして前記実施例1〜5及び7〜10
.13.14の化合物を得る。 実施例2I 4−(4−ベンジル−1−じペラジニル力ルポ二ん)カ
ルボスチリル7.71をエタノール−水(エタノール/
水−’/、) 400 mlに懸濁し、濃塩酸を加えて
塩酸塩とする。10%パラジウム炭素1.61を用い、
45〜50°Cで水素化分解を行う。理論量の水素を吸
収後、触媒を沖夫、炉液を減圧留去し、残渣にア七トン
を加えることで結晶化し、エタノール−水より再結晶し
て、4−(l−じペラジニル力ルボニル)カルボスチリ
ル1m酸塩・l水和物 6.721を得る。 m戸300°C以上 無色針状晶 実施例21と同様にして適当な出発原料を用いて前記実
施例8及び12の化合物を得る。 実施例22 4−カルボ十シカルポスチリル 15.I  I及びト
リエチルアミン13m1をジメチルホルムアミド150
m/に懸濁し、水冷攪拌下、り0ル炭酸イソブチル12
g/を徐々に滴下する。同温度で1時間攪拌後、4−(
2−フェノ+ジエチル)ヒペラジン 20.61及びト
リエチルアミン6 mlのりメチルホルムアミド20g
/溶液を滴下する。室温で一晩攪拌後、IA’水酸化ナ
トリウム水溶液中に注ぎ、りooホルムで抽出し、つづ
いて水洗、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去す
る。析出晶を乾燥し濃塩酸で塩酸塩としエタノール−水
より再結晶して4−(4−(2−フェノ+ジエチル)−
m戸255.5〜257℃(分解) 無色針状晶 実施例23 4−カルボ士シー3.4−ジしドロカルボスチリル 1
5.If及びトリエチルアミン1511/をジメチルホ
ルムアミド150 mlに懸濁し、0〜5°c1撹拌下
、り0ル炭酸イソづチル12g1を徐々に滴下する。室
温で1時間攪拌後、ベンジルごペラジン17.69及び
トリエチルアミン6 mlのジメチルホルムア三F20
txl溶液を滴下する。室温で一晩攪拌後、IN水酸化
ナトリウム水溶液に注ぎ、クロロホルムで抽出、つづい
て水洗、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去する
。析出晶を乾燥し濃塩酸で塩酸塩としエタノール−水よ
り再結晶して4−(4−ベシジンー1−ヒペラジニル力
ルボニル)−3,4−ジしドロカルボスチリル・1塩酸
塩・3ろ水和物7.61を得る。 ml’ 265.5〜267°C(分解)無色針状晶 (以 上)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中Rは水素原子、低級アル千ル基、フェニル基、フ
    ェノ千シ低級アル千ル基、ベシゾイル低級アル干ル基又
    はフェニル低級アル千ル基を示す。カルボスチリル骨格
    の3位と4位の結合は、−重結合又は二重結合を示す。 〕で表わされるカルボスチリル誘導体及びその塩。
JP14130582A 1982-08-13 1982-08-13 カルボスチリル誘導体 Granted JPS5929668A (ja)

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JPH0222751B2 (ja) 1990-05-21

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